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初步
数据表
HITK0204MP
硅N沟道MOS FET
电源开关
特点
低导通电阻
R
DS ( ON)
= 100 m典型值(V
GS
= 4.5 V,I
D
= 1.2 A)
低驱动电流
高速开关
2.5 V门极驱动
R07DS0482EJ0100
Rev.1.00
2011年6月22日
概要
瑞萨封装代码: PLSP0003ZB -A
(包名称: MPAK )
3
D
3
2
1
2
S
1
G
1.源
2.门
3.排水
注意:
标记为“ TG ” 。
绝对最大额定值
( TA = 25°C )
漏源极电压
栅极至源极电压
漏电流
漏电流峰值
体 - 漏二极管的反向漏电流
散热通道
通道温度
储存温度
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
I
D(脉冲)注1
I
DR
PCH
Note2
总胆固醇
TSTG
评级
20
12
2.3
8.0
2.3
0.8
150
-55到+150
单位
V
V
A
A
A
W
C
C
注意事项: 1, PW
10
s,
占空比
1%
2.当使用玻璃环氧基板(FR-4 : 40 ×40 ×1mm)上
R07DS0482EJ0100 Rev.1.00
2011年6月22日
第1页6
HITK0204MP
初步
电气特性
( TA = 25°C )
漏源击穿电压
栅源击穿电压
门源漏电流
漏极至源极漏电流
门源截止电压
漏极至源极导通电阻
正向转移导纳
输入电容
输出电容
反向传输电容
打开 - 延迟时间
上升时间
打开 - 关闭延迟时间
下降时间
总栅极电荷
门源费
栅漏电荷
身体 - 漏极二极管的正向电压
注: 3.脉冲测试
符号
V
( BR ) DSS
V
( BR ) GSS
I
GSS
I
DSS
V
GS ( OFF )
R
DS ( ON)
R
DS ( ON)
|y
fs
|
西塞
科斯
CRSS
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
Qg
QGS
QGD
V
DF
20
12
0.4
1.5
典型值
100
146
3.0
127
33
14
11
28
24
7
1.5
0.3
0.4
0.85
最大
10
1
1.4
130
204
1.1
单位
V
V
A
A
V
m
m
S
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
V
测试条件
I
D
= 10 mA时, V
GS
= 0
I
G
=
100 A,
V
DS
= 0
V
GS
=
10
V, V
DS
= 0
V
DS
= 20 V, V
GS
= 0
V
DS
= 10 V,I
D
= 1毫安
I
D
= 1.2 A,V
GS
= 4.5 V
Note3
I
D
= 1.2 A,V
GS
= 2.5 V
Note3
I
D
= 1.2 A,V
DS
= 10 V
Note3
V
DS
= 10 V
V
GS
= 0
F = 1 MHz的
I
D
= 1.2 A
V
GS
= 10 V
R
L
= 8.3
RG = 4.7
V
DD
= 10 V
V
GS
= 5 V
I
D
= 2.3 A
I
F
= 2.3 A,V
GS
= 0
Note3
R07DS0482EJ0100 Rev.1.00
2011年6月22日
第2 6
HITK0204MP
初步
主要特点
最大信道功率
耗散曲线
1
100
在这一领域
由R有限公司
DS ( ON)
最高安全工作区
通道耗散P沟(W)的
漏电流I
D
(A)
0.8
10
1
m
10
0
10
μ
s
0.6
s
PW
m
s
1
D
=
C
0
10
0.4
O
pe
s
m
ra
TIO
0.2
0
0.1
TA = 25°C
1次脉冲
n
0
50
100
150
0.01
0.01
0.1
1
10
100
环境温度Ta (C )
*当使用玻璃环氧基板(FR-4 : 40
×
40
×
1 mm)
漏极至源极电压V
DS
(V)
典型的输出特性
8
10 V
7V
5V
脉冲测试
TC = 25
°
C
典型的传输特性
(1)
8
V
DS
= 10 V
脉冲测试
25°C
3.0 V
漏电流I
D
(A)
6
漏电流I
D
(A)
2.8 V
2.6 V
2.4 V
2.2 V
2.0 V
3.2 V
3.4 V
5V
6
TC = -25°C
75°C
4
4
2
1.8 V
1.6 V
2
0
V
GS
= 0 V
0
2
4
6
8
10
0
0
1
2
3
4
5
漏极至源极电压V
DS
(V)
栅极至源极电压V
GS
(V)
门源截止电压主场迎战
典型的传输特性
(2)
1
V
DS
= 10 V
脉冲测试
外壳温度
门源截止电压
V
GS ( OFF )
(V)
1.5
V
DS
= 10 V
脉冲测试
I
D
= 10毫安
1.0
漏电流I
D
(A)
0.1
TC = 75℃
0.01
25°C
0.5
1毫安
0.1毫安
0.001
–25°C
0.0001
