FQA13N50CF 500V N沟道MOSFET
FRFET
FQA13N50CF
500V N沟道MOSFET
特点
15A ， 500V ，R
DS （ ON）
= 0.48 @V
GS
= 10 V
低栅极电荷（典型的43 NC）
低的Crss （典型值20pF的）
快速开关
100 ％雪崩测试
改进dv / dt能力
快速恢复体二极管（典型为100ns ）
TM
描述
这些N沟道增强型功率场效应晶体管
器都采用飞兆半导体专有的，平面条形制作，
DMOS技术。
这种先进的技术已特别针对微型
迈兹的导通电阻，优越的开关perfor-
曼斯，并能承受高能量脉冲雪崩和
换流模式。这些装置非常适用于高艾菲
效率开关电源，有源功率因数cor-
基于半桥拓扑rection ，电子镇流器。
D
!
＆ QUOT ;
G
!
！ "
＆ QUOT ;
＆ QUOT ;
TO-3P
摹 S
常见问题解答系列
!
S
绝对最大额定值
符号
V
DSS
I
D
I
DM
V
GSS
E
AS
I
AR
E
AR
dv / dt的
P
D
T
J
, T
英镑
T
L
漏源电压
漏电流
- 连续（T
C
= 25°C)
- 连续（T
C
= 100°C)
漏电流
- 脉冲
（注1 ）
栅源电压
单脉冲雪崩能量
雪崩电流
重复性雪崩能量
峰值二极管恢复的dv / dt
功率耗散（T
C
= 25°C)
- 减免上述25℃
工作和存储温度范围
最大无铅焊接温度的目的，
8分之1 ＆ QUOT ;从案例5秒
（注2 ）
（注1 ）
（注1 ）
（注3）
参数
FQA13N50CF
500
15
9.5
60
±
30
860
15
21.8
4.5
218
1.56
-55到+150
300
单位
V
A
A
A
V
mJ
A
mJ
V / ns的
W
W / ℃，
°C
°C
热特性
符号
R
θJC
R
θJS
R
θJA
参数
热阻，结到外壳
热电阻，凯斯到水槽典型。
热阻，结到环境
典型值
--
0.24
--
最大
0.58
--
40
单位
° C / W
° C / W
° C / W
2005仙童半导体公司
1
www.fairchildsemi.com
FQA13N50CF版本A
FQA13N50CF 500V N沟道MOSFET
包装标志和订购信息
器件标识
FQA13N50CF
设备
FQA13N50CF
包
TO-3P
带尺寸
胶带宽度
QUANTITY
电气特性
符号
开关特性
BV
DSS
ΔBV
DSS
/
T
J
I
DSS
I
GSSF
I
GSSR
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
g
FS
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
g
Q
gs
Q
gd
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
注意事项：
T
C
= 25 ° C除非另有说明
参数
漏源击穿电压
击穿电压温度系数
零栅极电压漏极电流
测试条件
V
GS
= 0 V，I
D
= 250
A
I
D
= 250
A,
参考25 ℃下
V
DS
= 500 V, V
GS
= 0 V
V
DS
= 400 V ，T
C
= 125°C
V
GS
= 30 V, V
DS
= 0 V
V
GS
= -30 V, V
DS
= 0 V
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250
A
V
GS
= 10 V，I
D
= 7.5 A
V
DS
= 40 V，I
D
= 7.5 A
V
DS
= 25 V, V
GS
= 0 V,
F = 1.0 MHz的
（注4 ）
民
500
--
--
--
--
--
典型值
--
0.5
--
--
--
--
最大单位
--
--
1
10
100
-100
V
V /°C的
A
A
nA
nA
门体漏电流，正向
门体漏电流，反向
基本特征
栅极阈值电压
静态漏源
导通电阻
正向跨导
2.0
--
--
--
0.43
15
4.0
0.48
--
V
S
动态特性
输入电容
输出电容
反向传输电容
--
--
--
1580
180
20
2055
235
25
pF
pF
pF
开关特性
导通延迟时间
开启上升时间
打开-O FF延迟时间
关断下降时间
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
V
DS
