集成
电路
系统公司
ICS83905I
L
OW
S
KEW
, 1:6 C
RYSTAL
I
覆盖整个院落
-
TO
-
LVCMOS / LVTTL F
ANOUT
B
UFFER
F
EATURES
6 LVCMOS / LVTTL输出
输出能够驱动12个串联端接线路
晶体振荡器接口
晶振输入频率范围: 10MHz至40MHz的
输出偏斜: 80ps (最大)
RMS相位抖动@ 25MHz的, (为100Hz - 1MHz的) :
0.26ps (典型值) (V
DD
= V
DDO
= 2.5V)
相位噪声:
OFFSET
噪声功率
100Hz的.............. -129.7 dBc的/赫兹
1kHz时.............. -144.4 dBc的/赫兹
10kHz的.............. -147.3 dBc的/赫兹
100kHz的.............. -157.3 dBc的/赫兹
5V容限的使能输入
同步输出使
操作电源模式:
全3.3V , 2.5V和1.8V ,
混合3.3V核心/ 2.5V输出工作电源,
混合3.3V核心/ 1.8V输出工作电源,
混合2.5V核心/ 1.8V输出工作电源
-40 ° C至85°C的工作环境温度
无铅封装,完全符合RoHS标准
G
ENERAL
D
ESCRIPTION
该ICS83905I是一种低歪斜, 1至6 LVCMOS /
LVTTL扇出缓冲器和的一员
HiPerClockS
HiPerClocks 系列高性能时钟
从IC解决方案。低阻抗
LVCMOS / LVTTL输出设计用于驱动
50W串联或并联端接的传输线。在EF -
fective扇出可以从6增加到12通过利用
输出来驱动两个串联的能力终止线。
ICS
该ICS83905I的特点是在全3.3V , 2.5V和1.8V ,
混合3.3V / 2.5V , 3.3V / 1.8V和2.5V / 1.8V输出工作
供电模式。保证输出部分,以部分偏移
随着1.8V输出能力品牌特征
在ICS83905I非常适用于高性能,单端应用程序
阳离子,也需要限制输出电压。
B
LOCK
D
IAGRAM
P
IN
A
SSIGNMENT
BCLK0
XTAL_OUT
启用2
GND
BCLK0
V
DD
o
BCLK1
GND
BCLK2
1
2
3
4
5
6
7
8
16
15
14
13
12
11
10
9
XTAL_IN
启用1
BCLK5
V
DDO
BCLK4
GND
BCLK3
V
DD
BCLK1
XTAL_IN
BCLK2
XTAL_OUT
ICS83905I
BCLK3
16引脚TSSOP
4.4毫米X 5.0毫米X 0.92毫米体封装
摹Pacakge
顶视图
BCLK4
启用1
同步
BCLK5
启用2
同步
83905AGI
http://www.icst.com/products/hiperclocks.html
1
REV 。 B 2005年5月16日
集成
电路
系统公司
ICS83905I
L
OW
S
KEW
, 1:6 C
RYSTAL
I
覆盖整个院落
-
TO
-
LVCMOS / LVTTL F
ANOUT
B
UFFER
TYPE
产量
输入
动力
产量
动力
动力
输入
描述
晶体振荡器接口。 XTAL_OUT是输出。
时钟使能。 LVCMOS / LVTTL接口电平。见表3 。
电源接地。
时钟输出。 LVCMOS / LVTTL接口电平。
输出电源引脚。
核心供电引脚。
晶体振荡器接口。 XTAL_IN是输入。
T
ABLE
1. P
IN
D
ESCRIPTIONS
数
1
2, 15
3, 7 , 1 1
4, 6 , 8,
10, 12, 14
5, 13
9
16
名字
XTAL_OUT
ENABLE 2 ,启用1
GND
BCLK0 , BCLK1 , BCLK2 ,
BCLK3 , BCLK4 , BCLK5
V
DDO
V
DD
XTAL_IN
T
ABLE
2. P
IN
C
极特
符号
C
IN
C
PD
参数
输入电容
功率耗散电容
(每路输出)
V
DDO
= 3.465V
V
DDO
= 2.625V
V
DDO
= 2V
V
DDO
= 3.3V ± 5%
R
OUT
输出阻抗
V
DDO
= 2.5V ± 5%
