HEF4050B
HEX非反相缓冲器
牧师05 - 2008年11月11日
产品数据表
1.概述
该HEF4050B提供了六个非反相缓冲器具有大电流输出能力
适用于驱动TTL或高电容负载。由于投入超过电压
缓冲区的电源电压是允许的，该缓冲液也可用于将逻辑电平
高达15 V到标准的TTL电平。他们保证扇出为普通双极逻辑
元素显示在
表3中。
它工作在推荐的V
DD
3 V至15 V的电源电压范围参考V
SS
（通常接地） 。未使用的输入必须连接到V
DD
, V
SS
或另一个输入。这是
也适合使用在工业级（-40
°C
+85
°C)
温度范围。
2.特点
I
I
I
I
I
I
I
接受输入电压超过电源电压的
全静态操作
5 V ， 10 V和15 V额定参数
标准化对称的输出特性
在整个工业温度范围内工作
40 °C
+85
°C
符合JEDEC标准JESD 13 -B
ESD保护：
N
HBM JESD22- A114E超过2000伏
N
MM JESD22 - A115 - A超过200 V
3.应用
I
LOCMOS （局部氧化CMOS）以DTL / TTL转换器
I
高灌电流驱动两个TTL负载
I
高到低逻辑电平转换
4.订购信息
表1中。
订购信息
所有类型的操作
40
°
C至+ 85
°
C.
类型编号
HEF4050BP
HEF4050BT
包
名字
DIP16
SO16
描述
塑料双列直插式封装; 16引线（ 300万）
塑料小外形封装; 16线索;体宽3.9毫米
VERSION
SOT38-4
SOT109-1
恩智浦半导体
HEF4050B
HEX非反相缓冲器
表2中。
符号
1A至6A
V
SS
北卡罗来纳州
引脚说明
- 续
针
3, 5, 7, 9, 11, 14,
8
13, 16
描述
输入
地面电源电压
没有连接
7.功能描述
表3中。
保证扇出
保证扇出
2
9
16
从动元件
标准TTL
74 LS
74 L
8.极限值
表4 。
极限值
按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ） 。
符号
V
DD
V
I
I
I / O
T
英镑
T
AMB
P
合计
参数
电源电压
输入电压
输入/输出电流
储存温度
环境温度
总功耗
T
AMB
40 °C
+85
°C
DIP16封装
SO16封装
P
[1]
[2]
[1]
[2]
条件
民
0.5
0.5
-
65
40
-
-
-
最大
+18
V
DD
+ 0.5
10
+150
+85
750
500
100
单位
V
V
mA
°C
°C
mW
mW
mW
功耗
每路输出
对于DIP16封装：P
合计
减额直线为12毫瓦/ K以上70
°C.
对于SO16封装：P
合计
减额线性8毫瓦/ K以上70
°C.
9.推荐工作条件
表5 。
符号
V
DD
V
I
T
AMB
ΔT/ ΔV
推荐工作条件
参数
电源电压
输入电压
环境温度
输入过渡上升和下降率
在自由空气
V
DD
= 5 V
V
DD
= 10 V
V
DD
= 15 V
条件
民
3
0
40
-
-
-
最大
15
V
DD
+85
3.75
0.5
0.08
单位
V
V
°C
NS / V
NS / V
NS / V
HEF4050B_5
NXP B.V. 2008保留所有权利。
产品数据表
牧师05 - 2008年11月11日
3 11
恩智浦半导体
HEF4050B
HEX非反相缓冲器
表7中。
动态特性
- 续
V
SS
= 0 V ;牛逼
AMB
= 25
°
℃;测试电路见
图6 ;
除非另有规定ED 。
符号
t
THL
参数
条件
V
DD
5V
10 V
15 V
t
TLH
从低到高
SEE
图5
输出转换时间
5V
10 V
15 V
[1]
[1]
[1]
外推公式
7 NS + （ 0.35纳秒/ PF ）C
L
3 NS + （ 0.14纳秒/ PF ）C
L
2 NS + （ 0.09纳秒/ PF ）C
L
10纳秒+ （ 1.00纳秒/ PF ）C
L
9 NS + （ 0.42纳秒/ PF ）C
L
6 NS + （ 0.28纳秒/ PF ）C
L
民
-
-
-
-
-
-
典型值
25
10
7
60
30
20
最大
50
20
14
120
60
40
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
前高后低
SEE
图5
输出转换时间
的传播延迟和转换时间的典型值是从所示的外推法公式计算（三
L
单位为pF ） 。
表8 。
动态功耗P
D
P
D
可以从所示的公式来计算。 V
SS
= 0 V ;牛逼
r
= t
f
≤
20纳秒;牛逼
AMB
= 25
°
C.
