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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符F型号页 > 首字符F的型号第358页 > FZT605
SOT223 NPN硅平面介质
功率达林顿晶体管
第3期 - 1995年10月
特点
*
*
保证
FE
指定高达2A
快速开关
设备类型FULL
FZT604 - FZT704
FZT605 - FZT705
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
CM
I
C
P
合计
T
j
:T
英镑
FZT604
120
100
10
4
1.5
2
C
FZT604
FZT605
PARTMARKING详细信息 -
互补类型 -
E
C
B
FZT605
140
120
单位
V
V
V
A
A
W
°C
绝对最大额定值。
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
峰值脉冲电流
连续集电极电流
功耗
工作和存储温度范围
参数
-55到+150
电气特性（在T
AMB
= 25 ° C除非另有说明） 。
符号最小值。 MAX 。单位条件。
V
（ BR ） CBO
V
（ BR ） CEO
V
（ BR ） EBO
I
CBO
120
140
100
120
10
0.01
10
0.01
10
I
EBO
FZT604
FZT605
V
CE （ SAT ）
V
BE （ SAT ）
V
BE（上）
h
FE
I
CES
0.1
10
10
1.0,
1.5
1.8
1.7
2K
5K
100K
2K
0.5K
V
V
V
V
A
A
A
A
A
A
A
集电极 - 基
击穿电压
集电极 - 发射极
击穿电压
集电极截止
当前
FZT604
FZT605
FZT604
FZT605
FZT604
FZT605
I
C
=100
A
I
C
=100
A
I
C
=10mA*
I
C
=10mA*
I
E
=100
A
V
CB
=100V
V
CB
=100V,
T
AMB
=100°C
V
CB
=120V
V
CB
=120V,
T
AMB
=100°C
V
EB
=8V
V
CES
=100V
V
CES
=120V
I
C
= 250毫安，我
B
=0.25mA*
I
C
= 1A ，我
B
=1mA*
I
C
= 1A ，我
B
=1mA*
I
C
= 1A ，V
CE
=5V*
I
C
= 50mA时V
CE
=5V
I
C
= 500毫安，V
CE
=5V*
I
C
= 1A ，V
CE
=5V*
I
C
= 2A ，V
CE
=5V*
发射极 - 基极击穿电压
发射极截止电流
集电极 - 发射极
截止电流
集电极 - EMITTERSATURATION
电压
基射极饱和电压
基射极导通电压
静态前进
电流传输比
V
V
V
V
3 - 202
FZT604
FZT605
参数
跃迁频率
输入电容
输出电容
开关时间
符号
f
T
C
IBO
C
敖包
t
on
t
关闭
分钟。
150
90典型
15典型
0.5典型
1.6典型
马克斯。
单位
兆赫
pF
pF
pF
pF
条件
I
C
=100mA,V
CE
=10V
f=20MHz
V
EB
= 500mV的， F = 1MHz的
V
CB
= 10V ， F = 1MHz的
I
C
= 500毫安，V
CE
=10V
I
B1
= I
B2
- 0.5毫安
*脉冲条件下进行测定。脉冲宽度= 300μS 。占空比2 ％
辣妹参数数据可应要求提供这些设备。
3 - 203
FZT604
FZT605
典型特征
1.8
1.6
- （伏）
1.4
1.2
1.0
0.8
I
C
/I
B
=100
- 增益归为1安培
-55°C
+25°C
+100°C
+175°C
2.5
-55°C
+25°C
+100°C
2.0
V
CE
=5V
1.5
V
0.6
0.4
0.2
0
1.0
0.5
h
0.01
0.1
1
10
0.001
0.01
0.1
1
10
I
C
-
集电极电流（安培）
I
C
-
集电极电流（安培）
V
CE （ SAT ）
V I
C
h
FE
V I
C
2.2
2.0
1.8
1.6
-55°C
+25°C
+100°C
+175°C
2.2
2.0
1.8
1.6
1.4
1.2
1.0
-55°C
+25°C
+100°C
- （伏）
1.4
