INT201
高侧驱动器IC
悬空的输入
浮动高边驱动器
产品亮点
浮动控制输入
直接连接到INT200或INT202 HSD输出
无需外部电平转换器或变压器的要求
栅极驱动输出为外部MOSFET
提供300毫安片/ 150 mA输出电流
可在高达15V的驱动MOSFET的栅极
浮动源用于驱动高侧N沟道MOSFET
外部MOSFET允许设计各种灵活
电机尺寸
VDD
HV
INT201
内置保护电路
逻辑输入，包括噪声抑制电路
欠压闭锁
房协
INT200
LS在
3-PHASE
无刷
直流电机
PI-1764-020196
图1.典型应用。
描述
该INT201高侧驱动器IC提供栅极驱动为
外部高边MOSFET开关。当结合使用
与INT200或INT202低端驱动器，该INT201
提供低电压之间的简单，经济有效的接口
控制逻辑和高电压负荷。
内置的噪声抑制电路的INT201之间共享
和INT200或INT202提供了可靠的操作
恶劣的工业环境。该INT201是从供电
一个接地参考的低电压源。浮动供应
通过使用简单的自举技术来衍生自该轨
提供对外部N沟道MOSFET良好的栅极驱动器。
应用包括电动机驱动器，电子镇流器，并
不间断电源。该INT201也可使用
实现全桥和多相结构。
该INT201是8引脚塑料DIP和SOIC封装。
N / C
1
N / C
2
HSD1
3
HSD2
4
8
7
6
5
VDDH
N / C
HS OUT
来源
PI–285D–091191
图2.引脚配置。
订购信息
部分
数
INT201PFI
INT201TFI
包
概要
P08A
T08A
温度
范围
-40到85°C
-40到85°C
1996年2月
INT201
HV +
8
7
6
5
R2
C2
D1
1
Q2
第2阶段
INT201
2
3
4
VDD
8
7
6
5
第1阶段
C1
INT200
1
2
3
4
Q1
第3阶段
3-PHASE
无刷
直流电机
房协
LS在
HV-
R1
PI-1467-042695
图4.在3相配置使用INT200和INT201 。
一般电路工作原理
一个三相无刷之一相
直流电动机驱动电路示于图
4来说明的应用程序
INT200 / 201 。直接在信号LS
控制MOSFET Q1 。该
房协
信号
会导致INT200指挥
INT201开启MOSFET Q2打开或关闭作为
所需。该INT200将忽略输入
信号会命令这两个Q1
和Q2同时导通，
防止短路的HV +巴士
到HV- 。
本地旁路的低侧驱动器
由C1提供。自举偏置为
高侧驱动器是由D1和提供
C2 。压摆率和寄生效应
在负载波形振荡是
由电阻R1和R2来控制。
输入端被设计为兼容
与5 V CMOS逻辑电平，并应
未连接到V
DD
。普通CMOS
电源排序应该是
观察到。信号应用的顺序
应该是V
DD
的逻辑信号，然后
HV + 。
该INT201由锁存和关闭
合适的低侧逻辑的边缘
信号（
房协
为INT200和
房协
为INT202 ） 。高侧驱动器
将锁断，如果引导保持关闭
下面电容器放电
1000
自举电容（ μF ）
欠压锁定阈值。
欠压锁定致关闭
可发生在如条件
电源斜坡上升，电机启动或低速
操作。
C
引导
与ON TIME
PI-566B-030692
100
10
QG = 100 NC
1
0.1
QG = 20 NC
0.01
0.01
0.1
1
10
100
高边导通时间（毫秒）
图5.高边导通时间与自举电容。
F
2/96
3
INT201
HV +
8
7
6
5
R2
C2
D1
1
D3
第2阶段
Q2
INT201
2
3
4
VDD
8
7
6
5
3-PHASE
SRM
第1阶段
C1
INT202
1
2
3
4
第3阶段
R1
Q1
D2
控制
HV-
PI-1468-042695
图6.使用INT202和INT201驱动开关磁阻电机。
一般电路工作原理（续）
自举电容必须大
足以提供偏置电流的
整个上高侧的时间间隔
司机没有显著电压骤降或
腐烂。必须在MOSFET的栅极电荷
也以所需的开关被提供
频率。图5示出最大
在时间与栅电荷高边
外部MOSFET 。应用程序
与时间极长的高边
需要讨论的特殊技术
AN-10.
