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HUF75939P3 , HUF75939S3ST
数据表
2001年12月
22A , 200V , 0.125 Ohm的N通道,
UltraFET功率MOSFET
包装
JEDEC TO- 220AB
来源
来源
(法兰)
特点
JEDEC TO- 263AB
(法兰)
超低导通电阻
r
DS ( ON)
= 0.125,
V
GS
= 10V
仿真模型
- 温度补偿的PSpice和SABER
电气模型
- 香料和SABER 热阻抗模型
www.fairchildsemi.com
HUF75939P3
HUF75939S3ST
峰值电流与脉冲宽度曲线
UIS额定值曲线
符号
D
订购信息
产品型号
HUF75939P3
TO-220AB
TO-263AB
BRAND
75939P
75939S
G
HUF75939S3ST
S
注:订货时,使用整个零件编号。
绝对最大额定值
T
C
= 25
o
C,除非另有规定编
HUF75939P3 , HUF75939S3ST
单位
V
V
V
A
A
200
200
±20
22
16
图4
图6,图14 , 15
180
1.2
-55至175
300
260
W
W/
o
C
o
C
o
C
o
C
漏源极电压(注1 ) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 V
DSS
漏极至栅极电压(R
GS
= 20kΩ时)(注1 ) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 V
DGR
门源电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 V
GS
漏电流
连续(T
C
= 25
o
C,V
GS
= 10V )(图2)。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。我
D
连续(T
C
= 100
o
C,V
GS
= 10V )(图2)。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。我
D
漏电流脉冲。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。我
DM
脉冲雪崩额定值。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 UIS
功耗。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 P
D
减免上述25
o
C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
工作和存储温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。牛逼
J
, T
英镑
最高温度焊接
信息在0.063in ( 1.6毫米)从案例10秒。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。牛逼
L
包体为10S ,请参见技术简介TB334 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。牛逼
PKG
注意:
1. T
J
= 25
o
C至150
o
C.
注意事项:
强调以上这些上市
“绝对
最大额定值“,可能对器件造成永久性损坏。这是一个应力只评级和操作
器件在这些或以上的本规范的业务部门所标明的任何其他条件不暗示。
2001仙童半导体公司
HUF75939P3 , HUF75939S3ST版本B
HUF75939P3 , HUF75939S3ST
电气规格
参数
OFF状态规格
漏源击穿电压
零栅极电压漏极电流
BV
DSS
I
DSS
I
D
= 250μA ,V
GS
= 0V (图11)
V
DS
= 190V, V
GS
= 0V
V
DS
= 180V, V
GS
= 0V ,T
C
= 150
o
C
门源漏电流
ON状态规格
门源阈值电压
漏极至源极导通电阻
热规格
热阻结到外壳
热阻结到
环境
R
θJC
R
θJA
的TO-220和TO- 263
-
-
-
-
0.83
62
o
C / W
o
C / W
T
C
= 25
o
C,除非另有规定编
符号
测试条件
典型值
最大
单位
200
-
-
-
-
-
-
-
-
1
250
±100
V
A
A
nA
I
GSS
V
GS
=
±20V
V
GS ( TH)
r
DS ( ON)
V
GS
= V
DS
, I
D
= 250μA (图10)
I
D
= 22A ,V
GS
= 10V (图9)
2
-
-
0.102
4
0.125
V
交换特定网络阳离子
(V
GS
= 10V)
开启时间
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
打开-O FF时间
栅极电荷规格
总栅极电荷
栅极电荷,在10V
阈值的栅极电荷
门源栅极电荷
栅漏“米勒”充电
电容规格
输入电容
输出电容
反向传输电容
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
V
DS
= 25V, V
GS
= 0V,
F = 1MHz的
(图12)
-
-
-
2200
400
120
