添加收藏夹  设为首页  深圳服务热线：13692101218  13751165337
Pdf资料  |  热门库存  |  IC详细资料  |  网站地图
IC供应 PDF资料 非IC供应
51电子网联系电话：13692101218
首页
供应信息
求购信息
非IC专区
技术资料
电子资讯
招聘中心
会展信息 51旺铺 会员中心
位置：首页 > IC型号导航 > 首字符I型号页 > 首字符I的型号第863页 > IRF7342PBF
PD - 95200
IRF7342PbF
第五代技术
l
超低导通电阻
l
双P沟道MOSFET
l
表面贴装
l
可在磁带卷&
l
动态的dv / dt额定值
l
快速开关
l
LEAD -FREE
描述
l
HEXFET
功率MOSFET
S1
G1
S2
G2
1
2
3
4
8
7
D1
D1
D2
D2
V
DSS
= -55V
R
DS （ ON）
= 0.105
6
5
顶视图
国际整流器第五代HEXFETs
利用先进的加工技术，以实现
极低的导通电阻每硅片面积。这
益处，结合快速开关速度和
坚固耐用的设备的设计，HEXFET功率
MOSFET是众所周知的，为设计者提供
用一个非常有效和可靠的装置，用于使用
在各种各样的应用中。
采用SO-8已经通过定制进行了修改
引线框架用于增强热性能和
多模能力使它成为理想的各种
电源应用。有了这些改进，多
设备可用于在应用程序中使用显着
减少了电路板空间。该软件包是专为
气相，红外，或波峰焊技术。
大于0.8W的功耗有可能在
一个典型的印刷电路板安装的应用程序。
SO-8
绝对最大额定值
参数
V
DS
I
D
@ T
C
= 25°C
I
D
@ T
C
= 70°C
I
DM
P
D
@T
C
= 25°C
P
D
@T
C
= 70°C
V
GS
V
GSM
E
AS
dv / dt的
T
J,
T
英镑
漏源电压
连续漏电流， V
GS
@ 10V
连续漏电流， V
GS
@ 10V
漏电流脉冲
功耗
功耗
线性降额因子
栅极 - 源极电压
栅 - 源电压单脉冲tp<10μs
单脉冲雪崩能量？
峰值二极管恢复的dv / dt
结温和存储温度范围
马克斯。
-55
-3.4
-2.7
-27
2.0
1.3
0.016
± 20
30
114
5.0
-55到+ 150
单位
V
A
W
W / ℃，
V
V
V / ns的
°C
热阻
参数
R
θJA
最大结点到环境
典型值。
–––
马克斯。
62.5
单位
° C / W
www.irf.com
1
10/7/04
IRF7342PbF
电气特性@ T
J
= 25 ℃（除非另有规定）
V
（ BR ） DSS
V
（ BR ） DSS
/T
J
参数
漏极至源极击穿电压
击穿电压温度。系数
静态漏 - 源极导通电阻
栅极阈值电压
正向跨导
漏极至源极漏电流
栅 - 源正向漏
栅 - 源反向漏
总栅极电荷
栅极 - 源极充电
栅极 - 漏极（ "Miller" ）充电
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
输入电容
输出电容
反向传输电容
R
DS （ ON）
V
GS （ TH）
g
fs
I
DSS
I
GSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
分钟。
-55
–––
–––
–––
-1.0
3.3
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
TYP 。 MAX 。单位
条件
––– –––
V
V
GS
= 0V时，我
D
= -250A
-0.054 --- V / ° C参考到25° C，I
D
= -1mA
0.095 0.105
V
GS
= -10V ，我
D
= -3.4A
0.150 0.170
V
GS
= -4.5V ，我
D
= -2.7A
––– –––
V
V
DS
= V
GS
, I
D
= -250A
––– –––
S
V
DS
= -10V ，我
D
= -3.1A
––– -2.0
V
DS
= -55V, V
GS
= 0V
A
––– -25
V
DS
= -55V, V
GS
= 0V ，T
J
= 55°C
––– -100
V
GS
= -20V
nA
––– 100
V
GS
= 20V
26
38
I
D
= -3.1A
3.0 4.5
NC V
DS
= -44V
8.4
13
V
GS
= -10V ，见图。 10
14
22
V
DD
= -28V
10
15
I
D
= -1.0A
ns
43
64
R
G
= 6.0
22
32
R
D
= 16,
690 –––
V
GS
= 0V
210 –––
pF
V
DS
= -25V
86 –––
?? = 1.0MHz的，见图。 9
源极 - 漏极额定值和特性
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
参数
连续源电流
（体二极管）
脉冲源电流
（体二极管）
二极管的正向电压
反向恢复时间
反向RecoveryCharge
分钟。典型值。马克斯。单位
–––
–––
–––
–––
54
85
-2.0
A
-27
-1.2
80
130
V
ns
nC
条件
MOSFET符号
展示
G
整体反转
p-n结二极管。
T
J
= 25 ° C，I
S
= -2.0A ，V
GS
= 0V
T
J
= 25 ° C，I
F
= -2.0A
