IRF7862PbF
静态@ T
J
= 25 ℃（除非另有规定）
参数
BV
DSS
ΒV
DSS
/T
J
R
DS （ ON）
V
GS （ TH）
V
GS （ TH）
I
DSS
I
GSS
政府飞行服务队
Q
g
Q
gs1
Q
gs2
Q
gd
Q
godr
Q
sw
Q
OSS
R
g
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
漏极至源极击穿电压
击穿电压温度。系数
静态漏 - 源极导通电阻
栅极阈值电压
栅极阈值电压系数
漏极至源极漏电流
栅 - 源正向漏
栅 - 源反向漏
正向跨导
总栅极电荷
预Vth的栅极 - 源极充电
后Vth的栅极至源电荷
栅极 - 漏极电荷
栅极电荷过载
切换电荷（Q
gs2
+ Q
gd
)
输出充电
栅极电阻
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
输入电容
输出电容
反向传输电容
参数
单脉冲雪崩能量
雪崩电流
分钟。典型值。马克斯。单位
30
–––
–––
–––
1.35
–––
–––
–––
–––
–––
87
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
0.023
3.0
3.7
–––
-5.4
–––
–––
–––
–––
–––
30
7.5
3.1
9.8
9.6
12.9
18
1.0
16
19
18
11
4090
810
390
–––
–––
3.3
4.5
2.35
–––
1.0
V
条件
V
GS
= 0V时，我
D
= 250A
V / ℃参考至25℃ ，我
D
= 1毫安
V
GS
= 10V ，我
D
= 20A
m
V
GS
= 4.5V ，我
D
= 16A
V V
DS
= V
GS
, I
D
= 100A
e
e
毫伏/°C， V
DS
= V
GS
, I
D
= 250A
V
DS
= 24V, V
GS
= 0V
A
V
DS
= 24V, V
GS
= 0V ，T
J
= 125°C
150
V
GS
= 20V
100
nA
-100
V
GS
= -20V
–––
s V
DS
= 15V ，我
D
= 16A
45
–––
–––
–––
–––
–––
–––
1.6
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
典型值。
–––
–––
nC
nC
V
DS
= 15V
V
GS
= 4.5V
I
D
= 16A
参见图。 15 & 16
V
DS
= 16V, V
GS
= 0V
V
DD
= 15V, V
GS
= 4.5V
I
D
= 16A
ns
R
G
= 1.8
参见图。 18
V
GS
= 0V
V
DS
= 15V
= 1.0MHz的
马克斯。
350
16
单位
mJ
A
pF
雪崩特性
E
AS
I
AR
d
二极管的特性
参数
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
t
on
连续源电流
（体二极管）
脉冲源电流
（体二极管）
二极管的正向电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
向前开启时间
分钟。典型值。马克斯。单位
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
17
33
3.1
A
170
1.0
26
50
V
ns
nC
条件
MOSFET符号
展示
整体反转
G
D
S
p-n结二极管。
T
J
= 25 ° C，I
S
= 16A ，V
GS
= 0V
T
J
= 25 ° C，I
F
= 16A ，V
DD
= 15V
的di / dt = 430A / μs的
e
e
固有的导通时间是可以忽略的（导通通过LS为主+ LD）的
2
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IRF7862PbF
1000
≤
在60μs脉冲宽度
TJ = 25°C
1000
顶部
VGS
10V
5.0V
4.5V
3.5V
3.0V
2.7V
2.5V
2.3V
≤
在60μs脉冲宽度
TJ = 150℃
ID ，漏极 - 源极电流（A ）
顶部
ID ，漏极 - 源极电流（A ）
100
10
底部
100
底部
VGS
10V
5.0V
4.5V
3.5V
3.0V
2.7V
2.5V
2.3V
1
10
0.1
2.3V
2.3V
1
0.01
0.1
1
10
100
V DS ，漏极至源极电压（ V）
0.1
1
10
100
