IRFF130
尺寸以毫米（英寸） 。
8.64 (0.34)
9.40 (0.37)
8.01 (0.315)
9.01 (0.355)
4.06 (0.16)
4.57 (0.18)
N沟道MOSFET
IN A
密封TO39
金属包装。
12.70
(0.500)
分钟。
0.89最大。
(0.035)
0.41 (0.016)
0.53 (0.021)
DIA 。
N沟道MOSFET 。
5.08 (0.200)
典型值。
V
DSS
= 100V
2.54
(0.100)
2
1
0.74 (0.029)
1.14 (0.045)
0.71 (0.028)
0.53 (0.021)
I
D
= 8A
R
DS （ ON）
= 0.18
所有Semelab密封产品可以
在按照要求处理
BS ， CECC和JAN ， JANTX ， JANTXV和
JANS规范。
3
45°
TO39 （ TO205AF ）
引脚配置
1 - 来源
2 - 门
3 - 漏极
参数
V
DSS
I
D
P
D
R
DS （ ON）
C
国际空间站
Q
g
t
TD （上）
t
tr
t
TD （关闭）
t
f
漏极 - 源极击穿电压
连续漏电流
功耗
静态漏 - 源极导通电阻
输入电容
总栅极电荷
导通延迟时间
上升时间
关断延迟时间
下降时间
分钟。
典型值。
马克斯。
100
8
25
0.18
单位
V
A
W
pF
nC
ns
ns
ns
ns
650
28.5
30
75
40
45
这是一个简易模式数据表。对于一个完整的数据表，请联系
sales@semelab.co.uk 。
Semelab Plc的保留改变试验条件，参数限制和封装尺寸，恕不另行通知。提供的信息Semelab信
是既准确又可靠，在即将出版的时间。然而Semelab承担发现其使用的任何错误或遗漏承担责任。
Semelab PLC 。
电话：+44（ 0 ） 1455 556565.传真：+44（ 0 ） 1455 552612 。
电子信箱：
sales@semelab.co.uk
网址：
http://www.semelab.co.uk
产生
11-Oct-02
IRFF130
数据表
1999年3月
网络文件编号
1564.3
8.0A ， 100V ， 0.180 Ohm的N通道
功率MOSFET
这种N沟道增强型硅栅功率科幻场
场效应晶体管是一种先进的功率MOSFET设计，
经过测试，并保证能承受一个特定的编辑水平
能在操作中的击穿雪崩模式。所有
这些功率MOSFET设计用于应用程序，例如
开关稳压器，开关转换器，电机驱动器，
继电器驱动器，以及用于高功率双极开关的驱动
晶体管需要高速，低栅极驱动电源。
这些类型可以直接从集成操作
电路。
以前发育类型TA17411 。
特点
8.0A ， 100V
r
DS （ ON）
= 0.180
单脉冲能量额定雪崩
SOA是功耗有限公司
纳秒的开关速度
线性传输特性
高输入阻抗
相关文献
- TB334 “指南焊锡表面贴装
组件到PC板“
订购信息
产品型号
IRFF130
包
TO-205AF
BRAND
IRFF130
符号
D
注：订货时，使用整个零件编号。
G
S
包装
JEDEC TO- 205AF
漏
（案例）
来源
门
1
注意：这些器件对静电放电敏感;遵循正确的ESD处理程序。
http://www.intersil.com或407-727-9207
|
版权
Intersil公司1999
IRFF130
绝对最大额定值
T
C
= 25
o
C，除非另有规定编
IRFF130
100
100
8.0
32
±20
25
0.2
69
-55到150
300
260
单位
V
V
A
A
V
W
W/
o
C
mJ
o
C
o
C
o
C
漏源极电压（注1 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 V
DS
漏极至栅极电压（R
GS
= 20kΩ时）（注1 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 V
DGR
连续漏电流。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。我
D
漏电流脉冲（注3 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。我
DM
门源电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 V
GS
最大功耗，T
C
= 25
o
温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 P
D
线性降额因子。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
单脉冲雪崩能量额定值（注4 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ê
AS
工作和存储温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .T
J,
T
英镑
最高温度焊接
信息在0.063in （ 1.6毫米）从案例10秒。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。牛逼
L
包体为10S ，见Techbrief 334 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。牛逼
PKG
注意：如果运行条件超过上述“绝对最大额定值” ，可能对器件造成永久性损坏。这是一个应力只评级和操作
器件在这些或以上的本规范的业务部门所标明的任何其他条件不暗示。
注意：
1. T
J
= 25
o
C至125
o
C.
