HMC423MS8
/
423MS8E
v02.0705
砷化镓MMIC混频器瓦特/综合
LO放大器, 0.6 - 1.3 GHz的
典型应用
该HMC423MS8 / HMC423MS8E是理想的:
基站
便携式无线
CATV / DBS
特点
集成LO放大器W / PDISS <50毫瓦
变频损耗/噪声系数: 8分贝
低LO驱动: 0 dBm的
输入IP3 : +15 dBm的
单正电源: 3V , 15毫安
9
调音台 - DBL - BAL - SMT
ISM
工作原理图
概述
该HMC423MS8 & HMC423MS8E是双重的天平
高级混频器IC集成了LO放大器。这
混频器可以作为上变频器或downcon-操作
变频器0.6 GHz和1.3 GHz之间的。与英特
磨碎的LO放大器,混频器需要LO驱动
只有0 dBm的水平,需要从只15毫安
单阳性+ 3V轨道。该混频器具有转换8分贝
锡永损失, 8 dBm的P1dB为输入和输入第三
+15 dBm的三阶截取点为1.3 GHz的。
电气电源规格,
T
A
= +25° C
参数
分钟。
频率范围, RF & LO
频率范围,中频
转换损耗
噪声系数( SSB )
LO至RF隔离
LO至IF隔离
RF至IF隔离
IP3 (输入)
1 dB压缩( IDD)
电源电流( IDD)
25
15
12
13
6.5
IF = 100 MHz的
LO = 0 dBm时, VDD = 3V
典型值。
0.6 - 1.3
DC - 0.4
8
8
35
25
20
15
8
15
11
11
马克斯。
GHz的
GHz的
dB
dB
dB
dB
dB
DBM
DBM
mA
单位
*除另有说明外,所有的测量值进行的下变频器,中频= 100兆赫。
9 - 278
对于价格,交货,并下订单,请与赫梯Microwave公司:
20阿尔法路,切姆斯福德,MA 01824电话: 978-250-3343传真: 978-250-3373
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HMC423MS8
/
423MS8E
v02.0705
砷化镓MMIC混频器瓦特/综合
LO放大器, 0.6 - 1.3 GHz的
转换增益与
温度@ LO = 0 dBm的
0
隔离@ LO = 0 dBm的
0
射频/中频
LO / RF
LO / IF
转换增益(dB )
-10
-5
隔离度(dB )
-20
-10
-30
-15
+25 C
-40 C
+85 C
9
0.6
0.8
1
1.2
1.4
1.6
频率(GHz )
-40
-20
0.4
0.6
0.8
1
1.2
1.4
1.6
-50
0.4
频率(GHz )
转换增益与LO驱动
0
回波损耗@ LO = 0 dBm的
0
转换增益(dB )
-5
回波损耗(分贝)
-5
LO
RF
-10
-10
-15
-15
-4 dBm的
-2 dBm的
0 dBm的
+2 dBm的
+4 dBm的
-20
-20
0.4
0.6
0.8
1
1.2
1.4
1.6
-25
0.5
1
1.5
2
频率(GHz )
频率(GHz )
转换增益与Vdd的@ LO = 0 dBm的
0
中频带宽@ LO = 0 dBm的
0
-5
转换增益(dB )
-5
响应( dB)的
-10
-15
-20
-25
-30
0.6
0.8
1
1.2
1.4
1.6
0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
频率(GHz )
频率(GHz )
转换增益
回波损耗
-10
-15
+2.7V
+3.0V
+3.3V
+5.0V
-20
0.4
对于价格,交货,并下订单,请与赫梯Microwave公司:
20阿尔法路,切姆斯福德,MA 01824电话: 978-250-3343传真: 978-250-3373
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9 - 279
调音台 - DBL - BAL - SMT
HMC423MS8
/
423MS8E
v02.0705
砷化镓MMIC混频器瓦特/综合
LO放大器, 0.6 - 1.3 GHz的
输入P1dB的对比
温度@ LO = 0 dBm的
15
14
上变频器性能
转换增益@ LO = 0 dBm的
0
转换增益(dB )
13
-5
输入P1dB的( DBM)
12
11
10
9
8
7
6
+25 C
-40 C
+85 C
-10
9
调音台 - DBL - BAL - SMT
-15
-20
0.4
0.6
0.8
1
1.2
1.4
1.6
