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IDW100E60
快速开关EMCON二极管
产品特点:
600 V EMCON技术
快速恢复
软开关
低反向恢复电荷
低正向电压
175 ℃的结的工作温度
简单的并联
无铅镀铅;符合RoHS标准
完整的产品范围和PSpice的模型:
http://www.infineon.com/emcon/
应用范围:
焊接
电机驱动
A
C
PG-TO-247-3-21
TYPE
IDW100E60
最大额定值
参数
V
RRM
600V
I
F
100A
V
F,Tj=25°C
1.65V
T
, MAX
175°C
记号
D100E60
PG-TO-247-3-21
符号
V
RRM
I
F
价值
600
150
104
96
单位
V
A
反向重复峰值电压
连续正向电流
T
C
= 25°C
T
C
= 90°C
T
C
= 100°C
浪涌不重复正向电流
T
C
= 25°C,
t
p
= 10毫秒,正弦半波
最大重复正向电流
T
C
= 25°C,
t
p
t
, MAX
, D
= 0.5
功耗
T
C
= 25°C
T
C
= 90°C
T
C
= 100°C
工作结温和存储温度
焊接温度
1.6毫米( 0.063英寸)从案例10秒
I
FSM
I
FRM
P
合计
400
300
A
A
W
375
212
198
T
j,
T
英镑
T
S
-55…+175
260
°C
°C
功率半导体
1
修订版1.1 3月6日
IDW100E60
热阻
参数
特征
热阻,
结 - 案
热阻,
结 - 环境
电气特性,
at
T
j
= 25
°C,
除非另有说明
参数
符号
条件
价值
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
R
thJA
40
R
thJC
0.40
K / W
符号
条件
马克斯。值
单位
静态特性
集电极 - 发射极击穿电压
二极管的正向电压
V
RRM
V
F
I
R
=0.25mA
600
-
-
-
-
-
1.65
1.65
-
-
-
2.0
-
V
I
F
= 10 0 A
T
j
=2 5
°C
T
j
=1 7 5° C
反向漏电流
I
R
V
R
= 6 00 V
T
j
=2 5
°C
T
j
=1 7 5° C
40
1000
A
动态电气特性
二极管的反向恢复时间
二极管的反向恢复电荷
二极管的峰值反向恢复电流
秋天反向二极管峰值速率
在恢复电流
t
b
二极管的反向恢复时间
二极管的反向恢复电荷
二极管的峰值反向恢复电流
秋天反向二极管峰值速率
在恢复电流
t
b
二极管的反向恢复时间
二极管的反向恢复电荷
二极管的峰值反向恢复电流
秋天反向二极管峰值速率
在恢复电流
t
b
t
rr
Q
rr
I
rr
dI
r r
/日吨
T
j
=2 5
°C
V
R
= 4 00 V ,
I
F
= 10 0 A,
dI
F
/ DT
= 1 20 0 A / μs的
-
-
-
-
120
3.6
49.5
750
-
-
-
-
ns
C
A
A / μs的
t
rr
Q
RRM
I
rr
dI
r r
/日吨
T
j
=1 2 5° C
V
R
= 4 00 V ,
I
F
= 10 0 A,
dI
F
/ DT
= 1 20 0 A / μs的
-
-
-
-
168
5.8
61.6
705
-
-
-
-
ns
C
A
A / μs的
t
rr
Q
RRM
I
rr
dI
r r
/日吨
T
j
=1 7 5° C
V
R
= 4 00 V ,
I
F
= 10 0 A,
dI
F
/ DT
= 1 20 0 A / μs的
-
-
-
-
200
7.8
67.0
650
-
-
-
-
ns
C
A
A / μs的
功率半导体
2
修订版1.1 3月6日
IDW100E60
150A
350W
300W
250W
200W
150W
100W
50W
0W
25°C
P
合计
,
功耗
120A
I
F
,
正向电流
90A
60A
30A
50°C
75°C
100°C
125°C
150°C
0A
25°C
75°C
125°C
T
C
,
外壳温度
图1.功耗作为一个函数
外壳温度
(T
j
175°C)
T
C
,
外壳温度
图2.二极管的正向电流为
功能外壳温度
(T
j
175°C)
250A
T
J
=25°C
2.0V
I
F
=200A
200A
V
F
,
正向电压
175°C
I
F
,
正向电流
1.5V
100A
150A
50A
1.0V
100A
0.5V
50A
0A
0V
1V
2V
0.0V
0°C
50°C
100°C
150°C
V
F
,
正向电压
图3.典型二极管的正向电流
正向电压的函数
T
J
,
结温
图4.典型的二极管的正向电压作为
结温度的函数
功率半导体
3
修订版1.1 3月6日
IDW100E60
Q
rr
,
反向恢复电荷
200ns
T
J
=175°C
8C
7C
6C
5C
4C
3C
2C
1C
0C
500A/s
T
J
=175°C
t
rr
,
反向恢复时间
150ns
100ns
T
J
=25°C
T
J
=25°C
50ns
0ns
500A/s
1000A/s
1500A/s
1000A/s
1500A/s
di
F
/ DT ,
二极管电流斜率
图5.典型的反向恢复时间
二极管电流的斜率的函数
(V
R
=400V,
I
F
=100A,
在图E动态测试电路)
di
F
/ DT ,
二极管电流斜率
图6.典型的反向恢复电荷
作为二极管电流的函数
(V
R
= 400V,
I
F
= 100A,
在图E动态测试电路)
-1200A/s
70A
T
J
=175°C
反向恢复电流
I
rr
