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PD - 94520
汽车MOSFET
好处
IRF1302S
IRF1302L
HEXFET
功率MOSFET
D
先进的工艺技术
超低导通电阻
动态的dv / dt额定值
175 ° C工作温度
快速开关
重复性雪崩中允许多达TJMAX
G
V
DSS
= 20V
R
DS ( ON)
= 4.0m
S
I
D
= 174A
描述
专为汽车应用中,这种平面条纹
HEXFET设计
功率MOSFET采用了最新的处理
技术,以实现极低的导通电阻每硅片面积。
这种设计的附加功能是175 ° C的结工作
温度,开关速度快,提高了重复性雪崩
投资评级。这些优势结合起来,使这个设计是非常有效的
和用于在汽车应用中使用,各种装置的可靠性
的其他应用程序。
D
2
PAK
IRF1302S
TO-262
IRF1302L
绝对最大额定值
参数
I
D
@ T
C
= 25°C
I
D
@ T
C
= 100°C
I
DM
P
D
@T
C
= 25°C
V
GS
E
AS
I
AR
E
AR
dv / dt的
T
J
T
英镑
连续漏电流, V
GS
@ 10V
连续漏电流, V
GS
@ 10V
漏电流脉冲
功耗
线性降额因子
栅极 - 源极电压
单脉冲雪崩能量?
雪崩电流?
重复性雪崩能量?
峰值二极管恢复的dv / dt
工作结
存储温度范围
焊接温度,持续10秒
马克斯。
174
120
700
200
1.4
± 20
350
看到图12a , 12b中,15,16
待定
-55 + 175
300 ( 1.6毫米从案例)
单位
A
W
W / ℃,
V
mJ
A
mJ
V / ns的
°C
热阻
参数
R
θJC
R
θJA
结到外壳
结到环境(印刷电路板安装)
典型值。
–––
–––
马克斯。
0.74
40
单位
° C / W
www.irf.com
1
07/16/02
IRF1302S/IRF1302L
电气特性@ T
J
= 25 ℃(除非另有规定)
V
( BR ) DSS
V
( BR ) DSS
/T
J
R
DS ( ON)
V
GS ( TH)
g
fs
I
DSS
I
GSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
L
D
L
S
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
C
OSS
C
OSS
C
OSS
EFF 。
参数
漏极至源极击穿电压
击穿电压温度。系数
静态漏 - 源极导通电阻
栅极阈值电压
正向跨导
漏极至源极漏电流
栅 - 源正向漏
栅 - 源反向漏
总栅极电荷
栅极 - 源极充电
栅极 - 漏极( "Miller" )充电
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
内部排水电感
内部源极电感
输入电容
输出电容
反向传输电容
输出电容
输出电容
有效输出电容
分钟。
20
–––
–––
2.0
59
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
典型值。
–––
0.021
3.3
–––
–––
–––
–––
–––
–––
79
18
31
28
130
47
16
4.5
7.5
3600
2370
520
5710
2370
3540
MAX 。单位
条件
–––
V
V
GS
= 0V时,我
D
= 250A
--- V / ° C参考到25° C,I
D
= 1毫安
4.0
毫欧V
GS
= 10V ,我
D
= 104A
4.0
V
V
DS
= 10V ,我
D
= 250A
–––
S
V
DS
= 15V ,我
D
= 104A
20
V
DS
= 20V, V
GS
= 0V
A
250
V
DS
= 16V, V
GS
= 0V ,T
J
= 150°C
200
V
GS
= 20V
nA
-200
V
GS
= -20V
120
I
D
= 104A
27
NC V
DS
= 16V
46
V
GS
= 10V
–––
V
DD
= 11V
–––
I
D
= 104A
ns
–––
R
G
= 4.5
–––
V
GS
= 10V
D
铅之间,
–––
6毫米(0.25英寸)。
nH
G
从包
–––
而中心的模具接触
S
–––
V
GS
= 0V
–––
pF
V
DS
= 25V
–––
= 1.0MHz的,见图。五
–––
V
GS
= 0V, V
DS
= 1.0V , = 1.0MHz的
–––
V
GS
= 0V, V
DS
= 16V , = 1.0MHz的
–––
V
GS
= 0V, V
DS
= 0V至16V
源极 - 漏极额定值和特性
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
