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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符I型号页 > 首字符I的型号第401页 > IPD50R520CP
TYPE
IPD50R520CP
的CoolMOS
TM
功率晶体管
包
最低品质因数的R
ON
X Q
g
超低栅极电荷
至尊的dv / dt评分
高峰值电流能力
无铅引脚镀层;符合RoHS标准
根据JEDEC Quailfied
1)
为目标的应用
产品概述
V
DS
@T
JMAX
R
DS （ ON） ，最大
Q
克，典型值
550
0.520
13
V
nC
PG-TO252
的CoolMOS CP是专为：
硬件&软交换SMPS拓扑结构
DCM PFC的灯镇流器
PWM的灯镇流器， PDP和LCD电视
TYPE
IPD50R520CP
包
PG-TO252
记号
5R520P
最大额定值，
at
T
j
= 25℃ ，除非另有说明
参数
连续漏电流
符号条件
I
D
T
C
=25 °C
T
C
=100 °C
漏电流脉冲
2)
雪崩能量，单脉冲
雪崩能量，重复
t
AR2),3)
雪崩电流，重复性
t
AR2),3)
MOSFET的dv / dt坚固
门源电压
I
D，脉冲
E
AS
E
AR
I
AR
的dV / dt
V
GS
V
DS
=0...400 V
STATIC
AC （F >1赫兹）
功耗
工作和存储温度
P
合计
T
j
,
T
英镑
T
C
=25 °C
T
C
=25 °C
I
D
=2.5 A,
V
DD
=50 V
I
D
=2.5 A,
V
DD
=50 V
价值
7.1
4.5
15
166
0.25
2.5
50
±20
±30
66
-55 ... 150
W
°C
A
V / ns的
V
mJ
单位
A
2.1版
第1页
2008-04-10
IPD50R520CP
最大额定值，
at
T
j
= 25℃ ，除非另有说明
参数
连续二极管的正向电流
二极管脉冲电流
2)
反向二极管的dv / dt
4)
参数
符号条件
I
S
I
S，脉冲
的dV / dt
符号条件
分钟。
热特性
热阻，结 - 案
热阻，结 -
环境
焊接温度，
波峰焊只允许在引线
R
thJC
R
thJA
T
出售
含铅
1.6毫米（ 0.063英寸）
从案例10秒
-
-
-
-
-
-
1.9
62
260
°C
K / W
T
C
=25 °C
价值
3.8
15
15
值
典型值。
马克斯。
V / ns的
单位
单位
A
电气特性，
at
T
j
= 25℃ ，除非另有说明
静态特性
漏源击穿电压
栅极阈值电压
V
（ BR ） DSS
V
GS
=0 V,
I
D
=250 A
V
GS （ TH）
V
DS
=V
GS
,
I
D
= 0.25毫安
V
DS
=500 V,
V
GS
=0 V,
T
j
=25 °C
V
DS
=500 V,
V
GS
=0 V,
T
j
=150 °C
栅极 - 源极漏电流
漏源导通电阻
I
GSS
R
DS （ ON）
V
GS
=20 V,
V
DS
=0 V
V
GS
=10 V,
I
D
=3.8 A,
T
j
=25 °C
V
GS
=10 V,
I
D
=3.8 A,
T
j
=150 °C
栅极电阻
R
G
f
= 1 MHz时，漏极开路
500
2.5
-
3
-
3.5
V
零栅极电压漏极电流
I
DSS
-
-
1
A
-
-
-
10
-
0.47
-
100
0.52
nA
-
-
1.2
2.2
-
-
2.1版
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IPD50R520CP
参数
符号条件
分钟。
动态特性
输入电容
输出电容
有效输出电容，能量
相关
6)
有效的输出电容，时间
相关
7)
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
栅极电荷特性
门源费
栅漏电荷
栅极电荷总量
栅极电压平台
反向二极管
二极管的正向电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
峰值反向恢复电流
1)
值
典型值。
马克斯。
单位
C
国际空间站
C
OSS
C
O（ ER ）
V
GS
=0 V,
V
DS
=100 V,
f
= 1兆赫
-
-
-
680
31
29
-
-
-
pF
V
GS
=0 V,
V
DS
=0 V
至400 V
C
O（ TR ）
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
DD
=400 V,
V
GS
=10 V,
I
D
=3.8 A,
R
G
=48.3
-
-
-
-
-
63
35
14
80
17
-
-
-
-
-
ns
Q
gs
Q
gd
Q
g
V
高原
V
DD
=400 V,
I
D
=3.8 A,
V
GS
= 0到10伏
-
-
-
-
3
5
13
5.2
-
-
17
-
nC
V
V
SD
t
rr
Q
rr
I
RRM
V
GS
=0 V,
I
F
=3.8 A,
T
j
=25 °C
-
-
0.9
240
1.6
13
1.2
-
-
-
V
ns
C
A
V
R
=400 V,
I
F
=I
S
,
di
F
/ DT = 100 A / μs的
-
-
J- STD20和JESD22
脉冲宽度
t
p
受
T
， MAX
重复雪崩使得可以计算为额外的功率损耗
P
AV
=E
AR
*f.