,
反向恢复电流
di
rr
/ DT ,
秋季二极管峰值速率
60A
50A
40A
30A
20A
10A
0A
-1000A/s
T
J
=25°C
-800A/s
T
J
=25°C
-600A/s
-400A/s
-200A/s
T
J
=175°C
1000A/s
1500A/s
500A/s
1000A/s
1500A/s
0A/s
500A/s
di
F
/ DT ,
二极管电流斜率
图7典型的反向恢复电流
作为二极管电流的函数
(V
R
= 400V,
I
F
= 100A,
在图E动态测试电路)
di
F
/ DT ,
二极管电流斜率
秋天的图8.典型二极管峰值速率
反向恢复电流的
二极管电流斜率功能
(V
R
=400V,
I
F
=100A,
在图E动态测试电路)
功率半导体
4
修订版1.1 3月6日
IDW100E60
Z
thJC
,
瞬态热阻
D=0.5
-1
10 K / W
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
R
, (K / W)的
0.03814
0.17186
0.09381
0.07453
0.02165
R
1
τ
,
(s)
0.3724
0.07367
6.877 E-3
4.143 E-4
4.145 E-5
R
2
10 K / W
-2
单脉冲
C
1
=
τ
1
/R
1
C
2
=
τ
2
/R
2
1s
为10μs 100μs的10毫秒1毫秒100毫秒
1s
t
P
,
脉冲宽度
图9.二极管瞬态热
阻抗为脉冲的功能
宽度
(D = T
P
/T)
PG-TO247-3-21
功率半导体
5
修订版1.1 3月6日
IDW100E60
快速开关EMCON二极管
产品特点:
600 V EMCON技术
快速恢复
软开关
低反向恢复电荷
低正向电压
175 ℃的结的工作温度
简单的并联
无铅镀铅;符合RoHS标准
完整的产品范围和PSpice的模型:
http://www.infineon.com/emcon/
应用范围:
焊接
电机驱动
A
C
PG-TO-247-3
TYPE
IDW100E60
最大额定值
参数
V
RRM
600V
I
F
100A
V
F,Tj=25°C
1.65V
T
, MAX
175°C
记号
D100E60
PG-TO-247-3
符号
V
RRM
I
F
价值
600
150
104
96
单位
V
A
反向重复峰值电压
连续正向电流
T
C
= 25°C
T
C
= 90°C
T
C
= 100°C
浪涌不重复正向电流
T
C
= 25°C,
t
p
= 10毫秒,正弦半波
最大重复正向电流
T
C
= 25°C,
t
p
t
, MAX
, D
= 0.5
功耗
T
C
= 25°C
T
C
= 90°C
T
C
= 100°C
工作结温和存储温度
焊接温度
1.6毫米( 0.063英寸)从案例10秒
I
FSM
I
FRM
P
合计
400
300
A
A
W
375
212
198
T
j,
T
英镑
T
S
-55…+175
260
°C
°C
功率半导体
1
2.1版11月9日
IDW100E60
热阻
参数
特征
热阻,
结 - 案
热阻,
结 - 环境
电气特性,
at
T
j
= 25
°C,
除非另有说明
参数
符号
条件
价值
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
R
thJA
40
R
thJC
0.40
K / W
符号
条件
马克斯。值
单位
静态特性
集电极 - 发射极击穿电压
二极管的正向电压
V
RRM
V
F
I
R
=0.25mA
600
-
-
-
-
-
1.65
1.65
-
-
-
2.0
-
V
I
F
= 100A
T
j
= 25° C
T
j
= 17 5° C
反向漏电流
I
R
V
R
= 6 00V
T
j
= 25° C
T
j
= 17 5° C
40
1000
A
动态电气特性
二极管的反向恢复时间
二极管的反向恢复电荷
二极管的峰值反向恢复电流
秋天反向二极管峰值速率
在恢复电流
t
b
二极管的反向恢复时间
二极管的反向恢复电荷
二极管的峰值反向恢复电流
秋天反向二极管峰值速率
在恢复电流
t
b
二极管的反向恢复时间
二极管的反向恢复电荷
二极管的峰值反向恢复电流
秋天反向二极管峰值速率
在恢复电流
t
b
t
rr
Q
rr
I
rr
dI
r r
/ DT
T
j
= 25° C
V
R
= 4 00V,
I
F
= 100A ,
dI
F
/ DT =
120 0A / μs的
-
-
-
-
120
3.6
49.5
750
-
-
-
-
ns
C
A
A / μs的
t
rr
Q
RRM
I
rr
dI
r r
/ DT
T
j
= 12 5° C
V
R
= 4 00V,
I
F
= 100A ,
dI
F
/ DT =
120 0A / μs的
-
-
-
-
168
5.8
61.6
705
-
-
-
-
ns
C
A
A / μs的
t
rr
Q
RRM
I
rr
dI
r r
/ DT
T
j
= 17 5° C
V
R
= 4 00V,
I
F
= 100A ,
dI
F
/ DT =
120 0A / μs的
-
-
-
-
200
7.8
67.0
650
-
-
-
-
ns
C
A
A / μs的
功率半导体
2
2.1版11月9日
IDW100E60
150A
350W
300W
250W
200W
150W
100W
50W
0W
25°C
功耗
120A
I
F
,
正向电流
90A
60A
P
合计
,
30A
50°C
75°C
100°C
125°C
150°C
0A
25°C
75°C
125°C
T
C
,
外壳温度
图1.功耗作为一个函数
外壳温度