5
0.6
0.8
1
1.2
1.4
1.6
频率(GHz )
频率(GHz )
输入IP3主场迎战LO驱动器*
20
输入IP3主场迎战
温度@ LO = 0 dBm的*
20
18
输入IP3 ( dBm的)
输入IP3 ( dBm的)
LO = -2 dBm的
LO = 0 dBm的
LO = 2 dBm的
18
16
16
14
14
+25 C
-40 C
+85 C
12
12
10
0.6
0.7
0.8
0.9
1
1.1
1.2
1.3
10
0.6
0.7
0.8
0.9
1
1.1
1.2
1.3
频率(GHz )
频率(GHz )
MXN虚假@ IF端口
非线性光学
MRF
0
1
2
3
4
0
XX
12
70
>92
>92
1
5
0
61
89
>92
2
25
31
70
87
>92
3
27
45
49
73
>92
4
26
57
78
77
>92
LO谐波
非线性光学马刺@ RF端口
LO频率。 (千兆赫)
0.7
0.85
1
1.15
1.3
1.45
1
30
34
38
40
42
39
2
15
16
19
22
26
31
3
42
50
48
54
44
50
4
40
42
52
58
59
60
RF = 1.0 GHz的@ -10 dBm的
LO = 0.9 GHz的@ 0 dBm的
在dBc的所有值相对于中频。
测量下变频器。
LO = 0 dBm的
在dBc的所有值低于LO输入电平@ RF端口。
*双音输入功率= 0 dBm的每一个音调, 1 MHz的间距。
9 - 280
对于价格,交货,并下订单,请与赫梯Microwave公司:
20阿尔法路,切姆斯福德,MA 01824电话: 978-250-3343传真: 978-250-3373
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HMC423MS8
/
423MS8E
v02.0705
砷化镓MMIC混频器瓦特/综合
LO放大器, 0.6 - 1.3 GHz的
绝对最大额定值
RF / IF输入(VDD = + 3V )
LO驱动( VDD = + 3V )
VDD
中频直流电流
通道温度( Tc)的
连续PDISS (T = 85°C )
(降容4.8毫瓦/ ° C以上85℃ )
储存温度
工作温度
+13 dBm的
+13 dBm的
+7伏
= 18毫安
150 °C
0.32 W
-65至+150°C
-40至+85 C
静电敏感器件
观察处理注意事项
9
调音台 - DBL - BAL - SMT
注意事项:
1.引线框架材料:铜合金
2.尺寸单位:英寸[毫米]为
3.尺寸不包括为0.15mm每边MOLDFLASH 。
4.尺寸不包括为0.25mm每边MOLDFLASH 。
5.所有接地导线必须焊接到PCB RF地面。
外形绘图
包装信息
产品型号
HMC423MS8
HMC423MS8E
包主体材料
低应力注塑成型塑料
符合RoHS标准的低应力注塑塑料
无铅封装
锡/铅焊料
100 %雾锡
MSL等级
MSL1
MSL1
[1]
包装标志
[3]
H423
XXXX
H423
XXXX
[2]
[1 ]最大峰值回流焊235 ° C的温度
[ 2 ]最大峰值回流焊260 ° C的温度
[ 3 ] 4位数的批号XXXX
对于价格,交货,并下订单,请与赫梯Microwave公司:
20阿尔法路,切姆斯福德,MA 01824电话: 978-250-3343传真: 978-250-3373
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9 - 281
HMC423MS8
/
423MS8E
v02.0705
砷化镓MMIC混频器瓦特/综合
LO放大器, 0.6 - 1.3 GHz的
引脚说明
引脚数
功能
描述
接口示意图
1
LO
该引脚交流耦合和匹配到50欧姆
0.6 - 1.3 GHz的。
9
调音台 - DBL - BAL - SMT
2, 3, 6, 7
GND
引脚必须连接到RF地。
4
VDD
电源为LO放大器。一个外部射频旁路
电容器(10,000 pF)时是必需的。
5
IF
该引脚的直流耦合。如果不需要操作
重刑DC ,这个端口应该是DC阻断外部使用
串联电容,其数值已被选通的
必要的IF频率范围。对于操作DC,该引脚
绝不能拉/灌电流超过18 mA或死无
功能和可能的模具失效将导致。
8
RF
该引脚DC耦合和匹配到50欧姆
0.6 - 1.3 GHz的
应用电路
C1
L1
万pF的
4.7 nH的
9 - 282
对于价格,交货,并下订单,请与赫梯Microwave公司:
