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PD - 96337A

IRFHS8242PbF

HEXFET

功率MOSFET

V

DS

V

GS最大

R

DS （ ON） MAX

(@V

GS

= 10V)

25

±20

13.0

4.3

8.5

V

m

nC

A

D 1

顶视图

6 D

D

G

Q

G（典型值）

( @ V

GS

= 4.5V)

D 2

S

D

5 D

G 3

4 S

D

I

D

(@T

C（下）

= 25°C)

d

S

采用2mm x 2mm PQFN

应用

系统/负载开关

特点和优点

特点

低R

DSON

(≤ 13.0m)

低热阻的PCB （ ≤ 13 ° C / W）

薄型（ ≤ 1.0毫米）

兼容现有的表面贴装技术

不含铅，无溴，无卤素RoHS标准

MSL1 ，消费者资格

由此产生的利益

更低的传导损耗

能更好的散热

结果增加了功率密度

容易制造

环境友好

提高可靠性

订购型号

IRFHS8242TRPBF

IRFHS8242TR2PBF

套餐类型

PQFN采用2mm x 2mm

标准包装

形式

QUANTITY

磁带和卷轴

4000

磁带和卷轴

400

记

绝对最大额定值

参数

V

DS

V

GS

I

D

@ T

A

= 25°C

I

D

@ T

A

= 70°C

I

D

@ T

C（下）

= 25°C

I

D

@ T

C（下）

= 70°C

I

D

@ T

C（下）

= 25°C

I

DM

P

D

@T

A

= 25°C

P

D

@T

A

= 70°C

T

J

T

英镑

漏极至源极电压

栅极 - 源极电压

连续漏电流， V

GS

@ 10V

连续漏电流， V

GS

@ 10V

连续漏电流， V

GS

@ 10V

连续漏电流， V

GS

@ 10V

连续漏电流， V

GS

@ 10V （包装有限公司）

漏电流脉冲

马克斯。

25

±20

9.9

8.0

21

单位

V

d

A

f

功耗

f

功耗

c

d

17

d

8.5

d

84

2.1

1.3

0.02

-55到+ 150

W

W / ℃，

°C

线性降额因子

工作结

f

存储温度范围

笔记

通过

在第2页

www.irf.com

1

11/30/10

IRFHS8242PbF

静态@ T

J

= 25 ℃（除非另有规定）

参数

BV

DSS

ΒV

DSS

/T

J

R

DS （ ON）

V

GS （ TH）

V

GS （ TH）

I

DSS

I

GSS

政府飞行服务队

Q

g

Q

g

Q

gs

Q

gd

R

G

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

C

国际空间站

C

OSS

C

RSS

漏极至源极击穿电压

击穿电压温度。系数

静态漏 - 源极导通电阻

栅极阈值电压

栅极阈值电压系数

漏极至源极漏电流

栅 - 源正向漏

栅 - 源反向漏

正向跨导

总栅极电荷

分钟。

25

–––

1.35

–––

19

–––

典型值。

–––

18

10.0

17.0

1.8

-6.8

–––

4.3

10.4

1.8

1.6

1.9

6.5

19

5.4

5.3

653

171

78

MAX 。单位

–––

13.0

21.0

2.35

–––

1.0

150

100

-100

–––

pF

条件

V

GS

= 0V时，我

D

= 250A

毫伏/ ℃参考至25℃ ，我

D

= 1毫安

m

V

GS

= 10V ，我

D

= 8.5A

V

GS

= 4.5V ，我

D

= 6.8A

V

DS

= V

GS

, I

D

= 25A

毫伏/°C的

A

nA

S

nC

ns

I

D

= 8.5A

R

G

=1.8

ed

e

V

DS

= 20V, V

GS

= 0V

V

DS

= 20V, V

GS

= 0V ，T

J

= 125°C

V

GS

= 20V

V

GS

= -20V

V

DS

= 10V ，我

D

= 8.5A

h

总栅极电荷

h

栅极电阻

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

输入电容

输出电容

h

栅极 - 漏极电荷

h

栅极 - 源极充电

V

GS

= 4.5V, V

DS

= 13V ，我

D

= 8.5A

V

DS

= 13V

V

GS

= 10V

I

D

= 8.5A （参见图6 & 16）

d

V

DD

= 13V, V

GS

= 4.5V

e

见图17

V

GS

= 0V

V

DS

= 10V

= 1.0MHz的

反向传输电容

二极管的特性

参数

I

S

I

SM

V

SD

t

rr

Q

rr

t

on

连续源电流

（体二极管）

脉冲源电流

（体二极管）

二极管的正向电压

反向恢复时间

反向恢复电荷

向前开启时间

分钟。

–––

典型值。

–––

11

MAX 。单位

8.5

条件

MOSFET符号

D

d

A

84

1.0

17

V

ns

nC

展示

整体反转

G

S

p-n结二极管。

T

J

= 25 ° C，I

S

= 8.5A ，V

GS

= 0V

T

J

= 25 ° C，I

F

= 8.5A ，V

DD

= 13V

的di / dt = 280 A / μs的

d

e

时间是由寄生电感为主

热阻

R

θJC

（底部）

R

θJC

（ TOP）

R

θJA

R

θJA

结到外壳

结到环境

结到环境（ <10s ）

g

参数

f

典型值。

–––

马克斯。

13

90

60

42

单位

° C / W

注意事项：

重复评价;脉冲宽度有限的最大值。结温。

按封装电流限制。

脉冲宽度

≤

400μS ;占空比

≤

2%.

