3.3V CMOS快速SRAM
具有2.5V兼容输入
256K （ 32K ×8位）
集成设备技术有限公司
IDT71V256SB
特点
适用于高性能处理器的二级缓存
快速访问次数：
- 19 /15 / 20ns的
输入是2.5V和LVTTL兼容： V
IH
= 1.8V
输出是LVTTL兼容
低待机电流（最大） ：
- 2毫安全备
小封装为空间布局的效率：
- 28引脚300密耳SOJ
- 28引脚TSOP I型
拥有先进的高性能CMOS生产
技术
单3.3V （ ± 0.3V ）电源
描述
该IDT71V256SB是262,144位高速静态RAM
组织为32K X 8的改进V
IH
（ 1.8V ）使
输入与2.5V逻辑电平兼容。该IDT71V256SB
在其它方面与所述IDT71V256SA 。
该IDT71V256SB具有出色的低功耗character-
istics而同时保持非常高的perfor-
曼斯。作为快速AS12 ns的地址的访问时间是理想的
标签SRAM二级缓存设计。
当电源管理逻辑放IDT71V256SB中
待机状态下，其非常低的功率特性有助于
延长电池寿命。通过采取
CS
高电平时，将SRAM
自动进入一个低功耗待机模式和将保持
在待机状态下，只要
CS
仍然很高。此外，根据
全待机模式（
CS
在CMOS电平中，f = 0）时，功率消耗
灰是保证始终小于6.6mW ，并且通常
会小得多。
该IDT71V256SB封装在28引脚300密耳SOJ和
28 pin300 MIL TSOP I型包装。
功能框图
A
0
地址
解码器
A
14
262,144位
存储阵列
V
CC
GND
I / O
0
输入
数据
电路
I / O
7
I / O控制
CS
OE
WE
控制
电路
3770 DRW 01
IDT标志是集成设备技术，Inc.的注册商标。
商业温度范围
1997
集成设备技术有限公司
1997年1月
7.??
3770/1
1
IDT71V256SB
具有2.5V兼容输入256K （ 32K ×8位） 3.3V CMOS静态RAM
商业级温度范围
销刀豆网络gurations
A
14
A
12
A
7
A
6
A
5
A
4
A
3
A
2
A
1
A
0
I / O
0
I / O
1
I / O
2
GND
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
28
27
26
25
24
23
绝对最大额定值
(1)
V
CC
WE
符号
V
TERM(2)
V
TERM(3)
T
A
T
BIAS
T
英镑
P
T
I
OUT
等级
与端电压
对于GND
与端电压
对于GND
工作温度
在偏置温度
储存温度
功耗
直流输出电流
Com'l 。
-0.5到+4.6
-0.5 VCC + 0.5
0至+70
-55到+125
-55到+125
1.0
50
单位
V
V
°C
°C
°C
W
mA
A
13
A
8
A
9
A
11
OE
SO28-5
22
21
20
19
18
17
16
15
A
10
CS
I / O
7
I / O
6
I / O
5
I / O
4
I / O
3
3770 DRW 02
SOJ
顶视图
OE
22
23
24
25
26
27
28
1
2
3
4
5
6
7
21
20
19
18
17
16
15
14
13
12
11
10
9
8
A
10
CS
A
11
A
9
A
8
A
13
WE
V
CC
A
14
A
12
A
7
A
6
A
5
A
4
A
3
SO28-8
I / O
7
I / O
6
I / O
5
I / O
4
I / O
3
GND
I / O
2
I / O
1
I / O
0
A
0
A
1
A
2
3770 DRW 03
注意事项：
3770 TBL 03
1.强调超过绝对最大上市
额定值可能会导致器件的永久性损坏。这是一个应力
值仅为器件在这些或任何其他功能操作
以上这些条件在此业务部门所标明
规范是不是暗示。暴露在绝对最大额定值
长时间条件下可能会影响其可靠性。
只有2的Vcc端子。
3.输入，输出和I / O端子; 4.6V最大。
电容
(T
A
= + 25 ° C，F = 1.0MHz的， SOJ包装）
符号
C
IN
C
OUT
参数
(1)
输入电容
输出电容
条件
V
IN
= 3DV
V
OUT
= 3DV
MAX 。 UNIT
6
7
pF
pF
TSOP
顶视图
注意：
3770 TBL 04
1，这个参数是由器件特性决定的，而不是
生产测试。
引脚说明
名字
A
0
–A
14
I / O
0
-I / O
7
CS
WE
OE
描述
地址
数据输入/输出
芯片选择
写使能
OUTPUT ENABLE
地
动力
3770 TBL 01
推荐工作
温度和电源电压
GRADE
广告
温度
0 ° C至+ 70°C
GND
0V
V
CC
3.3V
±
0.3V
3770 TBL 05
GND
V
CC
真值表
(1)
WE
CS
OE
I / O
高-Z
高-Z
高-Z
D
OUT
D
IN
功能
待机（ ISB）的
待机（ ISB1 ）
输出禁用
读
写
3770 TBL 02
建议的直流工作
条件
符号
V
CC
GND
V
IH
V
IH
V
IL
参数
电源电压
电源电压
输入高电压 - 输入
输入高电压 - I / O
