添加收藏夹  设为首页  深圳服务热线：13692101218  13751165337
Pdf资料  |  热门库存  |  IC详细资料  |  网站地图
IC供应 PDF资料 非IC供应
51电子网联系电话：13692101218
首页
供应信息
求购信息
非IC专区
技术资料
电子资讯
招聘中心
会展信息 51旺铺 会员中心
位置：首页 > IC型号导航 > 首字符F型号页 > 首字符F的型号第357页 > FZT957
SOT223 PNP硅平面高电流
（高性能）晶体管
第3期 - 1996年1月
特点
* 1安培连续电流
*高达2 A的峰值电流
*非常低饱和电压
*指定可达1安培出色的增益特性
互补类型 -
PARTMARKING细节 -
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
峰值脉冲电流
连续集电极电流
在T功耗
AMB
=25°C
工作和存储温度
范围
FZT957 - FZT857
FZT958 - N / A
设备类型FULL
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
CM
I
C
P
合计
T
j
:T
英镑
-2
-1
3
-55到+150
FZT957
-300
-300
-6
FZT957
FZT958
C
E
C
B
绝对最大额定值。
FZT958
-400
-400
单位
V
V
V
-1.5
-0.5
A
A
W
°C
*可以消散假设设备的电源被安装在一个典型的方式在一个
P.C.B.与铜等于4平方英寸的最小
3 - 289
FZT957
电气特性（在T
AMB
= 25 ° C除非另有说明）
参数
集电极 - 基
击穿电压
集电极 - 发射极
击穿电压
集电极 - 发射极
击穿电压
发射极 - 基
击穿电压
集电极截止电流
集电极截止电流
发射极截止电流
集电极 - 发射极
饱和电压
基射
饱和电压
基射
导通电压
静态前进
电流传输比
符号
V
（ BR ） CBO
V
（ BR ） CER
V
（ BR ） CEO
V
（ BR ） EBO
I
CBO
I
CER
R
≤
1k
I
EBO
V
CE （ SAT ）
-60
-110
-170
-910
-750
100
100
90
200
200
170
10
85
23
108
2500
分钟。
-330
-330
-300
-6
典型值。
-440
-440
-400
-8
-50
-1
-50
-1
-10
-100
-165
-240
-1150
-1020
马克斯。
单位
V
V
V
V
nA
nA
nA
mV
mV
mV
mV
mV
条件。
I
C
=-100
A
I
C
=-1
A， RB
≤
1k
I
C
=-10mA*
I
E
=-100
A
V
CB
=-300V
V
CB
= -300V ，T
AMB
=100°C
V
CB
=-300V
V
CB
= -300V ，T
AMB
=100°C
V
EB
=-6V
I
C
= -100mA ，我
B
=-10mA*
I
C
= -500mA ，我
B
=-100mA*
I
C
= -1A ，我
B
=-300mA*
I
C
= -1A ，我
B
=-300mA*
I
C
= -1A ，V
CE
=-10V*
I
C
= -10mA ，V
CE
=-10V*
I
C
= -0.5A ，V
CE
=-10V*
I
C
= -1A ，V
CE
=-10V*
I
C
= -2A ，V
CE
=-10V*
兆赫
pF
ns
ns
I
C
= -100mA ，V
CE
=-10V
f=50MHz
V
CB
= -20V ， F = 1MHz的
I
C
= -500mA ，我
B1
=-50mA
I
B2
= 50mA时V
CC
=-100V
A
A
V
BE （ SAT ）
V
BE（上）
h
FE
300
跃迁频率
输出电容
开关时间
f
T
C
敖包
t
on
t
关闭
*脉冲条件下进行测定。脉冲宽度= 300
秒。占空比
≤
2%
辣妹参数数据可应要求提供此设备
3 - 290
FZT957
典型特征
I
C
/I
B
=5
I
C
/I
B
=20
T
AMB
=25°C
-55°C
+25°C
+175°C
I
C
/I
B
=5
1.6
1.6
- （伏）
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0
0.01
0.1
1
10 20
- （伏）
V
1.4
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0
V
I
+
-
集电极电流（安培）
0.01
0.1
1
I
+
-
集电极电流（安培）
10 20
V
CE （ SAT ）
V I
C
V
CE （ SAT ）
V I
C
1.6
- 典型增益
- 归一化增益
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0 0.001
+100°C
+25°C
-55°C
V
CE
=10V
300
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0 0.001
-55°C
+25°C
+100°C
+175°C
I
C
/I
B
=10
200
h
h
0.01
0.1
1
10 20
V
100
- （伏）
I
+
-
集电极电流（安培）
