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PD - 91414C
IRLMS6702
HEXFET
功率MOSFET
l
l
l
l
第五代技术
Micro6封装形式
超低
R
DS （ ON）
P沟道MOSFET
D
1
6
A
D
V
DSS
= -20V
D
2
5
D
描述
第五代HEXFET
从功率MOSFET
国际整流器利用先进的加工
技术，以实现极低的导通电阻
每硅片面积。这样做的好处，结合快速
开关速度和坚固耐用的设备的设计，
HEXFET
功率MOSFET是众所周知的，
为设计者提供了一个非常有效和
可靠的装置，用于在各种各样的应用中使用。
该Micro6 封装，其引脚框定制
产生HEXFET
功率MOSFET为R
DS （ ON）
60 ％不到同样大小的SOT- 23 。这个包是
其中，印刷电路板空间应用的理想选择
是十分宝贵的。它独特的散热设计和R
DS （ ON）
减少使一个电流处理增加
近300 ％相比， SOT -23 。
G
3
4
S
R
DS （ ON）
= 0.20
顶视图
Micro6
绝对最大额定值
参数
I
D
@ T
A
= 25°C
I
D
@ T
A
= 70°C
I
DM
P
D
@T
A
= 25°C
V
GS
dv / dt的
T
J,
T
英镑
连续漏电流， V
GS
@ -4.5V
连续漏电流， V
GS
@ -4.5V
漏电流脉冲
功耗
线性降额因子
栅极 - 源极电压
峰值二极管恢复的dv / dt
结温和存储温度范围
马克斯。
-2.4
-1.9
-13
1.7
13
± 12
5.0
-55到+ 150
单位
A
W
毫瓦/°C的
V
V / ns的
°C
热电阻额定值
R
θJA
最大结点到环境
参数
分钟。
典型值。
最大
75
单位
° C / W
www.irf.com
1
3/18/04
IRLMS6702
电气特性@ T
J
= 25 ℃（除非另有规定）
参数
V
（ BR ） DSS
漏极至源极击穿电压
V
（ BR ） DSS
/T
J
击穿电压温度。系数
R
DS （ ON）
V
GS （ TH）
g
fs
I
DSS
I
GSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
静态漏 - 源极导通电阻
栅极阈值电压
正向跨导
漏极至源极漏电流
栅 - 源正向漏
栅 - 源反向漏
总栅极电荷
栅极 - 源极充电
栅极 - 漏极（ "Miller" ）充电
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
输入电容
输出电容
反向传输电容
分钟。
-20
-0.70
1.5
TYP 。 MAX 。单位
条件
V
V
GS
= 0V时，我
D
= -250A
-0.005 --- V / ° C参考到25° C，I
D
= -1mA
0.200
V
GS
= -4.5V ，我
D
= -1.6A
0.375
V
GS
= -2.7V ，我
D
= -0.80A
V
V
DS
= V
GS
, I
D
= -250A
S
V
DS
= -10V ，我
D
= -0.80A
-1.0
V
DS
= -16V, V
GS
= 0V
A
-25
V
DS
= -16V, V
GS
= 0V ，T
J
= 125°C
-100
V
GS
= -12V
nA
100
V
GS
= 12V
5.8 8.8
I
D
= -1.6A
1.8 2.6
NC V
DS
= -16V
2.1 3.1
V
GS
= -4.5V ，参照图6,9
13
V
DD
= -10V
20
I
D
= -1.6A
ns
21
R
G
= 6.0
18
R
D
= 6.1Ω ，参照图10
210
V
GS
= 0V
130
pF
V
DS
= -15V
73
= 1.0MHz的，见图。五
源极 - 漏极额定值和特性
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
参数
连续源电流
（体二极管）
脉冲源电流
（体二极管）
二极管的正向电压
反向恢复时间
反向RecoveryCharge
分钟。典型值。马克斯。单位
25
15
-1.7
-13
-1.2
37
22
V
ns
nC
A
条件
MOSFET符号
展示
G
整体反转
p-n结二极管。
T
J
= 25 ° C，I
S
= -1.6A ，V
GS
= 0V
T
J
= 25 ° C，I
F
= -1.6A
的di / dt = -100A / μs的
D
S
注意事项：
重复评价;脉冲宽度有限的
最大。结温。 （参见图11）
脉冲宽度
≤
300μS ;占空比
≤
2%.
