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IMH21
晶体管
双数字晶体管
IMH21
特点
除了常规数字晶体管的特性。
1)低的饱和电压,典型地
V
CE (SAT)
= 40mV以内在我
C
/ I
B
= 50毫安/ 2.5毫安,使得这些
晶体管的理想选择静音电路。
2)这些晶体管可以在高电流水平被使用,
I
C
=600mA.
3 )两个DTC614T芯片在SMT封装。
外形尺寸
(单位:毫米)
SMT6
0.3
0.95
(6)
(1)
(4)
(3)
1.6
2.8
0.15
1PIN MARK
0.95
(5)
(2)
结构
NPN数字晶体管
(内置电阻型)
0.3Min.
每根导线具有相同的尺寸
缩写符号: H21
等效电路
(4)
(5)
(6)
R
1
R
1
R
1
=10k
(3)
(2)
(1)
绝对最大额定值
(Ta=25°C)
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极耗散功率
结温
储存温度
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
C
Tj
TSTG
范围
20
20
12
600
300(TOTAL)
150
55
to
+150
单位
V
V
V
mA
mW
°C
°C
每个元素为200mW不得超过。
0.8
1.1
1.9
2.9
1/2
IMH21
晶体管
电气特性
(Ta=25°C)
参数
符号最小值。典型值。马克斯。单位
条件
BV
CBO
20
集电极 - 基极击穿电压
V I
C
=50A
20
集电极 - 发射极击穿电压BV
首席执行官
V I
C
=1mA
BV
EBO
12
发射极 - 基极击穿电压
V I
E
=50A
I
CBO
收藏家Cuto FF电流
0.5
A
V
CB
=20V
I
EBO
发射Cuto FF电流
0.5
A
V
EB
=12V
40
集电极 - 发射极饱和电压V
CE (SAT)
150毫伏我
C
/ I
B
=50mA
/ 2.5毫安
h
FE
V
CE
=5V,
I
C
=50mA
820
直流电流传输比
2700
R
1
7
10
输入阻抗
13
k
f
T
150
跃迁频率
兆赫V
CE
=10V,
I
E
= -50mA ,
f=100MHz
R
on
0.9
输出"ON"性
VI = 5V ,R
L
=1k,
f=1KHz
该装置的过渡频率。
包装规格和h
FE
TYPE
包装类型
CODE
基本订购单位(件)
IMH21
SMT6
TAPING
T110
3000
电气特性曲线
10000
Ta=100°C
Ta=25°C
TA
40°C
V
CE
=5V
10000
I
C
/ I
B
=20
1000
集电极饱和
电压: V
CE (SAT)
(毫伏)
导通电阻,R
on
()
直流电流增益:H
FE
1000
100
Ta=25°C
f=1kHz
R
L
=1k
h
FE
=250
( 5V / 50毫安)
1000
100
Ta=100°C
Ta=25°C
TA
40°C
10
10
1
100
0.1
1
10
100
1000
1
0.1
1
10
100
1000
0.1
0.1
1
10
100
集电极电流:我
C
(MA )
集电极电流:我
C
(MA )
输入电压: VI ( V)
图1直流电流增益与
集电极电流
图2集电极 - 发射极饱和
电压与集电极电流
图3 "ON"电阻与输入电压
R
on
测量电路
R
L
=1k
R
on
=
v
0
×R
L
v
i
v
0
输入
v
i
100mV
( RMS)
f=1kHz
V
产量
v
0
v
I
图4输出"ON"电阻(R
on
)
测量电路
2/2
附录
笔记
本文件的任何技术含量的网页不得以任何形式或通过任何传输
指无ROHM CO 。 , LTD事先许可。
本文所描述的内容如有更改,恕不另行通知。规格为
本文档中介绍的产品仅供参考。在实际使用中,因此,请申请
该规范将单独提供。
此处包含的应用电路图和电路常数被示为标准的例子
在使用和操作。在设计电路时,请小心留意周边环境
并决定在集合中的电路常数。
任何数据,包括但不限于:应用电路图信息,在此描述
仅作为这样的装置的示意图,而不是作为规格为这样的设备。 ROHM
股份有限公司。公司不承担任何担保,任何使用这种设备应无任何侵权
第三方的知识产权或其他专有权利,并进一步将需承担任何责任
凡在任何此类侵权,或产生的事件的性质,或有或相关连接
在使用这样的装置的。
一旦出售任何这样的设备,比使用此类设备本身的买受人的权利等,转售或
以其他方式处置的同时,任何明示或暗示的权利或执业执照或商业
利用所拥有或控制的任何知识产权或其他专有权利
罗姆股份有限公司。被授予任何此类买家。
本文档中列出的产品有没有抗辐射设计。
本文件中所列出的产品被设计成与通常的电子设备或装置使用
(如视听设备,办公自动化设备,通信设备,电气
电器及电子玩具) 。
如果您打算使用这些产品的设备或设备要求非常高的水平
可靠性和使用,将直接危及人的生命发生故障(如医疗器械,
交通运输设备,航空器械,核反应控制器,燃料控制器等
安全设备) ,请务必提前与我们的销售代表咨询。
关于出口管制令日本