V
DDO
= 1.8V ± 0.2V
7
7
10
测试条件
最低
典型
4
19
18
16
最大
单位
pF
pF
pF
pF
Ω
Ω
Ω
T
ABLE
3. O
安输出
E
NABLE
控制输入
启用1
0
0
1
1
和
C
LOCK
E
NABLE
F
油膏
T
ABLE
输出
BCLK0 : BCLK4
低
低
切换
切换
BCLK5
低
切换
低
切换
启用2
0
1
0
1
BCLK5
BCLK0 : 4
ENABLE2
ENABLE1
F
IGURE
1. E
NABLE
T
即时通信
D
IAGRAM
83905AGI
http://www.icst.com/products/hiperclocks.html
2
REV 。 B 2005年5月16日
集成
电路
系统公司
ICS83905I
L
OW
S
KEW
, 1:6 C
RYSTAL
I
覆盖整个院落
-
TO
-
LVCMOS / LVTTL F
ANOUT
B
UFFER
4.6V
-0.5V到V
DD
+ 0.5 V
-0.5V到V
DDO
+ 0.5V
89℃ / W ( 0 LFPM )
-65 ℃150 ℃的
注:如果运行条件超出绝对下上市
最大额定值可能会造成永久性损坏
装置。这些评价只强调规范。实用
产物在这些条件下或在任何条件操作BE-
彼处那些在上市
DC特性
or
AC Character-
A
BSOLUTE
M
AXIMUM
R
ATINGS
电源电压,V
DD
输入,V
I
产出,V
O
封装的热阻抗,
θ
JA
16引脚TSSOP封装
贮藏温度,T
英镑
istics
是不是暗示。暴露在绝对最大额定值
长时间条件可能会影响产品的可靠性。
T
ABLE
4A 。 P
OWER
S
UPPLY
DC
极特
,
V
DD
= V
DDO
= 3.3V ±5% ,T
A
= -40°C
TO
85°C
符号
V
DD
V
DDO
I
DD
I
DDO
参数
核心供电电压
输出电源电压
电源电流
输出电源电流
ENABLE 1 : 2 = 00
ENABLE 1 : 2 = 00
测试条件
最低
3.135
3.135
典型
3.3
3.3
最大
3.465
3.465
10
5
单位
V
V
mA
mA
T
ABLE
4B 。 P
OWER
S
UPPLY
DC
极特
,
V
DD
= V
DDO
= 2.5V ±5% ,T
A
= -40°C
TO
85°C
符号
V
DD
V
DDO
I
DD
I
DDO
参数
核心供电电压
输出电源电压
电源电流
输出电源电流
ENABLE 1 : 2 = 00
ENABLE 1 : 2 = 00
测试条件
最低
2.375
2.375
典型
2.5
2.5
最大
2.625
2.625
8
4
单位
V
V
mA
mA
T
ABLE
4C 。 P
OWER
S
UPPLY
DC
极特
,
V
DD
= V
DDO
= 1.8V ± 0.2V ,T
A
= -40°C
TO
85°C
符号
V
DD
V
DDO
I
DD
I
DDO
参数
核心供电电压
输出电源电压
电源电流
输出电源电流
ENABLE 1 : 2 = 00
ENABLE 1 : 2 = 00
测试条件
最低
1.6
1.6
典型
1.8
1.8
最大
2.0
2.0
5
3
单位
V
V
mA
mA
T
ABLE
4D 。 P
OWER
S
UPPLY
DC
极特
,
V
DD
= 3.3V±5%, V
DDO
= 2.5V ±5% ,T
A
= -40°C
TO
85°C
符号
V
DD
V
DDO
I
DD
I
DDO
参数
核心供电电压
输出电源电压
电源电流
输出电源电流
ENABLE 1 : 2 = 00
ENABLE 1 : 2 = 00
测试条件
最低
3.135
2.375
典型
3.3
2.5
最大
3.465
2.625
10
4
单位
V
V
mA
mA
83905AGI
http://www.icst.com/products/hiperclocks.html
3
REV 。 B 2005年5月16日
集成
电路
系统公司
ICS83905I
L
OW
S
KEW
, 1:6 C
RYSTAL
I
覆盖整个院落
-
TO
-
LVCMOS / LVTTL F
ANOUT
