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HY628400A系列
512Kx8bit CMOS SRAM
描述
该HY628400A是一种高速,低功耗,
4M比特组织为524,288 CMOS SRAM
字由8位。该HY628400A采用现代的
高性能的双桶CMOS工艺
技术,并且被设计用于高速和
低功耗电路技术。它特别好地
适合于在高密度且低功耗的
系统的应用程序。此装置有一个数据
保留模式,保证数据保持
在最低的电源电压有效
2.0V.
产品
电压
速度
手术
(V)
(纳秒)
电流(mA )
HY628400A
5.0
55/70/85
10
注1.正常:正常温度
2.电流值最大。
特点
完全静态的操作和三态输出
TTL兼容的输入和输出
低功耗
备用电池(L / LL -部分)
- 2.0V (分)的数据保留
标准引脚配置
- 32引脚525mil SOP
- 32引脚400mil TSOP- II
(标准和反向)
待机电流( UA)
L
LL
100
30
温度
(°C)
0~70(Normal)
引脚连接
A18
A16
A14
A12
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
I/O1
I/O2
I/O3
VSS
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
VCC
A15
A17
/ WE
A13
A8
A9
A11
/ OE
A10
/ CS
I/O8
I/O7
I/O6
I/O5
I/O4
A18
A16
A14
A12
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
I/O1
I/O2
I/O3
VSS
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
VCC
A15
A17
/ WE
A13
A8
A9
A11
/ OE
A10
/ CS
I/O8
I/O7
I/O6
I/O5
I/O4
VCC
A15
A17
/ WE
A13
A8
A9
A11
/ OE
A10
/ CS
I/O8
I/O7
I/O6
I/O5
I/O4
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
A18
A16
A14
A12
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
I/O1
I/O2
I/O3
VSS
SOP
TSOP -II (标准)
TSOP -II (反向)
引脚说明
引脚名称
/ CS
/ WE
/ OE
A0 ~ A18
I / O1 I / O8
VCC
VSS
引脚功能
芯片选择
写使能
OUTPUT ENABLE
地址输入
数据输入/输出
Power(5.0V)
框图
A0
添加输入缓冲器
列解码器
SENSE AMP
行解码器
I/O1
输出缓冲器
I/O8
A18
控制
逻辑
/ CS
/ OE
/ WE
这份文件是一个普通的产品说明,如有变更,恕不另行通知。现代电子不承担任何
负责使用说明电路。没有专利许可。
Rev.0 /Jan.99
韩国现代半导体公司
写入驱动器
存储阵列
1024x4096
HY628400A系列
订购信息
产品型号
HY628400ALG
HY628400ALLG
HY628400ALT2
HY628400ALLT2
HY628400ALR2
HY628400ALLR2
速度
55/70/85
55/70/85
55/70/85
55/70/85
55/70/85
55/70/85
动力
L-部分
LL-部分
L-部分
LL-部分
L-部分
LL-部分
温度
SOP
SOP
TSOP -II (标准)
TSOP -II (标准)
TSOP -II (反向)
TSOP -II (反向)
绝对最大额定值( 1 )
符号
VCC ,V
IN,
V
OUT
T
A
T
英镑
P
D
T
SOLDER
参数
电源,输入/输出电压
工作温度
储存温度
功耗
引线焊接温度&时间
等级
-0.5 7.0
0到70
-65至125
1.0
260
10
单位
V
°C
°C
W
° C秒
备注
HY628400A
1.强调超过绝对最大额定值可能会导致永久性的
损坏设备。这是值仅为器件在这些功能操作或
超出本规范的操作指示的任何其他条件不暗示。
暴露在绝对最大额定值条件下长时间可能会影响可靠度。
建议的直流工作条件
T
A
=0
70
NORMAL)
to
(
符号
参数
VCC
电源电压
VSS
V
IH
输入高电压
V
IL
输入低电压
分钟。
4.5
0
2.2
-0.5
(1)
典型值。
5.0
0
-
-
马克斯。
5.5
0
Vcc+0.5
0.8
单位
V
V
V
V
注意:
1. V
IL
= -3.0V脉冲宽度小于30ns的
真值表
/CS1
H
L
L
L
/ WE
X
H
H
L
/ OE
X
H
L
X
模式
待机
输出禁用
I / O操作
高-Z
高-Z
数据输出
DATA IN
注意:
1. H = V
IH
中,L = V
IL
, X =无所谓
Rev.0/Jan99
2
HY628400A系列
DC电气特性
VCC = 5.0V
±
10%, T
A
= 0℃至70℃ (正常) ,除非另有说明
符号
参数
测试条件
I
LI
I
LO
ICC
I
CC1
输入漏电流
输出漏电流
工作电源
当前
平均工作电流
VSS < V
IN
& LT ; VCC
VSS < V
OUT
& LT ; VCC , / CS = V
IH
or
or
/
OE
=
V
IH
或/ WE = V
IL
/ CS = V
IL
,
V
IN
= V
IH
或V
白细胞介素,
I
I / O =
0mA
/ CS = V
IL
最小占空比= 100 % ,我
I / O =
0Ma
/ CS = V
IH
/ CS& GT ; VCC - 0.2V
I
OL
= 2.1毫安
I
OH =
-1Ma
L
LL
.