(T
j
175°C)
T
C
,
外壳温度
图2.二极管的正向电流为
功能外壳温度
(T
j
175°C)
250A
T
J
=25°C
2.0V
I
F
=200A
200A
V
F
,
正向电压
175°C
I
F
,
正向电流
1.5V
100A
150A
50A
1.0V
100A
0.5V
50A
0A
0V
1V
2V
0.0V
0°C
50°C
100°C
150°C
V
F
,
正向电压
图3.典型二极管的正向电流
正向电压的函数
T
J
,
结温
图4.典型的二极管的正向电压作为
结温度的函数
功率半导体
3
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IDW100E60
Q
rr
,
反向恢复电荷
200ns
T
J
=175°C
8C
7C
6C
5C
4C
3C
2C
1C
0C
500A/s
T
J
=175°C
t
rr
,
反向恢复时间
150ns
100ns
T
J
=25°C
T
J
=25°C
50ns
0ns
500A/s
1000A/s
1500A/s
1000A/s
1500A/s
di
F
/ DT ,
二极管电流斜率
图5.典型的反向恢复时间
二极管电流的斜率的函数
(V
R
=400V,
I
F
=100A,
在图E动态测试电路)
di
F
/ DT ,
二极管电流斜率
图6.典型的反向恢复电荷
作为二极管电流的函数
(V
R
= 400V,
I
F
= 100A,
在图E动态测试电路)
-1200A/s
70A
反向恢复电流
T
J
=175°C
反向恢复电流
di
rr
/ DT ,
秋季二极管峰值速率
60A
50A
40A
30A
20A
10A
0A
-1000A/s
T
J
=25°C
-800A/s
T
J
=25°C
-600A/s
-400A/s
I
rr
,
-200A/s
T
J
=175°C
1000A/s
1500A/s
500A/s
1000A/s
1500A/s
0A/s
500A/s
di
F
/ DT ,
二极管电流斜率
图7典型的反向恢复电流
作为二极管电流的函数
(V
R
= 400V,
I
F
= 100A,
在图E动态测试电路)
di
F
/ DT ,
二极管电流斜率
秋天的图8.典型二极管峰值速率
反向恢复电流的
二极管电流斜率功能
(V
R
=400V,
I
F
=100A,
在图E动态测试电路)
功率半导体
4
2.1版11月9日
IDW100E60
Z
thJC
,
瞬态热阻
D=0.5
-1
10 K / W
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
R
, (K / W)的
0.03814
0.17186
0.09381
0.07453
0.02165
R
1
τ
,
(s)
0.3724
0.07367
6.877 E-3
4.143 E-4
4.145 E-5
R
2
10 K / W
-2
单脉冲
C
1
=
τ
1
/R
1
C
2
=
τ
2
/R
2
1s
为10μs 100μs的10毫秒1毫秒100毫秒
1s
t
P
,
脉冲宽度
图9.二极管瞬态热
阻抗为脉冲的功能
宽度
(D = T
P
/T)
功率半导体
5
2.1版11月9日
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    电话:0755-82780082
    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    IDW100E60
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

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电话:0755-23612326
联系人:唐
地址:福田区振兴路华康大厦1栋519室
IDW100E60
INFINEON
2019
12000
TO-247
原装正品 钻石品质 假一赔十
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电话:0755-23613962/82706142
联系人:雷小姐
地址:深圳市福田区华强北街道华红社区红荔路3002号交行大厦一单元711
IDW100E60
INFINEON/英飞凌
2024+
9675
TO-247
优势现货,全新原装进口
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电话:0755-83202411
联系人:杨泽鹏
地址:深圳市福田区 汉国中心55楼
IDW100E60
Infineon(英飞凌)
22+
7868
原装原厂公司现货
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电话:0755-88291559
联系人:陈泽强
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Infineon Technologies
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32210
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电话:0755-22655674/15099917285
联系人:小邹
地址:深圳市福田区上步工业区201栋西座228室
IDW100E60
Infineon(英飞凌)
25+
18680
原厂封装
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