INA
115
INA115
精确
仪表放大器器
特点
q
低失调电压:最大50μV
q
低漂移: 0.25μV /
°
C(最大值)
q
低输入偏置电流:最大仅为2nA
q
高共模抑制比:
115分贝敏
q
输入过电压保护:
±
40V
q
宽电源范围:
±
2.25
±
18V
q
低静态电流: 3毫安最大
q
SOL - 16表面贴装封装
描述
该INA115是一种低成本,通用使用仪器
塔季翁放大器具有出色的精度。其versa-
瓷砖的三运放设计和小尺寸使得它成为
用于广泛的应用范围。类似的模型
INA114 , INA115将提供额外的连接
在输入运算放大器,A
1
AND A
2
,这对提高收益
精度高的收益,并形成有用
切换增益放大器。
单个外部电阻设置从1到任何收益
万。内部输入保护可承受高达
±40V
而不损坏。
该INA115是激光调整,具有极低的失调
电压( 50μV ) ,漂移( 0.25μV / C)和高共
模抑制( 115分贝在G = 1000) 。它以
电源低至
±2.25V,
允许使用
电池供电和5V单电源系统。 Quies-
占当前为3mA最大。
该INA115是在SOL- 16表面安装用
封装,工作在-40° C至+ 85°C温度规定
TURE范围。
V
O1
1
V+
13
INA115
反馈
A
1
25k
25k
25k
12
应用
q
开关增益放大器
q
桥式放大器
q
热电偶放大器
q
RTD传感器放大器
q
医疗器械
q
数据采集
–
V
IN
4
2
3
过电压
保护
R
G
14
A
3
11
V
O
G=1+
50k
R
G
15
+
V
IN
5
过电压
保护
A
2
25k
10
REF
25k
25k
8
V
O2
7
V–
国际空港工业园邮寄地址:PO Box 11400 ,图森,亚利桑那州85734 街道地址: 6730 S.图森大道,图森,亚利桑那州85706 电话: ( 520 ) 746-1111 TWX : 910-952-1111
互联网: http://www.burr-brown.com/图文传真: ( 800 ) 548-6133 (美国/加拿大)电缆: BBRCORP 电传: 066-6491 传真: ( 520 ) 889-1510 立即产品信息: ( 800 ) 548-6132
1992年的Burr-Brown公司
PDS-1169B
美国印刷1993年10月
特定网络阳离子
电动
在T
A
= + 25 ° C,V
S
=
±15V,
R
L
= 2kΩ的,除非另有说明。
INA115BU
参数
输入
失调电压, RTI
初始
与温度
VS电源
长期稳定性
阻抗,差动
共模
输入共模范围
安全的输入电压
共模抑制
条件
民
典型值
最大
民
INA115AU
典型值
最大
单位
T
A
= +25°C
T
A
= T
民
给T
最大
V
S
=
±2.25V
to
±18V
±11
V
CM
=
± 10V , ΔR
S
= 1k
G=1
G = 10
G = 100
G = 1000
80
96
110
115
±10
+ 20/G
±0.1
+ 0.5/G
0.5 + 2/G
±0.2
+ 0.5/G
10
10
|| 6
10
10
|| 6
±13.5
96
115
120
120
±0.5
±8
±0.5
±8
±50
+ 100/G
±0.25
+ 5/G
3 + 10/G
T
±40
75
90
106
106
±2
±2
±25
+ 30/G
±125
+ 500/G
±0.25
+ 5/G
±1
+ 10/G
T
T
T
T
T
T
T
90
106
110
110
T
T
T
T
T
T
T
T
T
T
T
T
V
μV/°C
V/V
μV /月
|| pF的
|| pF的
V
V
dB
dB
dB
dB
nA
PA / ℃,
nA
PA / ℃,
纳伏/赫兹÷
纳伏/赫兹÷
纳伏/赫兹÷
μVp -P
PA / ÷赫兹
PA / ÷赫兹
PAP -P
V/V
V/V
%
%
%
%
PPM /°C的
PPM /°C的
% FSR的
% FSR的
% FSR的
% FSR的
V
V
V
pF
mA
兆赫
千赫
千赫
千赫
V / μs的
s
s
s
s
s
偏置电流
与温度
失调电流
与温度
噪声电压, RTI
F = 10Hz的
F = 100Hz的
F = 1kHz时
f
B
= 0.1Hz至10Hz的
噪声电流
f=10Hz
f=1kHz
f
B
= 0.1Hz至10Hz的
收益
增益公式
增益范围
增益误差
G = 1000 ,R
S
= 0
±5
±5
15
11
11
0.4
0.4
0.2
18
1 + ( 50kΩ的/ R
G
)
1
G=1
G = 10
G = 100
G = 1000
G=1
