集成
电路
系统公司
ICS87931I
L
OW
S
KEW
, 1-
TO
-6
LVCMOS / LVTTL
LOCK
M
ULTIPLIER
/Z
ERO
D
ELAY
B
UFFER
F
EATURES
完全集成的PLL
6 LVCMOS / LVTTL输出， 7Ω典型的输出阻抗
可选的差分CLK0 ， nCLK0或LVCMOS / LVTTL时钟
冗余时钟应用
最大输出频率： 150MHz的
VCO范围： 220MHz的要为480MHz
对于“零延迟”时钟再生外部反馈
输出偏斜，同频： 300PS （最大值）
输出偏斜，不同的频率： 400PS （最大值）
周期到周期抖动： 100ps的（最大）
3.3V电源电压
-40 ° C至85°C的工作环境温度
引脚兼容MPC931
G
ENERAL
D
ESCRIPTION
该ICS87931I是一款低电压，低偏移
LVCMOS / LVTTL时钟倍频器/零延迟
HiPerClockS
缓冲区和HiPerClockS成员系列
从ICS高性能时钟解决方案。
随着输出频率高达150MHz时，
ICS87931I是针对高性能时钟应用。
随着一个完全集成的PLL ，该ICS87931I包含频
昆西可配置的输出和外部反馈输入
再生时钟以“零延迟” 。
,&6
可选择的时钟输入端， CLK1和CLK0差， nCLK0
支持冗余时钟应用。该CLK_SEL DE-输入
该参考时钟termines被使用。输出分频器val-
银行A ， B和C的UE是由DIV_SELA控制，
DIV_SELB和DIV_SELC分别。
对于测试和系统调试的目的， PLL_SEL输入AL-
低点的PLL被绕过。当低，核磁共振重新输入
设置内部分隔和强制输出的高im-
pedance状态。
该ICS87931I的有效扇出可提高到12
通过利用每个输出驱动两个串联termi-的能力
经过NAT传输线。
P
IN
A
SSIGNMENT
DIV_SELC
DIV_SELB
DIV_SELA
GND
V
DDO
QA0
QA1
nc
32 31 30 29 28 27 26 25
nc
V
DDA
Power_Dn
CLK1
NMR
CLK0
nCLK0
GND
1
2
3
4
5
6
7
8
24
23
GND
QB0
QB1
V
DDO
ExtFB_Sel
CLK_SEL
PLL_SEL
nc
ICS87931I
32引脚LQFP
采用7mm x 7mm X 1.4毫米
包体
Y封装
顶视图
9 10 11 12 13 14 15 16
nc
CLK_EN0
CLK_EN1
Ext_FB
V
DDO
QC0
QC1
GND
22
21
20
19
18
17
B
LOCK
D
IAGRAM
Power_Dn
上拉
PLL_SEL
上拉
CLK_SEL
下拉
CLK1
上拉
CLK0
上拉
1
0
相
探测器
LPF
1
0
÷8
VCO
0
0
1
÷2
1
QA1
÷2/÷4
QB0
QB1
÷2/÷4
QA0
nCLK0
无
ExtFB_Sel
Ext_FB
下拉
上拉
DIV_SELA
下拉
DIV_SELB
下拉
CLK_EN0
上拉
CLK_EN1
上拉
DIV_SELC
下拉
NMR
上拉
上电复位
÷4/÷6
关闭
逻辑
QC0
QC1
87931BYI
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1
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集成
电路
系统公司
ICS87931I
L
OW
S
KEW
, 1-
TO
-6
LVCMOS / LVTTL
LOCK
M
ULTIPLIER
/Z
ERO
D
ELAY
B
UFFER
TYPE
描述
无连接。
模拟电源引脚。
控制频率被馈送到输出分频器。
LVCMOS / LVTTL接口电平。
时钟输入。 LVCMOS / LVTTL接口电平。
低电平有效复位硕士。当逻辑低电平时，内部分隔为
复位引起的输出变为低电平。当逻辑高电平时，内部
分频器和输出被使能。 LVCMOS / LVTTL接口电平。
非INVER婷差分时钟输入。
T
ABLE
1. P
IN
D
ESCRIPTIONS
数
1, 9, 17, 32
2
3
4
5
6
7
8, 16, 24,25
10, 11
12
13, 21, 28
14, 15
18
名字
nc
V
DDA
Power_Dn
CLK1
NMR
CLK0
nCLK0
GND
CLK_EN0,
CLK_EN1
Ext_FB
V
DDO
QC0 ， QC1
PLL_SEL
动力
输入
输入
输入
输入
输入
动力
输入
输入
动力
产量
输入
上拉
上拉
上拉
未使用
19
20
22, 23
26, 27
29
30
31
CLK_SEL
ExtFB_Sel
QB1 ， QB0
QA1 ， QA0
DIV_SELA
DIV_SELB