1.2
1.0
0.8
I
C
/I
B
=100
- （伏）
V
V
CE
=5V
0.8
0.6
0.4
0.1
1
10
0.01
0.1
1
10
V
0.6
0.4
0.01
I
C
-
集电极电流（安培）
I
C
-
集电极电流（安培）
V
BE （ SAT ）
V I
C
V
BE（上）
V I
C
10
10
我-collector电流（A ）
我-collector电流（A ）
1
1
0.1
DC
1s
100ms
10ms
1ms
100
s
0.1
DC
1s
100ms
10ms
1ms
100
s
+
0.01
1
10
100
1000
+
0.01
1
10
100
1000
V
CE
- 集电极发射极电压（V ）
V
CE
- 集电极发射极电压（V ）
FZT604安全工作区
3 - 204
FZT605安全工作区
SOT223 NPN硅平面介质
功率达林顿晶体管
第3期 - 1995年10月
特点
*
*
保证
FE
指定高达2A
快速开关
设备类型FULL
FZT604 - FZT704
FZT605 - FZT705
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
CM
I
C
P
合计
T
j
:T
英镑
FZT604
120
100
10
4
1.5
2
C
FZT604
FZT605
PARTMARKING详细信息 -
互补类型 -
E
C
B
FZT605
140
120
单位
V
V
V
A
A
W
°C
绝对最大额定值。
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
峰值脉冲电流
连续集电极电流
功耗
工作和存储温度范围
参数
-55到+150
电气特性（在T
AMB
= 25 ° C除非另有说明） 。
符号最小值。 MAX 。单位条件。
V
（ BR ） CBO
V
（ BR ） CEO
V
（ BR ） EBO
I
CBO
120
140
100
120
10
0.01
10
0.01
10
I
EBO
FZT604
FZT605
V
CE （ SAT ）
V
BE （ SAT ）
V
BE（上）
h
FE
I
CES
0.1
10
10
1.0,
1.5
1.8
1.7
2K
5K
100K
2K
0.5K
V
V
V
V
A
A
A
A
A
A
A
集电极 - 基
击穿电压
集电极 - 发射极
击穿电压
集电极截止
当前
FZT604
FZT605
FZT604
FZT605
FZT604
FZT605
I
C
=100
A
I
C
=100
A
I
C
=10mA*
I
C
=10mA*
I
E
=100
A
V
CB
=100V
V
CB
=100V,
T
AMB
=100°C
V
CB
=120V
V
CB
=120V,
T
AMB
=100°C
V
EB
=8V
V
CES
=100V
V
CES
=120V
I
C
= 250毫安，我
B
=0.25mA*
I
C
= 1A ，我
B
=1mA*
I
C
= 1A ，我
B
=1mA*
I
C
= 1A ，V
CE
=5V*
I
C
= 50mA时V
CE
=5V
I
C
= 500毫安，V
CE
=5V*
I
C
= 1A ，V
CE
=5V*
I
C
= 2A ，V
CE
=5V*
发射极 - 基极击穿电压
发射极截止电流
集电极 - 发射极
截止电流
集电极 - EMITTERSATURATION
电压
基射极饱和电压
基射极导通电压
静态前进
电流传输比
V
V
V
V
3 - 202
FZT604
FZT605
参数
跃迁频率
输入电容
输出电容
开关时间
符号
f
T
C
IBO
C
敖包
t
on
t
关闭
分钟。
150
90典型
15典型
0.5典型
1.6典型
马克斯。
单位
兆赫
pF
pF
pF
pF
条件
I
C
=100mA,V
CE
=10V
f=20MHz
V
EB
= 500mV的， F = 1MHz的
V
CB
= 10V ， F = 1MHz的
I
C
= 500毫安，V
CE
=10V
I
B1
= I
B2
- 0.5毫安
*脉冲条件下进行测定。脉冲宽度= 300μS 。占空比2 ％
辣妹参数数据可应要求提供这些设备。
3 - 203
FZT604
FZT605
典型特征
1.8
1.6
- （伏）
1.4
1.2
1.0
0.8
I
C
/I
B
=100
- 增益归为1安培
-55°C
+25°C
+100°C
+175°C
2.5
-55°C
+25°C