表面安装在FR- 4电路板，T
≤
5sec.
I
SD
≤
-1.6A ， di / dt的
≤
-100A / μs的，V
DD
≤
V
（ BR ） DSS
,
T
J
≤
150°C
2
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IRLMS6702
100
VGS
顶部
- 7.5V
- 5.0V
- 4.0V
- 3.5V
- 3.0V
- 2.5V
- 2.0V
BOTTOM -1.75V
100
-I D，漏极 - 源极电流（A ）
10
-ID ，漏极 - 源极电流（A ）
VGS
- 7.5V
- 5.0V
- 4.0V
- 3.5V
- 3.0V
- 2.5V
- 2.0V
BOTTOM -1.75V
顶部
10
1
1
-1.75V
-1.75V
0.1
0.1
1
20μs的脉冲宽度
T
J
= 25°C
A
10
0.1
0.1
1
20μs的脉冲宽度
T
J
= 150°C
10
A
-VDS ，漏极至源极电压（ V）
-V ，漏极至源极电压（ V）
DS
图1 。
典型的输出特性
图2 。
典型的输出特性
100
2.0
R
DS （ ON）
，漏极 - 源极导通电阻
（归一化）
I
D
= -1.6A
-I
D
，漏极 - 源极电流（A ）
1.5
10
T
J
= 25°C
T
J
= 150°C
1
1.0
0.5
0.1
1.5
2.0
2.5
3.0
V
DS
= -10V
20μs的脉冲宽度
3.5
4.0
4.5
5.0
A
0.0
-60
-40
-20
0
20
40
60
80
V
GS
= -4.5V
100 120 140 160
A
-V
GS
，栅 - 源极电压（ V）
T
J
，结温（ ° C）
图3 。
典型的传输特性
图4 。
归一化的导通电阻
与温度的关系
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3
IRLMS6702
400
-V
GS
，栅 - 源极电压（ V）
V
GS
= 0V,
F = 1MHz的
C
国际空间站
= C
gs
+ C
gd
, C
ds
短
C
RSS
= C
gd
C
OSS
= C
ds
+ C
gd
10
I
D
= -1.6A
V
DS
= -16V
8
C，电容（pF ）
300
C
国际空间站
C
OSS
200
6
4
C
RSS
100
2
0
1
10
100
A
0
0
2
4
测试电路
参见图9
6
8
10
A
-V
DS
，漏极至源极电压（ V）
Q
G
，总栅极电荷（ NC）
图5 。
典型的电容比。
漏极至源极电压
图6 。
典型栅极电荷比。
栅极 - 源极电压
100
100
-I
SD
，反向漏电流（ A）
在这一领域有限
由R
DS （ ON）
10
-I
D
，漏电流（ A）
10
100s
T
J
= 150°C
T
J
= 25°C
1
1ms
1
10ms
0.1
0.4
0.6
0.8
1.0
V
GS
= 0V
1.2
A
0.1
1
T
A
= 25°C
T
J
= 150°C
单脉冲
10
1.4
A
100
-V
SD
，源极到漏极电压（V ）
-V
DS
，漏极至源极电压（ V）
图7 。
典型的源极 - 漏极二极管
正向电压
图8 。
最大安全工作区
4
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IRLMS6702
V
DS
R
D
-4.5V
Q
GS
V
G
Q
G
Q
GD
R
G
V
GS
D.U.T.
+
-4.5V
脉冲宽度
≤ 1
s
占空比
≤ 0.1 %
收费
图9A 。
基本栅极电荷波形
电流调节器
同类型D.U.T.
图10A 。
开关时间测试电路
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
50K
12V
.2F
.3F
V
GS
10%
+
D.U.T.