V DS ，漏极至源极电压（ V）
图1 。
典型的输出特性
图2 。
典型的输出特性
1000
1.6
RDS （ ON）时，漏 - 源极导通电阻
（归一化）
VDS = 15V
≤60s
脉冲宽度
ID ，漏极 - 源极电流（A ）
100
1.4
ID = 21A
VGS = 10V
1.2
10
T J = 150℃
T J = 25°C
1.0
1
0.8
0.1
1
2
3
4
0.6
-60 -40 -20 0
20 40 60 80 100 120 140 160
T J ，结温（ ° C）
VGS ，栅 - 源极电压（ V）
图3 。
典型的传输特性
图4 。
归一化的导通电阻
与温度的关系
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3
IRF7862PbF
100000
VGS = 0V，
F = 1 MHz的
ISS = C GS + C GD ，C DS短路
RSS = C GD
OSS = C DS + C GD
5.0
ID = 16A
VGS ，栅 - 源极电压（ V）
4.0
VDS = 24V
VDS = 15V
C，电容（pF ）
10000
西塞
3.0
1000
科斯
CRSS
2.0
1.0
100
1
10
VDS ，漏极至源极电压（ V）
100
0.0
0
5
10
15
20
25
30
35
QG ，总栅极电荷（ NC）
图5 。
典型的电容比。
漏极至源极电压
图6 。
典型栅极电荷比。
栅极 - 源极电压
1000
1000
在这一领域
限于由R DS （ ON）
100sec
1msec
100
ID ，漏极 - 源极电流（A ）
ISD ，反向漏电流（ A）
100
10
10msec
T J = 150℃
10
T J = 25°C
1
T A = 25°C
VGS = 0V
1.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
VSD ，源极到漏极电压（V ）
0.1
0.1
TJ = 150℃
单脉冲
1.0
10
100
VDS ，漏极至源极电压（ V）
图7 。
典型的源极 - 漏极二极管
正向电压
图8 。
最大安全工作区
4
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IRF7862PbF
静态@ T
J
= 25 ℃（除非另有规定）
参数
BV
DSS
ΒV
DSS
/T
J
R
DS （ ON）
V
GS （ TH）
V
GS （ TH）
I
DSS
I
GSS
政府飞行服务队
Q
g
Q
gs1
Q
gs2
Q
gd
Q
godr
Q
sw
Q
OSS
R
g
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
漏极至源极击穿电压
击穿电压温度。系数
静态漏 - 源极导通电阻
栅极阈值电压
栅极阈值电压系数
漏极至源极漏电流
栅 - 源正向漏
栅 - 源反向漏
正向跨导
总栅极电荷
预Vth的栅极 - 源极充电
后Vth的栅极至源电荷
栅极 - 漏极电荷
栅极电荷过载
切换电荷（Q
gs2
+ Q
gd
)
输出充电
栅极电阻
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
输入电容
输出电容
反向传输电容
参数
单脉冲雪崩能量
雪崩电流
分钟。典型值。马克斯。单位
30
–––
–––
–––
1.35
–––
–––
–––
–––
–––
87
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
0.023
3.0
3.7
–––
-5.4
–––
–––
–––
–––
–––
30
7.5
3.1
9.8
9.6
12.9
18
1.0
12
16
17
6.1
4090
810
390
–––
–––
3.7
4.5
条件
V V
GS
= 0V时，我
D
= 250A
V / ℃参考至25℃ ，我
D
= 1毫安
m
V
GS
= 10V ，我
D
= 20A
V
GS
= 4.5V ，我
D
= 16A
2.35
V V
DS
= V
GS
, I
D
= 100A
---毫伏/°C， V
DS
= V
GS
, I
D
= 250A
1.0
150
100
-100
–––
45
–––
–––
–––
–––
–––
–––
1.6
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
典型值。
–––
–––
nC
A
nA
S
e
e
V
DS
= 24V, V
GS
= 0V
V
DS
