【高级技术信息GenX3TM1200VIGBT W /二极管高速PT IGBT的20-50 kHz开关】,IC型号IXGN50N120C3H1,IXGN50N120C3H1 PDF资料,IXGN50N120C3H1经销商,ic,电子元器件-51电子网

高级技术信息

GenX3

TM

1200V

IGBT W /二极管

高速PT IGBT的

20-50 kHz开关

IXGN50N120C3H1

V

CES

I

C110

V

CE （ SAT ）

= 1200V

= 50A

≤

4.2V

SOT - 227B ， miniBLOC

E153432

符号

V

CES

V

CGR

V

GES

V

创业板

I

C25

I

C110

I

F110

I

CM

SSOA

（ RBSOA ）

P

C

T

J

T

JM

T

英镑

V

ISOL

M

d

重量

50/60Hz

I

ISOL

≤

1mA

T = 1分

T = 1秒

测试条件

T

J

= 25 ℃至150 ℃的

T

J

= 25° C到150° C，R

GE

= 1MΩ

连续

短暂

T

C

T

C

T

C

T

C

= 25°C

= 110°C

= 25 ° C， 1毫秒

最大额定值

1200

±20

±30

95

50

58

240

I

CM

= 100

V

CE

≤

V

CES

460

-55 ... +150

150

-55 ... +150

2500

3000

1.5/13

1.3/11.5

30

W

°C

V~

纳米/ lb.in 。

g

特点

优化的低开关损耗

广场RBSOA

高电流能力

隔离电压2500V

反并联超快二极管

国际标准套餐

优势

高功率密度

低栅极驱动要求

应用

符号

测试条件

(T

J

= 25 ° C，除非另有规定编）

V

GE （日）

I

CES

I

GES

V

CE （ SAT ）

I

C

= 250μA ，V

CE

= V

GE

T

J

= 125°C

V

CE

= 0V, V

GE

= ±20V

I

C

= 40A ，V

GE

= 15V ，注1

T

J

= 125°C

2.6

V

CE

= V

CES

, V

GE

= 0V

特征值

分钟。

典型值。

马克斯。

3.0

5.0

250

14

±100

4.2

V

μA

mA

nA

V

电源逆变器

UPS

SMPS

PFC电路

焊接机

灯镇流器

V

A

C

G =门， C =收藏家， E =发射器

任一发射极端子可被用作

主要还是开尔文射

E

G

E

V

GE

= 15V ，T

VJ

= 125 ° C，R

G

= 2Ω

钳位感性负载

T

C

= 25°C

安装力矩

终端连接扭矩

DS100246(03/10)

IXGN50N120C3H1

符号

测试条件

(T

J

= 25 ° C，除非另有规定编）

g

fs

C

IES

C

OES

C

水库

Q

g

Q

ge

Q

gc

t

D（上）

t

ri

E

on

t

D（关闭）

t

fi

E

关闭

t

D（上）

t

ri

E

on

t

D（关闭）

t

fi

E

关闭

R

thJC

R

thCK

感性负载，T

J

= 125°C

I

C

= 40A ，V

GE

= 15V

V

CE

= 0.5

V

CES

, R

G

= 2Ω

注2

感性负载，T

J

= 25°C

I

C

= 40A ，V

GE

= 15V

V

CE

= 0.5

V

CES

, R

G

= 2Ω

注2

I

C

= 50A ，V

GE

= 15V, V

CE

= 0.5

V

CES

I

C

= 40A ，V

CE

= 10V ，注1

V

CE

= 25V, V

GE

= 0V ， F = 1MHz的

特征值

分钟。

典型值。

马克斯。

24

40

4250

455

120

196

24

84

31

36

2.0

123

64

0.63

23

37

3.0

170

315

2.1

0.05

1.2

S

pF

nC

ns

mJ

ns

mJ

ns

mJ

ns

mJ

0.27 ° C / W

° C / W

SOT- 227B miniBLOC （ IXGN ）

反向二极管（ FRED ）

符号

测试条件

(T

J

= 25 ° C，除非另有规定编）

V

F

I

RM

t

rr

R

thJC

I

F

= 50A ，V

GE

= 0V ，说明1

I

F

= 50A ，V

GE

= 0V,

- 二

F

/ DT = 2500A / μs的，V

R

= 800V

T

J

= 125°C

50

75

特征值

分钟。

典型值。

马克斯。

2.1

2.4

2.3

V

A

ns

0.30 ° C / W

注意事项：

1.脉冲检验，t

≤

300μS ，占空比D

≤

2%.

2.切换时间&能量损失可能会增加更高的V

CE

（钳），T

J

或R

G

.

