【PD - 94069IRG4BC30S-S绝缘栅双极晶体管特点标准：针对饱和度最低电压和低的工作频率】,IC型号IRG4BC30S-STRL,IRG4BC30S-STRL PDF资料,IRG4BC30S-STRL经销商,ic,电子元器件-51电子网

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PD - 94069

IRG4BC30S-S

绝缘栅双极晶体管

特点

标准：针对饱和度最低

电压和低的工作频率（ < 1kHz时）

第四代IGBT设计提供了严密

参数分布和高效率

C

标准速度IGBT

V

CES

= 600V

G

E

V

CE （ ON）（典型值）。

= 1.4V

@V

GE

= 15V ，我

C

= 18A

N沟道

好处

第4代的IGBT提供最高的效率提供

IGBT的指定应用条件优化

D

2

PAK

绝对最大额定值

参数

V

CES

I

C

@ T

C

= 25°C

I

C

@ T

C

= 100°C

I

CM

I

LM

V

GE

E

ARV

P

D

@ T

C

= 25°C

P

D

@ T

C

= 100°C

T

J

T

英镑

集电极 - 发射极击穿电压

连续集电极电流

连续集电极电流

集电极电流脉冲

钳位感性负载电流

门极 - 发射极电压

反向电压雪崩能量

最大功率耗散

最大功率耗散

工作结

存储温度范围

焊接温度，持续10秒

马克斯。

600

34

18

68

68

±20

10

100

42

-55到+150

300 （ 0.063英寸（ 1.6毫米）的情况下）

单位

V

A

V

mJ

W

°C

热阻

参数

R

θJC

R

θCS

R

θJA

Wt

结到外壳

案件到水槽，平面，脂表面

结到环境，典型的插座安装

重量

典型值。

–––

0.50

–––

1.44

马克斯。

1.2

–––

40

–––

单位

° C / W

克（盎司）

www.irf.com

1

12/28/00

IRG4BC30S-S

电气特性@ T

J

= 25 ℃（除非另有规定）

V

（ BR ） CES

V

（ BR ）， ECS

V

（ BR ） CES

/T

J

参数

集电极 - 发射极击穿电压

发射极 - 集电极击穿电压

温度COEFF 。击穿电压

集电极 - 发射极饱和电压

V

CE （ON）的

V

GE （日）

栅极阈值电压

V

GE （日）

/T

J

温度COEFF 。阈值电压

g

fe

正向跨导

I

CES

零栅极电压集电极电流

I

GES

门极 - 发射极漏电流

分钟。

600

18

—

—

—

—

3.0

—

6.0

—

—

—

—

TYP 。 MAX 。单位

条件

—

—

V

V

GE

= 0V时，我

C

= 250A

—

—

V

V

GE

= 0V时，我

C

= 1.0A

0.75 —

V /°C， V

GE

= 0V时，我

C

= 1.0毫安

1.40 1.6

I

C

= 18A

V

GE

= 15V

1.84 —

I

C

= 34A

参见图。 2,5

V

1.45 —

I

C

= 18A ，T

J

= 150°C

—

6.0

V

CE

= V

GE

, I

C

= 250A

-11

- 毫伏/°C， V

CE

= V

GE

, I

C

= 250A

11

—

S

V

CE

= 100V ，我

C

= 18A

—

250

V

GE

= 0V, V

CE

= 600V

A

—

2.0

V

GE

= 0V, V

CE

= 10V ，T

J

= 25°C

— 1000

V

GE

= 0V, V

CE

= 600V ，T

J

= 150°C

— ±100

nA

V

GE

= ±20V

开关特性@ T

J

= 25 ℃（除非另有规定）

Q

g

Q

ge

Q

gc

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

E

on

E

关闭

E

ts

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

E

ts

L

E

C

IES

C

OES

C

水库

注意事项：

参数

总栅极电荷（导通）

门 - 发射极电荷（导通）

门 - 收集电荷（导通）

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

导通开关损耗

关断开关损耗

总开关损耗

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

总开关损耗

内置发射器电感

输入电容

输出电容

反向传输电容

分钟。

—

—

—

—

—

—

—

—

—

—

—

—

—

—

—

—

—

—

—

TYP 。 MAX 。单位

条件

50

75

I

C

= 18A

7.3

11

nC

V

CC

= 400V

参见图。 8

17

26

V

GE

= 15V

22

—

18

—

T

J

= 25°C

ns

540 810

I

C

= 18A ，V

CC

= 480V

390 590

V

GE

= 15V ，R

G

= 23

0.26 —

能量损失包括"tail"

3.45 —

毫焦耳参见图。 9，10， 14

3.71 5.6

21

—

T

J

= 150°C,

19

—

I

C

= 18A ，V

CC

= 480V

ns

790

—

V

GE

= 15V ，R

G

= 23

760

—

能量损失包括"tail"

6.55 —

毫焦耳参见图。 11，14

7.5

—

nH

从包装测量5毫米

1100 —

V

GE

= 0V

72

—

pF

V

CC

= 30V

参见图。 7

13

—

= 1.0MHz的

重复评价; V

GE

= 20V ，脉冲宽度有限的

最大。结温（参见图13B ）。

V

CC

= 80%(V

CES

), V

GE

= 20V ， L = 10μH ，R

G

= 23,

（参见图13A ）。

脉冲宽度

≤

为80μs ;占空比

≤

0.1%.