的di / dt = -100A / μs的
D
S
注意事项：
重复评价;脉冲宽度有限的
起始物为
J
= 25℃时，L = 20mH
最大。结温。 （参见图11）
R
G
= 25, I
AS
= -3.4A 。 （参见图8）
I
SD
≤
-3.4A ， di / dt的
≤
-150A / μs的，V
DD
≤
V
（ BR ） DSS
,
T
J
≤
150°C
脉冲宽度
≤
300μS ;占空比
≤
2%.
当安装在1平方英寸的铜板， t<10秒
2
www.irf.com
IRF7342PbF
100
-I
D
，漏极 - 源极电流（A ）
-I
D
，漏极 - 源极电流（A ）
10
VGS
-15V
-12V
-10V
-8.0V
-6.0V
-4.5V
-4.0V
-3.5V
BOTTOM -3.0V
顶部
100
10
VGS
-15V
-12V
-10V
-8.0V
-6.0V
-4.5V
-4.0V
-3.5V
BOTTOM -3.0V
顶部
1
-3.0V
-3.0V
1
0.1
0.1
20μs的脉冲宽度
T
J
= 25
°
C
1
10
100
0.1
0.1
20μs的脉冲宽度
T
J
= 150
°
C
1
10
100
-V
DS
，漏极至源极电压（ V）
-V
DS
，漏极至源极电压（ V）
图1 。
典型的输出特性
图2 。
典型的输出特性
100
100
-I
D
，漏极 - 源极电流（A ）
-I
SD
，反向漏电流（ A）
T
J
= 25
°
C
T
J
= 150
°
C
10
10
T
J
= 150
°
C
T
J
= 25
°
C
1
1
V DS = -25V
20μs的脉冲宽度
3
4
5
6
7
0.1
0.2
V
GS
= 0 V
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
-V
GS
，栅 - 源极电压（ V）
-V
SD
，源极到漏极电压（V ）
图3 。
典型的传输特性
图4 。
典型的源极 - 漏极二极管
正向电压
www.irf.com
3
IRF7342PbF
2.0
1.5
R
DS （ ON）
，漏极 - 源极导通电阻
()
R
DS （ ON）
，漏极 - 源极导通电阻
（归一化）
I
D
= -3.4 A
0.240
0.200
VGS = -4.5V
0.160
1.0
0.5
0.120
VGS = -10V
0.0
-60 -40 -20
V
GS
= -10V
0
20
40
60
80 100 120 140 160
0.080
0
2
4
6
8
10
12
T
J
，结温（
°
C)
-I
D
，漏电流（ A）
图5 。
归一化的导通电阻
与温度的关系
图6 。
典型导通电阻比。漏
当前
0.45
E
AS
，单脉冲雪崩能量（兆焦耳）
R
DS （ ON）
，漏极 - 源极导通电阻
( )
300
250
0.35
ID
顶部
-1.5A
-2.7A
BOTTOM -3.4A
200
0.25
150
I
D
= -3.4 A
0.15
100
50
0.05
2
5
8
11
14
A
0
25
-V
GS
，栅 - 源极电压（ V）
起始物为
J
，结温（
°
C)
50
75
100
125
150
图7 。
典型导通电阻比。门
电压
图8 。
最大雪崩能量
与漏电流
4
www.irf.com
IRF7342PbF
1200
960
-V
GS
，栅 - 源极电压（ V）
V
GS
= 0V,
F = 1MHz的
C
国际空间站
= C
gs
+ C
GD ，
C
ds
短
C
RSS
= C
gd
C
OSS
= C
ds
+ C
gd
20
I
D
=
-3.1A
16
V
DS
=-48V
V
DS
=-30V
V
DS
=-12V
C，电容（pF ）
720
西塞
12
480
8
科斯
240
4
CRSS
0
1
10
100
0
0
10
20
30
40
-
-V
DS
，漏极至源极电压（ V）
Q
G
，总栅极电荷（ NC）
图9 。
典型的电容比。
漏极至源极电压
图10 。
典型栅极电荷比。
栅极 - 源极电压
100
热响应（Z
thJA
)
D = 0.50
0.20
10
0.10
0.05
0.02
1
0.01
单脉冲
（热反应）
P
DM
t
1
t
2
注意事项：
1.负载因数D = T
1
/ t
2
2.峰值牛逼
J
= P
DM
X Z
thJA
+ T
A
0.001
0.01
0.1
1
10
100
0.1
0.0001
t
1
，矩形脉冲持续时间（秒）
图11 。
最大有效瞬态热阻抗，结到环境
www.irf.com
5
查看更多IRF7342PBFPDF信息
推荐型号
IDT70V9089S9PFI
ICQ2716
I15SB20NW
ISD17150EYR01
IDT54FCT2573ATDB
IP137HVK-883B
IN4588
IRKH26-10
ISL62870HRUZ-T
IDT72T36135ML6BBG
ICS843002AG-01LF
ICS87608I
IDT54FCT521CTL
IB2415S
IDT7133SA20PFI
IRF7805
IDT7164SF
ISD1760XY01
I24SA20NSB
IDT74FCT163952C
供货商
型号
厂家
批号
数量
封装
单价/备注
操作
    深圳市壹芯创科技有限公司
    QQ： 点击这里给我发消息 QQ：2880707522 复制 点击这里给我发消息 QQ：2369405325 复制

