HMC519
v01.0907
砷化镓pHEMT的MMIC低噪声
放大器， 18 - 32 GHz的
1
低噪声放大器 - CHIP
典型应用
该HMC519是理想的用途，可以是低噪声放大器或驱动器
放大器：
点至点收音机
点到多点无线电& VSAT
测试设备&传感器
军事&空间
特点
噪声系数： 2.8分贝
增益： 15分贝
OIP3 ： 23 dBm的
单电源： + 3V @ 65毫安
50欧姆匹配输入/输出
模具尺寸： 2.27× 1.32 X 0.1毫米
工作原理图
概述
该HMC519芯片是一种高动态范围的GaAs
PHEMT MMIC低噪声放大器（ LNA ），其
覆盖18 32千兆赫的频率范围。该
HMC519提供的小信号增益15分贝， 2.8分贝
噪声系数，并具有输出IP3大于
23 dBm的。该芯片可以很容易地集成到HY-
布里德或由于其体积小MCM组件。所有数据
与在50欧姆测试夹具芯片测试CON-
通过最小0.075毫米（ 3密耳）带状连接的债券
长0.31毫米（ 12万美元）。两0.025毫米（1密耳）直径
接合线也可以被用于制造RFIN和
RFOUT连接。
电气电源规格，
T
A
= + 25 ° C， Vdd的1 ， 2 ， 3 = + 3V
参数
频带
收益
增益随温度变化
噪声系数
输入回波损耗
输出回波损耗
为1 dB压缩输出功率（ P1dB为）
饱和输出功率（ PSAT ）
输出三阶截取点（ IP3 ）
电源电流（ IDD） （ VDD = + 3V ）
9
12
分钟。
典型值。
18 - 28
15
0.015
2.8
13
12
12
15
23
65
88
10
0.025
3.5
11
马克斯。
分钟。
典型值。
28 - 32
14
0.015
3.5
9
12
14
18
26
65
88
0.025
4.5
马克斯。
单位
GHz的
dB
分贝/°C的
dB
dB
dB
DBM
DBM
DBM
mA
1 - 72
对于价格，交货，并下订单，请与赫梯Microwave公司：
20阿尔法路，切姆斯福德，MA 01824电话： 978-250-3343传真： 978-250-3373
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HMC519
v01.0907
砷化镓pHEMT的MMIC低噪声
放大器， 18 - 32 GHz的
宽带增益&回波损耗
20
15
响应（ dB）的
10
增益（dB ）
5
0
-5
-10
-15
-20
12
14
16
18
20
22
24
26
28
30
32
34
36
频率（GHz ）
0
16
18
20
22
24
26
28
30
32
34
频率（GHz ）
S21
S11
S22
增益与温度
20
1
低噪声放大器 - CHIP
1 - 73
16
12
+25C
+85C
-55C
8
4
输入回波损耗随温度的变化
0
输出回波损耗随温度的变化
0
回波损耗（分贝）
-10
回波损耗（分贝）
-5
+25C
+85C
-55C
-5
+25C
+85C
-55C
-10
-15
-15
-20
16
18
20
22
24
26
28
30
32
34
频率（GHz ）
-20
16
18
20
22
24
26
28
30
32
34
频率（GHz ）
噪声系数与温度
10
输出IP3与温度的关系
35
30
8
噪声系数（dB ）
25
6
IP3 （ dBm的）
+25C
+85C
-55C
20
15
10
+25C
+85C
-55C
4
2
5
0
16
18
20
22
24
26
28
30
32
34
频率（GHz ）
0
16
18
20
22
24
26
28
30
32
34
频率（GHz ）
对于价格，交货，并下订单，请与赫梯Microwave公司：
20阿尔法路，切姆斯福德，MA 01824电话： 978-250-3343传真： 978-250-3373
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v01.0907
砷化镓pHEMT的MMIC低噪声
放大器， 18 - 32 GHz的
1
低噪声放大器 - CHIP