三相开关磁阻电动机
例如，使用INT202 / 201给出
图6.直接在信号的LS
控制MOSFET Q1 。不像
INT200 ，在INT202允许两个
低和高侧驱动器是对的
同时，因为这需要在
应用中，负载被放置
低和高侧输出之间
的MOSFET。
4
F
2/96
INT201
绝对最大额定值
1
V
DDH
电压................................................. ........... 16.5 V
逻辑输入电压................................... 0.3 V至5.5 V
HS OUT电压............................ 0.3 V到V
DDH
+ 0.3 V
存储温度..................................... -65 125°C
环境温度...................................... -40 85°C
结温。 .............................................. 150℃
焊接温度
(2)
. ................................................ 260°C
功耗
PF后缀（T
A
= 25℃） ..........................................为1.25W
PF后缀（T
A
= 70C） ........................................ 800毫瓦
TF后缀（T
A
= 25℃） .......................................... 1.04 W
TF后缀（T
A
= 70C） ........................................ 667毫瓦
热阻抗（ θ
JA
)
PF后缀................................................ ............. 100 ° C / W
TF后缀................................................ ............. 120 ° C / W
1，除非特别注明，所有电压参考源，
T
A
= 25C
2. 16"分之1案件从5秒。
条件
参数
符号
（除非另有规定编）
V
DDH
= 15 V ， SOURCE = 0V
T
A
= -40 85 ℃下
民
典型值
最大
单位
HSD INPUTS
输入电流
门槛
HS OUT
输出电压，
高
输出电压，
低
输出短路
短路电流
开启
延迟时间
上升
时间
打开-O FF
延迟时间
秋天
时间
V
OH
V
OL
I
OS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
I
o
= -20毫安
I
o
= 40毫安
V
O
= 0 V
V
O
= V
DDH
300
1.0
1.5
V
DDH
-1.0 V
DDH
-0.5
0.3
1.0
-150
mA
s
V
I
HSD1
, I
HSD2
-5
-2.5
mA
V
见注1
参见图7
参见图7
80
120
ns
参见图7
420
600
ns
参见图7
50
100
ns
F
2/96
5
INT201
高侧驱动器IC
悬空的输入
浮动高边驱动器
产品亮点
浮动控制输入
直接连接到INT200或INT202 HSD输出
无需外部电平转换器或变压器的要求
栅极驱动输出为外部MOSFET
提供300毫安片/ 150 mA输出电流
可在高达15V的驱动MOSFET的栅极
浮动源用于驱动高侧N沟道MOSFET
外部MOSFET允许设计各种灵活
电机尺寸
VDD
HV
INT201
内置保护电路
逻辑输入，包括噪声抑制电路
欠压闭锁
房协
INT200
LS在
3-PHASE
无刷
直流电机
PI-1764-020196
图1.典型应用。
描述
该INT201高侧驱动器IC提供栅极驱动为
外部高边MOSFET开关。当结合使用
与INT200或INT202低端驱动器，该INT201
提供低电压之间的简单，经济有效的接口
控制逻辑和高电压负荷。
内置的噪声抑制电路的INT201之间共享
和INT200或INT202提供了可靠的操作
恶劣的工业环境。该INT201是从供电
一个接地参考的低电压源。浮动供应
通过使用简单的自举技术来衍生自该轨
提供对外部N沟道MOSFET良好的栅极驱动器。
应用包括电动机驱动器，电子镇流器，并
不间断电源。该INT201也可使用
实现全桥和多相结构。
该INT201是8引脚塑料DIP和SOIC封装。
N / C
1
N / C
2
HSD1
3
HSD2
4
8
7
6
5
VDDH
N / C
HS OUT
来源
PI–285D–091191
图2.引脚配置。
订购信息
部分
数
INT201PFI
INT201TFI
包
概要
P08A
T08A
温度
范围
-40到85°C
-40到85°C
1996年2月
INT201
HV +
8
7
6
5
R2
C2
D1
1
Q2
第2阶段
INT201
2
3
4
VDD
8
7
6
5
第1阶段
C1
INT200
1
2
3
4
Q1
第3阶段
3-PHASE
无刷
直流电机
房协
LS在
HV-
R1
PI-1467-042695
图4.在3相配置使用INT200和INT201 。
一般电路工作原理
一个三相无刷之一相
直流电动机驱动电路示于图
4来说明的应用程序
INT200 / 201 。直接在信号LS
控制MOSFET Q1 。该
房协
信号