+100°C
2.0
V
CE
=5V
1.5
V
0.6
0.4
0.2
0
1.0
0.5
h
0.01
0.1
1
10
0.001
0.01
0.1
1
10
I
C
-
集电极电流（安培）
I
C
-
集电极电流（安培）
V
CE （ SAT ）
V I
C
h
FE
V I
C
2.2
2.0
1.8
1.6
-55°C
+25°C
+100°C
+175°C
2.2
2.0
1.8
1.6
1.4
1.2
1.0
-55°C
+25°C
+100°C
- （伏）
1.4
1.2
1.0
0.8
I
C
/I
B
=100
- （伏）
V
V
CE
=5V
0.8
0.6
0.4
0.1
1
10
0.01
0.1
1
10
V
0.6
0.4
0.01
I
C
-
集电极电流（安培）
I
C
-
集电极电流（安培）
V
BE （ SAT ）
V I
C
V
BE（上）
V I
C
10
10
我-collector电流（A ）
我-collector电流（A ）
1
1
0.1
DC
1s
100ms
10ms
1ms
100
s
0.1
DC
1s
100ms
10ms
1ms
100
s
+
0.01
1
10
100
1000
+
0.01
1
10
100
1000
V
CE
- 集电极发射极电压（V ）
V
CE
- 集电极发射极电压（V ）
FZT604安全工作区
3 - 204
FZT605安全工作区
SOT223 NPN硅平面介质
功率达林顿晶体管
第4期 - 2001年3月
特点
*
*
保证
FE
指定高达2A
快速开关
FZT605
FZT705
C
FZT605
E
PARTMARKING详细信息 -
互补类型 -
C
B
绝对最大额定值。
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
峰值脉冲电流
连续集电极电流
功耗
工作和存储温度范围
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
CM
I
C
P
合计
T
j
:T
英镑
价值
140
120
10
4
1.5
2
-55到+150
单位
V
V
V
A
A
W
°C
电气特性（在T
AMB
= 25 ° C除非另有说明） 。
参数
集电极 - 基
击穿电压
集电极 - 发射极
击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
集电极截止
当前
发射极截止电流
集电极 - 发射极截止电流
集电极 - 发射极饱和
电压
基射极饱和电压
基射极导通电压
静态前进
电流传输比
符号最小值。 MAX 。单位条件。
V
（ BR ） CBO
V
（ BR ） CEO
V
（ BR ） EBO
I
CBO
I
EBO
I
CES
V
CE （ SAT ）
V
BE （ SAT ）
V
BE（上）
h
FE
140
120
10
0.01
10
0.1
10
1.0,
1.5
1.8
1.7
2K
5K
2K
100K
0.5K
150
90典型
15典型
0.5典型
1.6典型
兆赫
pF
pF
纳秒
纳秒
V
V
V
I
C
=100
A
I
C
=10mA*
I
E
=100
A
V
CB
=120V
V
CB
=120V,
T
AMB
=100°C
V
EB
=8V
V
CES
=120V
I
C
= 250毫安，我
B
=0.25mA*
I
C
= 1A ，我
B
=1mA*
I
C
= 1A ，我
B
=1mA*
I
C
= 1A ，V
CE
=5V*
I
C
= 50mA时V
CE
=5V
I
C
= 500毫安，V
CE
=5V*
I
C
= 1A ，V
CE
=5V*
I
C
= 2A ，V
CE
=5V*
I
C
= 100mA时V
CE
=10V
f=20MHz
V
EB
= 500mV的， F = 1MHz的
VCB = 10V ， F = 1MHz的
I
C
= 500毫安，V
CE
=10V
I
B1
=I
B2
=0.5mA
A
A
A
A
V
V
V
V
跃迁频率
输入电容
输出电容
开关时间
f
t
C
IBO
C
敖包
t
on
t
关闭
*脉冲条件下进行测定。脉冲宽度= 300
秒。占空比2 ％
辣妹参数数据可应要求提供这些设备。
TBA
FZT605
典型特征
1.8
1.6
V
CE （ SAT ）
- （伏）
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0
I
C
/I