G=1
G = 10
G = 100
G = 1000
I
O
= 5毫安,T
民
给T
最大
V
S
=
±11.4V,
R
L
= 2k
V
S
=
±2.25V,
R
L
= 2k
±13.5
±10
±1
±0.01
±0.02
±0.05
±0.5
±2
±25
±0.0001
±0.0005
±0.0005
±0.002
±13.7
±10.5
±1.5
1000
+20/–15
1
100
10
1
0.6
18
20
120
1100
20
±15
±2.2
±18
±3
+85
+125
80
10000
±0.05
±0.4
±0.5
±1
±10
±100
±0.001
±0.002
±0.002
±0.01
T
T
T
T
T
T
T
T
T
T
T
T
T
T
T
T
T
T
T
T
T
T
T
T
T
T
T
T
T
T
T
增益与温度
电阻为50kΩ
(1)
非线性
T
T
±0.5
±0.7
±2
±10
T
±0.002
±0.004
±0.004
±0.02
产量
(2)
电压
负载电容的稳定性
短路电流
频率响应
带宽-3dB
G=1
G = 10
G = 100
G = 1000
V
O
=
±10V,
G = 10
G=1
G = 10
G = 100
G = 1000
50 %过载
压摆率
建立时间
0.3
T
0.01%
过载恢复
电源
电压范围
当前
温度范围
规范
操作
θ
JA
T
规格相同INA115BU 。
±2.25
V
IN
= 0V
–40
–40
T
T
T
T
T
V
mA
°C
°C
° C / W
T
T
T
注: ( 1 )温度在增益公式“ 50kΩ的”一词的系数。 ( 2 )输出规格输出放大器,A
3
. A
1
AND A
2
提供相同的输出
电压摆幅却减少了输出电流的驱动器。一
1
AND A
2
可以驱动为25kΩ || 200pF的外部负载。
INA115
2
销刀豆网络gurations
静电
放电敏感度
这个集成电路可以被ESD损坏。的Burr-Brown
建议所有集成电路与AP-处理
propriate注意事项。如果不遵守正确的操作和
安装程序会造成损坏。
ESD损害的范围可以从细微的性能下降
完成设备故障。精密集成电路可能
更容易受到伤害,因为很小的参数
变化可能导致设备不能满足其公布
特定连接的阳离子。
绝对最大额定值
电源电压................................................ ..................................
±18V
输入电压范围............................................... ...........................
±40V
输出短路(接地) ..........................................连续....
工作温度................................................ -40 ° C至+ 125°C
存储温度................................................ ..... -40 ° C至+ 125°C
结温................................................ .................... + 150°C
焊接温度(焊接, 10秒) ........................................... ... + 300℃
ü套餐
SOL - 16表面贴装
顶视图
16 NC
15增益感
2
14 R
G
13 V+
12反馈
11 V
O
10 REF
9
NC
V
O1
增益感
1
R
G
V
In
V
+ IN
NC
V–
V
O2
1
2
3
4
5
6
7
8
封装/订购信息
包
制图
数
(1)
211
211
温度
范围
-40 ° C至+ 85°C
-40 ° C至+ 85°C
产品
INA115AU
INA115BU
包
SOL - 16表面贴装
SOL - 16表面贴装
注: ( 1 )有关详细的图纸和维表,请参阅数据结束
片,或的Burr-Brown IC数据手册附录C 。
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对于使用这些信息,所有此类信息的使用不承担任何责任应完全由用户自己承担风险。价格和规格如有变更,
恕不另行通知。没有专利的权利或许可给任何此处所描述的电路被暗示或向任何第三方授予的。 BURR -BROWN没有授权或保证
任何Burr-Brown产品用于生命支持设备和/或系统。
3
INA115