IRFP064 ， SiHFP064
Vishay Siliconix公司
功率MOSFET
产品概述
V
DS
(V)
R
DS （ ON）
(Ω)
Q
g
（最大值） （ NC ）
Q
gs
（ NC ）
Q
gd
（ NC ）
CON组fi guration
V
GS
= 10 V
190
55
90
单身
D
特点
60
0.009
动态的dv / dt额定值
额定重复性雪崩
超低导通电阻
极低的热阻
隔离区安装孔
175°C的工作温度
快速开关
符合RoHS指令2002/95 / EC
可用的
RoHS指令*
柔顺
TO-247AC
描述
Vishay的第三代功率MOSFET提供
设计师与快速切换的最佳组合，
加固装置的设计，低导通电阻和
成本效益。
该
TO-247AC
包
is
首选
为
商业，工业应用高功率
水平排除使用的TO- 220AB设备。该
TO- 247AC类似，但优于早期的TO- 218
包，因为它的分离的安装孔中。它也提供
销，以满足之间更大的爬电距离
最安全规范要求。
G
S
D
G
S
N沟道MOSFET
订购信息
包
铅（Pb ） - 免费
SNPB
TO-247AC
IRFP064PbF
SiHFP064-E3
IRFP064
SiHFP064
绝对最大额定值
(T
C
= 25 ℃，除非另有说明）
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流
e
脉冲漏
线性降额因子
单脉冲雪崩能量
b
重复性雪崩电流
a
重复性雪崩能量
a
最大功率耗散
峰值二极管恢复的dv / dt
c
工作结存储温度范围
焊接建议（峰值温度）
d
安装力矩
当前
a
V
GS
在10 V
T
C
= 25 °C
T
C
= 100 °C
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
E
AS
I
AR
E
AR
P
D
dv / dt的
T
J
, T
英镑
极限
60
± 20
70
70
520
2.0
1000
70
30
300
4.5
- 55 + 175
300
10
1.1
单位
V
A
W / ℃，
mJ
A
mJ
W
V / ns的
°C
磅力·中
N·m的
T
C
= 25 °C
10秒
6-32或M3螺丝
笔记
一。重复评价;脉冲宽度有限的最大结点温度（参见图11）。
B 。 V
DD
= 25 V ，起始物为
J
= 25 ° C，L = 69 μH ，R
g
= 25
Ω,
I
AS
= 130 A（见图12 ） 。
C.我
SD
≤
130 A， di / dt的
≤
300 A / μs的，V
DD
≤
V
DS
, T
J
≤
175 °C.
。 1.6毫米的情况。
。目前受限于封装（芯片电流= 130 A） 。
*含有铅端子不符合RoHS要求，可申请豁免
文档编号： 91201
S11-0447 -REV 。 C， 3月14日11
www.vishay.com
1
将该数据资料如有更改，恕不另行通知。
和描述一下产品数据表受到特定免责声明，阐明的AT
www.vishay.com/doc?91000
IRFP064 ， SiHFP064
Vishay Siliconix公司
热电阻额定值
参数
最大结点到环境
案件到水槽，平面，脂表面
最大结至外壳（漏）
符号
R
thJA
R
乡镇卫生院
R
thJC
典型值。
-
0.24
-
马克斯。
40
-
0.50
° C / W
单位
特定网络阳离子
(T
J
= 25 ℃，除非另有说明）
参数
STATIC
漏源击穿电压
V
DS
温度COEF网络cient
门源阈值电压
栅源漏
零栅极电压漏极电流
漏源导通电阻
正向跨导
动态
输入电容
输出电容
反向传输电容
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
内部排水电感
内部源极电感
漏源体二极管特性
连续源极 - 漏极二极管电流
脉冲二极管正向
体二极管电压
体二极管反向恢复时间
体二极管反向恢复电荷
向前开启时间
当前
a
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
t
on
MOSFET符号
展示
整体反转
P - N结二极管
D
符号
测试条件