= 24V, V
GS
= 0V ，T
J
= 125°C
V
GS
= 20V
V
GS
= -20V
V
DS
= 15V ，我
D
= 16A
V
DS
= 15V
V
GS
= 4.5V
I
D
= 16A
参见图。 15 & 16
V
DS
= 16V, V
GS
= 0V
V
DD
= 15V, V
GS
= 4.5V
nC
ns
I
D
= 16A
钳位感性负载
V
GS
= 0V
V
DS
= 15V
= 1.0MHz的
马克斯。
350
16
单位
mJ
A
pF
雪崩特性
E
AS
I
AR
d
二极管的特性
参数
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
t
on
连续源电流
（体二极管）
脉冲源电流
（体二极管）
二极管的正向电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
向前开启时间
分钟。典型值。马克斯。单位
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
17
33
3.1
A
170
1.0
26
50
V
ns
nC
条件
MOSFET符号
展示
整体反转
G
D
S
p-n结二极管。
T
J
= 25 ° C，I
S
= 16A ，V
GS
= 0V
T
J
= 25 ° C，I
F
= 16A ，V
DD
= 15V
的di / dt = 430A / μs的
e
e
固有的导通时间是可以忽略的（导通通过LS为主+ LD）的
2
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IRF7862PbF
1000
≤
在60μs脉冲宽度
TJ = 25°C
1000
顶部
VGS
10V
5.0V
4.5V
3.5V
3.0V
2.7V
2.5V
2.3V
≤
在60μs脉冲宽度
TJ = 150℃
ID ，漏极 - 源极电流（A ）
顶部
ID ，漏极 - 源极电流（A ）
100
10
底部
100
底部
VGS
10V
5.0V
4.5V
3.5V
3.0V
2.7V
2.5V
2.3V
1
10
0.1
2.3V
2.3V
1
0.01
0.1
1
10
100
V DS ，漏极至源极电压（ V）
0.1
1
10
100
V DS ，漏极至源极电压（ V）
图1 。
典型的输出特性
图2 。
典型的输出特性
1000
1.6
RDS （ ON）时，漏 - 源极导通电阻
（归一化）
VDS = 15V
≤60s
脉冲宽度
ID ，漏极 - 源极电流（A ）
100
1.4
ID = 21A
VGS = 10V
1.2
10
T J = 150℃
T J = 25°C
1.0
1
0.8
0.1
1
2
3
4
0.6
-60 -40 -20 0
20 40 60 80 100 120 140 160
T J ，结温（ ° C）
VGS ，栅 - 源极电压（ V）
图3 。
典型的传输特性
图4 。
归一化的导通电阻
与温度的关系
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100000
VGS = 0V，
F = 1 MHz的
ISS = C GS + C GD ，C DS短路
RSS = C GD
OSS = C DS + C GD
5.0
ID = 16A
VGS ，栅 - 源极电压（ V）
4.0
VDS = 24V
VDS = 15V
C，电容（pF ）
10000
西塞
3.0
1000
科斯
CRSS
2.0
1.0
100
1
10
VDS ，漏极至源极电压（ V）
100
0.0
0
5
10
15
20
25
30
35
QG ，总栅极电荷（ NC）
图5 。
典型的电容比。
漏极至源极电压
图6 。
典型栅极电荷比。
栅极 - 源极电压
1000
1000
在这一领域
限于由R DS （ ON）
100sec
1msec
100
ID ，漏极 - 源极电流（A ）
ISD ，反向漏电流（ A）
100
10
10msec
T J = 150℃
10
T J = 25°C
1
T A = 25°C
VGS = 0V
1.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
VSD ，源极到漏极电压（V ）
0.1
0.1
TJ = 150℃
单脉冲
1.0
10
100
VDS ，漏极至源极电压（ V）
图7 。
典型的源极 - 漏极二极管
正向电压
图8 。
最大安全工作区
4
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