t
on
参数
连续源电流
(体二极管)
脉冲源电流
(体二极管)
二极管的正向电压
反向恢复时间
反向RecoveryCharge
向前开启时间
分钟。典型值。马克斯。单位
条件
D
MOSFET符号
––– ––– 174
展示
A
G
整体反转
––– ––– 700
S
p-n结二极管。
––– ––– 1.3
V
T
J
= 25 ° C,I
S
= 104A ,V
GS
= 0V
––– 66 100
ns
T
J
= 25 ° C,I
F
= 104A
––– 130 200
NC的di / dt = 100A / μs的
固有的导通时间是可以忽略的(导通用L为主
S
+L
D
)
2
www.irf.com
IRF1302S/IRF1302L
10000
VGS
15V
10V
8.0V
7.0V
6.0V
5.5V
5.0V
BOTTOM 4.5V
顶部
10000
ID ,漏极 - 源极电流(A )
1000
ID ,漏极 - 源极电流(A )
1000
VGS
15V
10V
8.0V
7.0V
6.0V
5.5V
5.0V
BOTTOM 4.5V
顶部
100
100
4.5V
10
10
4.5V
20μs的脉冲宽度
TJ = 25°C
20μs的脉冲宽度
TJ = 175℃
1
1
0.1
1
10
100
0.1
1
10
100
VDS ,漏极至源极电压( V)
VDS ,漏极至源极电压( V)
图1 。
典型的输出特性
图2 。
典型的输出特性
1000.00
2.0
I
D
= 174A
ID ,漏 - 源电流
)
T J = 175℃
R
DS ( ON)
,漏极 - 源极导通电阻
1.5
100.00
(归一化)
1.0
0.5
T J = 25°C
VDS = 15V
10.00
4.0
5.0
20μs的脉冲宽度
6.0
7.0
V
GS
= 10V
0.0
-60
-40
-20
0
20
40
60
80
100 120 140 160 180
VGS ,栅 - 源极电压( V)
T
J
,结温
(
°
C)
图3 。
典型的传输特性
图4 。
归一化的导通电阻
与温度的关系
www.irf.com
3
IRF1302S/IRF1302L
100000
12
VGS = 0V,
F = 1 MHz的
西塞= C + Cgd的,C
gs
DS短路
CRSS = C
gd
COSS = C + Cgd的
ds
V
GS
,栅 - 源极电压( V)
I
D
=
104A
V
DS
= 16V
10
C,电容(pF )
10000
7
西塞
科斯
1000
5
CRSS
2
100
1
10
100
0
0
20
40
60
80
100
VDS ,漏极至源极电压( V)
Q
G
,总栅极电荷( NC)
图5 。
典型的电容比。
漏极至源极电压
图6 。
典型栅极电荷比。
栅极 - 源极电压
1000
10000
在这一领域
限于由R DS ( ON)
100
T
J
= 175
°
C
ID ,漏极 - 源极电流(A )
1000
I
SD
,反向漏电流( A)
10
100
100sec
1msec
T
J
= 25
1
°
C
10
TC = 25°C
TJ = 175℃
单脉冲
1
1
10
10msec
V
GS
= 0 V
0.1
0.2
0.7
1.2
1.7
2.2
V
SD
,源极到漏极电压(V )
100
VDS ,漏toSource电压(V )
图7 。
典型的源极 - 漏极二极管
正向电压
图8 。
最大安全工作区
4
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IRF1302S/IRF1302L
175
不限按包
V
DS
V
GS
R
D
131
R
G
10V
D.U.T.
+
I
D
,漏电流( A)
-
V
DD
88
脉冲宽度
≤ 1
s
占空比
≤ 0.1 %
图10A 。
开关时间测试电路
44
V
DS
90%
0
25
50
75
100
125
150
175
T
C
,外壳温度
( ° C)
图9 。
最大漏极电流比。
外壳温度
10%
V
GS
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
图10B 。
开关时间波形
1
(Z
thJC
)
D = 0.50
0.20
热响应
0.1
0.10
P
DM
单脉冲
(热反应)
t
1
t
2
注意事项:
1.占空比系数D =
2.峰值牛逼
t
1
/ t
2
+T
C
1
0.05
0.02
0.01
J
= P
DM
X Z
thJC
0.01
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
t
1
,矩形脉冲持续时间(秒)
图11 。
最大有效瞬态热阻抗,结至外壳
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