高级技术信息

本文中所呈现的产品正在开发中。所提供的技术规格衍生

从主观设计的评价，基于先前的知识和经验，并构成

"considered reflection"的预期效果。 IXYS保留更改限制的权利，测试

条件和尺寸，恕不另行通知。

IXYS保留更改限制，试验条件和尺寸的权利。

IXYS MOSFET和IGBT覆盖

4,835,592

由一个或moreof以下美国专利： 4850072

4,881,106

4,931,844

5,017,508

5,034,796

5,049,961

5,063,307

5,187,117

5,237,481

5,381,025

5,486,715

6,162,665

6,259,123 B1

6,306,728 B1

6,404,065 B1

6,534,343

6,583,505

6,683,344

6,727,585

7,005,734 B2

6,710,405 B2 6,759,692

7,063,975 B2

6,710,463

6,771,478 B2 7,071,537

7,157,338B2

IXGN50N120C3H1

图。 1.输出特性@ T

J

= 25C

100

90

80

70

V

GE

= 15V

13V

11V

9V

275

250

225

200

V

GE

= 15V

13V

11V

图。 2.扩展的输出特性@ T

J

= 25C

I

C

- 安培

I

C

-

安培

60

50

40

30

20

10

0

1

2

3

4

5

6

5V

7V

175

150

125

100

75

50

25

0

5

10

15

20

25

30

5V

7V

9V

V

CE

- 伏特

V

CE

- 伏特

图。 3.输出特性@ T

J

= 125C

100

90

80

70

V

GE

= 15V

13V

11V

1.3

1.2

9V

1.1

1.0

0.9

0.8

图。 4.依赖的V

CE （ SAT ）

on

结温

V

GE

= 15V

V

CE （ SAT ）

- 归

I

C

= 100A

I

C

- 安培

60

50

40

30

20

10

0

0.0

0.5

1.0

1.5

2.0

2.5

3.0

3.5

4.0

4.5

5.0

5V

7V

I

0.7

0.6

0.5

25

50

75

C

= 50A

I

C

= 25A

100

125

150

V

CE

- 伏特

T

J

- 摄氏

图。 5.集电极 - 发射极电压

与门极 - 发射极电压

8.0

7.5

7.0

6.5

6.0

5.5

5.0

4.5

4.0

3.5

25A

3.0

5

6

7

8

9

10

11

12

13

14

15

0

4.0

4.5

50A

I

C

图。 6.输入导纳

90

80

70

60

50

40

30

20

10

T

J

= 125C

25C

- 40C

T

J

= 25C

= 100A

I

C

-

安培

V

CE

- 伏特

5.0

5.5

6.0

6.5

7.0

7.5

V

GE

- 伏特

V

GE

- 伏特

IXGN50N120C3H1

图。 7.跨导

60

T

J

= - 40C

50

25C

16

14

12

10

8

6

4

10

2

0

10

20

30

40

50

60

70

80

90

100

0

20

40

60

80

100

120

140

160

180

200

V

CE

= 600V

I

C

= 50A

I

G

= 10毫安

图。 8.栅极电荷

g

F小号

-

SIEMENS

40

30

125C

20

0

V

GE

- 伏特

I

C

- 安培

Q

G

- nanocoulombs

图。 9.电容

10,000

100

图。 10.反向偏置安全工作区

电容 - 皮法

资本投资者入境计划

80

1,000

I

C

- 安培

60

卓越中心

100

CRES

40

T

J

= 125C

R

G

= 2

的dV / dt < 10V / ns的

20

f

= 1兆赫

10

0

5

10

15

20

25

30

35

40

0

200

400

600

800

1000

1200

V

CE

- 伏特

V

CE

- 伏特

图。 11.最大瞬态热阻抗

1.00

Z

（日） JC

- C / W

0.10

0.01

0.0001

0.001

0.01

0.1

1

10

脉冲宽度 - 秒

IXYS保留更改限制，试验条件和尺寸的权利。

IXGN50N120C3H1

图。 12.感应开关能量损耗与

栅极电阻

6.0

5.5

5.0

E

关闭

V

CE

= 600V

I

C

图。 13.感应开关能量损耗与

集电极电流

11

4.0

3.5

3.0

E

关闭

V

CE

= 600V

T

J

= 125C

E

on

8

10

9

E

on

-

---

----

T

J

= 125℃ ，V

GE

= 15V

R

G

= 2

,

V

GE

= 15V

7

6

E

关闭

- 毫焦耳

E

关闭

- 毫焦耳

4.5

4.0

3.5

3.0

2.5

2.0

1.5

2

3

4

5

6

7

= 80A

8

7

6

5

E

on

- 毫焦耳

E

on

- 毫焦耳

2.5

2.0

1.5

1.0

0.5

0.0

20

30

40

50

60

70

80

T

J

= 25C

5

4

3

2

1

0

I

C

= 40A

4

3

2

8

9

10

11

12

13

14

15

R

G

- 欧姆

I

C

- 安培

图。 14.感应开关能量损耗与

结温

4.0

3.6

3.2

E

关闭

V

CE

= 600V

I

C

= 80A

E

on

10

500

450

400

图。 15.电感关断开关时间与

栅极电阻

600

9

8

----

t

fi

V

CE

= 600V

t

D（关闭）

- - - -

550

500

R

G

= 2

,

V

GE

= 15V

T

J

= 125C,

V

GE

= 15V

t

D（关闭）

- 纳秒

t

F I

- 纳秒

E

关闭

- 毫焦耳

2.8

2.4

2.0

1.6

1.2

0.8

0.4

0.0

25

35

45

55

65

75

85

95

105

7

6

5

350

300

250

200

150

100

50

0

2

3

4

5

6

7

8

9

10

11

12

13

14

15

I

C

450

400

I

C

E

on

- 毫焦耳

= 40A

350

300

= 80A

250

200

150

100

I

C

= 40A

4

3

2

1

0

125

115

T

J

- 摄氏

R

G

- 欧姆

图。 16.电感关断开关时间与

集电极电流

450

400

350

260

350

300

250

200

150

100

50

0

25

图。 17.电感关断开关时间与

结温

180

240

220

t

fi

V

CE

= 600V

t

D（关闭）

- - - -

t

F I

V

CE

= 600V

t

D（关闭）

- - - -

I

C

= 40A

R

G

= 2 , V

GE

= 15V

R

G

= 2 , V

GE

= 15V

170

t

D（关闭）

- 纳秒

t

F I

- 纳秒

300

250

200

150

100

50

0

20

30

40

50

60

70

80

T

J

= 25C

T

J

= 125C

200

180

160

140

120

100

80

t

F I

- 纳秒

160

150

140

130

120

110

125

t

D（关闭）

- 纳秒

I

C

= 80A

35

45

55

65

75

85

95

105

115

I

C

- 安培

T

J

- 摄氏