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ISL6551
数据表
2005年7月8日
FN9066.4
ZVS全桥PWM控制器
该ISL6551是一个零电压开关(ZVS)全桥
PWM控制器,专为隔离式电源系统。这
部分实现了一个独特的控制算法,固定
频率ZVS电流模式控制,得到较高的效率
低EMI。两个下驱动程序的PWM控制上
后缘和使用谐振延迟,而两个
上部驱动器被驱动以固定的占空比为50% 。
该IC集成了两个6×6毫米的许多功能
2
QFN和
28引脚SOIC封装,以产生一个完整的,
先进的电源解决方案。控制功能包括:
可编程软启动控制,开机,
可编程延时谐振零电压开关,
可编程脉冲前沿消隐,以防止假
触发所述PWM比较器的由于前缘
尖峰电流斜坡,可调节斜坡的斜率
补偿,驱动信号实现同步
整改高输出电流,超高效率
应用程序,并为并联起来,以目前的股价支撑
10个单位,这有助于实现更高的可靠性和
可用性以及更好的热管理。保护的
特点包括可调逐周期峰值电流
限制了过电流保护,快速短路保护
(在打嗝模式) ,锁存关断输入,关闭IC
完全靠输出过压条件或其他
极端和不期望的故障,非锁存使能输入
要接受监督时,输入enable命令
根据电压和一个转换器的热状态,并且VDD
欠压锁定与迟滞。此外,该ISL6551
包括高电流的高侧和低侧的图腾柱
驾驶者避免额外的外部驱动适中门
电容(高达1.6nF在1MHz )的应用程序,一个
对于未提交的高带宽( 10MHz)的误差放大器
反馈回路补偿,精密带隙基准
具有± 1.5 % ( ISL6551AB )或± 1 % ( ISL6551IB )在公差
推荐的操作条件,并在±5% “
监管“监管。
除了ISL6551 ,其他外部因素如
变压器,脉冲变压器,电容器,电感器和
肖特基或同步整流器所需的一
完整的电源解决方案。详细200W电信
使用与ISL6551电源参考设计
Intersil的同伴芯片,监事,监控ISL6550和
半桥驱动器HIP2100 ,呈现在应用笔记
AN1002.
另外, ISL6551也可以设计在推挽
使用全部功能,除了上面的两个转换器
驱动器和可调共振延迟功能。
特点
高速PWM (最高可达1MHz )为ZVS全桥
控制
电流模式控制兼容
大电流高侧和低侧图腾柱驱动
可调共振延迟为ZVS
10MHz的误差放大器带宽
可编程软启动
精密带隙基准
锁存关断输入
非锁定使能输入
可调前沿消隐
可调节死区时间控制
可调节斜坡的斜率补偿
快速短路保护(打嗝模式)
可调逐周期峰值电流限制
驱动信号实现同步整流
VDD欠压锁定
电流共享支持
± 5 % “在规定”指示
QFN封装:
- 符合JEDEC PUB95 MO- 220 QFN - 方形扁平
无引线 - 封装外形
- 靠近芯片级封装尺寸,从而提高
PCB的效率,并具有更薄的外形
无铅加退火有(符合RoHS )
应用
全桥和推挽式转换器
电源为离线和电信/数据通信
电源高端微处理器和
服务器
1
注意:这些器件对静电放电敏感;遵循正确的IC处理程序。
1-888- INTERSIL或1-888-468-3774
|
Intersil公司(和设计)是Intersil Americas Inc.公司的注册商标。
版权所有 Intersil公司美洲2003-2005 。版权所有。
提及的所有其他商标均为其各自所有者的财产。
ISL6551
订购信息
部分
ISL6551IB
ISL6551IB-T
ISL6551IBZ (注)
ISL6551IBZ-T
(注)
ISL6551IR
ISL6551IR-T
ISL6551ABZ (注)
ISL6551ABZ-T
(注)
温度
范围(° C)
0到85
0到85
0到85
0到85
0到85
0到85
-40至105
-40至105
28 Ld的SOIC
磁带&卷轴
PKG 。
DWG 。 #
M28.3
M28.3
ISL6551ARZ-T
(注)
ISL6551EVAL1
-40至105
订购信息
(续)
部分
ISL6551ARZ (注)
温度
范围(° C)
-40至105
28 Ld的的6x6 QFN
(无铅)
PKG 。
DWG 。 #
L28.6x6
28 Ld的SOIC (无铅) M28.3
磁带&卷(无铅) M28.3
28 Ld的的6x6 QFN
磁带&卷轴
L28.6x6
L28.6x6
磁带&卷(无铅) L28.6x6
评估平台( ISL6551IR只)
28 Ld的SOIC (无铅) M28.3
磁带&卷(无铅) M28.3
注: Intersil无铅加退火产品采用特殊的无铅
材料套;模塑料/晶片的附属材料和100 %
雾锡板终止完成,这是符合RoHS标准,
既锡铅和无铅焊接操作兼容。 Intersil公司
无铅产品分类MSL在无铅峰值回流
气温达到或超过的无铅要求
IPC / JEDEC J STD- 020 。
引脚配置
28引脚宽体( SOIC )
顶视图
VSS
CT
RD
R_RESDLY
