初步
数据表
HITK0204MP
硅N沟道MOS FET
电源开关
特点
低导通电阻
R
DS ( ON)
= 100 m典型值(V
GS
= 4.5 V,I
D
= 1.2 A)
低驱动电流
高速开关
2.5 V门极驱动
R07DS0482EJ0100
Rev.1.00
2011年6月22日
概要
瑞萨封装代码: PLSP0003ZB -A
(包名称: MPAK )
3
D
3
2
1
2
S
1
G
1.源
2.门
3.排水
注意:
标记为“ TG ” 。
绝对最大额定值
( TA = 25°C )
项
漏源极电压
栅极至源极电压
漏电流
漏电流峰值
体 - 漏二极管的反向漏电流
散热通道
通道温度
储存温度
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
I
D(脉冲)注1
I
DR
PCH
Note2
总胆固醇
TSTG
评级
20
12
2.3
8.0
2.3
0.8
150
-55到+150
单位
V
V
A
A
A
W
C
C
注意事项: 1, PW
10
s,
占空比
1%
2.当使用玻璃环氧基板(FR-4 : 40 ×40 ×1mm)上
R07DS0482EJ0100 Rev.1.00
2011年6月22日
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