= 400 V，I
D
= 15 A,
V
GS
= 10 V
（注4,5）
（注4,5）
V
DD
= 250 V，I
D
= 15 A,
R
G
= 25
--
--
--
--
--
--
--
25
100
130
100
43
7.5
18.5
60
210
270
210
56
--
--
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
漏源二极管的特性和最大额定值
最大连续漏源二极管的正向电流
最大脉冲漏源二极管的正向电流
漏源二极管的正向电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
V
GS
= 0 V，I
S
= 15 A
V
GS
= 0 V，I
S
= 15 A,
dI
F
/ DT = 100 A / μs的
（注4 ）
--
--
--
--
--
--
--
--
100
2.1
15
60
1.4
--
--
A
A
V
ns
C
1.重复额定值：脉冲宽度有限的最高结温
2， L = 5.6mH ，我
AS
= 15A ，V
DD
= 50V ，R
G
= 25
,
起始物为
J
= 25°C
3. I
SD
≤
15A ， di / dt的
≤
200A / μs的，V
DD
≤
BV
DSS ，
起始物为
J
= 25°C
4.脉冲测试：脉冲宽度
≤
300μS ，占空比
≤
2%
5.基本上是独立工作温度
2
FQA13N50CF版本A
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FQA13N50CF 500V N沟道MOSFET
典型性能特性
图1.区域特征
图2.传输特性
V
GS
上图：
15.0 V
10.0 V
8.0 V
7.0 V
6.0 V
5.5 V
5.0 V
底部： 4.5 V
10
1
10
1
I
D
，漏电流[ A]
I
D
，漏电流[ A]
150
°
C
-55
°
C
25
°
C
10
0
10
0
注意事项：
1. 250
脉冲测试
2. T
C
= 25
°
C
注意事项：
1. V
DS
= 40V
10
-1
10
-1
-1
2. 250
s脉冲测试
10
10
0
10
1
2
4
6
8
10
V
DS
，漏源电压[V]
V
GS
，栅源电压[V]
图3.导通电阻变化对比
漏电流和栅极电压
图4.体二极管正向电压
变化与源电流
和Temperatue
R
DS （ ON）
[
],
漏源导通电阻
I
DR
，反向漏电流[ A]
1.5
V
GS
= 10V
10
1
1.0
10
0
V
GS
= 20V
0.5
注：t
J
= 25
°
C
150
°
C
25
°
C
10
-1
注意事项：
1. V
GS
= 0V
2. 250
s脉冲测试
0
5
10
15
20
25
30
35
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
I
D
，漏电流[ A]
V
SD
，源极 - 漏极电压[ V]
图5.电容特性
3000
C
国际空间站
= C
gs
+ C
gd
(C
ds
=短路）
C
OSS
= C
ds
+ C
gd
图6.栅极电荷特性
12
V
DS
= 100V
10
C
国际空间站
V
GS
，栅源电压[V]
2500
C
RSS
= C
gd
V
DS
= 250V
V
DS
= 400V
电容[ pF的]
2000
8
1500
C
OSS
6
1000
注意事项;
1. V
GS
= 0 V
4
C
RSS
500
2. F = 1 MHz的
2
注：我
D
= 15A
0
-1
10
10
0
10
1
0
0
10
20
30
40
50
V
DS
，漏源电压[V]
Q
G
，总栅极电荷[ NC ]
3
FQA13N50CF版本A
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FQA13N50CF 500V N沟道MOSFET
典型性能特性
（续）
图7.击穿电压变化
与温度的关系
图8.导通电阻变化
与温度的关系
1.2
3.0
BV
DSS
（归一化）
漏源击穿电压
1.1
R
DS （ ON）
（归一化）
漏源导通电阻
2.5
2.0
1.0
1.5
1.0
0.9
注意事项：
1. V
GS
= 0 V
2. I
D
= 250
A
0.5
注意事项：
1. V
GS
= 10 V
2. I
D
= 7.5 A
0.8
-100
-50
0
50
100