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微波公司
v01.0603
HMC423MS8
砷化镓MMIC混频器瓦特/综合
LO放大器, 0.6 - 1.3 GHz的
特点
集成LO放大器尔W / PDISS <50毫瓦
变频损耗/噪声系数: 8.0分贝
低LO驱动: 0 dBm的
输入IP3 : +15 dBm的
单正电源: 3V , 15毫安
典型应用
该HMC423MS8是理想的:
基站
便携式无线
CATV / DBS
ISM
工作原理图
概述
该HMC423MS8是一个双平衡混频器
集成电路与集成LO放大器呃。该混频器
可以作为上变频器和下变频器操作
0.6 GHz和1.3 GHz的。与英特
磨碎的LO放大器器,混频器需要LO
驱动的只是为0 dBm电平,并且只需要15毫安
从单一的正极+ 3V轨。该混频器具有8
dB的转换损耗, +8 dBm的输入P1dB为
和+15的输入三阶截点
dBm的1.3 GHz的。
12
调音台 - SMT
电气连接特定的阳离子,
T
A
= +25° C
参数
分钟。
频率范围, RF & LO
频率范围,中频
转换损耗
噪声系数( SSB )
LO至RF隔离
LO至IF隔离
RF至IF隔离
IP3 (输入)
1 dB压缩( IDD)
电源电流( IDD)
25
15
12
13
6.5
IF = 100 MHz的
LO = 0 dBm时, VDD = 3V
典型值。
0.6 - 1.3
DC - 0.4
8
8
35
25
20
15
8
15
11
11
马克斯。
GHz的
GHz的
dB
dB
dB
dB
dB
DBM
DBM
mA
单位
*除另有说明外,所有的测量值进行的下变频器,中频= 100兆赫。
12 - 264
对于价格,交货,并下订单,请与赫梯Microwave公司:
12伊丽莎白车道,切姆斯福德,MA 01824电话: 978-250-3343传真: 978-250-3373
网上www.hittite.com订单
微波公司
v01.0603
HMC423MS8
砷化镓MMIC混频器瓦特/综合
LO放大器, 0.6 - 1.3 GHz的
转换增益与
温度@ LO = 0 dBm的
0
+25 C
-40 C
+85 C
隔离@ LO = 0 dBm的
0
-5
-10
射频/中频
LO / RF
LO / IF
转换增益(dB )
-5
隔离度(dB )
-15
-20
-25
-30
-35
-40
-45
-10
-15
-20
0.4
0.6
0.8
1
1.2
1.4
1.6
-50
0.4
0.6
0.8
1
1.2
1.4
1.6
频率(GHz )
频率(GHz )
12
调音台 - SMT
转换增益与LO驱动
0
LO = -4 dBm的
LO = -2 dBm的
LO = 0 dBm的
LO = 2 dBm的
LO = +4 dBm的
回波损耗@ LO = 0 dBm的
0
转换增益(dB )
-5
回波损耗(分贝)
-5
-10
-10
-15
-15
-20
LO
RF
-20
0.4
0.6
0.8
1
1.2
1.4
1.6
-25
0.5
1
1.5
2
频率(GHz )
频率(GHz )
转换增益与Vdd的@ LO = 0 dBm的
0
+2.7V
+3.0V
+3.3V
+5.0V
中频带宽@ LO = 0 dBm的
0
-5
转换增益(dB )
-5
响应( dB)的
-10
-15
-20
-25
转换增益
回波损耗
-10
-15
-20
0.4
-30
0.6
0.8
1
1.2
1.4
1.6
0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
频率(GHz )
频率(GHz )
对于价格,交货,并下订单,请与赫梯Microwave公司:
12伊丽莎白车道,切姆斯福德,MA 01824电话: 978-250-3343传真: 978-250-3373
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12 - 265
微波公司
v01.0603
HMC423MS8
砷化镓MMIC混频器瓦特/综合
LO放大器, 0.6 - 1.3 GHz的
上变频器性能
转换增益@ LO = 0 dBm的
0
输入P1dB的对比
温度@ LO = 0 dBm的
15
14
+25 C
-40 C
+85 C
转换增益(dB )
13
输入P1dB的( DBM)
-5
12
11
10
9
8
7
6
-10
-15
12
调音台 - SMT
-20
0.4
0.6
0.8
1
1.2
1.4
1.6
5