输入低电压
MIN 。 TYP 。
3.0
0
1.8
1.8
–0.5
(1)
3.3
0
—
—
—
MAX 。 UNIT
3.6
0
5.0
Vcc+0.3
X
X
H
H
L
H
V
HC
L
L
L
X
X
H
L
X
V
V
V
V
V
注意：
1. H = V
IH
中，L = V
IL
， X = DO NOT CARE
0.8
注意：
3770 TBL 06
1. V
IL
（分） = -1.0V为脉冲宽度小于5ns的，每循环一次。
2
IDT71V256SB
具有2.5V兼容输入256K （ 32K ×8位） 3.3V CMOS静态RAM
商业级温度范围
DC电气特性
(1, 2)
(V
CC
= 3.3V
±
0.3V, V
LC
= 0.2V, V
HC
= V
CC
- 0.2V)
符号
I
CC
I
SB
I
SB1
参数
动态工作电流
CS
≤
V
IL
，输出
开放式，V
CC
=最大值，女= F
MAX(2)
待机电源电流（ TTL电平）
(2)
CS
= V
IH
, V
CC
=最大值，输出打开，女= F
最大
全部备用电源电流（ CMOS电平）
(2)
CS
≥
V
HC
, V
CC
=最大值，输出开路， F = 0
,
V
IN
≤
V
LC
或V
IN
≥
V
HC
71V256SB12
Com'l
90
20
2
71V256SB15
Com'l 。
85
20
2
71V256SB20
Com'l 。
85
20
2
单位
mA
mA
mA
注意事项：
1.所有值都最大限度地保证值。
2. f
最大
= 1/t
RC
只有解决投入骑自行车在fmax的; F = 0表示没有输入循环。
3770 TBL 07
DC电气特性
V
CC
= 3.3V± 0.3V
IDT71V256SB
符号
|I
LI
|
|I
LO
|
V
OL
V
OH
参数
输入漏电流
输出漏电流
输出低电压
输出高电压
测试条件
V
CC
=最大，V
IN
= GND到V
CC
V
CC
=最大，
CS
= V
IH ，
V
OUT
= GND到V
CC
I
OL
= 8毫安，V
CC
=最小值。
I
OH
= -4mA ，V
CC
=最小值。
分钟。
—
—
—
2.4
典型值。
—
—
—
—
马克斯。
2
2
0.4
—
单位
A
A
V
V
3770 TBL 08
AC测试条件
输入脉冲电平
输入上升/下降时间
输入定时基准水平
输出参考电平
AC测试负载
GND到3.0V
3ns
1.5V
1.5V
参见图1和2
3770 TBL 09
3.3V
320
数据
OUT
350
30pF*
3.3V
320
数据
OUT
350
5pF*
3770 DRW 04
3770 DRW 05
图1. AC测试负载
图2.交流测试负载
（对于T
CLZ
, t
OLZ
, t
CHZ
, t
OHZ
, t
OW
, t
WHZ
)
*包括范围和夹具电容
3
IDT71V256SB
具有2.5V兼容输入256K （ 32K ×8位） 3.3V CMOS静态RAM
商业级温度范围
AC电气特性
(V
CC
= 3.3V
±
0.3V ，商用温度范围）
71V256SA12
符号
参数
分钟。
12
—
—
5
0
—
3
2
3
12
9
9
0
9
0
6
0
4
1
马克斯。
—
12
12
—
8
6
—
6
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
8
读周期
t
RC
读周期时间
t
AA
地址访问时间
t
ACS
t
CLZ(1)
t
CHZ(1)
t
OE
t
OLZ
t
OHZ(1)
t
OH
(1)
71V256SA15
分钟。
15
—
—
5
0
—
0
0
3
15
10
10
0
10
0
7
0
4
1
马克斯。
—
15
15
—
9
7
—
7
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
9
71V256SA20
分钟。
20
—
—
5
0
—
0
0
3
20
15
15
0
15
0
8
0
4
1
马克斯。
—
20
20
—
10
8
—
8
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
10
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
3770 TBL 10
芯片选择访问时间
片选在低Z输出
芯片在高Z选择输出
输出使能到输出有效
输出使能，以在低Z输出
输出禁用输出高阻
从地址变更输出保持
写周期
t
WC
写周期时间
t
AW
地址有效到结束时的写
t
CW
芯片选择到结束时的写
t
AS
t
WP
t
WR
t
DW
t
DH
t
OW(1)
t
WHZ(1)
地址建立时间
把脉冲宽度
写恢复时间
数据写入时间重叠
从时间写数据保持
输出从主动结束了，写
写使能在高阻输出
注意：
1.此参数保证与交流测试负载（图2）器件特性，但不生产测试。
读循环中没有时序波形。 1
(1)
t
RC
地址
t
AA
OE
t
OH
t
OE
t
OLZ
CS
(2)
t
OHZ
(2)
t
ACS
t
CLZ
数据
OUT
(2)
t
CHZ
数据有效
(2)
3770 DRW 06
注意事项：
1.