B
UFFER
测试条件
最低
3.135
1.6
ENABLE 1 : 2 = 00
ENABLE 1 : 2 = 00
典型
3.3
1.8
最大
3.465
2.0
10
3
单位
V
V
mA
mA
T
ABLE
4E 。 P
OWER
S
UPPLY
DC
极特
,
V
DD
= 3.3V±5%, V
DDO
= 1.8V ± 0.2V ,T
A
= -40°C
TO
85°C
符号
V
DD
V
DDO
I
DD
I
DDO
参数
核心供电电压
输出电源电压
电源电流
输出电源电流
T
ABLE
4F 。 P
OWER
S
UPPLY
DC
极特
,
V
DD
= 2.5V±5%, V
DDO
= 1.8V ± 0.2V ,T
A
= -40°C
TO
85°C
符号
V
DD
V
DDO
I
DD
I
DDO
参数
核心供电电压
输出电源电压
电源电流
输出电源电流
ENABLE 1 : 2 = 00
ENABLE 1 : 2 = 00
测试条件
最低
2.375
1.6
典型
2.5
1.8
最大
2.625
2.0
8
3
单位
V
V
mA
mA
T
ABLE
4G 。 LVCMOS / LVTTL DC
极特
,
T
A
= -40°C
TO
85°C
符号
V
IH
参数
输入高电压
启用1 ,
启用2
测试条件
V
DD
= 3.3V ± 5%
V
DD
= 2.5V ± 5%
V
DD
= 1.8V ± 0.2V
V
IL
输入低电压
启用1 ,
启用2
V
DD
= 3.3V ± 5%
V
DD
= 2.5V ± 5%
V
DD
= 1.8V ± 0.2V
V
DDO
= 3.3V ±5% ;注1
V
OH
输出高电压
V
DDO
= 2.5V ±5% ;我
OH
= -1mA
V
DDO
= 2.5V ±5% ;注1
V
DDO
= 1.8V ±0.2V ;注1
V
DDO
= 3.3V ±5% ;注1
V
OL
输出低电压
V
DDO
= 2.5V ±5% ;我
OL
= 1毫安
V
DDO
= 2.5V ±5% ;注1
V
DDO
= 1.8V ±0.2V ;注1
最低
2
1.7
0.65*V
DD
-0.3
-0.3
-0.3
2.6
2
1.8
V
DDO
- 0.3
0.5
0.4
0.45
0.35
典型
最大
V
DD
+ 0.3
V
DD
+ 0.3
V
DD
+ 0.3
0.8
0. 7
0.35*V
DD
单位
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
注1 :输出端接50
Ω
到V
DDO
/ 2 。参见参数测量部分, "Load测试Circuit"图。
T
ABLE
5. C
RYSTAL
C
极特
参数
振荡模式
频率
等效串联电阻(ESR )
旁路电容
驱动电平
http://www.icst.com/products/hiperclocks.html
4
测试条件
最低
10
典型
基本
最大
40
50
7
1
单位
兆赫
Ω
pF
mW
83905AGI
REV 。 B 2005年5月16日
集成
电路
系统公司
ICS83905I
L
OW
S
KEW
, 1:6 C
RYSTAL
I
覆盖整个院落
-
TO
-
LVCMOS / LVTTL F
ANOUT
B
UFFER
测试条件
使用外部晶振
最小典型最大单位
10
DC
48
40
100
52
80
@ 25MHz的(整合
范围: 100Hz的- 1MHz的)
20 %至80%
启用1
启用2
200
0.13
800
4
4
4
4
MH
MH
%
ps
ps
ps
周期
周期
周期
周期
T
ABLE
6A 。 AC - C
极特
,
V
DD
= V
DDO
= 3.3V ±5% ,T
A
= -40°C
TO
85°C
符号参数
f
最大
ODC
输出频率
输出占空比
输出偏斜;注2: 4
RMS相位抖动(随机)
输出上升/下降时间
输出使能时间;
注3
使用外部时钟
资料来源;注1
t
SK ( O)
t
JIT ( φ )
t
R
/t
F
t
EN
t
DIS
输出禁止时间; ENABLE 1
注3
启用2
在所有参数测量
≤
f
最大
使用晶体输入除非另有说明。
终止于50
Ω
到V
DDO
/2.