电气连接特定的阳离子
参数
T
C
= 25
o
C，除非另有规定编
符号
BV
DSS
V
GS （ TH）
I
DSS
I
D（上）
I
GSS
r
DS （ ON）
g
fs
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
G（ TOT ）
Q
gs
Q
gd
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
L
D
测量从排水
铅， 5.0毫米（ 0.2in ）从
标头的模具中心
从源测量
铅， 5.0毫米（ 0.2in ）从
头源极连接
PAD
修改MOSFET
符号显示的
内部寄存器
电感
D
L
D
G
L
S
S
测试条件
I
D
= 250μA ，V
GS
= 0V （图10）
V
GS
= V
DS
, I
D
= 250A
V
DS
=额定BV
DSS
, V
GS
= 0V
V
DS
= 0.8×额定BV
DSS
, V
GS
= 0V ，T
C
= 125
o
C
V
DS
＆ GT ;我
D（上）
个R
DS （ ON）最大值
, V
GS
= 10V
V
GS
=
±20V
I
D
= 4.0A ，V
GS
= 10V （图8,9 ）
V
DS
＆ GT ;我
D（上）
个R
DS （ ON）最大值
, I
D
= 4.0A （图12）
V
DD
0.5倍额定BV
DSS
, I
D
≈
8.0A ，R
G
= 9.1,
V
GS
= 10V ，R
L
= 6.1Ω的V
DSS
= 50V,
R
L
= 4.9Ω对于V
DSS
= 40 （图17,18 ） MOSFET
开关时间基本上是独立的
工作温度
V
GS
= 10V ，我
D
= 8.0A ，V
DS
= 0.8×额定BV
DSS
（图14 ， 19 ， 20 ）的栅极电荷本质
独立工作温度
民
100
2.0
-
-
8.0
-
-
4.0
-
-
-
-
-
-
-
典型值
-
-
-
-
-
-
0.14
5.5
30
80
50
80
18
9.0
9.0
600
300
100
5.0
最大
-
4.0
25
250
-
±100
0.180
-
50
150
100
150
30
-
-
-
-
-
-
单位
V
V
A
A
A
nA
S
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
pF
pF
pF
nH
漏源击穿电压
栅极阈值电压
零栅极电压漏极电流
通态漏电流（注2 ）
门源漏电流
漏极至源极导通电阻（注2 ）
正向跨导（注2 ）
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
总栅极电荷
（门源+栅漏）
门源费
栅漏“米勒”充电
输入电容
输出电容
反向传输电容
内部排水电感
V
DS
= 25V, V
GS
= 0V中，f = 1MHz的（图11）
-
-
-
-
内部源极电感
L
S
-
15
-
nH
热阻，结到外壳
热阻，结到环境
R
θJC
R
θJA
自由空气操作
-
-
-
-
5.0
175
o
C / W
o
C / W
2
IRFF130
源极到漏极二极管特定网络阳离子
参数
连续源极到漏极电流
脉冲源极到漏极电流（注3 ）
符号
I
SD
I
SDM
测试条件
修改MOSFET
符号显示的
整体逆转的p-n
结整流器
G
D
民
-
-
典型值
-
-
最大
8.0
32
单位
A
A
S
源极到漏极二极管电压（注2 ）
反向恢复时间
反向恢复电荷
注意事项：
V
SD
t
rr
Q
RR
T
J
= 25
o
C，我
SD
= 8.0A ，V
GS
= 0V （图13）
T
J
= 150
o
C，我
SD
= 8.0A ，二
SD
/ DT = 100A / μs的
T
J
= 150
o
C，我
SD
= 8.0A ，二
SD
/ DT = 100A / μs的
-
-
-
-
300
1.5
2.5
-
-
V
ns
C
2.脉冲测试：脉冲宽度
≤
300μS ，占空比
≤
2%.
3.重复评价：脉冲宽度有限的最高结温。见瞬态热阻抗曲线（图3 ） 。
4. V
DD
= 25V ，起始物为
J
= 25
o
C，L = 1.62mH ，R
G
= 25Ω ，峰值I
AS
= 8.0A （图15 ，16） 。
典型性能曲线
1.2
功耗乘法器
1.0
除非另有规定编
10
0.8
0.6
0.4
0.2
0
I
D
，漏电流（ A）
8
6
4
2
0
50
100
150
0
25
50
75
100
125
150
T
C
，外壳温度（
o
C)
T
C
，外壳温度（
o
C)
图1.归功耗与案例
温度
图2.最大连续漏极电流VS
外壳温度
1.0
Z
θJC
归一化
热阻抗
0.5
0.2
0.1
0.1
0.05
t
1
0.02
0.01
单脉冲
t
2
注意事项：
DUTY因子：D = T
1
/t
2
PEAK牛逼
J
= P
DM
X Z
θJC
个R
θJC
+ T
C
10
-3
10
-2
10
-1
t
1
，矩形脉冲持续时间（ S）
1
10
P
DM
0.01
10
-5
10
-4
图3.归一化最大瞬态热阻抗
3
QQ：2880707522 复制