WE
为高的读周期。
2.转换测量
±200mV
从稳定状态。
4
IDT71V256SB
具有2.5V兼容输入256K （ 32K ×8位） 3.3V CMOS静态RAM
商业级温度范围
读循环中没有时序波形。 2
(1, 2, 4)
t
RC
地址
t
AA
t
OH
数据
OUT
以前的数据有效
数据有效
3770 DRW 07
t
OH
读周期3号的时序波形
(1, 3, 4)
CS
t
ACS
t
CLZ （ 5 ）
数据
OUT
数据有效
t
CHZ
(5)
3770 DRW 08
注意事项：
1.
WE
为高的读周期。
2.设备被连续地选择
CS
是低的。
3.地址有效之前或与重合
CS
变为低电平。
4.
OE
是低的。
5.转换测量
±200mV
从稳定状态。
时序波形写周期NO 。 1 （
WE
控制时序）
(1, 2, 3, 5, 7)
t
WC
地址
t
OHZ
OE
(6)
t
AW
CS
t
AS
WE
t
WP
(7)
t
WR
t
WHZ
数据
OUT
(4)
(6)
t
OW （ 6 ）
(4)
t
DW
数据
IN
t
DH
数据有效
3770 DRW 09
注意事项：
1.
WE
or
CS
必须在所有的地址转换为高。
低重叠期间发生2.写
CS
和一个低
WE
.
3. t
WR
是从较早的测量
CS
or
WE
变高，以在写入周期的末尾。
4.在此期间， I / O引脚处于输出状态，使输入信号不被应用。
5.如果
CS
同时发生或之后的低的跳变
WE
低跳变时，输出保持在高阻抗状态。
6.转换测量
±200mV
从稳定状态。
7.如果
OE
为低电平期间
WE
控制的写入周期中，写入脉冲宽度必须吨的大
WP
或（T
WHZ
+ t
DW
），允许I / O驱动程序，关闭和数据
被放置在总线上用于所需吨
DW
。如果
OE
是在一个高
WE
控制的写周期，这一要求并不适用，写脉冲可
越短的spectified吨
WP 。
5
低功耗
3.3V CMOS快速SRAM
256K （ 32K ×8位）
集成设备技术有限公司
IDT71V256SA
特点
适用于高性能处理器的二级缓存
商用（ 0 °至70° C）和工业级（-40°至85°C ）
温度选项
快速访问次数：
- 商用10 /12/ 15 / 20ns的
- 工业：为15ns
低待机电流（最大） ：
- 2毫安全备
小封装为空间布局的效率：
- 28引脚300密耳SOJ
- 28引脚300密耳的塑料DIP （商业专用）
- 28引脚TSOP I型
拥有先进的高性能CMOS生产
技术
输入和输出是LVTTL兼容
单3.3V （ ± 0.3V ）电源
描述
该IDT71V256SA是262,144位高速静态RAM
组织结构为32K x 8，它是采用IDT的高制作
高性能，高可靠性的CMOS技术。
该IDT71V256SA具有出色的低功耗character-
istics而同时保持非常高的perfor-
曼斯。作为快速AS10 ns的地址的访问时间是理想的
在3.3V的桌面设计， 3.3V的二级缓存。
当电源管理逻辑放IDT71V256SA中
待机状态下，其非常低的功率特性有助于
延长电池寿命。通过采取
CS
高电平时，将SRAM
自动进入一个低功耗待机模式和将保持
在待机状态下，只要
CS
仍然很高。此外，根据
全待机模式（
CS
在CMOS电平中，f = 0）时，功率消耗
灰是保证始终小于6.6mW ，并且通常
会小得多。
该IDT71V256SA封装在28引脚300密耳SOJ ， 28-
销300万塑料DIP和28引脚300密耳的TSOP I型
包装。
功能框图
A
0
地址
解码器
A
14
262,144位
存储阵列
V
CC
GND
I / O
0
输入
数据
电路
I / O
7
I / O控制
CS
OE
WE
控制
电路
3101 DRW 01
IDT标志是集成设备技术，Inc.的注册商标。
工业和商业温度范围
1997
集成设备技术有限公司
1997年5月
DSC-3101/04
1
IDT71V256SA
3.3V CMOS静态RAM 256K （ 32K ×8位）
工业和商业温度范围
销刀豆网络gurations
A
14
A
12
A
7
A
6
A
5
A
4
A
3
A
2
A
1
A
0
I / O
0
I / O
1
I / O
2
GND
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
28
27
26
25
24
23
绝对最大额定值
(1)
V
CC
WE
符号
V