注1 : XTAL_IN可以是过载相的信号的晶体会提供。
注2 :定义为输出之间的偏移,在相同的电源电压,并以相等的负载条件。测量V
DDO
/2.
注3 :这些参数由特性保证。在生产中测试。
注4 :该参数定义符合JEDEC标准65 。
T
ABLE
6B 。 AC - C
极特
,
V
DD
= V
DDO
= 2.5V ±5% ,T
A
= -40°C
TO
85°C
符号参数
使用外部晶振
f
最大
ODC
输出频率
输出占空比
输出偏斜;注2: 5
RMS相位抖动(随机) ;注3
输出上升/下降时间
输出使能时间;
注4
启用1
启用2
@ 25MHz的(整合
范围: 100Hz的- 1MHz的)
20 %至80%
200
0.26
800
4
4
4
4
使用外部时钟
资料来源;注1
测试条件
最小典型最大单位
10
DC
47
40
100
53
80
MH
MH
%
ps
ps
ps
周期
周期
周期
周期
t
SK ( O)
t
JIT ( φ )
t
R
/t
F
t
EN
t
DIS
输出禁止时间; ENABLE 1
注4
启用2
在所有参数测量
≤
f
最大
使用晶体输入除非另有说明。
终止于50
Ω
到V
DDO
/2.
注1 : XTAL_IN可以是过载相的信号的晶体会提供。
注2 :定义为输出之间的偏移,在相同的电源电压,并以相等的负载条件。测量V
DDO
/2.
注3 :请参考相位噪声图。
注4 :这些参数由特性保证。在生产中测试。
注5 :此参数定义符合JEDEC标准65 。
83905AGI
http://www.icst.com/products/hiperclocks.html
5
REV 。 B 2005年5月16日
集成
电路
系统公司
ICS83905I
L
OW
S
KEW
, 1:6 C
RYSTAL
I
覆盖整个院落
-
TO
-
LVCMOS / LVTTL F
ANOUT
B
UFFER
F
EATURES
6 LVCMOS / LVTTL输出
输出能够驱动12个串联端接线路
晶体振荡器接口
晶振输入频率范围: 10MHz至40MHz的
输出偏斜: 80ps (最大)
RMS相位抖动@ 25MHz的, (为100Hz - 1MHz的) :
0.26ps (典型值) (V
DD
= V
DDO
= 2.5V)
相位噪声:
OFFSET
噪声功率
100Hz的.............. -129.7 dBc的/赫兹
1kHz时.............. -144.4 dBc的/赫兹
10kHz的.............. -147.3 dBc的/赫兹
100kHz的.............. -157.3 dBc的/赫兹
5V容限的使能输入
同步输出使
操作电源模式:
全3.3V , 2.5V和1.8V ,
混合3.3V核心/ 2.5V输出工作电源,
混合3.3V核心/ 1.8V输出工作电源,
混合2.5V核心/ 1.8V输出工作电源
-40 ° C至85°C的工作环境温度
无铅封装,完全符合RoHS标准
G
ENERAL
D
ESCRIPTION
该ICS83905I是一种低歪斜, 1至6 LVCMOS /
LVTTL扇出缓冲器和的一员
HiPerClockS
HiPerClocks 系列高性能时钟
从IC解决方案。低阻抗
LVCMOS / LVTTL输出设计用于驱动
50W串联或并联端接的传输线。在EF -
fective扇出可以从6增加到12通过利用
输出来驱动两个串联的能力终止线。
ICS
该ICS83905I的特点是在全3.3V , 2.5V和1.8V ,
混合3.3V / 2.5V , 3.3V / 1.8V和2.5V / 1.8V输出工作
供电模式。保证输出部分,以部分偏移
随着1.8V输出能力品牌特征
在ICS83905I非常适用于高性能,单端应用程序
阳离子,也需要限制输出电压。
B
LOCK
D
IAGRAM
P
IN
A
SSIGNMENT
BCLK0
XTAL_OUT
启用2
GND
BCLK0
V
DD
o
BCLK1
GND
BCLK2
1
2
3
