【初步数据表HITK0204MP硅N沟道MOS FET电源开关特点低导通电阻RDS （ ON）= 10】,IC型号HITK0204MP,HITK0204MP PDF资料,HITK0204MP经销商,ic,电子元器件-51电子网

初步

数据表

HITK0204MP

硅N沟道MOS FET

电源开关

特点

低导通电阻

DS （ ON）

= 100 m典型值（V

= 4.5 V，I

= 1.2 A)

低驱动电流

高速开关

2.5 V门极驱动

R07DS0482EJ0100

Rev.1.00

2011年6月22日

概要

瑞萨封装代码： PLSP0003ZB -A

（包名称： MPAK ）

1.源

2.门

3.排水

注意：

标记为“ TG ” 。

绝对最大额定值

（ TA = 25°C ）

项

漏源极电压

栅极至源极电压

漏电流

漏电流峰值

体 - 漏二极管的反向漏电流

散热通道

通道温度

储存温度

符号

DSS

GSS

D（脉冲）注1

PCH

Note2

总胆固醇

TSTG

评级

2.3

8.0

2.3

0.8

150

-55到+150

单位

注意事项： 1， PW

占空比

2.当使用玻璃环氧基板（FR-4 ： 40 ×40 ×1mm）上

R07DS0482EJ0100 Rev.1.00

2011年6月22日

第1页6

HITK0204MP

初步

电气特性

（ TA = 25°C ）

项

漏源击穿电压

栅源击穿电压

门源漏电流

漏极至源极漏电流

门源截止电压

漏极至源极导通电阻

正向转移导纳

输入电容

输出电容

反向传输电容

打开 - 延迟时间

上升时间

打开 - 关闭延迟时间

下降时间

总栅极电荷

门源费

栅漏电荷

身体 - 漏极二极管的正向电压

注： 3.脉冲测试

符号

（ BR ） DSS

（ BR ） GSS

GSS

DSS

GS （ OFF ）

DS （ ON）

西塞

科斯

CRSS

D（上）

D（关闭）

QGS

QGD

民

—

0.4

—

1.5

—

典型值

—

100

146

3.0

127

1.5

0.3

0.4

0.85

最大

—

1.4

130

204

—

1.1

单位

测试条件

= 10 mA时， V

= 0

100 A,

= 0

V, V

= 0

= 20 V, V

= 0

= 10 V，I

= 1毫安

= 1.2 A，V

= 4.5 V

Note3

= 1.2 A，V

= 2.5 V

Note3

= 1.2 A，V

= 10 V

Note3

= 10 V

= 0

F = 1 MHz的

= 1.2 A

= 10 V

= 8.3

RG = 4.7

= 10 V

= 5 V

= 2.3 A

= 2.3 A，V

= 0

Note3

R07DS0482EJ0100 Rev.1.00

2011年6月22日

第2 6

HITK0204MP

初步

主要特点

最大信道功率

耗散曲线

100

在这一领域

由R有限公司

DS （ ON）

最高安全工作区

通道耗散P沟（W）的

漏电流I

(A)

0.8

0.6

0.4

TIO

0.2

0.1

TA = 25°C

1次脉冲

100

150

0.01

0.1

100

环境温度Ta （C ）

*当使用玻璃环氧基板（FR-4 ： 40

1 mm)

漏极至源极电压V

(V)

典型的输出特性

10 V

脉冲测试

TC = 25

典型的传输特性

(1)

= 10 V

脉冲测试

25°C

3.0 V

漏电流I

(A)

漏电流I

(A)

2.8 V

2.6 V

2.4 V

2.2 V

2.0 V

3.2 V

3.4 V

TC = -25°C

75°C

1.8 V

1.6 V

= 0 V

漏极至源极电压V

(V)

栅极至源极电压V

(V)

门源截止电压主场迎战

典型的传输特性

(2)

= 10 V

脉冲测试

外壳温度

门源截止电压

GS （ OFF ）

(V)

1.5

= 10 V

脉冲测试

= 10毫安

1.0

漏电流I

(A)

0.1

TC = 75℃

0.01

25°C

0.5

1毫安

0.1毫安

0.001

–25°C

0.0001

0.5

1.5

2.5

–25

100 125 150

栅极至源极电压V

(V)

壳温度（ ° C）

R07DS0482EJ0100 Rev.1.00

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第3页6

HITK0204MP

漏极至源极饱和电压

DS （ ON）

（毫伏）

漏极至源极饱和电压与

栅极至源极电压

500

初步

静态漏极至源极通态电阻

与漏电流

漏极至源极导通电阻

DS （ ON）

)

脉冲测试

TC = 25°C

1000

脉冲测试

TC = 25°C

400

300

2.3 A

1.2 A

0.8 A

= 2.5 V

100

4.5 V

10 V

200

100

0.5 A

0.1

栅极至源极电压

(V)

静态漏极至源极通态电阻

与外壳温度

漏电流

(A)

静态漏极至源极通态电阻

与外壳温度

漏极至源极导通电阻

DS （ ON）

)

漏极至源极导通电阻

DS （ ON）

)

300

= 2.3 A

1.2 A

200

脉冲测试

= 4.5 V

= 2.3 A

150

1.2 A

250

150

0.5 A

100

–25

0.8 A

100

0.5 A

0.8 A

脉冲测试

.5 V

100 125 150

–25

100 125 150

外壳温度

TC （

外壳温度

TC （

零栅极电压漏极电流与

外壳温度

10000

脉冲测试

= 0 V

1000 V

= 20 V

100

正向转移导纳

| YFS | （ S）

脉冲测试

= 10 V

–25°C

25°C

TC = 75℃

0.1

零栅极电压漏极电流

DSS

（ nA的）

正向转移导纳主场迎战

漏电流

0.1

–25

0.01

0.1

100 125 150

漏电流

(A)

外壳温度

TC （

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第4 6

HITK0204MP

动态输入特性

漏极至源极电压V

(V)

栅极至源极电压V

(V)

1000

初步

开关特性

= 10 V

= 4.5 V

RG = 4.7

PW = 5

μs

TC = 25°C

10 V

= 20 V

10 V

= 2.3 A

TC = 25°C

开关时间

T（ NS ）

= 20 V

100

TD （关闭）

TD （上）

0.1

栅极电荷Qg （ NC ）

漏电流

(A)

典型的电容比。

漏源极电压

1000

250

240

输入电容与

栅极至源极电压

西塞，科斯，的Crss （PF ）

西塞

100

科斯

CRSS

= 0 V

F = 1 MHz的

230

西塞（PF ）

220

210

200

190

180

170

= 0 V

F = 1 MHz的

–

漏源极电压

(V)

反向漏电流 -

源极到漏极电压

栅极至源极电压V

(V)

体漏二极管的正向电压 -

外壳温度

0.7

= 0

0.6

0.5

= 10毫安

0.4

0.3

0.2

0.1

1毫安

反向漏电流I

(A)

10 V

脉冲测试

TC = 25°C

–5, –10 V

= 0 V

0.4

0.8

1.2

1.6

2.0

体漏二极管的正向电压V

SDF

(V)

100

125

150

源极到漏极电压V

(V)

壳温度（ ° C）

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分页： 5 6

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