符号
P
D
参数
动态功耗
耗散
V
DD
5V
10 V
15 V
典型公式P
D
(W)
P
D
= 3800
×
f
i
+
Σ(f
o
×
C
L
)
×
V
DD2
P
D
= 11600
×
f
i
+
Σ(f
o
×
C
L
)
×
V
DD2
P
D
= 65900
×
f
i
+
Σ(f
o
×
C
L
)
×
V
DD2
其中：
f
i
=在MHz的输入频率，
f
o
=以MHz为单位的输出频率，
C
L
=以pF输出负载电容，
V
DD
=在V电源电压，
Σ(C
L
×
f
o
） =的输出的总和。
12.波形
t
r
V
I
输入
0V
t
f
90 %
V
M
10 %
t
PLH
t
PHL
V
OH
产量
V
OL
90 %
V
M
10 %
t
TLH
t
THL
001aai337
在测量点中给出
表9 。
V
OL
和V
OH
是随输出负载所发生的典型的输出电压电平。
图5 。
表9 。
输入
V
M
0.5V
DD
输入到输出的传播延迟
测量点
产量
V
I
0 V至V
DD
V
M
0.5V
DD
HEF4050B_5
NXP B.V. 2008保留所有权利。
产品数据表
牧师05 - 2008年11月11日
5 11
飞利浦半导体
产品speci fi cation
HEX非反相缓冲器
描述
该HEF4050B提供了六个非反相缓冲器
高电流输出能力适用于驱动TTL或
高电容负载。由于投入超过电压
缓冲区的电源电压允许，缓冲器还可以
用于转换的逻辑电平高达15V的标准
TTL电平。他们保证扇出为普通双极
逻辑单元示于下表中。
HEF4050B
缓冲器
图2钢钉图。
HEF4050BP （ N） ： 16引脚DIL ;塑料
(SOT38-1)
HEF4050BD （ F）：在16引脚DIL ;陶瓷（ CERDIP ）
(SOT74)
HEF4050BT （D）： 16引线SO ;塑料
(SOT109-1)
（ ） ：封装标识北美
应用信息
为HEF4050B应用的一些实例是：
LOCMOS到DTL / TTL转换器
高灌电流驱动2 TTL负载
图1的功能框图。
高到低逻辑电平转换
输入保护
保证扇出共同的逻辑系列
从动元件
标准TTL
74 LS
74 L
保证
扇出
2
9
16
Fig.4
输入保护电路，使输入
超过V的电压
DD
.
系列数据，我
DD
极限类缓冲区
见家庭音响特定阳离子
图3的逻辑图（ 1栅极） 。
1995年1月
2
飞利浦半导体
产品speci fi cation
HEX非反相缓冲器
描述
该HEF4050B提供了六个非反相缓冲器
高电流输出能力适用于驱动TTL或
高电容负载。由于投入超过电压
缓冲区的电源电压允许，缓冲器还可以
用于转换的逻辑电平高达15V的标准
TTL电平。他们保证扇出为普通双极
逻辑单元示于下表中。
HEF4050B
缓冲器
图2钢钉图。
HEF4050BP （ N） ： 16引脚DIL ;塑料
(SOT38-1)
HEF4050BD （ F）：在16引脚DIL ;陶瓷（ CERDIP ）
(SOT74)
HEF4050BT （D）： 16引线SO ;塑料
(SOT109-1)
（ ） ：封装标识北美
应用信息
为HEF4050B应用的一些实例是：
LOCMOS到DTL / TTL转换器
高灌电流驱动2 TTL负载
图1的功能框图。
高到低逻辑电平转换
输入保护
保证扇出共同的逻辑系列
从动元件
标准TTL
74 LS
74 L
保证
扇出
2
9
16
Fig.4
输入保护电路，使输入
超过V的电压
DD
.
系列数据，我
DD
极限类缓冲区
见家庭音响特定阳离子
图3的逻辑图（ 1栅极） 。
1995年1月
2
QQ：2881677436 复制
