【集成电路数据表对于一个完整的数据资料，也请下载：该IC04 LOCMOS HE4000B逻辑系列规格】,IC型号HEF4042BP,HEF4042BP PDF资料,HEF4042BP经销商,ic,电子元器件-51电子网

集成电路

数据表

对于一个完整的数据资料，也请下载：

该IC04 LOCMOS HE4000B逻辑

系列规格HEF ， HEC

该IC04 LOCMOS HE4000B逻辑

封装图/资料HEF ， HEC

HEF4042B

微星

四D锁存

产品speci fi cation

在集成电路， IC04文件

1995年1月

飞利浦半导体

产品speci fi cation

四D锁存

描述

该HEF4042B是具有四个数据输入4位锁存器（D

），四缓冲锁存器输出（O

与O

），四缓冲

互补锁存器输出（O

与O

）和两个公共

使能输入（E

与ê

）。 D上的信息

到D

转移到

与O

同时兼具ê

与ê

当前正在使用

同样的状态，无论是高还是低。

与O

遵循

只要双方é

与ê

保持在相同的状态。

当E

与ê

是不同的，D-

到D

不影响

而在锁存器中的信息被存储。

与O

总是澳补

与O

。该

异或输入结构允许的选择，要么

极性对于E

与ê

。有一个使能输入高电平时，

其他的使能输入为高电平有效;有一个使能输入

LOW ，其它的使能输入为低电平有效。

HEF4042B

微星

图2钢钉图。

HEF4042BP （ N）：

HEF4042BD （F ）：

HEF4042BT （D）：

16引脚DIL ;塑料

(SOT38-1)

16引脚DIL ;陶瓷（ CERDIP ）

(SOT74)

16引脚SO ;塑料

(SOT109-1)

（）：封装标识北美

钉扎

到D

与ê

与O

数据输入

使能输入

并行锁存器输出

互补并行锁存器输出

应用信息

为HEF4042B应用的一些实例是：

缓冲存储器

保持寄存器

系列数据，我

极限微星类

见家庭音响特定阳离子

图1的功能框图。

1995年1月

飞利浦半导体

产品speci fi cation

四D锁存

功能表

记

HEF4042B

微星

输出

LATCHED

1. H =高电平状态（更多的正电压）

L =低电平状态（不积极的电压）。

图3的逻辑图。

图4逻辑图（ 1锁存器）。

1995年1月

飞利浦半导体

产品speci fi cation

四D锁存

AC特性

= 0 V ;牛逼

AMB

= 25

°C;

= 50 pF的;输入转换时间

≤

20纳秒

传播延迟

→

O, O

前高后低

从低到高

→

O, O

前高后低

从低到高

输出转换

时

前高后低

从低到高

建立时间

→

保持时间

→

最小启用

脉冲宽度

HOLD

TLH

THL

120

PLH

PHL

PLH

PHL

130

120

190

175

260

105

245

105

符号

分钟。典型值。马克斯。

HEF4042B

微星

典型的外推

公式

67纳秒

（ 0,55 NS / PF ）C

28纳秒

（ 0,23 NS / PF ）C

22纳秒

（ 0.16纳秒/ PF ）C

57纳秒

（ 0,55 NS / PF ）C

28纳秒

（ 0,23 NS / PF ）C

22纳秒

（ 0.16纳秒/ PF ）C

102纳秒

（ 0,55 NS / PF ）C

38纳秒

（ 0,23 NS / PF ）C

27纳秒

（ 0.16纳秒/ PF ）C

92纳秒

（ 0,55 NS / PF ）C

38纳秒

（ 0,23 NS / PF ）C

27纳秒

（ 0.16纳秒/ PF ）C

10纳秒

（ 1,0 NS / PF ）C

9 NS

（ 0.42纳秒/ PF ）C

6纳秒

（ 0.28纳秒/ PF ）C

10纳秒

（ 1,0 NS / PF ）C

9 NS

（ 0.42纳秒/ PF ）C

6纳秒

（ 0.28纳秒/ PF ）C

又见波形

图5和图6

动态功耗

每消耗

包（P）的

典型公式P（ W）

3800 f

+ ∑

)

DD2

15 700 f

+ ∑

)

DD2

41 100 f

+ ∑

)