CC
V
TERM(2)
T
BIAS
T
英镑
P
T
I
OUT
等级
电源电压
相对于GND
端电压
相对于GND
在偏置温度
储存温度
功耗
直流输出电流
价值
-0.5到+4.6
-0.5到V
CC
+0.5
-55到+125
-55到+125
1.0
50
单位
V
V
°C
°C
W
mA
A
13
A
8
A
9
A
11
OE
SO28-5
P28-2
22
21
20
19
18
17
16
15
A
10
CS
I / O
7
I / O
6
I / O
5
I / O
4
I / O
3
3101 DRW 02
DIP / SOJ
顶视图
OE
注意事项：
3101 TBL 03
1.强调超过绝对最大上市
额定值可能会导致器件的永久性损坏。这是一个应力
值仅为器件在这些或任何其他功能操作
以上这些条件在此业务部门所标明
规范是不是暗示。暴露在绝对最大额定值
长时间条件下可能会影响其可靠性。
2.输入，输出和I / O端子; 4.6V最大。
A
10
CS
22
23
24
25
26
27
28
1
2
3
4
5
6
7
21
20
19
18
17
16
15
14
13
12
11
10
9
8
A
11
A
9
A
8
A
13
WE
V
CC
A
14
A
12
A
7
A
6
A
5
A
4
A
3
SO28-8
I / O
7
I / O
6
I / O
5
I / O
4
I / O
3
GND
I / O
2
I / O
1
I / O
0
A
0
A
1
A
2
3101 DRW 11
电容
(T
A
= + 25 ° C，F = 1.0MHz的， SOJ包装）
符号
C
IN
C
OUT
参数
(1)
输入电容
输出电容
条件
V
IN
= 3DV
V
OUT
= 3DV
MAX 。 UNIT
6
7
pF
pF
TSOP
顶视图
注意：
3101 TBL 04
1，这个参数是由器件特性决定的，而不是
生产测试。
引脚说明
名字
A
0
–A
14
I / O
0
-I / O
7
CS
WE
OE
描述
地址
数据输入/输出
芯片选择
写使能
OUTPUT ENABLE
地
动力
3101 TBL 01
推荐工作
温度和电源电压
GRADE
广告
产业
温度
0 ° C至+ 70°C
-40 ° C至+ 85°C
GND
0V
0V
V
CC
3.3V
±
0.3V
3.3V
±
0.3V
3101 TBL 05
GND
V
CC
真值表
(1)
WE
CS
OE
I / O
高-Z
高-Z
高-Z
D
OUT
D
IN
功能
待机（ ISB）的
待机（ ISB1 ）
输出禁用
读
写
3101 TBL 02
建议的直流工作
条件
符号
V
CC
GND
V
IH
V
IH
V
IL
参数
电源电压
电源电压
输入高电压 - 输入
输入高电压 - I / O
输入低电压
MIN 。 TYP 。
3.0
0
2.0
2.0
–0.3
(1)
3.3
0
—
—
—
MAX 。 UNIT
3.6
0
5.0
Vcc+0.3
X
X
H
H
L
H
V
HC
L
L
L
X
X
H
L
X
V
V
V
V
V
注意：
1. H = V
IH
中，L = V
IL
， X = DO NOT CARE
0.8
注意：
3101 TBL 06
1. V
IL
（分） = -2.0V为脉冲宽度小于5ns的，每循环一次。
2
IDT71V256SA
3.3V CMOS静态RAM 256K （ 32K ×8位）
工业和商业温度范围
DC电气特性
(1, 2)
(V
CC
= 3.3V
±
0.3V, V
LC
= 0.2V, V
HC
= V
CC
- 0.2V)
符号
I
CC
I
SB
I
SB1
参数
动态工作电流
CS
≤
V
IL
，输出
开放式，V
CC
=最大值，女= F
MAX(2)
待机电源电流（ TTL电平）
(2)
CS
= V
IH
, V
CC
=最大值，输出打开，女= F
最大
全部备用电源电流（ CMOS电平）
(2)
CS
≥
V
HC
, V
CC
=最大值，输出开路， F = 0
,
V
IN
≤
V
LC
或V
IN
≥
V
HC
71V256SA10
(3)
71V256SA12
(3)
71V256SA15 71V256SA20
(3)
单位
100
20
2
90
20
2
85
20
2
85
20
2
mA
mA
mA
注意事项：
1.所有值都最大限度地保证值。
2. f
最大
= 1/t
RC
只有解决投入骑自行车在fmax的; F = 0表示没有输入循环。
只有3商业级温度范围。