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
V
DS
ΔV
DS
/T
J
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
R
DS （ ON）
g
fs
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
L
D
L
S
V
GS
= 0 V，I
D
= 250 μA
参考至25℃ ，我
D
= 1毫安
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250 μA
V
GS
= ± 20 V
V
DS
= 60 V, V
GS
= 0 V
V
DS
= 48 V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 150 °C
V
GS
= 10 V
I
D
= 78 A
b
V
DS
= 25 V，I
D
= 78 A
b
60
-
2.0
-
-
-
-
38
-
0.048
-
-
-
-
-
-
-
-
4.0
± 100
25
250
0.009
-
V
V /°C的
V
nA
μA
Ω
S
V
GS
= 0 V,
V
DS
= 25 V,
F = 1.0兆赫，见图。五
-
-
-
-
7400
3200
540
-
-
-
21
190
110
190
5.0
13
-
-
-
190
55
90
-
-
-
-
-
nH
-
ns
nC
pF
V
GS
= 10 V
I
D
= 130 A，V
DS
= 48 V,
参见图。 6和13
b
-
-
-
V
DD
= 30 V，I
D
= 130 A,
R
g
= 4.3
Ω,
R
D
= 0.22
Ω,
参见图。 10
b
-
-
-
铅之间，
从6毫米（ 0.25" ）
封装中心
模具接触
D
-
-
G
S
-
-
-
-
-
160
0.9
70
c
A
520
3.0
250
1.7
V
ns
μC
G
S
T
J
= 25 ° C，I
S
= 130 A，V
GS
= 0 V
b
T
J
= 25 ° C，I
F
= 130 A， di / dt的= 100 A / μs的
b
-
-
-
固有的导通时间是可以忽略的（导通用L为主
S
和L
D
)
笔记
一。重复评价;脉冲宽度有限的最大结点温度（参见图11）。
B 。脉冲宽度
≤
300微秒;占空比
≤
2 %.
。目前受限于封装（芯片电流= 130 A） 。
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2
文档编号： 91201
S11-0447 -REV 。 C， 3月14日11
将该数据资料如有更改，恕不另行通知。
和描述一下产品数据表受到特定免责声明，阐明的AT
www.vishay.com/doc?91000
IRFP064 ， SiHFP064
Vishay Siliconix公司
典型特征
（25℃ ，除非另有说明）
图。 1 - 典型的输出特性，T
C
= 25 °C
图。 3 - 典型的传输特性
图。 2 - 典型的输出特性，T
C
= 175 °C
图。 4 - 归通电阻与温度的关系
文档编号： 91201
S11-0447 -REV 。 C， 3月14日11
www.vishay.com
3
将该数据资料如有更改，恕不另行通知。
和描述一下产品数据表受到特定免责声明，阐明的AT
www.vishay.com/doc?91000
IRFP064 ， SiHFP064
Vishay Siliconix公司
图。 5 - 典型的电容与漏 - 源极电压
图。 7 - 典型的源漏二极管正向电压
图。 6 - 典型栅极电荷与栅极至源极电压
图。 8 - 最高安全工作区
www.vishay.com
4
文档编号： 91201
S11-0447 -REV 。 C， 3月14日11
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和描述一下产品数据表受到特定免责声明，阐明的AT
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IRFP064 ， SiHFP064
Vishay Siliconix公司
R
D
V
DS
V
GS
R
G
D.U.T.