0.01
0.1
1
I
+
-
集电极电流（安培）
10 20
h
FE
V I
C
V
BE （ SAT ）
V I
C
单脉冲测试环境温度Tamb = 25℃
1.6
- （伏）
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0 0.001
-55°C
+25°C
+100°C
+175°C
V
CE
=10V
10
1
DC
1s
100ms
10ms
1ms
100
s
0.1
V
0.01
0.1
1
10 20
0.01
1
10
100
1000
I
+
-
集电极电流（安培）
V
CE
- 集电极电压（ V）
V
BE（上）
V I
C
安全工作区
3 - 291
FZT958
电气特性（在T
AMB
= 25 ° C除非另有说明）
参数
集电极 - 基
击穿电压
集电极 - 发射极
击穿电压
集电极 - 发射极
击穿电压
发射极 - 基
击穿电压
集电极截止电流
集电极截止电流
发射极截止电流
集电极 - 发射极
饱和电压
基射
饱和电压
基射
导通电压
静态前进
电流传输比
跃迁频率
输出电容
开关时间
符号
V
（ BR ） CBO
V
（ BR ） CER
V
（ BR ） CEO
V
（ BR ） EBO
I
CBO
I
CER
R
≤
1k
I
EBO
V
CE （ SAT ）
-100
-150
-340
-830
-725
100
100
10
200
200
20
85
19
104
2400
分钟。
-400
-400
-400
-6
典型值。
-600
-600
-550
-8
-50
-1
-50
-1
-10
-150
-200
-400
-950
-840
马克斯。
单位
V
V
V
V
nA
nA
nA
mV
mV
mV
mV
mV
条件。
I
C
=-100
A
I
C
=-1
A， RB
≤
1k
I
C
=-10mA*
I
E
=-100
A
V
CB
=-300V
V
CB
= -300V ，T
AMB
=100°C
V
CB
=-300V
V
CB
= -300V ，T
AMB
=100°C
V
EB
=-6V
I
C
= -10mA ，我
B
=-1mA*
I
C
= -100mA ，我
B
=-10mA*
I
C
= -500mA ，我
B
=-100mA*
I
C
= -500mA ，我
B
=-100mA*
I
C
= -500mA ，V
CE
=-10V*
I
C
= -10mA ，V
CE
=-10V*
I
C
= -500mA ，V
CE
=-10V*
I
C
= -1A ，V
CE
=-10V*
兆赫
pF
ns
ns
I
C
= -100mA ，V
CE
=-10V
f=50MHz
V
CB
= -20V ， F = 1MHz的
I
C
= -500mA ，我
B1
=-50mA
I
B2
= 50mA时V
CC
=-100V
A
A
V
BE （ SAT ）
V
BE（上）
h
FE
300
f
T
C
敖包
t
on
t
关闭
*脉冲条件下进行测定。脉冲宽度= 300
秒。占空比
≤
2%
辣妹参数数据可应要求提供此设备
3 - 292
FZT958
典型特征
I
C
/I
B
=5
I
C
/I
B
=20
T
AMB
=25°C
-55°C
+25°C
+175°C
1.6
1.6
I
C
/I
B
=5
- （伏）
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0 0.001
0.01
0.1
1
10 20
- （伏）
V
1.4
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0 0.001
V
I
+
-
集电极电流（安培）
0.01
0.1
1
I
+
-
集电极电流（安培）
10 20
V
CE （ SAT ）
V I
C
V
CE （ SAT ）
V I
C
1.6
- 归一化增益
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0
0.001
+100°C
+25°C
-55°C
V
CE
=10V
300
1.6
- 典型增益
- （伏）
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0 0.001
-55°C
+25°C
+100°C
+175°C
I
C
/I
B
=10
200
h
0.01
0.1
1
10 20
h
V
100
I
+
-
集电极电流（安培）
0.01
0.1
1
I
+
-
集电极电流（安培）
10 20
h
FE
V I
C
V
BE （ SAT ）
V I
C
单脉冲测试环境温度Tamb = 25℃
1.6
- （伏）
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0 0.001
-55°C
+25°C
+100°C
+175°C
V
CE
=10V
10
1
DC
1s
100ms
10ms
1ms
100
s
0.1
V
0.01
0.1
1
10 20
0.01
1
10
100
1000
I
+
-
集电极电流（安培）
V
CE
- 集电极电压（ V）
V
BE（上）
V I
C
安全工作区
3 - 293
SOT223 PNP硅平面高电流
（高性能）晶体管
第3期 - 1996年1月
特点
* 1安培连续电流
*高达2 A的峰值电流