P1dB为与温度的关系
20
PSAT与温度的关系
20
16
P1dB的（ DBM）
PSAT （ DBM）
16
12
12
+25C
+85C
-55C
8
+25C
+85C
-55C
8
4
4
0
16
18
20
22
24
26
28
30
32
34
频率（GHz ）
0
16
18
20
22
24
26
28
30
32
34
频率（GHz ）
反向隔离与温度的关系
0
-10
-20
隔离度（dB ）
-30
-40
-50
-60
-70
-80
16
18
20
22
24
26
28
30
32
34
频率（GHz ）
+25C
+85C
-55C
功率压缩@ 24 GHz的
20
POUT （DBM ） ，增益（dB ） ， PAE （ ％ ）
16
噘
收益
PAE
12
8
4
0
-20
-15
-10
-5
0
5
输入功率（dBm ）
增益，噪声系数&功率对
电源电压@ 24 GHz的
20
收益
10
增益（dB ）的P1dB （ dBm的）
16
8
噪声系数（dB ）
12
P1dB
6
8
噪声系数
4
4
2
0
2.5
3
Vdd的（V）的
0
3.5
1 - 74
对于价格，交货，并下订单，请与赫梯Microwave公司：
20阿尔法路，切姆斯福德，MA 01824电话： 978-250-3343传真： 978-250-3373
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HMC519
v01.0907
砷化镓pHEMT的MMIC低噪声
放大器， 18 - 32 GHz的
绝对最大额定值
漏极偏置电压（ VDD1 ， VDD2 ， VDD3 ）
RF输入功率（ RFIN ） （ VDD = 3.0 V直流）
通道温度
连续PDISS （T = 85°C ）
（减免29毫瓦/ ° C以上85°C ）
热阻
（信道死底部）
储存温度
工作温度
静电放电敏感度（ HBM ）
+5.5伏
8 dBm的
175 °C
2.65 W
34 ° C / W
-65至+150°C
-55至+85°C
1A级
典型电源电流与Vdd的
VDD （VDC ）
+2.5
+3.0
+3.5
IDD （MA ）
61
65
69
1
低噪声放大器 - CHIP
1 - 75
注：功率放大器ER将工作在显示全电压范围
以上。
静电敏感器件
观察处理注意事项
外形绘图
芯片封装信息
[1]
标准
GP - 2 （胶装）
备用
[2]
[1]参见“包装信息”部分模具
包装尺寸。
[2]可替代的包装信息，请联系赫梯
微波公司。
注意事项：
1.所有尺寸为英寸[ MM ]
2. DIE厚度为0.004 “
3.典型的债券0.004 “方
4.背面金属：金
5.焊盘金属化：金
6.背面金属接地。
7.连接不需要的未标记的焊垫。
对于价格，交货，并下订单，请与赫梯Microwave公司：
20阿尔法路，切姆斯福德，MA 01824电话： 978-250-3343传真： 978-250-3373
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HMC519
v01.0907
砷化镓pHEMT的MMIC低噪声
放大器， 18 - 32 GHz的
1
低噪声放大器 - CHIP
PAD说明
盘数
1
功能
RFIN
描述
此片是交流耦合
并匹配到50欧姆。
接口示意图
2, 3, 4
VDD1 ， 2,3
电源电压为扩增fi er 。外部旁路
100 pF和0.1 F的电容。
5
RFOUT
此片是交流耦合
并匹配到50欧姆。
这些焊盘必须被连接到射频/直流
地面正常工作。
6, 7, 8
VGG3 ， Vgg2 ， VGG1
模具底部
GND
模具底部必须被连接到射频/ DC接地。
装配图
注意： VGG1 ， Vgg2和VGG3必须连接到射频/ DC接地。
1 - 76
对于价格，交货，并下订单，请与赫梯Microwave公司：
20阿尔法路，切姆斯福德，MA 01824电话： 978-250-3343传真： 978-250-3373
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HMC519