+
-
V
DD
10 V
脉冲宽度
≤
1 s
占空比
≤
0.1 %
图。 10A - 开关时间测试电路
V
DS
90 %
10 %
V
GS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
图。 9 - 最大漏极电流与外壳温度
图。 10B - 开关时间波形
图。 11 - 最大有效瞬态热阻抗，结至外壳
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将该数据资料如有更改，恕不另行通知。
和描述一下产品数据表受到特定免责声明，阐明的AT
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Vishay Siliconix公司
功率MOSFET
产品概述
V
DS
(V)
R
DS （ ON）
(Ω)
Q
g
（最大值） （ NC ）
Q
gs
（ NC ）
Q
gd
（ NC ）
CON组fi guration
V
GS
= 10 V
190
55
90
单身
D
特点
60
0.009
动态的dv / dt额定值
额定重复性雪崩
超低导通电阻
极低的热阻
隔离区安装孔
175°C的工作温度
快速开关
符合RoHS指令2002/95 / EC
可用的
RoHS指令*
柔顺
TO-247AC
描述
Vishay的第三代功率MOSFET提供
设计师与快速切换的最佳组合，
加固装置的设计，低导通电阻和
成本效益。
该
TO-247AC
包
is
首选
为
商业，工业应用高功率
水平排除使用的TO- 220AB设备。该
TO- 247AC类似，但优于早期的TO- 218
包，因为它的分离的安装孔中。它也提供
销，以满足之间更大的爬电距离
最安全规范要求。
G
S
D
G
S
N沟道MOSFET
订购信息
包
铅（Pb ） - 免费
SNPB
TO-247AC
IRFP064PbF
SiHFP064-E3
IRFP064
SiHFP064
绝对最大额定值
(T
C
= 25 ℃，除非另有说明）
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流
e
脉冲漏
线性降额因子
单脉冲雪崩能量
b
重复性雪崩电流
a
重复性雪崩能量
a
最大功率耗散
峰值二极管恢复的dv / dt
c
工作结存储温度范围
焊接建议（峰值温度）
d
安装力矩
当前
a
V
GS
在10 V
T
C
= 25 °C
T
C
= 100 °C
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
E
AS
I
AR
E
AR
P
D
dv / dt的
T
J
, T
英镑
极限
60
± 20
70
70
520
2.0
1000
70
30
300
4.5
- 55 + 175
300
10
1.1
单位
V
A
W / ℃，
mJ
A
mJ
W
V / ns的
°C
磅力·中
N·m的
T
C
= 25 °C
10秒
6-32或M3螺丝
笔记
一。重复评价;脉冲宽度有限的最大结点温度（参见图11）。
B 。 V
DD
= 25 V ，起始物为
J
= 25 ° C，L = 69 μH ，R
g
= 25
Ω,
I
AS
= 130 A（见图12 ） 。
C.我
SD
≤
130 A， di / dt的
≤
300 A / μs的，V
DD
≤
V
DS
, T
J
≤
175 °C.
。 1.6毫米的情况。
。目前受限于封装（芯片电流= 130 A） 。
*含有铅端子不符合RoHS要求，可申请豁免
文档编号： 91201
S11-0447 -REV 。 C， 3月14日11
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1
将该数据资料如有更改，恕不另行通知。
和描述一下产品数据表受到特定免责声明，阐明的AT
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IRFP064 ， SiHFP064
Vishay Siliconix公司
热电阻额定值
参数
最大结点到环境
案件到水槽，平面，脂表面
最大结至外壳（漏）
符号
R
thJA
R
乡镇卫生院
R
thJC
典型值。
-
0.24
-
马克斯。
40
-
0.50
° C / W
单位
特定网络阳离子
(T
J
= 25 ℃，除非另有说明）
参数
STATIC
漏源击穿电压
V
DS
温度COEF网络cient
门源阈值电压
栅源漏
零栅极电压漏极电流
漏源导通电阻
正向跨导
动态
输入电容
输出电容
反向传输电容
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
内部排水电感
内部源极电感
漏源体二极管特性
连续源极 - 漏极二极管电流
脉冲二极管正向
体二极管电压
体二极管反向恢复时间
体二极管反向恢复电荷
向前开启时间
当前
a
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
t
on
MOSFET符号
展示
整体反转
P - N结二极管
D
符号
测试条件
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
V
DS
ΔV
DS
/T
J
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
R
DS （ ON）
g
fs
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
L
D
L
S
V
GS
= 0 V，I
D
= 250 μA
参考至25℃ ，我
D
= 1毫安
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250 μA
V
GS
= ± 20 V
V
DS
= 60 V, V
GS
= 0 V
V
DS
= 48 V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 150 °C
V
GS
= 10 V
I
D
= 78 A
b
V
DS
= 25 V，I
D
= 78 A
b
60
-
2.0
-
-
-
-
38
-
0.048
-
-
-
-
-
-
-
-
4.0
± 100
25
250
0.009
-
V
V /°C的
V
nA
μA
Ω
S
V
GS
= 0 V,
V
DS
= 25 V,
F = 1.0兆赫，见图。五
-
-
-
-
7400
3200
540
-
-
-
21
190
110
190
5.0
13
-
-
-
190
55
90
-
-
-
-
-
nH
-
ns
nC
pF
V
GS
= 10 V
I
D
= 130 A，V
DS
= 48 V,
参见图。 6和13
b
-
-
-
V
DD
= 30 V，I
D
= 130 A,
R
g
= 4.3
Ω,
R
D
= 0.22
Ω,
参见图。 10
b
-
-
-
铅之间，
从6毫米（ 0.25" ）
封装中心
模具接触
D
-
-
G
S
-
-
-
-
-
160
0.9
70
c
A
520
3.0
250
1.7
V
ns
μC
G
S
T
J
= 25 ° C，I
S
= 130 A，V
GS
= 0 V
b
T
J
= 25 ° C，I
F
= 130 A， di / dt的= 100 A / μs的
b
-
-
-
固有的导通时间是可以忽略的（导通用L为主
S
和L
D
)
笔记
一。重复评价;脉冲宽度有限的最大结点温度（参见图11）。
B 。脉冲宽度
≤
300微秒;占空比
≤
2 %.