4
5
6
7
8
16
15
14
13
12
11
10
9
XTAL_IN
启用1
BCLK5
V
DDO
BCLK4
GND
BCLK3
V
DD
BCLK1
XTAL_IN
BCLK2
XTAL_OUT
ICS83905I
BCLK3
16引脚TSSOP
4.4毫米X 5.0毫米X 0.92毫米体封装
摹Pacakge
顶视图
BCLK4
启用1
同步
BCLK5
启用2
同步
83905AGI
http://www.icst.com/products/hiperclocks.html
1
REV 。 B 2005年5月16日
集成
电路
系统公司
ICS83905I
L
OW
S
KEW
, 1:6 C
RYSTAL
I
覆盖整个院落
-
TO
-
LVCMOS / LVTTL F
ANOUT
B
UFFER
TYPE
产量
输入
动力
产量
动力
动力
输入
描述
晶体振荡器接口。 XTAL_OUT是输出。
时钟使能。 LVCMOS / LVTTL接口电平。见表3 。
电源接地。
时钟输出。 LVCMOS / LVTTL接口电平。
输出电源引脚。
核心供电引脚。
晶体振荡器接口。 XTAL_IN是输入。
T
ABLE
1. P
IN
D
ESCRIPTIONS
数
1
2, 15
3, 7 , 1 1
4, 6 , 8,
10, 12, 14
5, 13
9
16
名字
XTAL_OUT
ENABLE 2 ,启用1
GND
BCLK0 , BCLK1 , BCLK2 ,
BCLK3 , BCLK4 , BCLK5
V
DDO
V
DD
XTAL_IN
T
ABLE
2. P
IN
C
极特
符号
C
IN
C
PD
参数
输入电容
功率耗散电容
(每路输出)
V
DDO
= 3.465V
V
DDO
= 2.625V
V
DDO
= 2V
V
DDO
= 3.3V ± 5%
R
OUT
输出阻抗
V
DDO
= 2.5V ± 5%
V
DDO
= 1.8V ± 0.2V
7
7
10
测试条件
最低
典型
4
19
18
16
最大
单位
pF
pF
pF
pF
Ω
Ω
Ω
T
ABLE
3. O
安输出
E
NABLE
控制输入
启用1
0
0
1
1
和
C
LOCK
E
NABLE
F
油膏
T
ABLE
输出
BCLK0 : BCLK4
低
低
切换
切换
BCLK5
低
切换
低
切换
启用2
0
1
0
1
BCLK5
BCLK0 : 4
ENABLE2
ENABLE1
F
IGURE
1. E
NABLE
T
即时通信
D
IAGRAM
83905AGI
http://www.icst.com/products/hiperclocks.html
2
REV 。 B 2005年5月16日
集成
电路
系统公司
ICS83905I
L
OW
S
KEW
, 1:6 C
RYSTAL
I
覆盖整个院落
-
TO
-
LVCMOS / LVTTL F
ANOUT
B
UFFER
4.6V
-0.5V到V
DD
+ 0.5 V
-0.5V到V
DDO
+ 0.5V
89℃ / W ( 0 LFPM )
-65 ℃150 ℃的
注:如果运行条件超出绝对下上市
最大额定值可能会造成永久性损坏
装置。这些评价只强调规范。实用
产物在这些条件下或在任何条件操作BE-
彼处那些在上市
DC特性
or
AC Character-
A
BSOLUTE
M
AXIMUM
R
ATINGS
电源电压,V
DD
输入,V
I
产出,V
O
封装的热阻抗,
θ
JA
16引脚TSSOP封装
贮藏温度,T
英镑
istics
是不是暗示。暴露在绝对最大额定值
长时间条件可能会影响产品的可靠性。
T
ABLE
4A 。 P
OWER
S
UPPLY
DC
极特
,
V
DD
= V
DDO
= 3.3V ±5% ,T
A
= -40°C
TO
85°C
符号
V
DD
V
DDO
I
DD
I
DDO
参数
核心供电电压
输出电源电压
电源电流
输出电源电流
ENABLE 1 : 2 = 00
ENABLE 1 : 2 = 00
测试条件
最低