产品本文描述的品控对象附件出口贸易管制的1 ( 16项)
订单在日本。
在从日本出口,请确认它是否适用于"objective"标准或"informed" (由通产省第)
对"catch大规模杀伤性武器不扩散的所有控件的基础。
Appendix1-Rev1.1
IMH21
晶体管
双数字晶体管
IMH21
特点
除了常规数字晶体管的特性。
1)低的饱和电压,典型地
V
CE (SAT)
= 40mV以内在我
C
/ I
B
= 50毫安/ 2.5毫安,使得这些
晶体管的理想选择静音电路。
2)这些晶体管可以在高电流水平被使用,
I
C
=600mA.
3 )两个DTC614T芯片在SMT封装。
外形尺寸
(单位:毫米)
SMT6
0.3
0.95
(6)
(1)
(4)
(3)
1.6
2.8
0.15
1PIN MARK
0.95
(5)
(2)
结构
NPN数字晶体管
(内置电阻型)
0.3Min.
每根导线具有相同的尺寸
缩写符号: H21
等效电路
(4)
(5)
(6)
R
1
R
1
R
1
=10k
(3)
(2)
(1)
绝对最大额定值
(Ta=25°C)
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极耗散功率
结温
储存温度
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
C
Tj
TSTG
范围
20
20
12
600
300(TOTAL)
150
55
to
+150
单位
V
V
V
mA
mW
°C
°C
每个元素为200mW不得超过。
0.8
1.1
1.9
2.9
1/2
IMH21
晶体管
电气特性
(Ta=25°C)
参数
符号最小值。典型值。马克斯。单位
条件
BV
CBO
20
集电极 - 基极击穿电压
V I
C
=50A
20
集电极 - 发射极击穿电压BV
首席执行官
V I
C
=1mA
BV
EBO
12
发射极 - 基极击穿电压
V I
E
=50A
I
CBO
收藏家Cuto FF电流
0.5
A
V
CB
=20V
I
EBO
发射Cuto FF电流
0.5
A
V
EB
=12V
40
集电极 - 发射极饱和电压V
CE (SAT)
150毫伏我
C
/ I
B
=50mA
/ 2.5毫安
h
FE
V
CE
=5V,
I
C
=50mA
820
直流电流传输比
2700
R
1
7
10
输入阻抗
13
k
f
T
150
跃迁频率
兆赫V
CE
=10V,
I
E
= -50mA ,
f=100MHz
R
on
0.9
输出"ON"性
VI = 5V ,R
L
=1k,
f=1KHz
该装置的过渡频率。
包装规格和h
FE
TYPE
包装类型
CODE
基本订购单位(件)
IMH21
SMT6
TAPING
T110
3000
电气特性曲线
10000
Ta=100°C
Ta=25°C
TA
40°C
V
CE
=5V
10000
I
C
/ I
B
=20
1000
集电极饱和
电压: V
CE (SAT)
(毫伏)
导通电阻,R
on
()
直流电流增益:H
FE
1000
100
Ta=25°C
f=1kHz
R
L
=1k
h
FE
=250
( 5V / 50毫安)
1000
100
Ta=100°C
Ta=25°C
TA
40°C
10
10
1
100
0.1
1
10
100
1000
1
0.1
1
10
100
1000
0.1
0.1
1
10
100
集电极电流:我
C
(MA )
集电极电流:我
C
(MA )
输入电压: VI ( V)
图1直流电流增益与
集电极电流
图2集电极 - 发射极饱和
电压与集电极电流
图3 "ON"电阻与输入电压
R
on
测量电路
R
L
=1k
R
on
=
v
0
×R
L
v
i
v
0
输入
v
i
100mV
( RMS)
f=1kHz
V
产量
v
0
v
I
图4输出"ON"电阻(R
on
)
测量电路
2/2
附录
笔记
本文件的任何技术含量的网页不得以任何形式或通过任何传输
指无ROHM CO 。 , LTD事先许可。
本文所描述的内容如有更改,恕不另行通知。规格为
本文档中介绍的产品仅供参考。在实际使用中,因此,请申请
该规范将单独提供。
此处包含的应用电路图和电路常数被示为标准的例子
在使用和操作。在设计电路时,请小心留意周边环境
并决定在集合中的电路常数。
任何数据,包括但不限于:应用电路图信息,在此描述
仅作为这样的装置的示意图,而不是作为规格为这样的设备。 ROHM
股份有限公司。公司不承担任何担保,任何使用这种设备应无任何侵权
第三方的知识产权或其他专有权利,并进一步将需承担任何责任
凡在任何此类侵权,或产生的事件的性质,或有或相关连接
在使用这样的装置的。
一旦出售任何这样的设备,比使用此类设备本身的买受人的权利等,转售或
以其他方式处置的同时,任何明示或暗示的权利或执业执照或商业
利用所拥有或控制的任何知识产权或其他专有权利
罗姆股份有限公司。被授予任何此类买家。
本文档中列出的产品有没有抗辐射设计。
本文件中所列出的产品被设计成与通常的电子设备或装置使用
(如视听设备,办公自动化设备,通信设备,电气
电器及电子玩具) 。
如果您打算使用这些产品的设备或设备要求非常高的水平
可靠性和使用,将直接危及人的生命发生故障(如医疗器械,