DIV_SELC
输入
输入
产量
产量
输入
输入
输入
上拉
上拉/
INVER婷差分时钟输入。 V
CC
/ 2时默认悬空。
下拉
电源接地。
控制启用和禁用的时钟输出。请参阅表3B 。
上拉
LVCMOS / LVTTL接口电平。
外部反馈。低电平时，选择内部反馈。
上拉
当HIGH ，选择EXT_FB 。 LVCMOS / LVTTL接口电平。
输出电源引脚。
C银行的时钟outputs.7
典型的输出阻抗。
LVCMOS / LVTTL接口电平。
锁相环和基准时钟之间进行选择作为输入的
上拉
输出分频器。当HIGH ，选择PLL 。当低，旁路
该PLL 。 LVCMOS / LVTTL接口电平。
时钟选择输入。选择相位检测参考。
下拉低电平时，选择CLK0 ， nCLK0 。当HIGH ，选择CLK1 。
LVCMOS / LVTTL接口电平。
下拉外部反馈选择。 LVCMOS / LVTTL接口电平。
B银行的时钟outputs.7
典型的输出阻抗。
LVCMOS / LVTTL接口电平。
银行时钟outputs.7
典型的输出阻抗。
LVCMOS / LVTTL接口电平。
决定输出分频值， A银行如表4A描述。
下拉
LVCMOS / LVTTL接口电平。
决定输出分频值， B银行如表4A描述。
下拉
LVCMOS / LVTTL接口电平。
决定输出分频值， C银行如表4A描述。
下拉
LVCMOS / LVTTL接口电平。
注意：
上拉
和
下拉
是指内部输入电阻。见表2 ，引脚特性，为典型值。
T
ABLE
2. P
IN
C
极特
符号
C
IN
R
上拉
R
下拉
C
PD
R
OUT
参数
输入电容
输入上拉电阻
输入下拉电阻
功率耗散电容
（每路输出）
输出阻抗
测试条件
最低
典型
4
51
51
V
DDA
, V
DDO
= 3.465V
12
7
最大
单位
pF
K
K
pF
87931BYI
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2
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集成
电路
系统公司
ICS87931I
L
OW
S
KEW
, 1-
TO
-6
LVCMOS / LVTTL
LOCK
M
ULTIPLIER
/Z
ERO
D
ELAY
B
UFFER
功能
逻辑0
CLK0 ， nCLK0
旁路PLL
逻辑1
CLK1
启用PLL
Ext_FB
VCO/2
启用输出
QA（ ÷ 4）; QB （ ÷ 4）; QC （ ÷ 6 ）
T
ABLE
3A 。
ONTROL
I
NPUT
F
油膏
T
ABLE
输入
控制引脚
CLK_SEL
PLL_SEL
ExtFB_Sel
Power_Dn
NMR
DIV_SELA ： DIV_SELC
内部反馈
VCO/1
主复位/输出嗨
QA （ ÷ 2 ） ; QB （ ÷ 2 ） ; QC （ ÷ 4 ）
T
ABLE
3B 。 CLK_EN
X
F
油膏
T
ABLE
输入
CLK_EN1
0
0
1
1
CLK_EN0
0
1
0
1
DIV_SELA ： DIVSELC
QAx
切换
低
切换
切换
QBX
低
低
低
切换
QCX
低
切换
切换
切换
T
ABLE
4A 。 VCO F
Characteristic低频
F
油膏
T
ABLE
输入
div_
拉美经济体系
0
0
0
0
1
1
1
1
div_
SELB
0
0
1
1
0
0
1
1
div_
SELC
0
1
0
1
0
1
0
1
QAx
Power_Dn = 0
VCO/2
VCO/2
VCO/2
VCO/2
VCO/4
VCO/4
VCO/4
VCO/4
TO
输出
QBX
VCO/4
VCO/4
VCO/4
VCO/4
VCO/8
VCO/8
VCO/8
VCO/8
VCO/2
VCO/2
VCO/4
VCO/4
VCO/2
VCO/2
VCO/4
VCO/4
VCO/4
VCO/4
VCO/8
VCO/8
VCO/4
VCO/4
VCO/8
VCO/8
VCO/4
VCO/6
VCO/4
VCO/6
VCO/4
VCO/6
VCO/4
VCO/6
QCX
Power_Dn = 1
VCO/8
VCO/12
VCO/8
VCO/12
VCO/8
VCO/12
VCO/8
VCO/12
POWER_DN = 1 POWER_DN = 0
POWER_DN = 1 POWER_DN = 0
T
ABLE
4B 。我
NPUT
R
指南
F
Characteristic低频
输入
div_
拉美经济体系
0
0
0
0
1
1
1
1
87931BYI
O
安输出
F
Characteristic低频
F
油膏
T
ABLE
(I
NTERNAL
F
EEDBACK
O
NLY
)
输出
QBX
2x
2x
2x
2x
x
x
x
x
3
div_
SELB
0
0