-
-
-
pF
pF
pF
Q
G( TOT )
Q
g(10)
Q
G( TH )
Q
gs
Q
gd
V
GS
= 0V至20V
V
GS
= 0V至10V
V
GS
= 0V至2V
V
DD
= 100V,
I
D
= 22A,
I
G( REF )
= 1.0毫安
(图13 ,16, 17)的
-
-
-
-
-
117
64
5
9
24
152
83
7
-
-
nC
nC
nC
nC
nC
t
ON
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
t
关闭
V
DD
= 100V ,我
D
= 22A
V
GS
=
10V,
R
GS
= 4.7
(图18,19 )
-
-
-
-
-
-
-
12
26
65
33
-
57
-
-
-
-
147
ns
ns
ns
ns
ns
ns
源极到漏极二极管特定网络阳离子
参数
源极到漏极二极管电压
符号
V
SD
t
rr
Q
RR
I
SD
= 22A
I
SD
= 11A
反向恢复时间
反向恢复电荷
I
SD
= 22A ,二
SD
/ DT = 100A / μs的
I
SD
= 22A ,二
SD
/ DT = 100A / μs的
测试条件
-
-
-
-
典型值
-
-
-
-
最大
1.25
1.00
240
1500
单位
V
V
ns
nC
2001仙童半导体公司
HUF75939P3 , HUF75939S3ST版本B
HUF75939P3 , HUF75939S3ST
典型性能曲线
1.2
功耗乘法器
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0
0
25
I
D
,漏电流( A)
25
20
V
GS
= 10V
15
10
5
0
25
50
75
100
125
150
175
50
75
100
125
150
175
T
C
,外壳温度(
o
C)
T
C
,外壳温度(
o
C)
图1.归功耗与
外壳温度
图2.最大连续漏极电流VS
外壳温度
2
1
热阻抗
Z
θJC
归一化
占空比 - 降序排列
0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
P
DM
0.1
t
1
t
2
单脉冲
0.01
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
吨,矩形脉冲持续时间( S)
10
-1
注意事项:
DUTY因子:D = T
1
/t
2
PEAK牛逼
J
= P
DM
X Z
θJC
个R
θJC
+ T
C
10
0
10
1
图3.归一化最大瞬态热阻抗
300
I
DM
峰值电流( A)
100
T
C
= 25
o
C
对于温度
上述25
o
C减免PEAK
当前,如下所示:
I = I
25
V
GS
= 10V
175 - T
C
150
可能限流
在这个区域
10
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
T,脉冲宽度( S)
10
-1
10
0
10
1
图4.峰值电流容量
2001仙童半导体公司
HUF75939P3 , HUF75939S3ST版本B
HUF75939P3 , HUF75939S3ST
典型性能曲线
200
100
100s
I
D
,漏电流( A)
1ms
10ms
1
操作在此
区域可以
限于由R
DS ( ON)
0.1
1
10
100
300
V
DS
,漏源极电压( V)
单脉冲
T
J
=最大额定
T
C
= 25
o
C
I
AS
,雪崩电流( A)
(续)
100
10
起始物为
J
= 150
o
C
10
起始物为
J
= 25
o
C
如果R = 0
t
AV
= (L)(我
AS
) / ( 1.3 *额定BV
DSS
- V
DD
)
若R
0
t
AV
= ( L / R) LN [(我
AS
* R ) / ( 1.3 *额定BV
DSS
- V
DD
) +1]
1
0.001
0.01
0.1
1
10
t
AV
,一次雪崩(毫秒)
注:请参阅飞兆半导体应用笔记AN9321和AN9322 。
图5.正向偏置安全工作区
图6.松开电感式开关
能力
40
脉冲持续时间为80μs =
占空比= 0.5 % MAX
V
DD
= 15V
30
40
V
GS
= 10V
V
GS
= 5V
I
D
,漏电流( A)
30
V
GS
=4.5V
20
I
D,
漏电流( A)
20
T
J
= 175
o
C
10
T
J
= 25
o
C
0
2
3
4
5
6
V
GS
,门源电压( V)
T
J
= -55
o
C
10
脉冲持续时间为80μs =
占空比= 0.5 % MAX
T
C
= 25
o
C
0
0
1
2
3
4
5
6
V
DS
,漏源极电压( V)
图7.传热特性
图8.饱和特性
3.5
归一漏极至源极
抗性
3.0
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
V
GS
= 10V ,我
D
= 22A
0
-80
-40
0
40
80
120
160
200
脉冲持续时间为80μs =
占空比= 0.5 % MAX
归一化门
阈值电压
1.2
V
GS
= V
DS
, I
D
= 250A
1.0
0.8
0.6
-80
-40
0
40
80
120
160
200
T
J
,结温(
o
C)
T
J
,结温(
o
C)
图9.归一漏极至源极ON