150
200
0.0
-100
-50
0
50
100
150
200
T
J
，结温[
°
C]
T
J
，结温[
°
C]
图9-1 。最大安全工作区
图10.最大漏极电流
与外壳温度
16
10
2
在这一领域
由R有限公司
DS （ ON）
14
I
D
，漏电流[ A]
10
s
1毫秒
10毫秒
100毫秒
DC
I
D
，漏电流[ A]
10
3
100
s
10
1
12
10
8
6
4
2
0
25
10
0
注意事项：
1. T
C
= 25
°
C
2. T
J
= 150
°
C
3.单脉冲
10
-1
10
0
10
1
10
2
50
75
100
125
150
V
DS
，漏源电压[V]
T
C
，外壳温度[
°
C]
图11.瞬态热响应曲线
10
0
（T ） ，热响应
D = 0 .5
0 .2
10
-1
N 2 O TE S：
1 . Z
θ
J·C
( t) = 0 .5 8
°
C / W M A X 。
2 。 ü TY F A C到R，D = T
1
/t
2
3 . T
J·M
- T
C
= P
D M
* Z
θ
J·C
( t)
0 .1
0 .0 5
0 .0 2
0 .0 1
10
-2
P
DM
t
1
的I N G - 乐P ü LS ê
θ
JC
Z
t
2
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
t
1
，S单方W AVE P ü LS E D市建局TIO N [秒]
4
FQA13N50CF版本A
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FQA13N50CF 500V N沟道MOSFET
栅极电荷测试电路波形&
50KΩ
12V
200nF
300nF
同一类型
作为DUT
V
DS
V
GS
Q
g
10V
Q
gs
Q
gd
V
GS
DUT
3mA
收费
电阻开关测试电路波形&
V
DS
V
GS
R
G
R
L
V
DD
V
DS
90%
10V
DUT
V
GS
10%
t
D（上）
t
on
t
r
t
D（关闭）
t
关闭
t
f
非钳位感应开关测试电路波形&
L
V
DS
I
D
R
G
10V
t
p
BV
DSS
1
---- L I
AS2
--------------------
E
AS
=
2
BV
DSS
- V
DD
BV
DSS
I
AS
V
DD
I
D
(t)
V
DD
t
p
DUT
V
DS
(t)
时间
5
FQA13N50CF版本A
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FQA13N50CF 500V N沟道MOSFET
2007年7月
FRFET
FQA13N50CF
500V N沟道MOSFET
特点
15A ， 500V ，R
DS （ ON）
= 0.48 @V
GS
= 10 V
低栅极电荷（典型值43nC ）
低C
RSS
（典型值20pF的）
快速开关
100％的雪崩测试
改进的dv / dt能力
快速恢复体二极管（典型为100ns ）
符合RoHS
描述
这些N沟道增强型功率场效应
晶体管都采用飞兆半导体专有的，平面出品
条纹， DMOS技术。
这种先进的技术已特别针对
最大限度地减少通态电阻，优越的开关
性能，并能承受高能量脉冲雪崩
和减刑模式。这些装置非常适用于高
高效率开关电源，有源功率因数
基于半桥校正，电子镇流器
拓扑结构。
D
G
TO-3P
摹 S
常见问题解答系列
S
绝对最大额定值
符号
V
DSS
I
D
I
DM
V
GSS
E
AS
I
AR
E
AR
dv / dt的
P
D
T
J
, T
英镑
T
L
漏源电压
漏电流
- 连续（T
C
= 25°C)
- 连续（T
C
= 100°C)
漏电流
- 脉冲
（注1 ）
参数
FQA13N50CF
500
15
9.5
60
±
30
（注2 ）
（注1 ）
（注1 ）
（注3）
单位
V
A
A
A
V
mJ
A
mJ
V / ns的
W
W / ℃，
°C
°C
栅源电压
单脉冲雪崩能量
雪崩电流
重复性雪崩能量
峰值二极管恢复的dv / dt
功率耗散（T
C
= 25°C)
- 减免上述25℃
工作和存储温度范围
最大无铅焊接温度的目的，
1 / 8''"from情况下5秒
860
15
21.8
4.5
218
1.56
-55到+150
300
热特性
符号
R
θJC
R
θJS
R
θJA
参数
热阻，结到外壳
热电阻，外壳到散热器