。目前受限于封装（芯片电流= 130 A） 。
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典型特征
（25℃ ，除非另有说明）
图。 1 - 典型的输出特性，T
C
= 25 °C
图。 3 - 典型的传输特性
图。 2 - 典型的输出特性，T
C
= 175 °C
图。 4 - 归通电阻与温度的关系
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和描述一下产品数据表受到特定免责声明，阐明的AT
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图。 5 - 典型的电容与漏 - 源极电压
图。 7 - 典型的源漏二极管正向电压
图。 6 - 典型栅极电荷与栅极至源极电压
图。 8 - 最高安全工作区
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文档编号： 91201
S11-0447 -REV 。 C， 3月14日11
将该数据资料如有更改，恕不另行通知。
和描述一下产品数据表受到特定免责声明，阐明的AT
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IRFP064 ， SiHFP064
Vishay Siliconix公司
R
D
V
DS
V
GS
R
G
D.U.T.
+
-
V
DD
10 V
脉冲宽度
≤
1 s
占空比
≤
0.1 %
图。 10A - 开关时间测试电路
V
DS
90 %
10 %
V
GS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
图。 9 - 最大漏极电流与外壳温度
图。 10B - 开关时间波形
图。 11 - 最大有效瞬态热阻抗，结至外壳
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和描述一下产品数据表受到特定免责声明，阐明的AT
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功率MOSFET
产品概述
V
DS
(V)
R
DS （ ON）
(Ω)
Q
g
（最大值） （ NC ）
Q
gs
（ NC ）
Q
gd
（ NC ）
CON组fi guration
V
GS
= 10 V
190
55
90
单身
D
特点
60
0.009
动态的dv / dt额定值
额定重复性雪崩
超低导通电阻
极低的热阻
隔离区安装孔
175°C的工作温度
快速开关
铅（Pb ） ，免费提供
可用的
RoHS指令*
柔顺
TO-247
描述
Vishay的第三代功率MOSFET提供
设计师与快速切换的最佳组合，
加固装置的设计，低导通电阻和
成本效益。
在TO- 247封装的首选商业工业
应用更高的功率水平排除使用
的TO-220的设备。该TO- 247类似，但优于
早期的TO- 218封装，因为它孤立的安装孔。
它也提供了引脚之间更大的爬电距离
满足大多数安全技术规范的要求。
G
S
D
G
S
N沟道
MOSFET
订购信息
包
铅（Pb ） - 免费
SNPB
TO-247
IRFP064PbF
SiHFP064-E3
IRFP064
SiHFP064
绝对最大额定值
T
C
= 25 ℃，除非另有说明
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流
e
脉冲漏
线性降额因子
单脉冲雪崩能量
b
重复性雪崩电流
a
重复性雪崩能量
a
最大功率耗散
峰值二极管恢复的dv / dt
c
工作结存储温度范围
焊接建议（峰值温度）
d
安装力矩
当前
a
V
GS
在10 V
T
C
= 25 °C
T
C
= 100 °C
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
E
AS
I
AR
E
AR
P
D
dv / dt的
T
J
, T
英镑
极限
60
± 20
70
70
520
2.0
1000
70
30
300
4.5
- 55 + 175
300
10
1.1
单位
V
A
W / ℃，
mJ
A
mJ
W
V / ns的
°C
磅力·中
N·m的
T
C
= 25 °C
10秒
6-32或M3螺丝
笔记
一。重复评价;脉冲宽度有限的最大结点温度（参见图11）。
B 。 V
DD
= 25 V ，起始物为
J
= 25 ° C，L = 69 μH ，R
G
= 25
Ω,
I
AS
= 130 A（见图12 ） 。
C.我
SD
≤
130 A， di / dt的
≤
300 A / μs的，V
DD
≤
V
DS
, T
J
≤
175 °C.