-
V
DS
V
GS
-3mA
90%
I
G
I
D
V
DS
电流采样电阻器
图9b所示。
栅极电荷测试电路
100
D = 0.50
图10B 。
开关时间波形
热响应（Z
thJA
)
0.20
10
0.10
0.05
0.02
1
0.01
单脉冲
（热反应）
注意事项：
1.负载因数D = T
1
/ t
2
2.峰值牛逼
J
= P
DM
X Z
thJA
+ T
A
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
P
DM
t
1
t
2
0.1
0.00001
t
1
，矩形脉冲持续时间（秒）
图11 。
最大有效瞬态热阻抗，结到环境
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-
V
DD
5
PD - 91414C
IRLMS6702
HEXFET
功率MOSFET
l
l
l
l
第五代技术
Micro6封装形式
超低
R
DS （ ON）
P沟道MOSFET
D
1
6
A
D
V
DSS
= -20V
D
2
5
D
描述
第五代HEXFET
从功率MOSFET
国际整流器利用先进的加工
技术，以实现极低的导通电阻
每硅片面积。这样做的好处，结合快速
开关速度和坚固耐用的设备的设计，
HEXFET
功率MOSFET是众所周知的，
为设计者提供了一个非常有效和
可靠的装置，用于在各种各样的应用中使用。
该Micro6 封装，其引脚框定制
产生HEXFET
功率MOSFET为R
DS （ ON）
60 ％不到同样大小的SOT- 23 。这个包是
其中，印刷电路板空间应用的理想选择
是十分宝贵的。它独特的散热设计和R
DS （ ON）
减少使一个电流处理增加
近300 ％相比， SOT -23 。
G
3
4
S
R
DS （ ON）
= 0.20
顶视图
Micro6
绝对最大额定值
参数
I
D
@ T
A
= 25°C
I
D
@ T
A
= 70°C
I
DM
P
D
@T
A
= 25°C
V
GS
dv / dt的
T
J,
T
英镑
连续漏电流， V
GS
@ -4.5V
连续漏电流， V
GS
@ -4.5V
漏电流脉冲
功耗
线性降额因子
栅极 - 源极电压
峰值二极管恢复的dv / dt
结温和存储温度范围
马克斯。
-2.4
-1.9
-13
1.7
13
± 12
5.0
-55到+ 150
单位
A
W
毫瓦/°C的
V
V / ns的
°C
热电阻额定值
R
θJA
最大结点到环境
参数
分钟。
典型值。
最大
75
单位
° C / W
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1
3/18/04
IRLMS6702
电气特性@ T
J
= 25 ℃（除非另有规定）
参数
V
（ BR ） DSS
漏极至源极击穿电压
V
（ BR ） DSS
/T
J
击穿电压温度。系数
R
DS （ ON）
V
GS （ TH）
g
fs
I
DSS
I
GSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
静态漏 - 源极导通电阻
栅极阈值电压
正向跨导
漏极至源极漏电流
栅 - 源正向漏
栅 - 源反向漏
总栅极电荷
栅极 - 源极充电
栅极 - 漏极（ "Miller" ）充电
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
输入电容
输出电容
反向传输电容
分钟。
-20
-0.70
1.5
TYP 。 MAX 。单位
条件
V
V
GS
= 0V时，我
D
= -250A
-0.005 --- V / ° C参考到25° C，I
D
= -1mA
0.200
V
GS
= -4.5V ，我
D
= -1.6A
0.375
V
GS
= -2.7V ，我
D
= -0.80A
V
V
DS
= V
GS
, I
D
= -250A
S
V
DS
= -10V ，我
D
= -0.80A
-1.0
V
DS
= -16V, V
GS
= 0V
A
-25
V
DS
= -16V, V
GS
= 0V ，T
J
= 125°C
-100
V
GS
= -12V
nA
100
V
GS
= 12V
5.8 8.8
I
D
= -1.6A
1.8 2.6
NC V
DS
= -16V
2.1 3.1
V
GS
= -4.5V ，参照图6,9
13
V
DD
= -10V
20
I
D
= -1.6A
ns
21
R
G
= 6.0
18
R
D
= 6.1Ω ，参照图10
210
V
GS
= 0V
130
pF
V
DS
= -15V
73
= 1.0MHz的，见图。五
源极 - 漏极额定值和特性
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
参数
连续源电流
（体二极管）
脉冲源电流
（体二极管）
二极管的正向电压
反向恢复时间
反向RecoveryCharge
分钟。典型值。马克斯。单位
25
15
-1.7
-13
-1.2
37
22
V
ns
nC
A
条件
MOSFET符号
展示
G
整体反转
p-n结二极管。
T
J
= 25 ° C，I
S
= -1.6A ，V
GS
= 0V
T
J
= 25 ° C，I
F
= -1.6A
的di / dt = -100A / μs的
D
S
注意事项：
重复评价;脉冲宽度有限的
最大。结温。 （参见图11）
脉冲宽度
≤
300μS ;占空比
≤
2%.