3.135
3.135
典型
3.3
3.3
最大
3.465
3.465
10
5
单位
V
V
mA
mA
T
ABLE
4B 。 P
OWER
S
UPPLY
DC
极特
,
V
DD
= V
DDO
= 2.5V ±5% ,T
A
= -40°C
TO
85°C
符号
V
DD
V
DDO
I
DD
I
DDO
参数
核心供电电压
输出电源电压
电源电流
输出电源电流
ENABLE 1 : 2 = 00
ENABLE 1 : 2 = 00
测试条件
最低
2.375
2.375
典型
2.5
2.5
最大
2.625
2.625
8
4
单位
V
V
mA
mA
T
ABLE
4C 。 P
OWER
S
UPPLY
DC
极特
,
V
DD
= V
DDO
= 1.8V ± 0.2V ,T
A
= -40°C
TO
85°C
符号
V
DD
V
DDO
I
DD
I
DDO
参数
核心供电电压
输出电源电压
电源电流
输出电源电流
ENABLE 1 : 2 = 00
ENABLE 1 : 2 = 00
测试条件
最低
1.6
1.6
典型
1.8
1.8
最大
2.0
2.0
5
3
单位
V
V
mA
mA
T
ABLE
4D 。 P
OWER
S
UPPLY
DC
极特
,
V
DD
= 3.3V±5%, V
DDO
= 2.5V ±5% ,T
A
= -40°C
TO
85°C
符号
V
DD
V
DDO
I
DD
I
DDO
参数
核心供电电压
输出电源电压
电源电流
输出电源电流
ENABLE 1 : 2 = 00
ENABLE 1 : 2 = 00
测试条件
最低
3.135
2.375
典型
3.3
2.5
最大
3.465
2.625
10
4
单位
V
V
mA
mA
83905AGI
http://www.icst.com/products/hiperclocks.html
3
REV 。 B 2005年5月16日
集成
电路
系统公司
ICS83905I
L
OW
S
KEW
, 1:6 C
RYSTAL
I
覆盖整个院落
-
TO
-
LVCMOS / LVTTL F
ANOUT
B
UFFER
测试条件
最低
3.135
1.6
ENABLE 1 : 2 = 00
ENABLE 1 : 2 = 00
典型
3.3
1.8
最大
3.465
2.0
10
3
单位
V
V
mA
mA
T
ABLE
4E 。 P
OWER
S
UPPLY
DC
极特
,
V
DD
= 3.3V±5%, V
DDO
= 1.8V ± 0.2V ,T
A
= -40°C
TO
85°C
符号
V
DD
V
DDO
I
DD
I
DDO
参数
核心供电电压
输出电源电压
电源电流
输出电源电流
T
ABLE
4F 。 P
OWER
S
UPPLY
DC
极特
,
V
DD
= 2.5V±5%, V
DDO
= 1.8V ± 0.2V ,T
A
= -40°C
TO
85°C
符号
V
DD
V
DDO
I
DD
I
DDO
参数
核心供电电压
输出电源电压
电源电流
输出电源电流
ENABLE 1 : 2 = 00
ENABLE 1 : 2 = 00
测试条件
最低
2.375
1.6
典型
2.5
1.8
最大
2.625
2.0
8
3
单位
V
V
mA
mA
T
ABLE
4G 。 LVCMOS / LVTTL DC
极特
,
T
A
= -40°C
TO
85°C
符号
V
IH
参数
输入高电压
启用1 ,
启用2
测试条件
V
DD
= 3.3V ± 5%
V
DD
= 2.5V ± 5%
V
DD
= 1.8V ± 0.2V
V
IL
输入低电压
启用1 ,
启用2
V
DD
= 3.3V ± 5%
V
DD
= 2.5V ± 5%
V
DD
= 1.8V ± 0.2V
V
DDO
= 3.3V ±5% ;注1
V
OH
输出高电压
V
DDO
= 2.5V ±5% ;我
OH
= -1mA
V
DDO
= 2.5V ±5% ;注1
V
DDO
= 1.8V ±0.2V ;注1
V
DDO
= 3.3V ±5% ;注1