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
0
–25
0
25
50
75
100 125 150
栅极至源极电压V
GS
(V)
壳温度( ° C)
R07DS0482EJ0100 Rev.1.00
2011年6月22日
第3页6
HITK0204MP
漏极至源极饱和电压
V
DS ( ON)
(毫伏)
漏极至源极饱和电压与
栅极至源极电压
500
初步
静态漏极至源极通态电阻
与漏电流
漏极至源极导通电阻
R
DS ( ON)
(m
Ω
)
脉冲测试
TC = 25°C
1000
脉冲测试
TC = 25°C
400
300
2.3 A
1.2 A
0.8 A
V
GS
= 2.5 V
100
4.5 V
10 V
200
100
0.5 A
0
0
2
4
6
8
10
10
0.1
1
10
栅极至源极电压
V
GS
(V)
静态漏极至源极通态电阻
与外壳温度
漏电流
I
D
(A)
静态漏极至源极通态电阻
与外壳温度
漏极至源极导通电阻
R
DS ( ON)
(m
Ω
)
漏极至源极导通电阻
R
DS ( ON)
(m
Ω
)
300
I
D
= 2.3 A
1.2 A
200
200
脉冲测试
V
GS
= 4.5 V
I
D
= 2.3 A
150
1.2 A
250
150
0.5 A
100
50
–25
0.8 A
100
0.5 A
0.8 A
脉冲测试
V
GS
=
2
.5 V
0
25
50
75
100 125 150
50
–25
0
25
50
75
100 125 150
外壳温度
TC (
°
C)
外壳温度
TC (
°
C)
零栅极电压漏极电流与
外壳温度
10000
脉冲测试
V
GS
= 0 V
1000 V
DS
= 20 V
100
正向转移导纳
| YFS | ( S)
10
脉冲测试
V
DS
= 10 V
–25°C
1
25°C
TC = 75℃
0.1
零栅极电压漏极电流
I
DSS
( nA的)
正向转移导纳主场迎战
漏电流
10
1
0.1
–25
0.01
0.01
0.1
1
10
0
25
50
75
100 125 150
漏电流
I
D
(A)
外壳温度
TC (
°
C)
R07DS0482EJ0100 Rev.1.00
2011年6月22日
第4 6
HITK0204MP
动态输入特性
漏极至源极电压V
DS
(V)
栅极至源极电压V
GS
(V)
40
16
1000
初步
开关特性
V
DD
= 10 V
V
GS
= 4.5 V
RG = 4.7
Ω
PW = 5
μs
TC = 25°C
tr
30
12
10 V
5V
20
V
DD
= 20 V
10 V
10
5V
V
DS
0
1
2
I
D
= 2.3 A
TC = 25°C
3
4
0
4
V
GS
8
开关时间
T( NS )
V
DD
= 20 V
100
TD (关闭)
10
TD (上)
tf
0
1
0.1
1
10
栅极电荷Qg ( NC )
漏电流
I
D
(A)
典型的电容比。
漏源极电压
1000
250
240
输入电容与
栅极至源极电压
西塞,科斯,的Crss (PF )
西塞
100
科斯
CRSS
10
V
GS
= 0 V
F = 1 MHz的
230
西塞(PF )
220
210
200
190
180
170
V
DS
= 0 V
F = 1 MHz的
0
2
4
6
8
10
1
0
5
10
15
20
10
8
6
4
2
漏源极电压
V
DS
(V)
反向漏电流 -
源极到漏极电压
8
栅极至源极电压V
GS
(V)
体漏二极管的正向电压 -
外壳温度
0.7
V
GS
= 0
0.6
0.5
I
D
= 10毫安
0.4
0.3
0.2
0.1
25
1毫安
反向漏电流I
DR
(A)
10 V
6
5V
脉冲测试
TC = 25°C
4
2
–5, –10 V
0
0
V
GS
= 0 V
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
体漏二极管的正向电压V
SDF
(V)
50
75
100
125
150
源极到漏极电压V
SD
(V)
壳温度( ° C)
R07DS0482EJ0100 Rev.1.00
2011年6月22日
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    电话:0755-82780082
    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    HITK0204MP
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电话:010-62962871、62104931、 62106431、62104891、62104791
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联系人:朱咸华
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