I
SD
≤I
D
， di / dt的
≤400A/s,
V
的dcLINK
=400V,
V
PEAK
＆ LT ; V
（ BR ） DSS
,
T
j
＆ LT ;吨
JMAX
，相同的低和高侧开关
C
O（ ER ）
是一个固定的电容，给相同的存储的能量作为
C
OSS
而
V
DS
上升，从0至80％
V
DSS 。
C
O（ TR ）
是一个固定的电容，赋予相同的充电时间作为
C
OSS
而
V
DS
上升，从0至80％
V
DSS 。
2)
3)
4)
5)
6)
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IPD50R520CP
1功耗
P
合计
= F （T
C
)
2安全工作区
I
D
= F（V
DS
);
T
C
=25 °C;
D
=0
参数：
t
p
70
10
2
60
限于由导通状态
阻力
1 s
50
10
1
10 s
P
合计
[W]
I
D
[A]
40
100 s
1毫秒
10毫秒
30
10
0
20
DC
10
0
0
25
50
75
100
125
150
175
10
-1
10
0
10
1
10
2
10
3
T
C
[°C]
V
DS
[V]
3最大。瞬态热阻抗
Z
（ thJC ）
= F （T
p
);
参数：
D =吨
p
/T
10
1
4典型。输出特性
I
D
= F（V
DS
);
T
j
=25 °C
参数：
V
GS
20
20 V
10 V
15
10
0
0.5
7V
0.2
0.1
0.05
0.02
8V
Z
thJC
〔 K / W〕
I
D
[A]
10
6V
10
-1
0.01
单脉冲
5.5 V
5
5V
4.5 V
10
-2
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
0
0
5
10
15
20
t
p
[s]
V
DS
[V]
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IPD50R520CP
5典型。输出特性
I
D
= F（V
DS
);
T
j
=150 °C
参数：
V
GS
12
20 V
10 V
8V
6典型。漏源导通电阻
R
DS （ ON）
= F（我
D
);
T
j
=150 °C
参数：
V
GS
2
6.5 V
1.9
6V
10 V
10
7V
1.8
1.7
5.5 V
6V
7V
8
R
DS （ ON）
[
]
5.5 V
I
D
[A]
1.6
1.5
1.4
1.3
1.2
6
5V
4
4.5 V
2
0
0
5
10
15
20
25
1.1
0
2
4
6
8
10
12
14
V
DS
[V]
I
D
[A]
7漏源导通电阻
R
DS （ ON）
= F （T
j
);
I
D
=3.8 A;
V
GS
=10 V
8典型。传输特性
I
D
= F（V
GS
); |V
DS
|>2|I
D
|R
DS （ ON）最大值
参数：
T
j
1.4
1.3
1.2
1.1
1
25
25 °C
20
R
DS （ ON）
[
]
0.9
15
I
D
[A]
0.8
0.7
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
-60
-20
20
60
100
140
180
98 %
典型值
150 °C
10
5
0
0
2
4
6
8
10
T
j
[°C]
V
GS
[V]
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2008-04-10
TYPE
IPD50R520CP
的CoolMOS
TM
功率晶体管
包
最低品质因数的R
ON
X Q
g
超低栅极电荷
至尊的dv / dt评分
高峰值电流能力
无铅引脚镀层;符合RoHS标准
根据JEDEC Quailfied
1)
为目标的应用
产品概述
V
DS
@T
JMAX
R
DS （ ON） ，最大
Q
克，典型值
550
0.520
13
V
Ω
nC
PG-TO252
的CoolMOS CP是专为：
硬件&软交换SMPS拓扑结构
DCM PFC的灯镇流器
PWM的灯镇流器， PDP和LCD电视
TYPE
IPD50R520CP
包
PG-TO252
记号
5R520P
最大额定值，
at
T
j
= 25℃ ，除非另有说明
参数
连续漏电流
符号条件
I
D
T
C
=25 °C
T
C