-1
-1
-
-
典型值
.
-
-
5
50
最大
.
1
1
10
80
单位
uA
uA
mA
mA
I
SB
I
SB1
V
OL
V
OH
TTL待机电流
( TTL输入)
待机电流HY628400A
( CMOS输入)
输出低电压
输出高电压
-
-
-
-
2.4
0.4
-
-
-
-
2
100
30
0.4
-
mA
uA
uA
V
V
注:典型值是在Vcc = 5.0V ,T
A
= 25°C
AC特性
VCC = 5.0V
±
10%, T
A
= 0℃至70℃ (正常) ,除非另有说明
-55
-70
#符号
参数
分钟。
MAX 。 MIN 。
马克斯。
读周期
1
TRC
读周期时间
55
-
70
-
2
TAA
地址访问时间
-
55
-
70
3
TACS
芯片选择访问时间
-
55
-
70
4
TOE
输出使能到输出有效
-
25
-
35
5
TCLZ
片选到输出中低Z
10
-
10
-
6
TOLZ
输出使能到输出中低Z
5
-
5
-
7
TCHZ
芯片取消选择到输出中高Z
0
20
0
25
8
tOHZ
输出禁用到输出中高Z
0
20
0
25
9
TOH
从地址变更输出保持
10
-
10
-
写周期
10 TWC
写周期时间
55
-
70
-
11 TCW
芯片的选择要写入的结束
45
-
60
-
12 TAW
地址有效到写结束
45
-
60
-
13 TAS
地址建立时间
0
-
0
-
14 TWP
把脉冲宽度
40
-
50
-
15 TWR
写恢复时间
0
-
0
-
16 tWHZ
写在高Z输出
0
20
0
25
17 TDW
数据写入时间重叠
25
-
30
-
18 TDH
从时间写数据保持
0
-
0
-
19 TOW
输出写入结束活动
5
-
5
-
-85
马克斯。
85
-
-
-
10
5
0
0
10
85
70
70
0
55
0
0
35
0
5
-
85
85
45
-
-
30
30
-
-
-
-
-
-
-
30
-
-
-
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
Rev.0/Jan99
3
HY628400A系列
AC测试条件
T
A
= 0℃至70℃ (正常) ,除非另有说明
参数
价值
输入脉冲电平
0.8V至2.4V
输入上升和下降时间
5ns
输入和输出时序参考电平
1.5V
输出负载
CL = 100pF电容+ 1TTL负荷
AC测试负载
TTL
CL(1)
注:包括夹具和范围电容
电容
温度= 25 ° C,F = 1.0MHz的
符号
参数
C
IN
输入电容
C
OUT
输出电容
条件
V
IN
= 0V
V
I / O
= 0V
马克斯。
6
8
单位
pF
pF
注:该参数进行采样,并没有100 %测试
Rev.0/Jan99
4
HY628400A系列
时序图
读周期1
TRC
ADDR
TAA
OE
TOE
TOLZ
CS
TACS
TCLZ
数据
OUT
高-Z
数据有效
tOHZ
TCHZ
TOH
注(读周期) :
1. tCHZ均与tOHZ被定义为时间,让输出达到开路条件,并且
未参照的输出电压电平
2.在任何给定的温度和电压条件下, tCHZ均最大。小于tCLZ分钟。无论对于一个给定的
设备和从设备到设备。
3. / WE为高电平的读出周期。
读周期2
TRC
ADDR
TAA
TOH
数据
OUT
以前的数据
数据有效
TOH
注(读周期) :
1. / WE为高电平的读出周期。
2.设备不断选择/ CS = V
IL
3 / OE = V
IL
.
Rev.0/Jan99
5
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