R_RA
ISENSE
PkILim
BGREF
R_LEB
CS_COMP
CSS
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
16
15
VDD
RD
VDDP1
VDDP2
保护地
UPPER1
UPPER2
LOWER1
LOWER2
SYNC1
SYNC2
开/关
DCOK
LATSD
分享
8
CSS
9
EANI
10
EAI
11
EAO
12
分享
13
LATSD
14
DCOK
BGREF
R_LEB
CS_COMP
5
6
7
17
16
15
SYNC1
SYNC2
开/关
R_RESDLY
R_RA
ISENSE
PkILim
1
2
3
4
CT
28引脚( QFN )
顶视图
VDDP1
VDDP2
23
保护地
22
21
20
19
18
UPPER1
UPPER2
LOWER1
LOWER2
VDD
25
VSS
26
28
27
24
EANI 12
EAI 13
EAO
14
功能引脚说明
封装引脚#
SOIC
1
2
3
4
5
6
7
8
QFN
26
27
28
1
2
3
4
5
引脚符号
VSS
CT
RD
R_RESDLY
R_RA
ISENSE
PkILim
BGREF
功能
参考地。所有的控制电路都参考该引脚。
设定振荡器频率高达1MHz 。
从调整为50ns至最大1000ns时钟死区时间。
程序共振延迟为50ns ,从到500ns的。
调整斜坡斜率补偿(从50mV至250mV的) 。
销接收通过一个电流检测变压器或功率电阻器的电流信息。
设置过电流限制与带隙基准源的触发门限。
高精度带隙基准, 1.263V ± 2 %的整体推荐的工作条件。
2
FN9066.4
2005年7月8日
ISL6551
功能引脚说明
(续)
封装引脚#
SOIC
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19, 20
21, 22
23, 24
25
26, 27
28
QFN
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16, 17
18, 19
20, 21
22
23, 24
25
引脚符号
R_LEB
CS_COMP
CSS
EANI
EAI
EAO
分享
LATSD
DCOK
开/关
SYNC2 , SYNC1
LOWER2 , LOWER1
UPPER2 , UPPER1
保护地
VDDP2 , VDDP1
VDD
功能
方案的领先优势从50ns的消隐到300纳秒。
设置一个低流环路带宽与电容器。
编程的上升时间和钳位电压与电容器和电阻器,分别。
非反相误差放大器的输入端。它是通过在CSS的销( VCLAMP )上的电压钳位。
反相误差放大器的输入端。它接收到的反馈电压。
输出误差放大器。它是通过在CSS的销( VCLAMP )上的电压钳位。
这个引脚是SHARE BUS与其他单位(秒)当前股价运行的连接。
该IC被锁断与电压大于3V ,在这个引脚,并通过回收VDD重置。
电源良好指示,具有± 5 %的窗口。
这是一个使能引脚,其控制所有的驱动信号和软启动的状态。
这些都为输出同步整流器的栅极控制信号。
两个下驱动程序是PWM控制的后缘上。
两个上的驱动被驱动以固定的占空比为50% 。
电源地。高电流返回路径,同时在上和下的驱动程序。
动力被传递到上部和通过这些引脚的低级驱动程序。
功率被传递到所有的控制电路通过这个管脚包括SYNC1 & SYNC2 。
3
FN9066.4
2005年7月8日
ISL6551
功能框图
18 ON / OFF
16 LATSD
28 VDD
带隙
参考
UVLO
关闭
关闭
LATCH
LATCH
开始
开始
BGREF
8
PKILIM 7
关闭
关闭
11 CSS
27 VDDP1
UPPER1
司机
R_LEB 9
RESODLY
UPPER2
司机
24 UPPER1
R_RESDLY 4
23 UPPER2
LEB
ISENSE 6
R_RA 5
坡道
调整
CT 2
RD 3
26 VDDP2
时钟
发电机
PWM
逻辑
LOWER1
司机
22 LOWER1
EAO 14
误差放大器
(参见图4)
LOWER2
司机
EAI 13
EANI 12
DC OK
当前
分享
21 LOWER2
电路参考VSS
17 DCOK
10 CS_COMP
15 SHARE
19 SYNC2
20 SYNC1
25 PGND
1
VSS
电路参考PGND
外部单点连接所需
4
FN9066.4
2005年7月8日
ISL6551
绝对最大额定值
电源电压VDD , VDDP1 , VDDP2 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.3 16V
使能输入(ON / OFF , LATSD ) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 VDD