=100 °C
漏电流脉冲
2)
雪崩能量，单脉冲
雪崩能量，重复
t
AR2),3)
雪崩电流，重复性
t
AR2),3)
MOSFET的dv / dt坚固
门源电压
I
D，脉冲
E
AS
E
AR
I
AR
的dV / dt
V
GS
V
DS
=0...400 V
STATIC
AC （F >1赫兹）
功耗
工作和存储温度
P
合计
T
j
,
T
英镑
T
C
=25 °C
T
C
=25 °C
I
D
=2.5 A,
V
DD
=50 V
I
D
=2.5 A,
V
DD
=50 V
价值
7,1
4,5
15
166
0,25
2,5
50
±20
±30
66
-55 ... 150
W
°C
A
V / ns的
V
mJ
单位
A
修订版2.0
第1页
2007-11-21
IPD50R520CP
最大额定值，
at
T
j
= 25℃ ，除非另有说明
参数
连续二极管的正向电流
二极管脉冲电流
2)
符号条件
I
S
I
S，脉冲
的dV / dt
T
C
=25 °C
价值
3,8
15
15
单位
A
反向二极管的dv / dt
4)
参数
V / ns的
符号条件
分钟。
值
典型值。
马克斯。
单位
热特性
热阻，结 - 案
热阻，结 -
环境
焊接温度，
波峰焊只允许在引线
R
thJC
R
thJA
T
出售
含铅
1.6毫米（ 0.063英寸）
从案例10秒
-
-
-
-
-
-
1,9
62
260
°C
K / W
电气特性，
at
T
j
= 25℃ ，除非另有说明
静态特性
漏源击穿电压
D I
B KD
lt
栅极阈值电压
V
（ BR ） DSS
V
GS
=0 V
I
D
=250 A
0 V,
250
V
GS （ TH）
V
DS
=V
GS
,
I
D
= 0.25毫安
V
DS
=500 V,
V
GS
=0 V,
T
j
=25 °C
V
DS
=500 V,
V
GS
=0 V,
T
j
=150 °C
栅极 - 源极漏电流
漏源导通电阻
I
GSS
R
DS （ ON）
V
GS
=20 V,
V
DS
=0 V
V
GS
=10 V,
I
D
=3.8 A,
T
j
=25 °C
V
GS
=10 V,
I
D
=3.8 A,
T
j
=150 °C
栅极电阻
R
G
f
= 1 MHz时，漏极开路
500
2,5
-
3
-
3,5
V
零栅极电压漏极电流
I
DSS
-
-
1
A
-
-
-
10
-
0,47
-
100
0,52
nA
Ω
-
-
1,2
2,2
-
-
Ω
修订版2.0
第2页
2007-11-21
IPD50R520CP
参数
符号条件
分钟。
动态特性
输入电容
输出电容
C
国际空间站
C
OSS
V
GS
=0 V,
V
DS
=100 V,
f
= 1兆赫
-
-
-
V
GS
=0 V,
V
DS
=0 V
至400 V
-
-
V
DD
=400 V,
V
GS
=10 V,
I
D
=3.8 A,
R
G
=48.3
Ω
-
-
-
63
35
14
80
17
-
-
-
-
-
ns
680
31
29
-
-
-
pF
值
典型值。
马克斯。
单位
有效输出电容，能量
C
O（ ER ）
相关
6)
有效的输出电容，时间
相关
7)
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
栅极电荷特性
门源费
栅漏电荷
栅极电荷总量
栅极电压平台
反向二极管
二极管的正向电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
峰值反向恢复电流
1)
2)
C
O（ TR ）
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
gs
Q
gd
Q
g
V
高原
V
DD
=400 V,
I
D
=3.8 A,
00 ,
38 ,
V
GS
= 0到10伏
-
-
-
-
3
5
13
5,2
-
-
17
-
nC
V
V
SD
t
rr
Q
rr
I
RRM
V
GS
=0 V,
I
F
=3.8 A,
T
j
=25 °C
-
-
0,9
240
1,6
13
1,2
-
-
-
V
ns
C
A
V
R
=400 V,
I
F
=I
S
,
di
F
/ DT = 100 A / μs的
-
-
J- STD20和JESD22
脉冲宽度
t
p
受
T
， MAX
重复雪崩使得可以计算为额外的功率损耗
P
AV
=E
AR
*f.
