IRFP2907
电气特性@ T
J
= 25 ℃（除非另有规定）
V
（ BR ） DSS
V
（ BR ） DSS
/T
J
R
DS （ ON）
V
GS （ TH）
g
fs
I
DSS
I
GSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
L
D
L
S
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
C
OSS
C
OSS
C
OSS
EFF 。
参数
漏极至源极击穿电压
击穿电压温度。系数
静态漏 - 源极导通电阻
栅极阈值电压
正向跨导
漏极至源极漏电流
栅 - 源正向漏
栅 - 源反向漏
总栅极电荷
栅极 - 源极充电
栅极 - 漏极（ "Miller" ）充电
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
内部排水电感
内部源极电感
输入电容
输出电容
反向传输电容
输出电容
输出电容
有效输出电容
分钟。
75
–––
–––
2.0
130
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
MAX 。单位
条件
–––
V
V
GS
= 0V时，我
D
= 250A
--- V / ° C参考到25° C，I
D
= 1毫安
4.5
毫欧V
GS
= 10V ，我
D
= 125A
4.0
V
V
DS
= 10V ，我
D
= 250A
–––
S
V
DS
= 25V ，我
D
= 125A
20
V
DS
= 75V, V
GS
= 0V
A
250
V
DS
= 60V, V
GS
= 0V ，T
J
= 150°C
200
V
GS
= 20V
nA
-200
V
GS
= -20V
620
I
D
= 125A
140
nC
V
DS
= 60V
210
V
GS
= 10V
–––
V
DD
= 38V
–––
I
D
= 125A
ns
–––
R
G
= 1.2
–––
V
GS
= 10V
D
铅之间，
5.0 –––
6毫米（0.25英寸）。
nH
G
从包
–––
13
而中心的模具接触
S
13000 –––
V
GS
= 0V
2100 –––
pF
V
DS
= 25V
500 –––
= 1.0MHz的，见图。五
9780 –––
V
GS
= 0V, V
DS
= 1.0V ， = 1.0MHz的
1360 –––
V
GS
= 0V, V
DS
= 60V ， = 1.0MHz的
2320 –––
V
GS
= 0V, V
DS
= 0V至60V
典型值。
–––
0.085
3.6
–––
–––
–––
–––
–––
–––
410
92
140
23
190
130
130
源极 - 漏极额定值和特性
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
t
on
注意事项：
参数
连续源电流
（体二极管）
脉冲源电流
（体二极管）
二极管的正向电压
反向恢复时间
反向RecoveryCharge
向前开启时间
分钟。典型值。马克斯。单位
条件
D
MOSFET符号
––– ––– 209
展示
A
G
整体反转
––– ––– 840
S
p-n结二极管。
––– ––– 1.3
V
T
J
= 25 ° C，I
S
= 125A ，V
GS
= 0V
––– 140 210
ns
T
J
= 25 ° C，I
F
= 125A
880 --- 1320 NC的di / dt = 100A / μs的
固有的导通时间是可以忽略的（导通用L为主
S
+L
D
)
重复评价;脉冲宽度有限的
最大。结温。 （见图11）。
起始物为
J
= 25℃时，L = 0.25mH
R
G
= 25, I
AS
= 125A 。 （参见图12）。
I
SD
≤
125A ， di / dt的
≤
260A / μs的，V
DD
≤
V
（ BR ） DSS
,
T
J
≤
175°C
脉冲宽度
≤
400μS ;占空比
≤
2%.
C
OSS
EFF 。是一个固定的电容，赋予相同的充电时间
为C
OSS
而V
DS
上升，从0至80 ％的V
DSS
.