3101 TBL 07
DC电气特性
V
CC
= 3.3V± 0.3V
IDT71V256SA
符号
|I
LI
|
|I
LO
|
V
OL
V
OH
参数
输入漏电流
输出漏电流
输出低电压
输出高电压
测试条件
V
CC
=最大，V
IN
= GND到V
CC
V
CC
=最大，
CS
= V
IH ，
V
OUT
= GND到V
CC
I
OL
= 8毫安，V
CC
=最小值。
I
OH
= -4mA ，V
CC
=最小值。
分钟。
—
—
—
2.4
典型值。
—
—
—
—
马克斯。
2
2
0.4
—
单位
A
A
V
V
3101 TBL 08
AC测试条件
输入脉冲电平
输入上升/下降时间
输入定时基准水平
输出参考电平
AC测试负载
GND到3.0V
3ns
1.5V
1.5V
参见图1和2
3101 TBL 09
3.3V
320
数据
OUT
350
30pF*
3.3V
320
数据
OUT
350
5pF*
3101 DRW 04
3101 DRW 05
图1. AC测试负载
图2.交流测试负载
（对于T
CLZ
, t
OLZ
, t
CHZ
, t
OHZ
, t
OW
, t
WHZ
)
*包括范围和夹具电容
3
IDT71V256SA
3.3V CMOS静态RAM 256K （ 32K ×8位）
工业和商业温度范围
AC电气特性
(V
CC
= 3.3V
±
0.3V)
71V256SA10
(2)
符号
参数
马克斯。
10
—
—
5
0
—
3
2
3
10
9
9
0
9
0
6
0
4
1
分钟。
—
10
10
—
8
6
—
6
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
8
读周期
t
RC
读周期时间
t
AA
地址访问时间
t
ACS
t
CLZ(1)
t
CHZ(1)
t
OE
t
OLZ
t
OHZ(1)
t
OH
(1)
71V256SA12
(2)
分钟。
12
—
—
5
0
—
3
2
3
12
9
9
0
9
0
6
0
4
1
马克斯。
—
12
12
—
8
6
—
6
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
8
71V256SA15
分钟。
15
—
—
5
0
—
0
0
3
15
10
10
0
10
0
7
0
4
1
马克斯。
—
15
15
—
9
7
—
7
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
9
71V256SA20
(2)
分钟。
20
—
—
5
0
—
0
0
3
20
15
15
0
15
0
8
0
4
1
马克斯。
—
20
20
—
10
8
—
8
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
10
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
3101 TBL 10
芯片选择访问时间
片选在低Z输出
芯片在高Z选择输出
输出使能到输出有效
输出使能，以在低Z输出
输出禁用输出高阻
从地址变更输出保持
写周期
t
WC
写周期时间
t
AW
地址有效到结束时的写
t
CW
芯片选择到结束时的写
t
AS
t
WP
t
WR
t
DW
t
DH
t
OW(1)
t
WHZ(1)
地址建立时间
把脉冲宽度
写恢复时间
数据写入时间重叠
从时间写数据保持
输出从主动结束了，写
写使能在高阻输出
注意：
1.此参数保证与交流测试负载（图2）器件特性，但不生产测试。
仅2商业级温度范围。
读循环中没有时序波形。 1
(1)
t
RC
地址
t
AA
OE
t
OH
t
OE
t
OLZ
CS
(2)
t
OHZ
(2)
t
ACS
t
CLZ
数据
OUT
(2)
t
CHZ
数据有效
(2)
3101 DRW 06
注意事项：
1.
WE
为高的读周期。
2.转换测量
±200mV
从稳定状态。
4
IDT71V256SA
3.3V CMOS静态RAM 256K （ 32K ×8位）
工业和商业温度范围
读循环中没有时序波形。 2
(1, 2, 4)
t
RC
地址
t
AA
t
OH
数据
OUT
以前的数据有效
数据有效
3101 DRW 07
t
OH
读周期3号的时序波形
(1, 3, 4)
CS
t
ACS
t
CLZ （ 5 ）
数据
OUT
数据有效
t
CHZ
(5)
3101 DRW 08
注意事项：
1.