热阻，结到环境
典型值
--
0.24
--
最大
0.58
--
40
单位
° C / W
° C / W
° C / W
2007仙童半导体公司
1
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FQA13N50CF牧师A1
FQA13N50CF 500V N沟道MOSFET
包装标志和订购信息
器件标识
FQA13N50CF
FQA13N50CF
设备
FQA13N50CF
FQA13N50CF_F109
包
TO-3P
TO-3PN
带尺寸
--
--
胶带宽度
--
--
QUANTITY
30
30
电气特性
符号
开关特性
BV
DSS
ΔBV
DSS
/
T
J
I
DSS
I
GSSF
I
GSSR
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
g
FS
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
g
Q
gs
Q
gd
T
C
= 25 ° C除非另有说明
参数
漏源击穿电压
击穿电压温度系数
零栅极电压漏极电流
测试条件
V
GS
= 0 V，I
D
= 250
A
I
D
= 250
A,
参考25 ℃下
V
DS
= 500 V, V
GS
= 0 V
V
DS
= 400 V ，T
C
= 125°C
V
GS
= 30 V, V
DS
= 0 V
V
GS
= -30 V, V
DS
= 0 V
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250
A
V
GS
= 10 V，I
D
= 7.5A
V
DS
= 40 V，I
D
= 7.5 A
V
DS
= 25 V, V
GS
= 0 V,
F = 1.0 MHz的
（注4 ）
民
500
--
--
--
--
--
典型值
--
0.5
--
--
--
--
最大单位
--
--
1
10
100
-100
V
V /°C的
A
A
nA
nA
门体漏电流，正向
门体漏电流，反向
基本特征
栅极阈值电压
静态漏源导通电阻
正向跨导
2.0
--
--
--
0.43
15
4.0
0.48
--
V
S
动态特性
输入电容
输出电容
反向传输电容
--
--
--
1580
180
20
2055
235
25
pF
pF
pF
开关特性
导通延迟时间
开启上升时间
打开-O FF延迟时间
（注4,5）
V
DD
= 250 V，I
D
= 15A,
R
G
= 25
--
--
--
--
25
100
130
100
43
7.5
18.5
60
210
270
210
56
--
--
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
关断下降时间
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
V
DS
= 400 V，I
D
= 15A,
V
GS
= 10 V
（注4,5）
--
--
--
漏源二极管的特性和最大额定值
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
注意事项：
1.重复额定值：脉冲宽度有限的最高结温
2， L = 5.6mH ，我
AS
= 15A ，V
DD
= 50V ，R
G
= 25
,
起始物为
J
= 25°C
3. I
SD
≤
15A ， di / dt的
≤200A/s,
V
DD
≤
BV
DSS ，
起始物为
J
= 25°C
4.脉冲测试：脉冲宽度
≤
300μS ，占空比
≤
2%
5.基本上是独立工作温度
最大连续漏源二极管的正向电流
最大脉冲漏源二极管的正向电流
漏源二极管的正向电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
V
GS
= 0 V，I
S
= 15 A
V
GS
= 0 V，I
S
= 15 A,
dI
F
/ DT = 100 A / μs的
（注4 ）
--
--
--
--
--
--
--
--
100
0.4
15
60
1.4
--
--
A
A
V
ns
C
2
FQA13N50CF牧师A1
www.fairchildsemi.com
FQA13N50CF 500V N沟道MOSFET
典型性能特性
图1.区域特征
图2.传输特性
10
1
I
D
，漏电流[ A]
I
D
，漏电流[ A]
V
GS
15.0 V