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1
1.1
1.2
1.3
1.4
1.5
1.6
频率(GHz )
频率(GHz )
输入IP3主场迎战LO驱动器*
20
19
18
输入IP3主场迎战
温度@ LO = 0 dBm的*
20
19
18
输入IP3 ( dBm的)
输入IP3 ( dBm的)
17
16
15
14
13
12
11
10
0.6
0.7
LO = -2 dBm的
LO = 0 dBm的
LO = 2 dBm的
17
16
15
14
13
12
11
10
0.6
0.7
0.8
0.9
1
1.1
1.2
1.3
+25 C
-40 C
+85 C
0.8
0.9
1
1.1
1.2
1.3
频率(GHz )
频率(GHz )
MXN虚假@ IF端口
非线性光学
MRF
0
1
2
3
4
0
XX
12
70
>92
>92
1
5
0
61
89
>92
2
25
31
70
87
>92
3
27
45
49
73
>92
4
26
57
78
77
>92
LO谐波
非线性光学马刺@ RF端口
LO频率。 (千兆赫)
0.7
0.85
1
1.15
1.3
1.45
1
30
34
38
40
42
39
2
15
16
19
22
26
31
3
42
50
48
54
44
50
4
40
42
52
58
59
60
RF = 1.0 GHz的@ -10 dBm的
LO = 0.9 GHz的@ 0 dBm的
在dBc的所有值相对于中频。
测量下变频器。
LO = 0 dBm的
在dBc的所有值低于LO输入电平@ RF端口。
*双音输入功率= 0 dBm的每一个音调, 1 MHz的间距。
对于价格,交货,并下订单,请与赫梯Microwave公司:
12伊丽莎白车道,切姆斯福德,MA 01824电话: 978-250-3343传真: 978-250-3373
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12 - 266
微波公司
v01.0603
HMC423MS8
砷化镓MMIC混频器瓦特/综合
LO放大器, 0.6 - 1.3 GHz的
绝对最大额定值
RF / IF输入(VDD = + 3V )
LO驱动( VDD = + 3V )
VDD
中频直流电流
通道温度( Tc)的
连续PDISS (T = 85°C )
(降容4.8毫瓦/ ° C以上85℃ )
储存温度
工作温度
+13 dBm的
+13 dBm的
+7伏
= 18毫安
150 °C
0.32 W
-65至+150°C
-40至+85 C
12
调音台 - SMT
注意事项:
1.包装体材质:低应力注塑成型
塑料二氧化硅和硅浸渍。
2.引线框架材料:铜合金
3.电镀引脚框:锡/铅焊接
4.尺寸单位:英寸[毫米]为单位。
5.尺寸不包括为0.15mm每边MOLDFLASH 。
6.尺寸不包括为0.25mm每边MOLDFLASH 。
7.所有接地导线必须焊接到PCB RF地面。
外形绘图
对于价格,交货,并下订单,请与赫梯Microwave公司:
12伊丽莎白车道,切姆斯福德,MA 01824电话: 978-250-3343传真: 978-250-3373
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12 - 267
微波公司
v01.0603
HMC423MS8
砷化镓MMIC混频器瓦特/综合
LO放大器, 0.6 - 1.3 GHz的
引脚说明
引脚数
功能
描述
接口示意图
1
LO端口
该引脚交流耦合和匹配到50欧姆
0.6 - 1.3 GHz的。
2, 3, 6, 7
GND
引脚必须连接到RF地。
12
4
VDD
调音台 - SMT
电源为LO放大器呃。一个外部射频旁路
电容器(10,000 pF)时是必需的。
5
如果port
该引脚的直流耦合。如果不需要操作
以DC ,这个端口应该是DC阻断外部采用了一系列
电容,其值已经选择通过neces-
萨利IF频率范围。对于操作DC ,该引脚不得
源出/吸入电流超过18 mA或死于非功能
可能的模具失效将导致。
8
RF端口
该引脚DC耦合和匹配到50欧姆
0.6 - 1.3 GHz的
应用电路
C1
L1
万pF的
4.7 nH的
12 - 268
对于价格,交货,并下订单,请与赫梯Microwave公司:
12伊丽莎白车道,切姆斯福德,MA 01824电话: 978-250-3343传真: 978-250-3373
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