电源良好吸收电流(I
DCOK
) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 5毫安
ESD额定值
人体模型(每MIL -STD- 883方法3015.7 ) 。 。 。 。 .3kV
机器型号(每EIAJ ED- 4701方法C - 111 ) 。 。 。 。 。 。 。 .250V
热信息
热阻
θ
JA
( ° C / W)
θ
JC
( ° C / W)
QFN封装(注1,3) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
30
2.5
SOIC封装(注2 ) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
55
不适用
最高结温(塑料封装) 。 。 。 。 。 。 。 。 150℃
最大存储温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65 ℃150 ℃的
最大的铅温度(焊接10秒) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 300℃
(仅SOIC无铅提示)
推荐工作条件
环境温度范围
ISL6551IB 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0 ° C至85°C
ISL6551AB 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 - 40 ℃ 105℃
电源电压范围, VDD 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 10.8V至13.2V
电源电压范围, VDDP1 & VDDP2 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 <13.2V
最大工作结温。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 125°C
注意:如果运行条件超过上述“绝对最大额定值” ,可能对器件造成永久性损坏。这是一个应力只评级和操作
器件在这些或以上的本规范的业务部门所标明的任何其他条件不暗示。
注意事项:
1.
θ
JA
测量在自由空气与装在一个高有效热导率测试板用“直接连接”的功能的组件。看
技术简介TB379了解详细信息。
2.
θ
JA
测定用安装在一个高的有效热导率测试板在自由空气中的分量。参见技术简介TB379了解详细信息。
3.
θ
JC
的“外壳温度”的位置是在封装底部的裸露金属焊盘的中心。
电气规格
参数
电源( VDD , VDDP1 , VDDP2 )
电源电压
这些规范适用于VDD = VDDP = 12V和T
A
= 0 ° C至85°C ( ISL6551IB )或-40 ° C至105℃
( ISL6551AB ) ,除非另有说明
符号
测试条件
典型值
最大
单位
VDD
国际直拨电话
国际直拨电话
ICC
VDD = 12V (不包括司机,在VDDP电流)
VDD = 12V (不包括司机,在VDDP电流)
VDD = VDDP = 12V , F = 1MHz时, 1.6nF负载
10.8
5
3
12.0
13
13.2
18
20
V
mA
mA
mA
偏置电流从VDD ( ISL6551IB )
偏置电流从VDD ( ISL6551AB )
从VDD和VDDP总电流
欠压锁定( UVLO )
启动阈值( ISL6551IB )
启动阈值( ISL6551AB )
停止阈值( ISL6551IB )
停止阈值( ISL6551AB )
迟滞( ISL6551IB )
迟滞( ISL6551AB )
时钟发生器( CT , RD )
频带
死区时间的脉冲宽度(注4 )
带隙基准源( BGREF )
带隙基准电压
(ISL6551IB)
带隙基准电压
(ISL6551AB)
带隙基准输出电流
60
VDD
ON
VDD
ON
VDD
关闭
VDD
关闭
VDD
HYS
VDD
HYS
9.2
9.16
8.03
7.98
0.3
0.27
9.6
9.9
9.94
V
V
V
V
V
V
8.6
8.87
8.92
1
1.9
1.93
F
DT
VDD = 12V (图2)
VDD = 12V (图3)
100
50
1000
1000
千赫
ns
VREF
VREF
IREF
VDD = 12V, 399kΩ上拉, 0.1μF ,修边后
VDD = 12V, 399kΩ上拉, 0.1μF ,修边后
VDD = 12V ,见座/引脚功能说明
详细信息
1.250
1.244
1.263
1.263
1.280
1.287
100
V
V
A
5
FN9066.4
2005年7月8日
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