表面安装在FR- 4电路板，T
≤
5sec.
I
SD
≤
-1.6A ， di / dt的
≤
-100A / μs的，V
DD
≤
V
（ BR ） DSS
,
T
J
≤
150°C
2
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IRLMS6702
100
VGS
顶部
- 7.5V
- 5.0V
- 4.0V
- 3.5V
- 3.0V
- 2.5V
- 2.0V
BOTTOM -1.75V
100
-I D，漏极 - 源极电流（A ）
10
-ID ，漏极 - 源极电流（A ）
VGS
- 7.5V
- 5.0V
- 4.0V
- 3.5V
- 3.0V
- 2.5V
- 2.0V
BOTTOM -1.75V
顶部
10
1
1
-1.75V
-1.75V
0.1
0.1
1
20μs的脉冲宽度
T
J
= 25°C
A
10
0.1
0.1
1
20μs的脉冲宽度
T
J
= 150°C
10
A
-VDS ，漏极至源极电压（ V）
-V ，漏极至源极电压（ V）
DS
图1 。
典型的输出特性
图2 。
典型的输出特性
100
2.0
R
DS （ ON）
，漏极 - 源极导通电阻
（归一化）
I
D
= -1.6A
-I
D
，漏极 - 源极电流（A ）
1.5
10
T
J
= 25°C
T
J
= 150°C
1
1.0
0.5
0.1
1.5
2.0
2.5
3.0
V
DS
= -10V
20μs的脉冲宽度
3.5
4.0
4.5
5.0
A
0.0
-60
-40
-20
0
20
40
60
80
V
GS
= -4.5V
100 120 140 160
A
-V
GS
，栅 - 源极电压（ V）
T
J
，结温（ ° C）
图3 。
典型的传输特性
图4 。
归一化的导通电阻
与温度的关系
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3
IRLMS6702
400
-V
GS
，栅 - 源极电压（ V）
V
GS
= 0V,
F = 1MHz的
C
国际空间站
= C
gs
+ C
gd
, C
ds
短
C
RSS
= C
gd
C
OSS
= C
ds
+ C
gd
10
I
D
= -1.6A
V
DS
= -16V
8
C，电容（pF ）
300
C
国际空间站
C
OSS
200
6
4
C
RSS
100
2
0
1
10
100
A
0
0
2
4
测试电路
参见图9
6
8
10
A
-V
DS
，漏极至源极电压（ V）
Q
G
，总栅极电荷（ NC）
图5 。
典型的电容比。
漏极至源极电压
图6 。
典型栅极电荷比。
栅极 - 源极电压
100
100
-I
SD
，反向漏电流（ A）
在这一领域有限
由R
DS （ ON）
10
-I
D
，漏电流（ A）
10
100s
T
J
= 150°C
T
J
= 25°C
1
1ms
1
10ms
0.1
0.4
0.6
0.8
1.0
V
GS
= 0V
1.2
A
0.1
1
T
A
= 25°C
T
J
= 150°C
单脉冲
10
1.4
A
100
-V
SD
，源极到漏极电压（V ）
-V
DS
，漏极至源极电压（ V）
图7 。
典型的源极 - 漏极二极管
正向电压
图8 。
最大安全工作区
4
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IRLMS6702
V
DS
R
D
-4.5V
Q
GS
V
G
Q
G
Q
GD
R
G
V
GS
D.U.T.
+
-4.5V
脉冲宽度
≤ 1
s
占空比
≤ 0.1 %
收费
图9A 。
基本栅极电荷波形
电流调节器
同类型D.U.T.
图10A 。
开关时间测试电路
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
50K
12V
.2F
.3F
V
GS
10%
+
D.U.T.
-
V
DS
V
GS
-3mA
90%
I
G
I
D
V
DS
电流采样电阻器
图9b所示。
栅极电荷测试电路
100
D = 0.50
图10B 。
开关时间波形
热响应（Z
thJA
)
0.20
10
0.10
0.05
0.02
1
0.01
单脉冲
（热反应）
注意事项：
1.负载因数D = T
1
/ t
2
2.峰值牛逼
J
= P
DM
X Z
thJA
+ T
A
0.0001
0.001
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，矩形脉冲持续时间（秒）
图11 。
最大有效瞬态热阻抗，结到环境
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