WE
为高的读周期。
2.设备被连续地选择
CS
是低的。
3.地址有效之前或与重合
CS
变为低电平。
4.
OE
是低的。
5.转换测量
±200mV
从稳定状态。
时序波形写周期NO 。 1 （
WE
控制时序）
(1, 2, 3, 5, 7)
t
WC
地址
t
OHZ
OE
(6)
t
AW
CS
t
AS
WE
t
WP
(7)
t
WR
t
WHZ
数据
OUT
(4)
(6)
t
OW （ 6 ）
(4)
t
DW
数据
IN
t
DH
数据有效
3101 DRW 09
注意事项：
1.
WE
or
CS
必须在所有的地址转换为高。
低重叠期间发生2.写
CS
和一个低
WE
.
3. t
WR
是从较早的测量
CS
or
WE
变高，以在写入周期的末尾。
4.在此期间， I / O引脚处于输出状态，使输入信号不被应用。
5.如果
CS
同时发生或之后的低的跳变
WE
低跳变时，输出保持在高阻抗状态。
6.转换测量
±200mV
从稳定状态。
7.如果
OE
为低电平期间
WE
控制的写入周期中，写入脉冲宽度必须吨的大
WP
或（T
WHZ
+ t
DW
），允许I / O驱动程序，关闭和数据
被放置在总线上用于所需吨
DW
。如果
OE
是在一个高
WE
控制的写周期，这一要求并不适用，写脉冲可
越短的spectified吨
WP 。
5
3.3V CMOS快速SRAM
具有2.5V兼容输入
256K （ 32K ×8位）
集成设备技术有限公司
IDT71V256SB
特点
适用于高性能处理器的二级缓存
快速访问次数：
- 19 /15 / 20ns的
输入是2.5V和LVTTL兼容： V
IH
= 1.8V
输出是LVTTL兼容
低待机电流（最大） ：
- 2毫安全备
小封装为空间布局的效率：
- 28引脚300密耳SOJ
- 28引脚TSOP I型
拥有先进的高性能CMOS生产
技术
单3.3V （ ± 0.3V ）电源
描述
该IDT71V256SB是262,144位高速静态RAM
组织为32K X 8的改进V
IH
（ 1.8V ）使
输入与2.5V逻辑电平兼容。该IDT71V256SB
在其它方面与所述IDT71V256SA 。
该IDT71V256SB具有出色的低功耗character-
istics而同时保持非常高的perfor-
曼斯。作为快速AS12 ns的地址的访问时间是理想的
标签SRAM二级缓存设计。
当电源管理逻辑放IDT71V256SB中
待机状态下，其非常低的功率特性有助于
延长电池寿命。通过采取
CS
高电平时，将SRAM
自动进入一个低功耗待机模式和将保持
在待机状态下，只要
CS
仍然很高。此外，根据
全待机模式（
CS
在CMOS电平中，f = 0）时，功率消耗
灰是保证始终小于6.6mW ，并且通常
会小得多。
该IDT71V256SB封装在28引脚300密耳SOJ和
28 pin300 MIL TSOP I型包装。
功能框图
A
0
地址
解码器
A
14
262,144位
存储阵列
V
CC
GND
I / O
0
输入
数据
电路
I / O
7
I / O控制
CS
OE
WE
控制
电路
3770 DRW 01
IDT标志是集成设备技术，Inc.的注册商标。
商业温度范围
1997
集成设备技术有限公司
1997年1月
7.??