B
=100
h
FE
- 增益归为1安培
-55°C
+25°C
+100°C
+175°C
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
-55°C
+25°C
+100°C
V
CE
=5V
0.01
0.1
1
10
0.001
0.01
0.1
1
10
I
C
-
集电极电流（安培）
I
C
-
集电极电流（安培）
V
CE （ SAT ）
V I
C
h
FE
V I
C
2.2
2.0
1.8
1.6
-55°C
+25°C
+100°C
+175°C
2.2
2.0
1.8
-55°C
+25°C
+100°C
V
BE （ SAT ）
- （伏）
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.01
0.1
1
10
I
C
/I
B
=100
V
BE
- （伏）
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.01
0.1
1
10
V
CE
=5V
I
C
-
集电极电流（安培）
I
C
-
集电极电流（安培）
V
BE （ SAT ）
V I
C
V
BE（上）
V I
C
10
10
I
C
-collector电流（A ）
I
C
-collector电流（A ）
1
DC
1s
100ms
10ms
1ms
100s
1
DC
1s
100ms
10ms
1ms
100s
0.1
0.1
0.01
1
10
100
1000
0.01
1
10
100
1000
V
CE
- 集电极发射极电压（V ）
V
CE
- 集电极发射极电压（V ）
FZT604安全工作区
FZT605安全工作区
78
SOT223 NPN硅平面介质
功率达林顿晶体管
第3期 - 1995年10月
特点
*
*
保证
FE
指定高达2A
快速开关
设备类型FULL
FZT604 - FZT704
FZT605 - FZT705
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
CM
I
C
P
合计
T
j
:T
英镑
FZT604
120
100
10
4
1.5
2
C
FZT604
FZT605
PARTMARKING详细信息 -
互补类型 -
E
C
B
FZT605
140
120
单位
V
V
V
A
A
W
°C
绝对最大额定值。
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
峰值脉冲电流
连续集电极电流
功耗
工作和存储温度范围
参数
-55到+150
电气特性（在T
AMB
= 25 ° C除非另有说明） 。
符号最小值。 MAX 。单位条件。
V
（ BR ） CBO
V
（ BR ） CEO
V
（ BR ） EBO
I
CBO
120
140
100
120
10
0.01
10
0.01
10
I
EBO
FZT604
FZT605
V
CE （ SAT ）
V
BE （ SAT ）
V
BE（上）
h
FE
I
CES
0.1
10
10
1.0,
1.5
1.8
1.7
2K
5K
100K
2K
0.5K
V
V
V
V
A
A
A
A
A
A
A
集电极 - 基
击穿电压
集电极 - 发射极
击穿电压
集电极截止
当前
FZT604
FZT605
FZT604
FZT605
FZT604
FZT605
I
C
=100
A
I
C
=100
A
I
C
=10mA*
I
C
=10mA*
I
E
=100
A
V
CB
=100V
V
CB
=100V,
T
AMB
=100°C
V
CB
=120V
V
CB
=120V,
T
AMB
=100°C
V
EB
=8V
V
CES
=100V
V
CES
=120V
I
C
= 250毫安，我
B
=0.25mA*
I
C
= 1A ，我
B
=1mA*
I
C
= 1A ，我
B
=1mA*
I
C
= 1A ，V
CE
=5V*
I
C
= 50mA时V
CE
=5V
I
C
= 500毫安，V
CE
=5V*
I
C
= 1A ，V
CE
=5V*
I
C
= 2A ，V
CE
=5V*
发射极 - 基极击穿电压
发射极截止电流
集电极 - 发射极
截止电流
集电极 - EMITTERSATURATION
电压
基射极饱和电压
基射极导通电压
静态前进
电流传输比
V
V
V
V
3 - 202
FZT604
FZT605
参数
跃迁频率