电阻与结温
图10.归一化栅极阈值电压Vs
结温
2001仙童半导体公司
HUF75939P3 , HUF75939S3ST版本B
HUF75939P3 , HUF75939S3ST
典型性能曲线
1.3
I
D
= 250A
归一漏极至源极
击穿电压
1.2
C,电容(pF )
1000
C
国际空间站
= C
GS
+ C
GD
(续)
10000
V
GS
= 0V , F = 1MHz的
1.1
1.0
C
OSS
C
DS
+ C
GD
100
C
RSS
= C
GD
10
0.1
0.9
0.8
-80
-40
0
40
80
120
160
200
1
10
100 200
T
J
,结温(
o
C)
V
DS
,漏源极电压( V)
图11.归一漏极至源极击穿
电压Vs结温
10
V
GS
,门源电压( V)
V
DD
= 100V
8
图12.电容VS漏源极电压
6
4
任意波形
降序排列:
I
D
= 22A
I
D
= 5A
0
10
20
30
40
50
60
70
2
0
Q
g
,栅极电荷( NC)
注:请参阅飞兆半导体应用笔记AN7254和AN7260 。
图13.栅极电荷波形恒定的栅极电流
测试电路和波形
V
DS
t
P
L
I
AS
异吨
P
获得
所需的峰值I
AS
V
GS
DUT
t
P
0
0.01
t
AV
R
G
-
+
BV
DSS
V
DS
V
DD
V
DD
0V
I
AS
图14.松开能源利用检测电路
图15.松开能源波形
2001仙童半导体公司
HUF75939P3 , HUF75939S3ST版本B
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封装
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    电话:0755-82780082
    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    HUF75939S3ST
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2885741998 复制 点击这里给我发消息 QQ:2885742022 复制
电话:15112667855
联系人:谌小姐
地址:深圳市龙岗区横岗街道六约社区深峰路3号4E
HUF75939S3ST
INTERSIL
18+
15600
TO-263
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2881147140 复制

电话:0755-89697985
联系人:李
地址:深圳市龙岗区平湖街道平湖社区平安大道3号铁东物流区11栋1822
HUF75939S3ST
Fairchild Semiconductor
24+
10000
TO-263(D2PAK)
原厂一级代理,原装现货
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2881793588 复制

电话:0755-88291559
联系人:陈泽强
地址:深圳市福田区华强北深南中路2068号华能大厦23楼2312-2313-2318
HUF75939S3ST
FAIRCHILD/仙童
2443+
23000
SOT-263
一级代理专营,原装现货,价格优势
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2881501652 复制 点击这里给我发消息 QQ:2881501653 复制

电话:0755-83223003
联系人:朱
地址:福田区红荔路上步工业区201栋西座316
HUF75939S3ST
FSC
24+
8420
TO-263AB
全新原装现货,原厂代理。
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:1002316308 复制 点击这里给我发消息 QQ:515102657 复制
电话:0755-83777708/83777607/82799993
联系人:朱咸华
地址:美驻深办公室:深圳市福田区华强北上步工业区201栋4楼A18室/ 分公司:深圳华强北深纺大厦C座西7楼/ 市场部:华强北新亚洲电子市场3B047展销柜
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FAIRCHILD
25+23+
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QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2236823936 复制

电话:0755-82569753-32922817-36561078-801
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联系人:雷小姐
地址:深圳市福田区华强北街道华红社区红荔路3002号交行大厦一单元711
HUF75939S3ST
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电话:0755-/83218466/83200833
联系人:销售部
地址:深圳市罗湖区北站路1号中贸大厦402
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