脉冲宽度5.0μs ，单发射击。

重复评价;脉冲宽度有限的最大

结温。

2

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IRG4BC30S-S

50

F或两个：

Triang乌拉R W一个已经：

I

40

负载电流（A ）

UTY YC乐： 50 ％

T J = 125°C

牛逼水墨= 90℃

摹吃了驱动器为S pecified

P流ê R d为SIP ATIO N =

21

W

CLA M·P VO LTAG E：

80 ％的税率的D

30

S Q U A重新W A V E：

率的D 6 0 ％

沃尔特GE

20

I

10

身份证电子一升 IO （E S）

0

0.1

1

10

A

100

男，频率（KHz ）

图。 1

- 典型负载电流与频率的关系

（负载电流= I

RMS

基本）

100

100

I

C

，集电极 - 发射极电流（A ）

T

J

= 25

o

C

T

J

= 150

o

C

I

C

，集电极 - 发射极电流（A ）

T

J

= 150

o

C

10

10

T

J

= 25

o

C

1

1

1

V

GE

= 15V

20μs的脉冲宽度

10

0.1

5

6

7

V

CC

= 50V

5μs脉宽

8

9

10

V

CE

，集电极 - 发射极电压（V ）

V

GE

，门极 - 发射极电压（V ）

图。 2

- 典型的输出特性

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图。 3

- 典型的传输特性

3

IRG4BC30S-S

35

3.0

最大直流电集电极电流（ A）

30

V

CE

，集电极 - 发射极电压（V ）

V

GE

= 15V

80我们脉宽

25

2.5

I

C

= 36 A

20

2.0

15

10

I

C

= 18 A

1.5

5

I

C

=

9.0

9

A

A

1.0

-60 -40 -20

0

25

50

75

100

125

150

0

20

40

60

80 100 120 140 160

T

C

，外壳温度（

°

C)

T

J

，结温（

°

C)

图。 4

- 最大集电极电流和案例

温度

图。五

- 典型的集电极 - 发射极电压

- 结温

10

热响应（Z

thJC

)

1

D = 0.50

0.20

0.10

0.1

0.05

0.02

0.01

单脉冲

（热反应）

P

DM

t

1

t

2

注意事项：

1.负载因数D = T

1

/ t

2

2.峰值牛逼

J

= P

DM

X Z

thJC

+ T

C

0.001

0.01

0.1

1

0.01

0.00001

0.0001

t

1

，矩形脉冲持续时间（秒）

图。 6

- 最大有效瞬态热阻抗，结至外壳

4

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IRG4BC30S-S

2000

V

GE

，门极 - 发射极电压（V ）

100

V

GE

= 0V,

F = 1MHz的

C

IES

= C

ge

+ C

气相色谱法，

C

ce

短

C

水库

= C

gc

C

OES

= C

ce

+ C

gc

20

V

CC

= 400V

I

C

= 18A

16

C，电容（pF ）

1500

资本投资者入境计划

1000

12

8

500

卓越中心

CRES

4

0

1

10

0

0

10

20

30

40

50

60

V

CE

，集电极 - 发射极电压（V ）

Q

G

，总栅极电荷（ NC）

图。 7 -

典型的电容比。

集电极 - 发射极电压

图。 8

- 典型栅极电荷主场迎战

门极 - 发射极电压

3.80

总的开关损耗（兆焦耳）

总的开关损耗（兆焦耳）

V

CC

= 480V

V

GE

= 15V

T

J

= 25

°

C

3.76

I

C

= 18A

100

R

G

= 23Ohm

V

GE

= 15V

V

CC

= 480V

I

C

=

36

A

10

3.72

I

C

=

18

A

I

C

=

9.0

A

9

A

3.68

1

3.64

3.60

0

10

20

30

40

50

0.1

-60 -40 -20

0

20

40

60

80 100 120 140 160

R

G

，栅极电阻（欧姆）

T

J

，结温（

°

C )

图。 9

- 典型的开关损耗与门

阻力

www.irf.com

图。 10

- 典型的开关损耗与

结温

5

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