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PD - 91746C
IRF7805/IRF7805A
HEXFET
芯片组为DC- DC转换器
N沟道专用的MOSFET
非常适合移动DC- DC转换器
低传导损耗
低开关损耗
S
S
S
G
1
8
7
A
D
D
D
D
2
3
6
描述
这些新器件采用先进的HEXFET功率
MOSFET技术，实现了前所未有的
导通电阻和栅极电荷平衡的。该
降低传导和开关损耗使他们
适用于高效率的DC -DC转换器的电源
最新一代的移动微处理器。
该IRF7805 / IRF7805A提供最高的效率为
移动CPU核心的DC- DC转换器。
4
5
SO-8
T O服务P V IE W
设备特点
IRF7805 IRF7805A
VDS
30V
30V
RDS （ ON）
11m
11m
Qg
31nC
31nC
QSW
11.5nC
QOSS
36nC
36nC
绝对最大额定值
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏极或源极
电流（V
GS
≥
4.5V)
漏电流脉冲？
功耗
25°C
70°C
结&存储温度范围
连续源电流（体二极管） ？
脉冲源电流
T
J
, T
英镑
I
S
I
SM
2.5
106
25°C
70°C
I
DM
P
D
符号
V
DS
V
GS
I
D
13
10
100
2.5
1.6
-55到150
2.5
106
°C
A
IRF7805
30
±12
13
10
100
W
A
IRF7805A
单位
V
热阻
参数
最大结点到环境？
R
θJA
马克斯。
50
单位
° C / W
www.irf.com
1
10/10/00
IRF7805/IRF7805A
电气特性
参数
漏 - 源
击穿电压*
静态漏源
在性*
漏源漏
目前*
V
（ BR ） DSS
R
DS
（上）
1.0
30
150
I
GSS
Q
g
Q
gs1
Q
gs2
Q
gd
Q
SW
Q
OSS
R
g
t
d
（上）
t
r
t
d
（关闭）
t
f
±100
22
31
3.7
1.4
6.8
8.2
30
1.7
16
20
38
16
11.5
36
IRF7805
最小典型最大
30
–
9.2
–
11
1.0
30
150
±100
22
31
3.7
1.4
6.8
8.2
30
1.7
16
20
38
16
ns
36
V
DD
= 16V
I
D
= 7A
R
g
= 2
V
GS
= 4.5V
阻性负载
条件
I
S
= 7A ?? ，V
GS
= 0V
的di / dt = 700A / μs的
V
DS
= 16V, V
GS
= 0V时，我
S
= 7A
的di / dt = 700A / μs的
（有10BQ040 ）
V
DS
= 16V, V
GS
= 0V时，我
S
= 7A
V
DS
= 16V, V
GS
= 0
nC
nA
IRF7805A
最小典型最大单位
30
–
9.2
–
11
V
m
V
A
条件
V
GS
= 0V时，我
D
= 250A
V
GS
= 4.5V ，我
D
= 7A
V
DS
= V
GS
,I
D
= 250A
V
DS
= 24V, V
GS
= 0
V
DS
= 24V, V
GS
= 0,
TJ = 100℃
V
GS
= ±12V
V
GS
= 5V ，我
D
= 7A
V
DS
= 16V ，我
D
= 7A
栅极阈值电压* V
GS
（ TH ）
I
DSS
栅源漏
目前*
总栅极电荷*
预Vth的
栅极 - 源电荷
后Vth的
栅极 - 源电荷
栅漏电荷
转换费*
(Q
gs2
+ Q
gd
)
输出电荷*
栅极电阻
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
源极 - 漏极评级&特点
参数
二极管正向
电压*
反向恢复
充电？
反向恢复
充电（与并行
Schotkky ） ？
注意事项：
*
民
V
SD
Q
rr
Q
RR （S ）
TYP MAX
1.2
88
55
民
典型值最大值单位
1.2
88
55
V
nC
2
重复评价;脉冲宽度有限的最大值。结温。
脉冲宽度
≤
300微秒;占空比
≤
2%.