3770/1
1
IDT71V256SB
具有2.5V兼容输入256K （ 32K ×8位） 3.3V CMOS静态RAM
商业级温度范围
销刀豆网络gurations
A
14
A
12
A
7
A
6
A
5
A
4
A
3
A
2
A
1
A
0
I / O
0
I / O
1
I / O
2
GND
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
28
27
26
25
24
23
绝对最大额定值
(1)
V
CC
WE
符号
V
TERM(2)
V
TERM(3)
T
A
T
BIAS
T
英镑
P
T
I
OUT
等级
与端电压
对于GND
与端电压
对于GND
工作温度
在偏置温度
储存温度
功耗
直流输出电流
Com'l 。
-0.5到+4.6
-0.5 VCC + 0.5
0至+70
-55到+125
-55到+125
1.0
50
单位
V
V
°C
°C
°C
W
mA
A
13
A
8
A
9
A
11
OE
SO28-5
22
21
20
19
18
17
16
15
A
10
CS
I / O
7
I / O
6
I / O
5
I / O
4
I / O
3
3770 DRW 02
SOJ
顶视图
OE
22
23
24
25
26
27
28
1
2
3
4
5
6
7
21
20
19
18
17
16
15
14
13
12
11
10
9
8
A
10
CS
A
11
A
9
A
8
A
13
WE
V
CC
A
14
A
12
A
7
A
6
A
5
A
4
A
3
SO28-8
I / O
7
I / O
6
I / O
5
I / O
4
I / O
3
GND
I / O
2
I / O
1
I / O
0
A
0
A
1
A
2
3770 DRW 03
注意事项：
3770 TBL 03
1.强调超过绝对最大上市
额定值可能会导致器件的永久性损坏。这是一个应力
值仅为器件在这些或任何其他功能操作
以上这些条件在此业务部门所标明
规范是不是暗示。暴露在绝对最大额定值
长时间条件下可能会影响其可靠性。
只有2的Vcc端子。
3.输入，输出和I / O端子; 4.6V最大。
电容
(T
A
= + 25 ° C，F = 1.0MHz的， SOJ包装）
符号
C
IN
C
OUT
参数
(1)
输入电容
输出电容
条件
V
IN
= 3DV
V
OUT
= 3DV
MAX 。 UNIT
6
7
pF
pF
TSOP
顶视图
注意：
3770 TBL 04
1，这个参数是由器件特性决定的，而不是
生产测试。
引脚说明
名字
A
0
–A
14
I / O
0
-I / O
7
CS
WE
OE
描述
地址
数据输入/输出
芯片选择
写使能
OUTPUT ENABLE
地
动力
3770 TBL 01
推荐工作
温度和电源电压
GRADE
广告
温度
0 ° C至+ 70°C
GND
0V
V
CC
3.3V
±
0.3V
3770 TBL 05
GND
V
CC
真值表
(1)
WE
CS
OE
I / O
高-Z
高-Z
高-Z
D
OUT
D
IN
功能
待机（ ISB）的
待机（ ISB1 ）
输出禁用
读
写
3770 TBL 02
建议的直流工作
条件
符号
V
CC
GND
V
IH
V
IH
V
IL
参数
电源电压
电源电压
输入高电压 - 输入
输入高电压 - I / O
输入低电压
MIN 。 TYP 。
3.0
0
1.8
1.8
–0.5
(1)
3.3
0
—
—
—
MAX 。 UNIT
3.6
0
5.0
Vcc+0.3
X
X
H
H
L
H
V
HC
L
L
L
X
X
H
L
X
V
V
V
V
V
注意：
1. H = V
IH
中，L = V
IL
， X = DO NOT CARE
0.8
注意：
3770 TBL 06
1. V
IL
（分） = -1.0V为脉冲宽度小于5ns的，每循环一次。
2
IDT71V256SB
具有2.5V兼容输入256K （ 32K ×8位） 3.3V CMOS静态RAM
商业级温度范围
DC电气特性
(1, 2)
(V
CC
= 3.3V
±
0.3V, V
LC
= 0.2V, V
HC
= V
CC
- 0.2V)
符号
I
CC
I
SB
I
SB1
参数
动态工作电流
CS
≤
V
IL
，输出
开放式，V
CC
=最大值，女= F
MAX(2)
待机电源电流（ TTL电平）
(2)
CS
= V
IH
, V
CC
=最大值，输出打开，女= F
最大
全部备用电源电流（ CMOS电平）
(2)
CS
≥
V
HC
, V
CC
=最大值，输出开路， F = 0
,
V
IN
≤
V
LC
或V
IN
≥
V
HC
71V256SB12
Com'l
90
20
2
71V256SB15
Com'l 。
85
20
2
71V256SB20
Com'l 。
85
20
2
单位
mA
mA
mA
注意事项：
1.所有值都最大限度地保证值。
2. f
最大
= 1/t
RC
只有解决投入骑自行车在fmax的; F = 0表示没有输入循环。
3770 TBL 07
DC电气特性
V
CC
= 3.3V± 0.3V
IDT71V256SB
符号
|I
LI
|
|I
LO
|
V
OL
V
OH
参数
输入漏电流
输出漏电流
输出低电压
输出高电压
测试条件
V
CC
=最大，V
IN
= GND到V