1
1
0
0
1
1
div_
SELC
0
1
0
1
0
1
0
1
QAx
Power_Dn = 0
4x
4x
4x
4x
2x
2x
2x
2x
4x
4x
2x
2x
4x
4x
2x
2x
QCX
Power_Dn = 1
x
2/3x
x
2/3x
x
2/3x
x
2/3x
REV 。一个2003年6月23日
POWER_DN = 1 POWER_DN = 0
POWER_DN = 1 POWER_DN = 0
2x
2x
x
x
2x
2x
x
x
2x
4/3x
2x
4/3x
2x
4/3x
2x
4/3x
www.icst.com/products/hiperclocks.html
集成
电路
系统公司
ICS87931I
L
OW
S
KEW
, 1-
TO
-6
LVCMOS / LVTTL
LOCK
M
ULTIPLIER
/Z
ERO
D
ELAY
B
UFFER
VCO
VCO/2
Power_Dn
QA(÷2)
QB(÷4)
QC(÷6)
F
IGURE
1A 。 POWER_DN牛逼
即时通信
D
IAGRAM
QA
QB
QC
CLK_EN0
CLK_EN1
QA(÷2)
QB(÷4)
QC(÷6)
CLK_EN0
CLK_EN1
F
IGURE
1B 。 CLK_EN
X
T
即时通信
D
IAGRAMS
87931BYI
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4
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ICS87931I
L
OW
S
KEW
, 1-
TO
-6
LVCMOS / LVTTL
LOCK
M
ULTIPLIER
/Z
ERO
D
ELAY
B
UFFER
4.6V
-0.5V到V
DDA
+ 0.5 V
-0.5V到V
DDO
+ 0.5V
47.9 ℃/ W（ 0 LFPM ）
-65 ℃150 ℃的
注：如果运行条件超出绝对下上市
最大额定值可能会造成永久性损坏
装置。这些评价只强调规范。实用
产物在这些条件下或在任何条件操作BE-
彼处那些在上市
DC特性
or
AC Character-
istics
是不是暗示。暴露在绝对最大额定值
长时间条件可能会影响产品的可靠性。
A
BSOLUTE
M
AXIMUM
R
ATINGS
电源电压，V
DD
输入，V
I
产出，V
O
封装的热阻抗，
θ
JA
贮藏温度，T
英镑
T
ABLE
5A 。 P
OWER
S
UPPLY
DC
极特
,
V
DDA
= V
DDO
= 3.3V ±5％ ，T
A
= -40°C
TO
85°C
符号
V
DDA
V
DDO
I
DDA
I
DDO
参数
模拟电源电压
输出电源电压
模拟电源电流
输出电源电流
测试条件
最低
3.135
3.135
典型
3.3
3.3
20
100
最大
3.465
3.465
单位
V
V
mA
mA
T
ABLE
5B 。 LVCMOS / LVTTL DC
极特
,
V
DDA
= V
DDO
= 3.3V ±5％ ，T
A
= -40°C
TO
85°C
符号参数
输入
高压
DIV_SELA ： DIV_SELC ，
CLK_EN0 ， CLK_EN1 ，
POWER_DN ，核磁共振， CLK_SEL ，
PLL_SEL ， EXTFB_SEL
CLK1 ， EXT_FB
DIV_SELA ： DIV_SELC ，
CLK_EN0 ， CLK_EN1 ，
POWER_DN ，核磁共振， CLK_SEL ，
PLL_SEL ， EXTFB_SEL
CLK1 ， EXT_FB
I
OH
= -20mA
I
OL
= 20mA下
测试条件
最小典型
2
2
-0.3
-0.3
2.4
0.5
最大
V
DD
+ 0.3
V
DD
+ 0.3
0.8
1.3
±120
单位
V
V
V
V
A
V
V
V
IH
V
IL
输入
低电压
输入电流
I
IN
V
OH
V
OL
输出高电压;注1
输出低电压;注1
注1 ：输出端接50
到V
DDO
/ 2 。参见参数测量部分， 3.3V输出负载测试电路。
T
ABLE
5C 。
。微分
DC
极特
,
V
DDA
= V
DDO
= 3.3V ±5％ ，T
A
= -40°C
TO
85°C
符号
I
IN
V
PP
参数
输入电流
测试条件
最低
典型
最大
±120
1.3
V
DD
- 0.85
单位
A
V
V
峰 - 峰值输入电压
0.15
共模输入电压;
V
CMR
GND + 0.5
注1,2
注1 ：对于单端应用
,
最大输入电压为CLK0 ， nCLK0为V
DDA
+ 0.3V.
注2 ：共模电压定义为V
IH
.
87931BYI
www.icst.com/products/hiperclocks.html
5
REV 。一个2003年6月23日
QQ：2880707522 复制