*非常低饱和电压
*指定可达1安培出色的增益特性
互补类型 -
PARTMARKING细节 -
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
峰值脉冲电流
连续集电极电流
在T功耗
AMB
=25°C
工作和存储温度
范围
FZT957 - FZT857
FZT958 - N / A
设备类型FULL
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
CM
I
C
P
合计
T
j
:T
英镑
-2
-1
3
-55到+150
FZT957
-300
-300
-6
FZT957
FZT958
C
E
C
B
绝对最大额定值。
FZT958
-400
-400
单位
V
V
V
-1.5
-0.5
A
A
W
°C
*可以消散假设设备的电源被安装在一个典型的方式在一个
P.C.B.与铜等于4平方英寸的最小
3 - 289
FZT957
电气特性（在T
AMB
= 25 ° C除非另有说明）
参数
集电极 - 基
击穿电压
集电极 - 发射极
击穿电压
集电极 - 发射极
击穿电压
发射极 - 基
击穿电压
集电极截止电流
集电极截止电流
发射极截止电流
集电极 - 发射极
饱和电压
基射
饱和电压
基射
导通电压
静态前进
电流传输比
符号
V
（ BR ） CBO
V
（ BR ） CER
V
（ BR ） CEO
V
（ BR ） EBO
I
CBO
I
CER
R
≤
1k
I
EBO
V
CE （ SAT ）
-60
-110
-170
-910
-750
100
100
90
200
200
170
10
85
23
108
2500
分钟。
-330
-330
-300
-6
典型值。
-440
-440
-400
-8
-50
-1
-50
-1
-10
-100
-165
-240
-1150
-1020
马克斯。
单位
V
V
V
V
nA
nA
nA
mV
mV
mV
mV
mV
条件。
I
C
=-100
A
I
C
=-1
A， RB
≤
1k
I
C
=-10mA*
I
E
=-100
A
V
CB
=-300V
V
CB
= -300V ，T
AMB
=100°C
V
CB
=-300V
V
CB
= -300V ，T
AMB
=100°C
V
EB
=-6V
I
C
= -100mA ，我
B
=-10mA*
I
C
= -500mA ，我
B
=-100mA*
I
C
= -1A ，我
B
=-300mA*
I
C
= -1A ，我
B
=-300mA*
I
C
= -1A ，V
CE
=-10V*
I
C
= -10mA ，V
CE
=-10V*
I
C
= -0.5A ，V
CE
=-10V*
I
C
= -1A ，V
CE
=-10V*
I
C
= -2A ，V
CE
=-10V*
兆赫
pF
ns
ns
I
C
= -100mA ，V
CE
=-10V
f=50MHz
V
CB
= -20V ， F = 1MHz的
I
C
= -500mA ，我
B1
=-50mA
I
B2
= 50mA时V
CC
=-100V
A
A
V
BE （ SAT ）
V
BE（上）
h
FE
300
跃迁频率
输出电容
开关时间
f
T
C
敖包
t
on
t
关闭
*脉冲条件下进行测定。脉冲宽度= 300
秒。占空比
≤
2%
辣妹参数数据可应要求提供此设备
3 - 290
FZT957
典型特征
I
C
/I
B
=5
I
C
/I
B
=20
T
AMB
=25°C
-55°C
+25°C
+175°C
I
C
/I
B
=5
1.6
1.6
- （伏）
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0
0.01
0.1
1
10 20
- （伏）
V
1.4
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0
V
I
+
-
集电极电流（安培）
0.01
0.1
1
I
+
-
集电极电流（安培）
10 20
V
CE （ SAT ）
V I
C
V
CE （ SAT ）
V I
C
1.6
- 典型增益
- 归一化增益
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0 0.001
+100°C
+25°C
-55°C
V
CE
=10V
300
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0 0.001
-55°C
+25°C
+100°C
+175°C
I
C
/I
B
=10
200
h
h
0.01
0.1
1
10 20
V
100
- （伏）
I
+
-
集电极电流（安培）
0.01
0.1
1
I
+
-
集电极电流（安培）
10 20
h
FE
V I
C
V
BE （ SAT ）
V I
C
单脉冲测试环境温度Tamb = 25℃
1.6
- （伏）
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0 0.001
-55°C
+25°C
+100°C
+175°C
V
CE
=10V
10
1
DC
1s
100ms
10ms
1ms
100
s
0.1
V
0.01
0.1
1
10 20
0.01
1
10
100
1000
I
+
-
集电极电流（安培）