v00.0904
砷化镓pHEMT的MMIC低噪声
放大器， 18 - 32 GHz的
1
放大器 - CHIP
典型应用
该HMC519是理想的用途，可以是低噪声放大器或驱动器
放大器：
点至点收音机
点到多点无线电& VSAT
测试设备&传感器
军事&空间
特点
噪声系数： 2.8分贝
增益： 15分贝
OIP3 ： 23 dBm的
单电源： + 3V @ 65毫安
50欧姆匹配输入/输出
工作原理图
概述
该HMC519芯片是一种高动态范围的GaAs
PHEMT MMIC低噪声放大器（ LNA ），其
覆盖18 32千兆赫的频率范围。该
HMC519提供的小信号增益15分贝， 2.8分贝
噪声系数，并具有输出IP3大于
23 dBm的。该芯片可以很容易地集成到HY-
布里德或由于其体积小MCM组件。所有数据
与在50欧姆测试夹具芯片测试CON-
通过最小0.075毫米（ 3密耳）带状连接的债券
长0.31毫米（ 12万美元）。两0.025毫米（1密耳）直径
接合线也可以被用于制造RFIN和
RFOUT连接。
电气连接特定的阳离子，
T
A
= + 25 ° C， Vdd的1 ， 2 ， 3 = + 3V
参数
频带
收益
增益随温度变化
噪声系数
输入回波损耗
输出回波损耗
为1 dB压缩输出功率（ P1dB为）
饱和输出功率（ PSAT ）
输出三阶截取点（ IP3 ）
电源电流（ IDD） （ VDD = + 3V ）
9
12
分钟。
典型值。
18 - 28
15
0.015
2.8
13
12
12
15
23
65
10
0.025
3.5
11
马克斯。
分钟。
典型值。
28 - 32
14
0.015
3.5
9
12
14
18
26
65
0.025
4.5
马克斯。
单位
GHz的
dB
分贝/°C的
dB
dB
dB
DBM
DBM
DBM
mA
1 - 174
对于价格，交货，并下订单，请与赫梯Microwave公司：
20阿尔法路，切姆斯福德，MA 01824电话： 978-250-3343传真： 978-250-3373
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HMC519
v00.0904
砷化镓pHEMT的MMIC低噪声
放大器， 18 - 32 GHz的
宽带增益&回波损耗
20
15
10
响应（ dB）的
增益与温度
20
18
16
14
增益（dB ）
1
放大器 - CHIP
1 - 175
5
0
-5
-10
S21
S11
S22
12
10
8
6
4
+25C
+85C
-55C
-15
-20
12
14
16
18
20
22
24
26
28
30
32
34
36
频率（GHz ）
2
0
16
18
20
22
24
26
28
30
32
34
频率（GHz ）
输入回波损耗随温度的变化
0
输出回波损耗随温度的变化
0
回波损耗（分贝）
-10
回波损耗（分贝）
-5
+25C
+85C
-55C
-5
+25C
+85C
-55C
-10
-15
-15
-20
16
18
20
22
24
26
28
30
32
34
频率（GHz ）
-20
16
18
20
22
24
26
28
30
32
34
频率（GHz ）
噪声系数与温度
10
9
8
噪声系数（dB ）
7
6
5
4
3
2
1
0
16
18
20
22
24
26
28
30
32
34
频率（GHz ）
+25C
+85C
-55C
输出IP3与温度的关系
35
30
25
OIP3 （ dBm的）
20
15
10
5
0
16
18
20
22
24
26
28
30
32
34
频率（GHz ）
+25C
+85C
-55C
对于价格，交货，并下订单，请与赫梯Microwave公司：
20阿尔法路，切姆斯福德，MA 01824电话： 978-250-3343传真： 978-250-3373
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HMC519
v00.0904
砷化镓pHEMT的MMIC低噪声
放大器， 18 - 32 GHz的
1
