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PD - 94051A

IRFZ48VS

HEXFET

功率MOSFET

l

先进的工艺技术

超低导通电阻

动态的dv / dt额定值

175 ° C工作温度

快速开关

全额定雪崩

优化SMPS应用

D

V

DSS

= 60V

R

DS （ ON）

= 12m

G

S

I

D

= 72A

描述

先进的HEXFET

国际整流器功率MOSFET

利用先进的加工技术，以实现极低

导通电阻每硅片面积。这样做的好处，结合快速

开关速度和坚固耐用的设备的设计， HEXFET功率

MOSFET是众所周知的，为设计者提供了一个非常

高效，可靠的装置，用于在各种各样的应用中使用。

对D

2

白是一种表面贴装功率封装能力

泱泱模具尺寸高达HEX - 4 。它提供了最高的功率

能力和尽可能低的导通电阻，在任何现有

表面贴装封装。对D

2

白是适宜于大电流

因为它的低的内部连接电阻的应用程序和

功耗最高2.0W的典型的表面贴装应用。

D

2

PAK

绝对最大额定值

参数

I

D

@ T

C

= 25°C

I

D

@ T

C

= 100°C

I

DM

P

D

@T

C

= 25°C

V

GS

E

AS

I

AR

E

AR

dv / dt的

T

J

T

英镑

连续漏电流， V

GS

@ 10V

连续漏电流， V

GS

@ 10V

漏电流脉冲

功耗

线性降额因子

栅极 - 源极电压

单脉冲雪崩能量

雪崩电流

重复性雪崩能量

峰值二极管恢复的dv / dt

工作结

存储温度范围

焊接温度，持续10秒

安装扭矩， 6-32或M3 srew

马克斯。

72

51

290

150

1.0

± 20

166

72

15

5.3

-55 + 175

300 （ 1.6毫米从案例）

10磅在（ 1.1N m）的

单位

A

W

W / ℃，

V

mJ

A

mJ

V / ns的

°C

热阻

参数

R

θJC

R

θCS

R

θJA

结到外壳

案件到水槽，平面，脂表面

结到环境

典型值。

–––

0.50

–––

马克斯。

1.0

–––

62

单位

° C / W

www.irf.com

1

5/18/01

IRFZ48VS

电气特性@ T

J

= 25 ℃（除非另有规定）

V

（ BR ） DSS

V

（ BR ） DSS

/T

J

R

DS （ ON）

V

GS （ TH）

g

fs

I

DSS

I

GSS

Q

g

Q

gs

Q

gd

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

L

D

L

S

C

国际空间站

C

OSS

C

RSS

参数

漏极至源极击穿电压

击穿电压温度。系数

静态漏 - 源极导通电阻

栅极阈值电压

正向跨导

漏极至源极漏电流

栅 - 源正向漏

栅 - 源反向漏

总栅极电荷

栅极 - 源极充电

栅极 - 漏极（ "Miller" ）充电

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

内部排水电感

内部源极电感

输入电容

输出电容

反向传输电容

分钟。

60

–––

2.0

35

–––

典型值。

–––

0.064

–––

7.6

200

157

166

4.5

7.5

1985

496

91

MAX 。单位

条件

–––

V

GS

= 0V时，我

D

= 250A

--- V / ° C参考到25° C，I

D

= 1毫安

12.0毫欧V

GS

= 10V ，我

D

= 43A

4.0

V

DS

= V

GS

, I

D

= 250A

–––

S

V

DS

= 25V ，我

D

= 43A

25

V

DS

= 60V, V

GS

= 0V

A

250

V

DS

= 48V, V

GS

= 0V ，T

J

= 150°C

100

V

GS

= 20V

nA

-100

V

GS

= -20V

110

I

D

= 72A

29

NC V

DS

= 48V

36

V

GS

= 10V ，参照图6和13

–––

V

DD

= 30V

–––

I

D

= 72A

ns

–––

R

G

= 9.1

–––

R

D

= 0.34Ω ，见图。 10

铅之间，

–––

6毫米（0.25英寸）。

nH

G

从包

–––

而中心的模具接触

–––

V

GS

= 0V

–––

V

DS

= 25V

–––

pF

= 1.0MHz的，见图。五

D

S

源极 - 漏极额定值和特性

I

S

I

SM

V

SD

t

rr

Q

rr

t

on

注意事项：

参数

连续源电流

（体二极管）

脉冲源电流

（体二极管）

二极管的正向电压

反向恢复时间

反向恢复电荷

向前开启时间

分钟。典型值。马克斯。单位

条件

D

MOSFET符号

72

––– –––

展示

A

G

整体反转

––– ––– 290

S

p-n结二极管。

––– ––– 2.0

V

T

J

= 25 ° C，I

S

= 72A ，V

GS

= 0V

––– 70 100

ns

T

J

= 25 ° C，I

F

= 72A

––– 155 233

NC的di / dt = 100A / μs的

固有的导通时间是可以忽略的（导通用L为主

S

+L

D

)

重复评价;脉冲宽度有限的

最大。结温。（参见图11）

I

SD

≤

72A ， di / dt的

≤

151A / μs的，V

DD

≤

V

（ BR ） DSS

,

T

J

≤

175°C

脉冲宽度

≤

300μS ;占空比

≤

2%.