会导致INT200指挥
INT201开启MOSFET Q2打开或关闭作为
所需。该INT200将忽略输入
信号会命令这两个Q1
和Q2同时导通，
防止短路的HV +巴士
到HV- 。
本地旁路的低侧驱动器
由C1提供。自举偏置为
高侧驱动器是由D1和提供
C2 。压摆率和寄生效应
在负载波形振荡是
由电阻R1和R2来控制。
输入端被设计为兼容
与5 V CMOS逻辑电平，并应
未连接到V
DD
。普通CMOS
电源排序应该是
观察到。信号应用的顺序
应该是V
DD
的逻辑信号，然后
HV + 。
该INT201由锁存和关闭
合适的低侧逻辑的边缘
信号（
房协
为INT200和
房协
为INT202 ） 。高侧驱动器
将锁断，如果引导保持关闭
下面电容器放电
1000
自举电容（ μF ）
欠压锁定阈值。
欠压锁定致关闭
可发生在如条件
电源斜坡上升，电机启动或低速
操作。
C
引导
与ON TIME
PI-566B-030692
100
10
QG = 100 NC
1
0.1
QG = 20 NC
0.01
0.01
0.1
1
10
100
高边导通时间（毫秒）
图5.高边导通时间与自举电容。
F
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INT201
HV +
8
7
6
5
R2
C2
D1
1
D3
第2阶段
Q2
INT201
2
3
4
VDD
8
7
6
5
3-PHASE
SRM
第1阶段
C1
INT202
1
2
3
4
第3阶段
R1
Q1
D2
控制
HV-
PI-1468-042695
图6.使用INT202和INT201驱动开关磁阻电机。
一般电路工作原理（续）
自举电容必须大
足以提供偏置电流的
整个上高侧的时间间隔
司机没有显著电压骤降或
腐烂。必须在MOSFET的栅极电荷
也以所需的开关被提供
频率。图5示出最大
在时间与栅电荷高边
外部MOSFET 。应用程序
与时间极长的高边
需要讨论的特殊技术
AN-10.
三相开关磁阻电动机
例如，使用INT202 / 201给出
图6.直接在信号的LS
控制MOSFET Q1 。不像
INT200 ，在INT202允许两个
低和高侧驱动器是对的
同时，因为这需要在
应用中，负载被放置
低和高侧输出之间
的MOSFET。
4
F
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INT201
绝对最大额定值
1
V
DDH
电压................................................. ........... 16.5 V
逻辑输入电压................................... 0.3 V至5.5 V
HS OUT电压............................ 0.3 V到V
DDH
+ 0.3 V
存储温度..................................... -65 125°C
环境温度...................................... -40 85°C
结温。 .............................................. 150℃
焊接温度
(2)
. ................................................ 260°C
功耗
PF后缀（T
A
= 25℃） ..........................................为1.25W
PF后缀（T
A
= 70C） ........................................ 800毫瓦
TF后缀（T
A
= 25℃） .......................................... 1.04 W
TF后缀（T
A
= 70C） ........................................ 667毫瓦
热阻抗（ θ
JA
)
PF后缀................................................ ............. 100 ° C / W
TF后缀................................................ ............. 120 ° C / W
1，除非特别注明，所有电压参考源，
T
A
= 25C
2. 16"分之1案件从5秒。
条件
参数
符号
（除非另有规定编）
V
DDH
= 15 V ， SOURCE = 0V
T
A
= -40 85 ℃下
民
典型值
最大
单位
HSD INPUTS
输入电流
门槛
HS OUT
输出电压，
高
输出电压，
低
输出短路
短路电流
开启
延迟时间
上升
时间
打开-O FF
延迟时间
秋天
时间
V
OH
V
OL
I
OS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
I
o
= -20毫安
I
o
= 40毫安
V
O
= 0 V
V
O
= V
DDH
300
1.0
1.5
V
DDH
-1.0 V
DDH
-0.5
0.3
1.0
-150
mA
s
V
I
HSD1
, I
HSD2
-5
-2.5
mA
V
见注1
参见图7
参见图7
80
120
ns
参见图7
420
600
ns
参见图7
50
100
ns
F
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5
QQ：2881677436 复制