交通运输设备,航空器械,核反应控制器,燃料控制器等
安全设备) ,请务必提前与我们的销售代表咨询。
关于出口管制令日本
产品本文描述的品控对象附件出口贸易管制的1 ( 16项)
订单在日本。
在从日本出口,请确认它是否适用于"objective"标准或"informed" (由通产省第)
对"catch大规模杀伤性武器不扩散的所有控件的基础。
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    电话:0755-82780082
    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    IMH21
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

QQ: 点击这里给我发消息 QQ:1294342618 复制 点击这里给我发消息 QQ:2765319833 复制 点击这里给我发消息 QQ:1363272801 复制

电话:13528893675
联系人:朱先生
地址:广东省深圳市福田区上步工业区201栋5楼B01室。 香港特別行政區中环皇后大道中5號衡怡大厦2432室
IMH21
ROHM
22+
9600
SOT163
全新原装现货热卖可长期供货
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电话:0755-83226745/82584980
联系人:马小姐
地址:福田区振华路深纺大厦A座1708室
IMH21
ROHM
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SOT163
只做原装正品,提供一站式BOM配单服务
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电话:0755-23996734
联系人:李先生
地址:深圳市福田区华航社区中航路4号都会100大厦A座11C
IMH21
ROHM
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150000
原装现货假一赔十★品惠特价热卖
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联系人:谌小姐
地址:深圳市龙岗区横岗街道六约社区深峰路3号4E
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ROHM/罗姆
150000
全新原装15818663367
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电话:0755-88291559
联系人:陈泽强
地址:深圳市福田区华强北深南中路2068号华能大厦23楼2312-2313-2318
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ROHM
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一级代理专营,原装现货,价格优势
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电话:0755-83223003
联系人:朱
地址:福田区红荔路上步工业区201栋西座316
IMH21
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27200
SOT23-6
全新原装现货,原厂代理。
QQ:
电话:0755-82574045
联系人:张女士
地址:广东省深圳市福田区华强北赛格广场66楼6608B
IMH21
ROHM
21+22+
12600
SOT23-6
原装正品
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电话:0755-82574045
联系人:张女士
地址:广东省深圳市福田区华强北赛格广场66楼6608B
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2015+
5500
原装正品,支持实单
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联系人:销售部
地址:深圳市罗湖区北站路1号中贸大厦402
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HAMOS/汉姆
24+
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原装正品假一赔百!
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联系人:销售部1部
地址:美驻深办公室:广东省深圳市福田区上步工业区201栋4楼A18室/分公司:深圳市福田区华强北深纺大厦C座西7楼,展销柜:深圳市福田区华强北新亚洲电子城3B047柜,分展销柜:湖南省桂阳和平杉林下展销柜
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