PD - 94520
汽车MOSFET
好处
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IRF1302S
IRF1302L
HEXFET
功率MOSFET
D
先进的工艺技术
超低导通电阻
动态的dv / dt额定值
175 ° C工作温度
快速开关
重复性雪崩中允许多达TJMAX
G
V
DSS
= 20V
R
DS ( ON)
= 4.0m
S
I
D
= 174A
描述
专为汽车应用中,这种平面条纹
HEXFET设计
功率MOSFET采用了最新的处理
技术,以实现极低的导通电阻每硅片面积。
这种设计的附加功能是175 ° C的结工作
温度,开关速度快,提高了重复性雪崩
投资评级。这些优势结合起来,使这个设计是非常有效的
和用于在汽车应用中使用,各种装置的可靠性
的其他应用程序。
D
2
PAK
IRF1302S
TO-262
IRF1302L
绝对最大额定值
参数
I
D
@ T
C
= 25°C
I
D
@ T
C
= 100°C
I
DM
P
D
@T
C
= 25°C
V
GS
E
AS
I
AR
E
AR
dv / dt的
T
J
T
英镑
连续漏电流, V
GS
@ 10V
连续漏电流, V
GS
@ 10V
漏电流脉冲
功耗
线性降额因子
栅极 - 源极电压
单脉冲雪崩能量?
雪崩电流?
重复性雪崩能量?
峰值二极管恢复的dv / dt
工作结
存储温度范围
焊接温度,持续10秒
马克斯。
174
120
700
200
1.4
± 20
350
看到图12a , 12b中,15,16
待定
-55 + 175
300 ( 1.6毫米从案例)
单位
A
W
W / ℃,
V
mJ
A
mJ
V / ns的
°C
热阻
参数
R
θJC
R
θJA
结到外壳
结到环境(印刷电路板安装)
典型值。
–––
–––
马克斯。
0.74
40
单位
° C / W
www.irf.com
1
07/16/02