79RC32332
下表列出了设置在RC32332销。请注意,这些管脚名称后面加上“ _n ”为低电平有效的信号。所有外部上拉
下拉功能要求
10kΩ的电阻。
本地系统接口
mem_data [31 :0]的
mem_addr [22 :2]
I / O
I / O
高
[ 22:16 ]低
[15: 2]高
本地系统数据总线
主数据总线存储器。 I / O和SDRAM 。
存储器地址总线
这些信号提供存储器或DRAM的地址,一个存储器或DRAM总线事务期间。中
每个字的数据,地址增量无论是在直链或子块的顺序,这取决于该事务
型。下表指示如何在存储器的写使能信号被用来寻址持重存储器
端口宽度类型。
端口宽度
32-bit
16-bit
8-bit
管脚信号
mem_we_n[3]
mem_we_n[3]
mem_we_n [2] mem_we_n [1]
mem_we_n[2]
mem_we_n[2]
mem_we_n[1]
mem_we_n[1]
mem_addr[0]
mem_we_n[0]
mem_we_n[0]
mem_we_n[0]
字节写使能
的DMA ( 32位) mem_we_n [3]
高字节写使能mem_addr [ 1 ]
未使用(拉高) mem_addr [ 1 ]
mem_addr [22]复用功能: reset_boot_mode [ 1 ] 。
mem_addr [21]复用功能: reset_boot_mode [ 0 ] 。
mem_addr [20]复用功能: reset_pci_host_mode 。
mem_addr [19]复用功能: modebit [ 9 ] 。
mem_addr [18]复用功能: modebit [ 8 ] 。
mem_addr [17]复用功能: modebit [ 7 ] 。
mem_addr [15]复用功能: sdram_addr [ 15 ] 。
mem_addr [14]复用功能: sdram_addr [ 14 ] 。
mem_addr [13]复用功能: sdram_addr [ 13 ] 。
mem_addr [11]复用功能: sdram_addr [ 11 ] 。
mem_addr [10]复用功能: sdram_addr [ 10 ] 。
mem_addr [9]复用功能: sdram_addr [ 9 ] 。
mem_addr [8]复用功能: sdram_addr [ 8 ] 。
mem_addr [7]替换功能: sdram_addr [ 7 ] 。
mem_addr [6]复用功能: sdram_addr [ 6 ] 。
mem_addr [5]可替代的函数: sdram_addr [5]。
mem_addr [4]复用功能: sdram_addr [ 4 ] 。
mem_addr [3]复用功能: sdram_addr [ 3 ] 。
mem_addr [2]可替代的函数: sdram_addr [2]。
mem_cs_n [5:0 ]
mem_oe_n
mem_we_n [3 :0]的
产量
产量
产量
低
高
高
内存芯片选择取反
推荐一个外部上拉电阻。
记忆银行正在积极选择的信号。
存储器输出使能取反
推荐一个外部上拉电阻。
信号,一个记忆库可以输出它的数据线到cpu_ad总线。
内存写使能否定的公交车
存储器事务时写入信号其中字节。位作为字节使能和
mem_addr [1:0 ]为8位或16位宽的寻址信号。
内存等待取反
需要一个外部上拉电阻。
SRAM / IOI / IOM模式:允许在最后一个周期被注入外部等待状态之前的数据进行采样。
DPM (双端口)模式:允许双端口忙音重新启动存储器事务。
复用功能: sdram_wait_n 。
表1引脚说明( 6个第1部分)
mem_wait_n
输入
—
5 26
QRLWSLUFVH “
\\ WLOLEDSD&
KWJQHUW6 HS \\ 7
HYLU “
HOED7 QRLWSLUFVH “ QL3
HOED7 QRLWSLUFVH “ QL3
HOED7 QRLWSLUFVH “ QL3
HOED7 QRLWSLUFVH “ QL3
HPD1
未使用(驱动为低电平)低字节写使能
2001年3月13日