DD2

哪里

=输入频率。（兆赫）

=输出频率。（兆赫）

=负载电容（PF ）

∑

） =产出的总和

- 电源电压（ V）

1995年1月

飞利浦半导体

产品speci fi cation

四D锁存

HEF4042B

微星

无论是ê

或E

保持高电平或低电平，而另一个使能输入是脉冲作为

功能表显示。

图5显示波形的传播延迟为D钮O，具有锁存使能。

1995年1月

集成电路

数据表

对于一个完整的数据资料，也请下载：

该IC04 LOCMOS HE4000B逻辑

系列规格HEF ， HEC

该IC04 LOCMOS HE4000B逻辑

封装图/资料HEF ， HEC

HEF4042B

微星

四D锁存

产品speci fi cation

在集成电路， IC04文件

1995年1月

飞利浦半导体

产品speci fi cation

四D锁存

描述

该HEF4042B是具有四个数据输入4位锁存器（D

），四缓冲锁存器输出（O

与O

），四缓冲

互补锁存器输出（O

与O

）和两个公共

使能输入（E

与ê

）。 D上的信息

到D

转移到

与O

同时兼具ê

与ê

当前正在使用

同样的状态，无论是高还是低。

与O

遵循

只要双方é

与ê

保持在相同的状态。

当E

与ê

是不同的，D-

到D

不影响

而在锁存器中的信息被存储。

与O

总是澳补

与O

。该

异或输入结构允许的选择，要么

极性对于E

与ê

。有一个使能输入高电平时，

其他的使能输入为高电平有效;有一个使能输入

LOW ，其它的使能输入为低电平有效。

HEF4042B

微星

图2钢钉图。

HEF4042BP （ N）：

HEF4042BD （F ）：

HEF4042BT （D）：

16引脚DIL ;塑料

(SOT38-1)

16引脚DIL ;陶瓷（ CERDIP ）

(SOT74)

16引脚SO ;塑料

(SOT109-1)

（）：封装标识北美

钉扎

到D

与ê

与O

数据输入

使能输入

并行锁存器输出

互补并行锁存器输出

应用信息

为HEF4042B应用的一些实例是：

缓冲存储器

保持寄存器

系列数据，我

极限微星类

见家庭音响特定阳离子

图1的功能框图。

1995年1月

飞利浦半导体

产品speci fi cation

四D锁存

功能表

记

HEF4042B

微星

输出

LATCHED

1. H =高电平状态（更多的正电压）

L =低电平状态（不积极的电压）。

图3的逻辑图。

图4逻辑图（ 1锁存器）。

1995年1月

飞利浦半导体

产品speci fi cation

四D锁存

AC特性

= 0 V ;牛逼

AMB

= 25

°C;

= 50 pF的;输入转换时间

≤

20纳秒

传播延迟

→

O, O

前高后低

从低到高

→

O, O

前高后低

从低到高

输出转换

时

前高后低

从低到高

建立时间

→

保持时间

→

最小启用

脉冲宽度

HOLD

TLH

THL

120

PLH

PHL

PLH

PHL

130

120

190

175

260

105

245

105

符号

分钟。典型值。马克斯。

HEF4042B

微星

典型的外推

公式

67纳秒

（ 0,55 NS / PF ）C

28纳秒

（ 0,23 NS / PF ）C

22纳秒

（ 0.16纳秒/ PF ）C

57纳秒

（ 0,55 NS / PF ）C

28纳秒

（ 0,23 NS / PF ）C

22纳秒

（ 0.16纳秒/ PF ）C

102纳秒

（ 0,55 NS / PF ）C

38纳秒

（ 0,23 NS / PF ）C

27纳秒

（ 0.16纳秒/ PF ）C

92纳秒

（ 0,55 NS / PF ）C

38纳秒

（ 0,23 NS / PF ）C

27纳秒

（ 0.16纳秒/ PF ）C

10纳秒

（ 1,0 NS / PF ）C

9 NS

（ 0.42纳秒/ PF ）C

6纳秒

（ 0.28纳秒/ PF ）C

10纳秒

（ 1,0 NS / PF ）C

9 NS

（ 0.42纳秒/ PF ）C

6纳秒

（ 0.28纳秒/ PF ）C

又见波形

图5和图6

动态功耗

每消耗

包（P）的

典型公式P（ W）

3800 f

+ ∑

)

DD2

15 700 f

+ ∑

)

DD2

41 100 f

+ ∑

)

DD2

哪里

=输入频率。（兆赫）

=输出频率。（兆赫）

=负载电容（PF ）

∑

） =产出的总和

- 电源电压（ V）

1995年1月

飞利浦半导体

产品speci fi cation

四D锁存

HEF4042B

微星

无论是ê

或E

保持高电平或低电平，而另一个使能输入是脉冲作为

功能表显示。

图5显示波形的传播延迟为D钮O，具有锁存使能。

1995年1月