V
OL
输出低电压
V
DDO
= 2.5V ±5% ;我
OL
= 1毫安
V
DDO
= 2.5V ±5% ;注1
V
DDO
= 1.8V ±0.2V ;注1
最低
2
1.7
0.65*V
DD
-0.3
-0.3
-0.3
2.6
2
1.8
V
DDO
- 0.3
0.5
0.4
0.45
0.35
典型
最大
V
DD
+ 0.3
V
DD
+ 0.3
V
DD
+ 0.3
0.8
0. 7
0.35*V
DD
单位
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
注1 :输出端接50
Ω
到V
DDO
/ 2 。参见参数测量部分, "Load测试Circuit"图。
T
ABLE
5. C
RYSTAL
C
极特
参数
振荡模式
频率
等效串联电阻(ESR )
旁路电容
驱动电平
http://www.icst.com/products/hiperclocks.html
4
测试条件
最低
10
典型
基本
最大
40
50
7
1
单位
兆赫
Ω
pF
mW
83905AGI
REV 。 B 2005年5月16日
集成
电路
系统公司
ICS83905I
L
OW
S
KEW
, 1:6 C
RYSTAL
I
覆盖整个院落
-
TO
-
LVCMOS / LVTTL F
ANOUT
B
UFFER
测试条件
使用外部晶振
最小典型最大单位
10
DC
48
40
100
52
80
@ 25MHz的(整合
范围: 100Hz的- 1MHz的)
20 %至80%
启用1
启用2
200
0.13
800
4
4
4
4
MH
MH
%
ps
ps
ps
周期
周期
周期
周期
T
ABLE
6A 。 AC - C
极特
,
V
DD
= V
DDO
= 3.3V ±5% ,T
A
= -40°C
TO
85°C
符号参数
f
最大
ODC
输出频率
输出占空比
输出偏斜;注2: 4
RMS相位抖动(随机)
输出上升/下降时间
输出使能时间;
注3
使用外部时钟
资料来源;注1
t
SK ( O)
t
JIT ( φ )
t
R
/t
F
t
EN
t
DIS
输出禁止时间; ENABLE 1
注3
启用2
在所有参数测量
≤
f
最大
使用晶体输入除非另有说明。
终止于50
Ω
到V
DDO
/2.
注1 : XTAL_IN可以是过载相的信号的晶体会提供。
注2 :定义为输出之间的偏移,在相同的电源电压,并以相等的负载条件。测量V
DDO
/2.
注3 :这些参数由特性保证。在生产中测试。
注4 :该参数定义符合JEDEC标准65 。
T
ABLE
6B 。 AC - C
极特
,
V
DD
= V
DDO
= 2.5V ±5% ,T
A
= -40°C
TO
85°C
符号参数
使用外部晶振
f
最大
ODC
输出频率
输出占空比
输出偏斜;注2: 5
RMS相位抖动(随机) ;注3
输出上升/下降时间
输出使能时间;
注4
启用1
启用2
@ 25MHz的(整合
范围: 100Hz的- 1MHz的)
20 %至80%
200
0.26
800
4
4
4
4
使用外部时钟
资料来源;注1
测试条件
最小典型最大单位
10
DC
47
40
100
53
80
MH
MH
%
ps
ps
ps
周期
周期
周期
周期
t
SK ( O)
t
JIT ( φ )
t
R
/t
F
t
EN
t
DIS
输出禁止时间; ENABLE 1
注4
启用2
在所有参数测量
≤
f
最大
使用晶体输入除非另有说明。
终止于50
Ω
到V
DDO
/2.
注1 : XTAL_IN可以是过载相的信号的晶体会提供。
注2 :定义为输出之间的偏移,在相同的电源电压,并以相等的负载条件。测量V
DDO
/2.
注3 :请参考相位噪声图。
注4 :这些参数由特性保证。在生产中测试。
注5 :此参数定义符合JEDEC标准65 。
83905AGI
http://www.icst.com/products/hiperclocks.html
5
REV 。 B 2005年5月16日