【订购数量： EN8989FTS2057三洋半导体数据表FTS2057特点N沟道MOSFET硅通用开关】,IC型号FTS2057,FTS2057 PDF资料,FTS2057经销商,ic,电子元器件-51电子网

订购数量： EN8989

FTS2057

三洋半导体

数据表

FTS2057

特点

N沟道MOSFET硅

通用开关设备

应用

导通电阻RDS （ ON） 1 = 96米

（典型值）。

输入电容西塞= 1030pF （典型值）。

4V DRIVE

在保护二极管

无卤合规

特定网络阳离子

绝对最大额定值

在TA = 25℃

参数

漏极至源极电压

栅极 - 源极电压

漏电流（ DC ）

漏电流（脉冲）

允许功耗

通道温度

储存温度

符号

VDSS

VGSS

IDP

总胆固醇

TSTG

PW≤10μs ，值班cycle≤1 ％

当安装在陶瓷基体（ 2000毫米

×0.8mm)

条件

评级

100

±20

1.3

150

--55到150

单位

°C

包装尺寸

单位：mm （典型值）

7006A-009

0.95

3.0

0.5

0.125

产品&包装信息

包

： TSSOP8

JEITA ， JEDEC

最小包装数量： 3000个/卷。

包装类型： TL

记号

LOT号

6.4

4.5

S2057

0.95

0.25

0.65

0.05 1.0

1 ：排水

2 ：源

3 ：源

4 ：门

5 ：无联系

6 ：无联系

7 ：无联系

8 ：排水

三洋： TSSOP8

电气连接

1, 8

0.425

2, 3

http://semicon.sanyo.com/en/network

82411PE TKIM TC- 00002632 No.8989-1 / 4

FTS2057

电气特性

在TA = 25℃

参数

漏极至源极击穿电压

零栅极电压漏极电流

栅极 - 源极漏电流

截止电压

正向转移导纳

静态漏 - 源极导通电阻

输入电容

输出电容

反向传输电容

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

总栅极电荷

栅极 - 源极充电

栅 - 漏“米勒”充电

二极管的正向电压

符号

V（ BR ） DSS

IDSS

IGSS

VGS （关闭）

YFS

RDS(on)1

RDS(on)2

RDS(on)3

西塞

科斯

CRSS

TD （上）

TD （关闭）

QGS

QGD

VSD

IS = 3A ， VGS = 0V

VDS = 50V ， VGS = 10V ， ID = 3A

条件

ID = 1mA时， VGS = 0V

VDS = 100V ， VGS = 0V

VGS = ± 16V ， VDS = 0V

VDS = 10V ，ID = 1毫安

VDS = 10V ，ID = 3A

ID = 3A ， VGS = 10V

ID = 1.5A ， VGS = 4.5V

ID = 1.5A ， VGS = 4V

VDS = 20V ， F = 1MHz的

评级

民

100

±10

1.2

5.2

105

110

1030

请参阅特定网络版测试电路。

19.4

2.7

4.0

0.81

1.2

125

150

155

2.6

典型值

最大

单位

μA

mΩ

开关时间测试电路

10V

VIN

VDD=50V

ID=3A

RL=16.7Ω

VOUT

VIN

PW=10μs

D.C.≤1%

FTS2057

P.G

50Ω

3.0

ID - VDS

6.0V

3.5

10.0V

2.5

3.0

Ta=25°C

ID - VGS

VDS=10V

4.0

漏极电流ID -

16.0

4.5

2.0

2.8V

漏极电流ID -

1.5

0.1

0.2

0.3

0.4

0.5

0.6

0.7

0.8

0.9

1.0

0.5

1.0

1.5

2.0

2.5

--25

3.0

0.5

VGS=2.5V

1.0

3.5

IT16576

漏极至源极电压VDS - V

IT16575

栅极 - 源极电压VGS - V

No.8989-2/4

FTS2057

200

RDS （ ON） - VGS

Ta=25

ID=1.5A

3.0A

静态漏 - 源

通态电阻， RDS （ ON） - 毫欧

250

RDS （ ON） - TA

静态漏 - 源

通态电阻， RDS （ ON） - 毫欧

180

160

140

120

100

200

150

100

3.0A

I D =

.0V

=10

V GS

V，D

.5A

， ID

.5V

--60

--40

--20

100

120

140

160

栅极 - 源极电压VGS - V