CC
V
CC
=最大，
CS
= V
IH ，
V
OUT
= GND到V
CC
I
OL
= 8毫安，V
CC
=最小值。
I
OH
= -4mA ，V
CC
=最小值。
分钟。
—
—
—
2.4
典型值。
—
—
—
—
马克斯。
2
2
0.4
—
单位
A
A
V
V
3770 TBL 08
AC测试条件
输入脉冲电平
输入上升/下降时间
输入定时基准水平
输出参考电平
AC测试负载
GND到3.0V
3ns
1.5V
1.5V
参见图1和2
3770 TBL 09
3.3V
320
数据
OUT
350
30pF*
3.3V
320
数据
OUT
350
5pF*
3770 DRW 04
3770 DRW 05
图1. AC测试负载
图2.交流测试负载
（对于T
CLZ
, t
OLZ
, t
CHZ
, t
OHZ
, t
OW
, t
WHZ
)
*包括范围和夹具电容
3
IDT71V256SB
具有2.5V兼容输入256K （ 32K ×8位） 3.3V CMOS静态RAM
商业级温度范围
AC电气特性
(V
CC
= 3.3V
±
0.3V ，商用温度范围）
71V256SA12
符号
参数
分钟。
12
—
—
5
0
—
3
2
3
12
9
9
0
9
0
6
0
4
1
马克斯。
—
12
12
—
8
6
—
6
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
8
读周期
t
RC
读周期时间
t
AA
地址访问时间
t
ACS
t
CLZ(1)
t
CHZ(1)
t
OE
t
OLZ
t
OHZ(1)
t
OH
(1)
71V256SA15
分钟。
15
—
—
5
0
—
0
0
3
15
10
10
0
10
0
7
0
4
1
马克斯。
—
15
15
—
9
7
—
7
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
9
71V256SA20
分钟。
20
—
—
5
0
—
0
0
3
20
15
15
0
15
0
8
0
4
1
马克斯。
—
20
20
—
10
8
—
8
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
10
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
3770 TBL 10
芯片选择访问时间
片选在低Z输出
芯片在高Z选择输出
输出使能到输出有效
输出使能，以在低Z输出
输出禁用输出高阻
从地址变更输出保持
写周期
t
WC
写周期时间
t
AW
地址有效到结束时的写
t
CW
芯片选择到结束时的写
t
AS
t
WP
t
WR
t
DW
t
DH
t
OW(1)
t
WHZ(1)
地址建立时间
把脉冲宽度
写恢复时间
数据写入时间重叠
从时间写数据保持
输出从主动结束了，写
写使能在高阻输出
注意：
1.此参数保证与交流测试负载（图2）器件特性，但不生产测试。
读循环中没有时序波形。 1
(1)
t
RC
地址
t
AA
OE
t
OH
t
OE
t
OLZ
CS
(2)
t
OHZ
(2)
t
ACS
t
CLZ
数据
OUT
(2)
t
CHZ
数据有效
(2)
3770 DRW 06
注意事项：
1.
WE
为高的读周期。
2.转换测量
±200mV
从稳定状态。
4
IDT71V256SB
具有2.5V兼容输入256K （ 32K ×8位） 3.3V CMOS静态RAM
商业级温度范围
读循环中没有时序波形。 2
(1, 2, 4)
t
RC
地址
t
AA
t
OH
数据
OUT
以前的数据有效
数据有效
3770 DRW 07
t
OH
读周期3号的时序波形
(1, 3, 4)
CS
t
ACS
t
CLZ （ 5 ）
数据
OUT
数据有效
t
CHZ
(5)
3770 DRW 08
注意事项：
1.
WE
为高的读周期。
2.设备被连续地选择
CS
是低的。
3.地址有效之前或与重合
CS
变为低电平。
4.
OE
是低的。
5.转换测量
±200mV
从稳定状态。
时序波形写周期NO 。 1 （
WE
控制时序）
(1, 2, 3, 5, 7)
t
WC
地址
t
OHZ
OE
(6)
t
AW
CS
t
AS
WE
t
WP
(7)
t
WR
t
WHZ
数据
OUT
(4)
(6)
t
OW （ 6 ）
(4)
t
DW
数据
IN
t
DH
数据有效
3770 DRW 09
注意事项：
1.
WE
or
CS
必须在所有的地址转换为高。
低重叠期间发生2.写
CS
和一个低
WE
.
3. t
WR
是从较早的测量
CS
or
WE
变高，以在写入周期的末尾。
4.在此期间， I / O引脚处于输出状态，使输入信号不被应用。
5.如果
CS
同时发生或之后的低的跳变
WE
低跳变时，输出保持在高阻抗状态。
6.转换测量
±200mV
从稳定状态。
7.如果
OE
为低电平期间
WE
控制的写入周期中，写入脉冲宽度必须吨的大
WP
或（T
WHZ
+ t
DW
），允许I / O驱动程序，关闭和数据
被放置在总线上用于所需吨
DW
。如果
OE
是在一个高
WE
控制的写周期，这一要求并不适用，写脉冲可
越短的spectified吨
WP 。
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