放大器 - CHIP
P1dB为与温度的关系
20
18
16
14
P1dB的（ DBM）
12
10
8
6
4
2
0
16
18
20
22
24
26
28
30
32
34
频率（GHz ）
+25C
+85C
-55C
PSAT与温度的关系
20
18
16
14
PSAT （ DBM）
12
10
8
6
4
2
0
16
18
20
22
24
26
28
30
32
34
频率（GHz ）
+25C
+85C
-55C
反向隔离与温度的关系
0
-10
-20
隔离度（dB ）
-30
-40
-50
-60
-70
-80
16
18
20
22
24
26
28
30
32
34
频率（GHz ）
+25C
+85C
-55C
功率压缩@ 24 GHz的
20
POUT （DBM ） ，增益（dB ） ， PAE （ ％ ）
18
16
14
12
10
8
6
4
2
0
-20 -18 -16 -14 -12 -10
-8
-6
-4
-2
0
2
4
噘
收益
PAE
输入功率（dBm ）
增益，噪声系数&功率对
电源电压@ 24 GHz的
20
18
增益（dB ）的P1dB （ dBm的）
16
14
12
10
8
6
4
2
0
2.5
3
VDD （VDC ）
噪声系数
P1dB
收益
10
9
8
7
6
5
4
3
2
1
0
3.5
噪声系数（dB ）
1 - 176
对于价格，交货，并下订单，请与赫梯Microwave公司：
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v00.0904
砷化镓pHEMT的MMIC低噪声
放大器， 18 - 32 GHz的
典型电源电流与Vdd的
VDD （VDC ）
+2.5
+3.0
+3.5
IDD （MA ）
61
65
69
绝对最大额定值
漏极偏置电压（ VDD1 ， VDD2 ， VDD3 ）
RF输入功率（ RFIN ） （ VDD = 3.0 V直流）
通道温度
连续PDISS （T = 85°C ）
（减免29毫瓦/ ° C以上85°C ）
热阻
（信道死底部）
储存温度
工作温度
静电放电敏感度（ HBM ）
+5.5伏
8 dBm的
175 °C
2.65 W
34 ° C / W
-65至+150°C
-55至+85°C
1A级
1
放大器 - CHIP
1 - 177
注：放大器将工作在显示全电压范围
以上。
静电敏感器件
观察处理注意事项
外形绘图
芯片封装信息
[1]
标准
GP-1
备用
[2]
[1]参见“包装信息”部分模具
包装尺寸。
[2]可替代的包装信息，请联系赫梯
微波公司。
注意事项：
1.所有尺寸为英寸[ MM ]
2. DIE厚度为0.004 “
3.典型的债券0.004 “方
4.背面金属：金
5.焊盘金属化：金
6.背面金属接地。
7.连接不需要的未标记的焊垫。
对于价格，交货，并下订单，请与赫梯Microwave公司：
20阿尔法路，切姆斯福德，MA 01824电话： 978-250-3343传真： 978-250-3373
为了在网上www.hittite.com
HMC519
v00.0904
砷化镓pHEMT的MMIC低噪声
放大器， 18 - 32 GHz的
1
放大器 - CHIP
PAD说明
盘数
1
功能
RFIN
描述
此片是交流耦合和匹配
50欧姆，从18 - 32 GHz的。
接口示意图
2, 3, 4
VDD1 ， 2,3
电源电压为扩增fi er 。外部旁路
100 pF和0.1 F的电容。
5
RFOUT
此片是交流耦合和匹配
50欧姆，从18 - 32 GHz的。
这些焊盘必须被连接到射频/直流
地面正常工作。
6, 7, 8
G3, 2, 1
模具底部
GND
模具底部必须被连接到射频/ DC接地。
装配图
注意： G1，G2和G3的必须连接到射频/ DC接地。
1 - 178
对于价格，交货，并下订单，请与赫梯Microwave公司：
20阿尔法路，切姆斯福德，MA 01824电话： 978-250-3343传真： 978-250-3373
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