I
SD
≤I
D
， di / dt的
≤400A/s,
V
的dcLINK
=400V,
V
PEAK
＆ LT ; V
（ BR ） DSS
,
T
j
＆ LT ;吨
JMAX
，相同的低和高侧开关
C
O（ ER ）
是一个固定的电容，给相同的存储的能量作为
C
OSS
而
V
DS
上升，从0至80％
V
DSS 。
C
O（ TR ）
是一个固定的电容，赋予相同的充电时间作为
C
OSS
而
V
DS
上升，从0至80％
V
DSS 。
3)
4)
5)
6)
修订版2.0
第3页
2007-11-21
IPD50R520CP
1功耗
P
合计
= F （T
C
)
2安全工作区
I
D
= F（V
DS
);
T
C
=25 °C;
D
=0
参数：
t
p
70
10
2
60
限于由导通状态
阻力
1 s
50
10
1
40
10 s
P
合计
[W]
I
D
[A]
100 s
1毫秒
10毫秒
30
10
0
20
DC
10
0
0
25
50
75
100
125
150
175
10
-1
10
0
10
1
10
2
10
3
T
C
[°C]
V
DS
[V]
3最大。瞬态热阻抗
Z
（ thJC ）
= F （T
p
);
参数：
D =吨
p
/T
10
1
4典型。输出特性
I
D
= F（V
DS
);
T
j
=25 °C
参数：
V
GS
20
20 V
10 V
8V
15
0.5
10
0
7V
0.2
0.1
0.05
0.02
Z
thJC
〔 K / W〕
I
D
[A]
10
6V
10
-1
0.01
单脉冲
5.5 V
5
5V
4.5 V
10
-2
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
0
0
5
10
15
20
t
p
[s]
V
DS
[V]
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第4页
2007-11-21
IPD50R520CP
5典型。输出特性
I
D
= F（V
DS
);
T
j
=150 °C
参数：
V
GS
12
20 V
10 V
8V
6典型。漏源导通电阻
R
DS （ ON）
= F（我
D
);
T
j
=150 °C
参数：
V
GS
2
6.5 V
1,9
10 V
6V
10
7V
1,8
1,7
5.5 V
6V
7V
8
R
DS （ ON）
[Ω]
5.5 V
1,6
1,5
1,4
1,3
1,2
I
D
[A]
6
5V
4
4.5 V
2
0
0
5
10
15
20
25
1,1
0
2
4
6
8
10
12
14
V
DS
[V]
I
D
[A]
7漏源导通电阻
R
DS （ ON）
= F （T
j
);
I
D
=3.8 A;
V
GS
=10 V
8典型。传输特性
I
D
= F（V
GS
); |V
DS
|>2|I
D
|R
DS （ ON）最大值
参数：
T
j
1,4
1,3
1,2
25
25 °C
20
1,1
1
R
DS （ ON）
[Ω]
0,9
15
I
D
[A]
0,8
0,7
0,6
0,5
98 %
典型值
150 °C
10
5
0,4
0,3
0,2
-60
-20
20
60
100
140
180
0
0
2
4
6
8
10
T
j
[°C]
V
GS
[V]
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2007-11-21
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IRL3716L
ICS9248-72
IDT71P72804S250BQ
IRKLF131-02GL
INA283AID
IMIB9948CAT
IRKKF111-02CN
IN74AC251
IRF7862PBF
IL223A
ISL3178EIUZ
I20SA20NOV
IRFZ48VS
ICL7660SCBAZ-T
IRKU91/06A
IRKTF180-02FP
IV0503DA
IS41C85125-60KI
IRFU4104
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DPAK-3 (TO-252-3)
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深圳信泰电子器材有限公司
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