V
CE
- 集电极电压（ V）
V
BE（上）
V I
C
安全工作区
3 - 291
FZT958
电气特性（在T
AMB
= 25 ° C除非另有说明）
参数
集电极 - 基
击穿电压
集电极 - 发射极
击穿电压
集电极 - 发射极
击穿电压
发射极 - 基
击穿电压
集电极截止电流
集电极截止电流
发射极截止电流
集电极 - 发射极
饱和电压
基射
饱和电压
基射
导通电压
静态前进
电流传输比
跃迁频率
输出电容
开关时间
符号
V
（ BR ） CBO
V
（ BR ） CER
V
（ BR ） CEO
V
（ BR ） EBO
I
CBO
I
CER
R
≤
1k
I
EBO
V
CE （ SAT ）
-100
-150
-340
-830
-725
100
100
10
200
200
20
85
19
104
2400
分钟。
-400
-400
-400
-6
典型值。
-600
-600
-550
-8
-50
-1
-50
-1
-10
-150
-200
-400
-950
-840
马克斯。
单位
V
V
V
V
nA
nA
nA
mV
mV
mV
mV
mV
条件。
I
C
=-100
A
I
C
=-1
A， RB
≤
1k
I
C
=-10mA*
I
E
=-100
A
V
CB
=-300V
V
CB
= -300V ，T
AMB
=100°C
V
CB
=-300V
V
CB
= -300V ，T
AMB
=100°C
V
EB
=-6V
I
C
= -10mA ，我
B
=-1mA*
I
C
= -100mA ，我
B
=-10mA*
I
C
= -500mA ，我
B
=-100mA*
I
C
= -500mA ，我
B
=-100mA*
I
C
= -500mA ，V
CE
=-10V*
I
C
= -10mA ，V
CE
=-10V*
I
C
= -500mA ，V
CE
=-10V*
I
C
= -1A ，V
CE
=-10V*
兆赫
pF
ns
ns
I
C
= -100mA ，V
CE
=-10V
f=50MHz
V
CB
= -20V ， F = 1MHz的
I
C
= -500mA ，我
B1
=-50mA
I
B2
= 50mA时V
CC
=-100V
A
A
V
BE （ SAT ）
V
BE（上）
h
FE
300
f
T
C
敖包
t
on
t
关闭
*脉冲条件下进行测定。脉冲宽度= 300
秒。占空比
≤
2%
辣妹参数数据可应要求提供此设备
3 - 292
FZT958
典型特征
I
C
/I
B
=5
I
C
/I
B
=20
T
AMB
=25°C
-55°C
+25°C
+175°C
1.6
1.6
I
C
/I
B
=5
- （伏）
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0 0.001
0.01
0.1
1
10 20
- （伏）
V
1.4
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0 0.001
V
I
+
-
集电极电流（安培）
0.01
0.1
1
I
+
-
集电极电流（安培）
10 20
V
CE （ SAT ）
V I
C
V
CE （ SAT ）
V I
C
1.6
- 归一化增益
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0
0.001
+100°C
+25°C
-55°C
V
CE
=10V
300
1.6
- 典型增益
- （伏）
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0 0.001
-55°C
+25°C
+100°C
+175°C
I
C
/I
B
=10
200
h
0.01
0.1
1
10 20
h
V
100
I
+
-
集电极电流（安培）
0.01
0.1
1
I
+
-
集电极电流（安培）
10 20
h
FE
V I
C
V
BE （ SAT ）
V I
C
单脉冲测试环境温度Tamb = 25℃
1.6
- （伏）
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0 0.001
-55°C
+25°C
+100°C
+175°C
V
CE
=10V
10
1
DC
1s
100ms
10ms
1ms
100
s
0.1
V
0.01
0.1
1
10 20
0.01
1
10
100
1000
I
+
-
集电极电流（安培）
V
CE
- 集电极电压（ V）
V
BE（上）
V I
C
安全工作区
3 - 293
查看更多FZT957PDF信息
推荐型号
FOD4118SDV
FF200R06KE3
F18107D1200
F412R-12LB
FES16HTR
FM180-MH
FDB2501
FSTH-90S-G
FTH-6-01
FSL9230D
F82C435
FM24C64FLEN
FDD03-0505D4A
FJD5304DTF
FMS7951
FND327C
FQA13N50CF
FGH0H224ZF
FTS2057
FQPF8N60CF
供货商
型号
厂家
批号
数量
封装
单价/备注
操作
    深圳市壹芯创科技有限公司
    QQ： 点击这里给我发消息 QQ：2880707522 复制 点击这里给我发消息 QQ：2369405325 复制