    电话：0755-82780082
    联系人：杨小姐
    地址：深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    IRF7342PBF
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

更多配单专家
深圳市银芯龙科技有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：1184826453 复制

电话：13510131896
联系人：欧阳
地址：龙岗区布吉街道粤宝花园3栋514
IRF7342PBF
INFINEON
2033+
5000
NA
全新原装欢迎咨询
深圳市创芯联盈电子有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：2881793588 复制

电话：0755-88291559
联系人：陈泽强
地址：深圳市福田区华强北深南中路2068号华能大厦23楼2312-2313-2318
IRF7342PBF
Infineon Technologies
2425+
11860
SOIC-8
代理Infineon Technologies专营，原装现货优势
深圳市晶美隆科技有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：2885348339 复制 点击这里给我发消息 QQ：2885348317 复制

电话：0755- 82519391 0755-83209630
联系人：李林
地址：深圳市福田区华强北电子科技大夏A座36楼C09
IRF7342PBF
IR
24+
11853
NA
全新原装正品现货热卖
深圳市向鸿伟业电子有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：2110158237 复制 点击这里给我发消息 QQ：316279873 复制 点击这里给我发消息 QQ：1298863740 复制 点击这里给我发消息 QQ：932480677 复制

电话：0755-82561519
联系人：李先生
地址：深圳市福田区上步工业区304栋西5楼503室
IRF7342PBF
INFINEON/英飞凌
2407+
30098
SOIC-8
全新原装!仓库现货，大胆开价！
深圳市品惠科技有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：153461020 复制

电话：0755-23996734
联系人：李先生
地址：深圳市福田区华航社区中航路4号都会100大厦A座11C
IRF7342PBF
原厂原装
20+
9600
N.A
品惠只有原装原包现货特价热卖
深圳市源丰诚电子科技有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：1965785011 复制

电话：0755-23919407
联系人：朱先生
地址：深圳市福田区振兴路华康大厦二栋5楼518
IRF7342PBF
IR
17+
9600
N/A
全新原装正品现货
深圳市鑫远鹏科技有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：2885741998 复制 点击这里给我发消息 QQ：2885742022 复制
电话：15112667855
联系人：谌小姐
地址：深圳市龙岗区横岗街道六约社区深峰路3号4E
IRF7342PBF
IR
18+
8520
SOP8
深圳市芯泽盛世科技有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：2881147140 复制

电话：0755-89697985
联系人：李
地址：深圳市龙岗区平湖街道平湖社区平安大道3号铁东物流区11栋1822
IRF7342PBF
Infineon Technologies
24+
10000
8-SO
原厂一级代理，原装现货
深圳市创芯联盈电子有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：2881793588 复制

电话：0755-88291559
联系人：陈泽强
地址：深圳市福田区华强北深南中路2068号华能大厦23楼2312-2313-2318
IRF7342PBF
INFINEON/英飞凌
2443+
23000
一级代理专营，原装现货，价格优势
江苏芯钻时代电子科技有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：1316996791 复制

电话：18913062888
联系人：陈先生
地址：江苏省苏州市昆山市昆山开发区朝阳东路109号
IRF7342PBF
Infineon Technologies
24+
5000
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
原装正品现货
查询更多IRF7342PBF供应信息
深圳市碧威特网络技术有限公司
 复制成功！