。 1.6毫米的情况。
。目前受限于封装（芯片电流= 130 A） 。
*含有铅端子不符合RoHS要求，可申请豁免
文档编号： 91201
S-挂起-REV 。 A， 24军08
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WORK -IN -PROGRESS
IRFP064 ， SiHFP064
Vishay Siliconix公司
热电阻额定值
参数
最大结点到环境
案件到水槽，平面，脂表面
最大结至外壳（漏）
符号
R
thJA
R
乡镇卫生院
R
thJC
典型值。
-
0.24
-
马克斯。
40
-
0.50
° C / W
单位
特定网络阳离子
T
J
= 25 ℃，除非另有说明
参数
STATIC
漏源击穿电压
V
DS
温度COEF网络cient
门源阈值电压
栅源漏
零栅极电压漏极电流
漏源导通电阻
正向跨导
动态
输入电容
输出电容
反向传输电容
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
内部排水电感
内部源极电感
漏源体二极管特性
连续源极 - 漏极二极管电流
脉冲二极管正向
体二极管电压
体二极管反向恢复时间
体二极管反向恢复电荷
向前开启时间
当前
a
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
t
on
MOSFET符号
展示
整体反转
P - N结二极管
D
符号
测试条件
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
V
DS
ΔV
DS
/T
J
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
R
DS （ ON）
g
fs
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
L
D
L
S
V
GS
= 0 V，I
D
= 250 A
参考至25℃ ，我
D
= 1毫安
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250 A
V
GS
= ± 20 V
V
DS
= 60 V, V
GS
= 0 V
V
DS
= 48 V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 150 °C
V
GS
= 10 V
I
D
= 78 A
b
V
DS
= 25 V，I
D
= 78 A
b
60
-
2.0
-
-
-
-
38
-
0.048
-
-
-
-
-
-
-
-
4.0
± 100
25
250
0.009
-
V
V /°C的
V
nA
A
Ω
S
V
GS
= 0 V,
V
DS
= 25 V,
F = 1.0兆赫，见图。五
-
-
-
-
7400
3200
540
-
-
-
21
190
110
190
5.0
13
-
-
-
190
55
90
-
-
-
-
-
nH
-
ns
nC
pF
V
GS
= 10 V
I
D
= 130 A，V
DS
= 48 V,
参见图。 6和13
b
-
-
-
V
DD
= 30 V，I
D
= 130 A,
R
G
= 4.3
Ω,
R
D
= 0.22
Ω,
参见图。 10
b
-
-
-
铅之间，
从6毫米（ 0.25" ）
封装中心
模具接触
D
-
-
G
S
-
-
-
-
-
160
0.9
70
c
A
520
3.0
250
1.7
V
ns
C
G
S
T
J
= 25 ° C，I
S
= 130 A，V
GS
= 0 V
b
T
J
= 25 ° C，I
F
= 130 A， di / dt的= 100 A / μs的
b
-
-
-
固有的导通时间是可以忽略的（导通用L为主
S
和L
D
)
笔记
一。重复评价;脉冲宽度有限的最大结点温度（参见图11）。
B 。脉冲宽度
≤
300微秒;占空比
≤
2 %.
。目前受限于封装（芯片电流= 130 A） 。
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