    电话：0755-82780082
    联系人：杨小姐
    地址：深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    FZT957
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

更多配单专家
深圳市灿亿佳电子科技有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：2481682028 复制 点击这里给我发消息 QQ：936045363 复制

电话：13424184668
联系人：肖佳欣
地址：广东省深圳市福田区深南中路华强电子世界
FZT957
ZETEX
24+
8000000
13424184668 原厂直销 大量现货 可开票 原装正品
深圳市华斯顿电子科技有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：1002316308 复制 点击这里给我发消息 QQ：515102657 复制
电话：0755-83777708/83777607/82799993
联系人：朱咸华
地址：美驻深办公室:深圳市福田区华强北上步工业区201栋4楼A18室/ 分公司:深圳华强北深纺大厦C座西7楼/ 市场部:华强北新亚洲电子市场3B047展销柜
FZT957
ZETEX
25+23+
21500
SOT-223
绝对全新原装现货！原装原标原包渠道优势！
深圳市诺洋电子科技有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：2881501652 复制 点击这里给我发消息 QQ：2881501653 复制

电话：0755-83223003
联系人：朱
地址：福田区红荔路上步工业区201栋西座316
FZT957
DIODES/美台
24+
8640
S0T-223
全新原装现货，原厂代理。
上海熠富电子科技有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：565106636 复制 点击这里给我发消息 QQ：414322027 复制
电话：15026993318 // 13764057178 // 15821228847
联系人：销售部
地址：门市：上海市黄浦区北京东路668号科技京城电子市场K室//科技京城电子市场T房
FZT957
DIODES/美台
2024
18000
S0T-223
上海原装现货库存，欢迎咨询合作
深圳市晨豪科技有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：1852346906 复制 点击这里给我发消息 QQ：1743149803 复制

电话：0755-82732291
联系人：罗先生/严小姐/叶先生/林先生
地址：深圳市福田区中航路新亚洲电子商城一期2A103
FZT957
MI
23+
36592
SOT-223
全新原装假一罚十诚信经营
深圳市灿亿佳电子科技有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：2481682028 复制 点击这里给我发消息 QQ：936045363 复制

电话：13424184668
联系人：肖佳欣
地址：广东省深圳市福田区深南中路华强电子世界
FZT957
ZETEX
24+
56000
13424184668 原厂直销 大量现货 可开票 原装正品
北京人上科技有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：5645336 复制
电话：13910052844（微信同步）
联系人：刘先生
地址：海淀区增光路27号院增光佳苑2号楼1单元1102室
FZT957
√ 欧美㊣品
▲10/11+
10104
贴◆插
【dz37.com】实时报价有图&PDF
深圳市恒达亿科技有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：3004390991 复制 点击这里给我发消息 QQ：3004390992 复制 点击这里给我发消息 QQ：1245773710 复制

电话：0755-82723761/82772189
联系人：夏先生 朱小姐
地址：深圳市福田区华强北街道赛格科技园3栋东座10楼A2（本公司为一般纳税人，可开增票）
FZT957
ZETEX
25+
4500
模块
全新原装现货特价销售！
深圳市金亿泰电子有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：247773782 复制

电话：755-83252273
联系人：郑
地址：中航路新亚洲二期N3D039
FZT957
ZETZX
24+
90000
SOT-223
绝对全新原装/自己库存现货
深圳市众诚发电子有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：1131021506 复制 点击这里给我发消息 QQ：2885814660 复制
电话：0755-83231869
联系人：张
地址：福田区上步工业区505栋六楼608室(钟表市场楼上)
FZT957
ZETEX
2020+
8700
原厂封装
全新原装正品，可售样，可开13%增值税
查询更多FZT957供应信息
深圳市碧威特网络技术有限公司
 复制成功！