当安装在1平方英寸的铜电路板，T < 10秒。
测量V
DS
< 100mV的。这近似于同步整流器的实际操作。
典型值=测量 - Q
OSS
设备是经过100％测试这些参数。
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IRF7805/IRF7805A
功率MOSFET选择的DC / DC
转换器
控制用FET
特别注意了对功率损耗
在电路中的开关元件 - Q1和Q2 。
在高侧开关Q1的功率损耗，也被称为
控制用FET ，被上述R的影响
DS （ ON）
MOSFET的，
但这些传导损耗是只有约一半的
总的损失。
在控制开关Q1的功率损耗由下式给出;
4
漏电流
1
栅极电压
t2
t1
V
GTH
t0
2
t3
Q
GS1
Q
GS2
Q
GD
P
损失
= P
传导
+ P
开关
+ P
DRIVE
+ P
产量
这可以被扩展和通过近似;
漏极电压
图1：典型MOSFET的开关波形
P
损失
=
(
I
RMS 2
×
R
DS （ ON）
)
Q
Q
+
I
×
gd
×
V
in
×
f
+
I
×
gs2
×
V
in
×
f
i
g
i
g
+
(
Q
g
×
V
g
×
f
)
+
Q
OSS
×
V
in
×
f
2
同步FET
为Q2的功率损耗公式近似
通过;
*
P
损失
=
P
传导
+
P
DRIVE
+
P
产量
P
损失
=
I
RMS
×
R
DS （ ON）
+
(
Q
g
×
V
g
×
f
)
(
2
)
这种简化的损耗计算公式包含的条款Q
gs2
和Q
OSS
这是新的功率MOSFET的数据表。
Q
gs2
是传统的栅极 - 源极电荷的子元素
包含在所有的MOSFET数据表。在祁门功夫，功夫
分裂的tance此栅极 - 源极电荷为两个子
元素，Q
gs1
和Q
gs2
可从图1中可以看出。
Q
gs2
表示必须由被供给的电荷
时，阈值电压之间的栅极驱动器
年龄已达到（ t1）的和时间的漏极电流
房租上升到我
DMAX
（ t2的），其时的漏极电压
开始改变。最小化Q
gs2
是一个关键因素
降低Q1的开关损耗。
Q
OSS
是，必须提供到输出的电荷
MOSFET的每个开关中的电容
周期。图2示出了如何Q
OSS
由paral-形成
的电压依赖的（非线性）的LEL的组合
电容的C语言
ds
和C
dg
当由功率乘以
提供输入总线电压。
Q
Q
+
OSS
×
V
in
×
f
+
(
rr
×
V
in
×
f
)
2
*消耗主要是在第一季度。
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3
IRF7805/IRF7805A
对于同步MOSFET Q2 ，R
DS （ ON）
是一种重
portant特征;然而，再次祁门功夫，功夫
栅极电荷的距离，必须不能因为它忽视
影响的三个关键领域。在轻载下的
MOSFET仍然必须由CON组来接通和关断
控制集成电路这样的栅极驱动损耗变得更加
显著。其次，输出电荷Q
OSS
并重新
诗句恢复电荷Q
rr
双方产生的损失
被转移到Q1和增加耗散
该设备。第三，栅极电荷将会影响
MOSFET的易感性与Cdv / dt的开启。
Q2的漏极连接到该交换节点
所述转换器，并且因此认为过渡BE-
吐温地面和V
in
。作为Q1导通和关断有
漏极电压的dV / dt的变化率是钙
pacitively耦合到Q2的栅极和可诱导
在栅极的电压尖峰，足以使
在MOSFET上，导致贯通电流。
Q的比
gd
/Q
gs1
必须最小化，以减少
潜在的犬瘟热病毒/ DT打开。
Spice模型的IRF7805可在马下载
在www.irf.com脊可读的格式。
图2 ：Q
OSS
特征
4
www.irf.com
IRF7805/IRF7805A
典型特征
IRF7805
IRF7805A
图3.归通电阻与温度的关系
图4.归一通电阻与温度的关系
图5.典型栅极电荷与栅极至源极电压
图6.典型栅极电荷与栅极至源极电压
图7.典型的RDS（ON）与栅极至源极电压
图8.典型的RDS（ON）与栅极至源极电压
www.irf.com
5
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