起始物为

J

= 25℃时，L = 64μH

R

G

= 25, I

AS

= 72A 。（参见图12）

2

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IRFZ48VS

1000

I

D

，漏极 - 源极电流（A ）

100

I

D

，漏极 - 源极电流（A ）

VGS

15V

10V

8.0V

7.0V

6.0V

5.5V

5.0V

BOTTOM 4.5V

顶部

1000

VGS

15V

10V

8.0V

7.0V

6.0V

5.5V

5.0V

BOTTOM 4.5V

顶部

100

4.5V

10

4.5V

1

0.1

20μs的脉冲宽度

T

J

= 25

°

C

1

10

100

1

0.1

20μs的脉冲宽度

T

J

= 175

°

C

1

10

100

V

DS

，漏极至源极电压（ V）

V

DS

，漏极至源极电压（ V）

图1 。

典型的输出特性

图2 。

典型的输出特性

R

DS （ ON）

，漏极 - 源极导通电阻

（归一化）

1000

3.0

I

D

= 72A

I

D

，漏极 - 源极电流（A ）

T

J

= 25

°

C

T

J

= 175

°

C

2.5

100

2.0

1.5

10

1.0

0.5

1

4

6

8

V DS = 25V

20μs的脉冲宽度

10

12

14

0.0

-60 -40 -20 0

V

GS

= 10V

20 40 60 80 100 120 140 160 180

V

GS

，栅 - 源极电压（ V）

T

J

，结温（

°

C)

图3 。

典型的传输特性

图4 。

归一化的导通电阻

与温度的关系

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3

IRFZ48VS

4000

20

3000

CRSS = Cgd的

COSS =硫化镉+ Cgd的

V

GS

，栅 - 源极电压（ V）

VGS = 0V，

F = 1 MHz的

顺=的Cgs + Cgd的，光盘短路

I

D

=

72A

V

DS

= 48V

V

DS

= 30V

V

DS

= 12V

15

C，电容（pF ）

西塞

2000

10

1000

5

科斯

CRSS

0

1

10

100

0

20

40

60

80

100

120

VDS ，漏极至源极电压（ V）

Q

G

，总栅极电荷（ NC）

图5 。

典型的电容比。

漏极至源极电压

1000

图6 。

典型栅极电荷比。

栅极 - 源极电压

I

SD

，反向漏电流（ A）

在这一领域有限

由R

DS （ ON）

100

I

D

，漏电流（ A）

T

J

= 175

°

C

10us

100

100us

10

T

J

= 25

°

C

10

1ms

10ms

1

0.1

0.2

V

GS

= 0 V

0.6

1.0

1.4

1.8

1

T

C

= 25 ° C

T

J

= 175 °C

单脉冲

10

100

1000

V

SD

，源极到漏极电压（V ）

V

DS

，漏极至源极电压（ V）

图7 。

典型的源极 - 漏极二极管

正向电压

4

图8 。

最大安全工作区

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IRFZ48VS

R

D

80

V

DS

V

GS

R

G

D.U.T.

+

V

DD

I

D

，漏电流（ A）

60

-

10V

40

脉冲宽度

≤ 1

s

占空比

≤ 0.1 %

图10A 。

开关时间测试电路

20

V

DS

90%

0

25

50

75

100

125

150

175

T

C

，外壳温度（ ° C）

10%

V

GS

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

图9 。

最大漏极电流比。

外壳温度

10

图10B 。

开关时间波形

热响应（Z

thJC

)

1

D = 0.50

0.20

0.10

0.1

0.05

0.02

0.01

单脉冲

（热反应）

P

DM

t

1

t

2

注意事项：

1.负载因数D = T

1

/ t

2

2.峰值牛逼

J

= P

DM

X Z

thJC

+ T

C

0.001

0.01

0.1

1

0.01

0.00001

0.0001

t

1

，矩形脉冲持续时间（秒）

图11 。

最大有效瞬态热阻抗，结至外壳

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