当安装在1英寸方形铜板

R

θ

的测量是在

T

J

大约90 ℃。

对于设计辅助工具而已，不受生产测试。

2

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IRFHS8242PbF

100

顶部

VGS

10V

7.0V

5.0V

4.5V

4.0V

3.5V

3.0V

2.7V

100

顶部

VGS

10V

7.0V

5.0V

4.5V

4.0V

3.5V

3.0V

2.7V

ID ，漏极 - 源极电流（A ）

10

底部

ID ，漏极 - 源极电流（A ）

10

底部

1

2.7V

1

0.1

2.7V

≤

在60μs脉冲宽度

TJ = 25°C

0.01

0.1

1

10

100

V DS ，漏极至源极电压（ V）

≤

在60μs脉冲宽度

TJ = 150℃

0.1

1

10

100

V DS ，漏极至源极电压（ V）

图1 。

典型的输出特性

100

图2 。

典型的输出特性

1.8

RDS （ ON）时，漏 - 源极导通电阻

（归一化）

ID ，漏极 - 源极电流（A ）

1.6

1.4

1.2

1.0

0.8

0.6

ID = 8.5A

VGS = 10V

T J = 150℃

T J = 25°C

10

VDS = 15V

≤

在60μs脉冲宽度

1.0

2.0

3.0

4.0

5.0

6.0

7.0

-60 -40 -20 0

20 40 60 80 100 120 140 160

VGS ，栅 - 源极电压（ V）

TJ ，结温（ ° C）

图3 。

典型的传输特性

10000

VGS = 0V，

F = 1 MHz的

ISS = C GS + C GD ，C DS短路

RSS = C GD

OSS = C DS + C GD

图4 。

归一化的导通电阻与温度的关系

14.0

ID = 8.5A

VGS ，栅 - 源极电压（ V）

12.0

10.0

8.0

6.0

4.0

2.0

0.0

C，电容（pF ）

1000

VDS = 20V

VDS = 13V

西塞

科斯

VDS = 5.0V

100

CRSS

10

1

10

VDS ，漏极至源极电压（ V）

100

0

2

4

6

8

10

12

QG ，总栅极电荷（ NC）

图5 。

典型的电容vs.Drain - to-Source电压

图6 。

典型栅极电荷vs.Gate - to-Source电压

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3

IRFHS8242PbF

100

1000

在这一领域

限于由R DS （ ON）

ID ，漏极 - 源极电流（A ）

ISD ，反向漏电流（ A）

100

100sec

10

受

引线键合

1

TC = 25°C

TJ = 150℃

单脉冲

0.1

0

1

1msec

TJ = 150℃

10

TJ = 25°C

10msec

DC

VGS = 0V

1.0

0.4

0.5

0.6

0.7

0.8

0.9

1.0

1.1

VSD ，源极到漏极电压（V ）

10

100

图7 。

典型的源漏二极管正向电压

25

不限按包

VGS （ th）时，栅极阈值电压（ V）

VDS ，漏极至源极电压（ V）

图8 。

最大安全工作区

2.4

2.2

2.0

1.8

1.6

1.4

1.2

1.0

20

ID ，漏电流（ A）

15

ID = 25μA

10

5

0

25

50

75

100

125

150

T C ，外壳温度（ ° C）

-75 -50 -25

0

25

50

75 100 125 150

图9 。

最大漏极电流比。

案例（下）温度

100

热响应（Z thJC ）° C / W

T J ，温度（° C）

图10 。

阈值电压与温度的关系

10

D = 0.50

0.20

0.10

0.05

0.02

0.01

1

0.1

单脉冲

（热反应）

0.01

1E-006

1E-005

0.0001

0.001

0.01

注意事项：

1.占空比D = T1 / T2

2.峰值TJ = P DM X Zthjc +锝

0.1

1

T1 ，矩形脉冲持续时间（秒）

图11 。

最大有效瞬态热阻抗，结至外壳（底部）

4

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IRFHS8242PbF

RDS （ ON）时，漏 - 源极到导通电阻（M

)

30

25

20

15

10

5

0

5

10

15

20

T J = 25°C

T J = 125°C

ID = 8.5A

RDS （ ON）时，漏 - 源极到导通电阻（ MΩ）

35

30

25

VGS = 4.5V

20

15

VGS = 10V

10

5

0

20

40

60

80

100

ID ，漏电流（ A）

图12 。

导通电阻比。栅极电压

600

500

单脉冲功率（ W）

VGS ，门-to - 源电压（V ）

图13 。

典型导通电阻与漏电流

400

300

200

100

0

1E-5

1E-4

1E-3

1E-2

1E-1

1E+0

时间（秒）

图14 。

典型功耗比。时间

D.U.T

驱动栅极驱动器

P.W.

期

V

GS

=10V

+

P.W.

期

D=

-

+

电路布局的注意事项

低杂散电感

地平面

低漏感

电流互感器

*

D.U.T.我

SD

波形

反向

恢复

当前

体二极管正向

当前

的di / dt

D.U.T. V

DS

波形

二极管恢复

dv / dt的

-

+

R

G

dv / dt的由R控制

G

驱动器的类型相同D.U.T.

I

SD

通过占空比控制"D"

D.U.T. - 被测设备

V

DD

V

DD

+

-

重施

电压

电感个当前

体二极管

正向压降

纹波

≤

5%

I

SD

*

V

GS

= 5V的逻辑电平器件

图15 。

峰值二极管恢复dv / dt的测试电路

对于N沟道

HEXFET

功率MOSFET

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