基于最大允许计算出的连续电流
结温。套餐限制电流为90A 。
限制T
JMAX
，参见图12a和12b ，15，16为典型的重复
雪崩性能。
2
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IRFP2907
1000
VGS
顶部
15V
10V
8.0V
7.0V
6.0V
5.5V
5.0V
BOTTOM 4.5V
1000
I
D
，漏极 - 源极电流（A ）
100
I
D
，漏极 - 源极电流（A ）
VGS
15V
10V
8.0V
7.0V
6.0V
5.5V
5.0V
BOTTOM 4.5V
顶部
100
4.5V
10
4.5V
1
0.1
20μs的脉冲宽度
T
J
= 25
°
C
1
10
100
10
0.1
20μs的脉冲宽度
T
J
= 175
°
C
1
10
100
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
图1 。
典型的输出特性
图2 。
典型的输出特性
1000
3.0
I
D
= 209A
R
DS （ ON）
，漏极 - 源极导通电阻
（归一化）
I
D
，漏极 - 源极电流（A ）
T
J
= 175
°
C
2.5
100
2.0
T
J
= 25
°
C
1.5
10
1.0
0.5
1
4.0
V DS = 25V
20μs的脉冲宽度
5.0
6.0
7.0
8.0
9.0
10.0
0.0
-60 -40 -20
V
GS
= 10V
0
20 40 60 80 100 120 140 160 180
V
GS
，栅 - 源极电压（ V）
T
J
，结温（
°
C)
图3 。
典型的传输特性
图4 。
归一化的导通电阻
与温度的关系
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3
PD - 93777
IRFC2907B
HEXFET
晶圆形式功率MOSFET模
经过100％测试，在探头
l
可在磁带和卷轴，芯片封装，
锯材在电影和凝胶包**
l
超低导通电阻
电气特性*
l
参数
V
（ BR ） DSS
R
DS （ ON） ***
V
GS （ TH）
I
DSS
I
GSS
T
J
T
英镑
描述
漏极至源极击穿电压
静态漏 - 源极导通电阻
栅极阈值电压
漏极至源极漏电流
栅极 - 源极漏电流
工作结
存储温度范围
D
G
S
75V
R
DS （ ON）
= 2.5m
（ TYP。） ***
6"晶圆
测试条件
V
GS
= 0V时，我
D
= 250A
V
GS
= 10V ，我
D
= 110A
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250A
V
DS
= 75V, V
GS
= 0V ，T
J
= 25°C
V
GS
= ±20V
民
典型值。
最大
75V
–––
–––
–––
2.5m
4.5m
2.0
–––
4.0V
–––
–––
20A
–––
–––
电流为200nA ±
-55°C至175 °C最大。
机械数据
标称背面金属组成，厚度：
标称正面金属组成，厚度：
尺寸：
晶圆直径：
晶圆厚度：
相关模具机械制图号码
最低街宽
拒绝墨点尺寸
推荐的存储环境：
推荐模具附加条件：
参考封装器件
CR - NIV-银（为1kA ° -2kA ° -5kA ° ）
100 ％的Al （ 0.008毫米）
0.257" X 0.360" [ 6.53毫米X 9.14毫米]
150毫米与100平
0.254 mm ± 0.025 mm
01-5403
0.107 mm
0.51毫米直径最小
储存于原装容器中，在dessicated
氮气，没有污染
为了获得最佳的电气结果，芯片粘接
温度不应超过300℃
IRFP2907
不ES ：
1. AL L梦诗离子为S HOWN轧机IMET ERS [英寸] 。
2. CONT ROL L ING梦诗ION： [英寸] 。
3.设T ER DES伊格纳特ION ：
S = S环境允许
G = GAT ê
S K = S环境允许KELVIN
IS =电流S ENS ê
＆ LT ; 0.635牛逼OLERANCE = + / - 0.013
＆ LT ; [ 0.0250 ] T， OLERANCE = + / - [ 0.0005 ]
＆ GT ; 0.635牛逼OLERANCE = + / - 0.025
＆ GT ; [ 0.0250 ] T， OLERANCE = + / - [ 0.0010 ]
＆ LT ; 1.270牛逼OLERANCE = + / - 0.102
< [ 0.050 ] T， OL差为= + / - [ 0.004 ]
＆ GT ; 1.270牛逼OLERANCE = + / - 0.203
> [ 0.050 ] T， OL差为= + / - [ 0.008 ]
E = EMITT ER
模具大纲
6.53
[.257]
4.梦诗有理牛逼OL ERANCES ：
B ONDING PADS ：
来源
来源
9.14
[.360]
宽度
＆放大器;
L ENGT
总体DIE ：
GAT ê
宽度
＆放大器;
L ENGT
0.508
[.020]
0.508
[.020]
5. UNL ES S OT HERWIS E不ED AL L裸片GEN III
*电气特性被报告为基准打包部分（见上文） ，并且不能保证在
死去的销售形式。在顾客的包装材料，尺寸和工艺的变化可能会影响性能参数。
**联系工厂对这些产品形式。
***典型
DS （ ON）
是的估计价值为裸模，实际结果将取决于客户的包装材料和
尺寸。
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1
10/4/00
QQ：2881677436 复制