- ID

IT16577

环境温度，钽 -

IS - VSD

IT16578

正向转移导纳，

-- S

VDS=10V

--2

VGS=0V

源出电流，是 - 个

1.0

0.1

0.01

0.2

0.4

0.6

0.8

1.0

1.2

IT16580

0.1

1.0

漏极电流ID -

1000

SW时间 - ID

IT16579

10000

1000

100

0.001

西塞，科斯，的Crss - VDS

二极管的正向电压， VSD - V

1.0

--25

VDD=50V

VGS=10V

f=1MHz

切换时间， SW时间 - NS

西塞，科斯，的Crss - pF的

100

1.0

0.1

5 7 1.0

5 7 10

5 7 100

IT16581

西塞

TD （关闭）

TD （上）

科斯

CRSS

100

漏极电流ID -

VGS - 的Qg

漏极至源极电压VDS - V

100

ASO

IT16582

栅极 - 源极电压VGS - V

VDS=50V

ID=3A

漏极电流ID -

1.0

0.1

IDP = 12A （ PW

≤

μs)

ID=3A

100

ERA

TIO

操作在此

区域由的RDS（on ）的限制。

0.01

Ta=25°C

单脉冲

当安装在陶瓷基体（ 2000毫米

×0.8mm)

0.001

0.1 2 3 5 7 1.0 2 3 5 7 10 2 3 5 7 100

2 3

总栅极电荷QG - 数控

IT16583

漏极至源极电压VDS - V

5 71000

IT16584

No.8989-3/4

FTS2057

1.4

PD - TA

允许功耗， PD - 含

1.3

1.2

1.0

0.8

0.6

0.4

0.2

Ta=25°C

单脉冲

当安装在陶瓷基体（ 2000毫米

×0.8mm)

100

120

140

160

环境温度，钽 -

°C

IT16585

注意使用情况：由于FTS2057是MOSFET产品，请避免在附近使用本设备

高电荷的物体。

任何及所有三洋半导体有限公司。本文描述或载有，关于产品

"standard application" ，意为用作一般电子设备。该产品本文档中提及

不得意欲用于任何"special application" （医疗设备，其目的是维持生命，

航空航天仪器，核控制设备，燃烧设备，交通运输设备，交通信号

系统，安全设备等）应要求可靠性非常高的水平，可以直接威胁

人的生命的情况下产品或失效或故障的设备可能会危害人体，也不得

其给予任何保证。如果您打算使用我们的产品，为新引进或其他应用程序

从汽车设备的使用现状，通信设备，办公设备的不同，

工业设备等，请向我们咨询有关使用条件（温度，运行时间等）

先于预期的用途。如果在预定使用之前没有咨询或查询，客户应

全权负责使用。

产品规格的任何及所有三洋半导体有限公司。本文描述或包含的产品规定

性能，特点和所描述的产品在独立的国家职能，并

不是性能，特点，以及所描述的产品功能的保证作为安装在该

客户的产品或设备。要验证的症状和状态，不能在一个被评估

独立的设备，客户必须不断的评估和测试设备安装在客户的

产品或设备。

三洋半导体有限公司。承担设备故障而导致的使用不承担任何责任

超出的价值产品，即使是瞬间，额定数值（例如最大额定值，工作

在任何产品的规格和所有三洋半导体所列条件范围或其他参数）

有限公司。本文描述或包含的产品。

三洋半导体有限公司。努力为客户提供高品质高可靠性的产品，然而，任何和所有

半导体产品故障或误动作有一定的概率。这是可能的，这些概率的故障

或故障可能引起事故或事件，危及人的生命，麻烦，可以给

上升到烟或着火或事故可能造成损害的其他财产。在设计设备，

采取安全措施，这样就不会发生此类事故或事件。这些措施包括但

不限于保护电路和安全设计，冗余设计误差防止电路，以及

结构设计。

倘任何或所有三洋半导体有限公司。描述或包含的产品均为

在任何当地出口管制法律和法规控制，这些产品可能需要

从有关根据上述法律，当局出口许可证。

本出版物的任何部分进行复制或以任何形式或通过任何手段，电子或

机械，包括影印和录音，或任何信息存储或检索系统，或

否则，没有三洋半导体有限公司的事先书面同意。

任何与描述或此处包含的所有信息可能未经通知而发生变化

产品/技术的提高，等等。当设计产品时，请参考"Delivery Specification"的

三洋半导体有限公司。你打算使用的产品。

当使用的技术信息或本文描述的产品，既没有担保也没有牌照应

授予有关知识产权或三洋半导体有限公司的任何其他权利。或

第三者。三洋半导体有限公司。不得与有关第三的任何索赔或诉讼承担责任

党的它，是由于使用的技术信息和产品的知识产权

上面提到的。

该目录规定的8月， 2011年说明和信息，在此受

更改，恕不另行通知。

PS No.8989-4 / 4