10.0 V
8.0 V
7.0 V
6.0 V
5.5 V
5.0 V
底部： 4.5 V
上图：
10
1
150
°
C
-55
°
C
25
°
C
10
0
10
0
注意事项：
1. 250US脉冲测试
2. T
C
= 25
°
C
注意事项：
1. V
DS
= 40V
10
-1
10
-1
-1
2. 250
s脉冲测试
10
10
0
10
1
2
4
6
8
10
V
DS
，漏源电压[V]
V
GS
，栅源电压[V]
图3.导通电阻变化对比
漏电流和栅极电压
图4.体二极管正向电压
变化与源电流
和Temperatue
R
DS （ ON）
[
],
漏源导通电阻
I
DR
，反向漏电流[ A]
1.5
V
GS
= 10V
10
1
1.0
10
0
V
GS
= 20V
0.5
注：t
J
= 25
°
C
150
°
C
25
°
C
10
-1
注意事项：
1. V
GS
= 0V
2. 250
s脉冲测试
0
5
10
15
20
25
30
35
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
I
D
，漏电流[ A]
V
SD
，源极 - 漏极电压[ V]
图5.电容特性
3000
C
国际空间站
= C
gs
+ C
gd
(C
ds
=短路）
C
OSS
= C
ds
+ C
gd
图6.栅极电荷特性
12
V
DS
= 100V
10
C
国际空间站
V
GS
，栅源电压[V]
2500
C
RSS
= C
gd
V
DS
= 250V
V
DS
= 400V
电容[ pF的]
2000
8
1500
C
OSS
6
1000
注意事项;
1. V
GS
= 0 V
4
C
RSS
500
2. F = 1 MHz的
2
注：我
D
= 15A
0
-1
10
10
0
10
1
0
0
10
20
30
40
50
V
DS
，漏源电压[V]
Q
G
，总栅极电荷[ NC ]
3
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FQA13N50CF 500V N沟道MOSFET
典型性能特性
（续）
图7.击穿电压变化
与温度的关系
图8.导通电阻变化
与温度的关系
1.2
3.0
BV
DSS
（归一化）
漏源击穿电压
1.1
R
DS （ ON）
（归一化）
漏源导通电阻
2.5
2.0
1.0
1.5
1.0
0.9
注意事项：
1. V
GS
= 0 V
2. I
D
= 250
A
0.5
注意事项：
1. V
GS
= 10 V
2. I
D
= 7.5 A
0.8
-100
-50
0
50
100
150
200
0.0
-100
-50
0
50
100
150
200
T
J
，结温[
°
C]
T
J
，结温[
°
C]
图9.最高安全工作区
图10.最大漏极电流
与外壳温度
16
10
2
在这一领域
由R有限公司
DS （ ON）
14
I
D
，漏电流[ A]
10
s
1毫秒
10毫秒
100毫秒
DC
I
D
，漏电流[ A]
10
3
100
s
10
1
12
10
8
6
4
2
0
25
10
0
注意事项：
1. T
C
= 25
°
C
2. T
J
= 150
°
C
3.单脉冲
10
-1
10
0
10
1
10
2
50
75
100
125
150
V
DS
，漏源电压[V]
T
C
，外壳温度[
°
C]
图11.瞬态热响应曲线
10
0
（T ） ，热响应
D = 0 .5
0 .2
10
-1
N 2 O TE S：
1 . Z
θ
J·C
( t) = 0 .5 8
°
C / W M A X 。
2 。 ü TY F A C到R，D = T
1
/ t
2
3 . T
J·M
- T
C
= P
D M
* Z
θ
J·C
( t)
0 .1
0 .0 5
0 .0 2
0 .0 1
10
-2
P
DM
t
1
S IN克乐P ü LS ê
θ
JC
t
2
Z
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
t
1
，S单方W AVE P ü LS E D URAT IO N [秒]
4
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栅极电荷测试电路波形&
电阻开关测试电路波形&
非钳位感应开关测试电路波形&
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