输入电容
输出电容
开关时间
符号
f
T
C
IBO
C
敖包
t
on
t
关闭
分钟。
150
90典型
15典型
0.5典型
1.6典型
马克斯。
单位
兆赫
pF
pF
pF
pF
条件
I
C
=100mA,V
CE
=10V
f=20MHz
V
EB
= 500mV的， F = 1MHz的
V
CB
= 10V ， F = 1MHz的
I
C
= 500毫安，V
CE
=10V
I
B1
= I
B2
- 0.5毫安
*脉冲条件下进行测定。脉冲宽度= 300μS 。占空比2 ％
辣妹参数数据可应要求提供这些设备。
3 - 203
FZT604
FZT605
典型特征
1.8
1.6
- （伏）
1.4
1.2
1.0
0.8
I
C
/I
B
=100
- 增益归为1安培
-55°C
+25°C
+100°C
+175°C
2.5
-55°C
+25°C
+100°C
2.0
V
CE
=5V
1.5
V
0.6
0.4
0.2
0
1.0
0.5
h
0.01
0.1
1
10
0.001
0.01
0.1
1
10
I
C
-
集电极电流（安培）
I
C
-
集电极电流（安培）
V
CE （ SAT ）
V I
C
h
FE
V I
C
2.2
2.0
1.8
1.6
-55°C
+25°C
+100°C
+175°C
2.2
2.0
1.8
1.6
1.4
1.2
1.0
-55°C
+25°C
+100°C
- （伏）
1.4
1.2
1.0
0.8
I
C
/I
B
=100
- （伏）
V
V
CE
=5V
0.8
0.6
0.4
0.1
1
10
0.01
0.1
1
10
V
0.6
0.4
0.01
I
C
-
集电极电流（安培）
I
C
-
集电极电流（安培）
V
BE （ SAT ）
V I
C
V
BE（上）
V I
C
10
10
我-collector电流（A ）
我-collector电流（A ）
1
1
0.1
DC
1s
100ms
10ms
1ms
100
s
0.1
DC
1s
100ms
10ms
1ms
100
s
+
0.01
1
10
100
1000
+
0.01
1
10
100
1000
V
CE
- 集电极发射极电压（V ）
V
CE
- 集电极发射极电压（V ）
FZT604安全工作区
3 - 204
FZT605安全工作区
SOT223 NPN硅平面介质
功率达林顿晶体管
第4期 - 2001年3月
特点
*
*
保证
FE
指定高达2A
快速开关
FZT605
FZT705
C
FZT605
E
PARTMARKING详细信息 -
互补类型 -
C
B
绝对最大额定值。
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
峰值脉冲电流
连续集电极电流
功耗
工作和存储温度范围
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
CM
I
C
P
合计
T
j
:T
英镑
价值
140
120
10
4
1.5
2
-55到+150
单位
V
V
V
A
A
W
°C
电气特性（在T
AMB
= 25 ° C除非另有说明） 。
参数
集电极 - 基
击穿电压
集电极 - 发射极
击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
集电极截止
当前
发射极截止电流
集电极 - 发射极截止电流
集电极 - 发射极饱和
电压
基射极饱和电压
基射极导通电压
静态前进
电流传输比
符号最小值。 MAX 。单位条件。
V
（ BR ） CBO
V
（ BR ） CEO
V
（ BR ） EBO
I
CBO
I
EBO
I
CES
V
CE （ SAT ）
V
BE （ SAT ）
V
BE（上）
h
FE
140
120
10
0.01
10
0.1
10
1.0,
1.5
1.8
1.7
2K
5K
2K
100K
0.5K
150
90典型
15典型
0.5典型
1.6典型
兆赫
pF
pF
纳秒
纳秒
V
V
V
I
C
=100
A
I
C
=10mA*
I
E
=100
A
V
CB
=120V
V
CB
=120V,
T
AMB
=100°C
V
EB
=8V
V
CES
=120V
I
C
= 250毫安，我
B
=0.25mA*
I
C
= 1A ，我
B
=1mA*
I
C
= 1A ，我
B
=1mA*
I
C
= 1A ，V
CE
=5V*
I
C
= 50mA时V
CE
=5V
I
C
= 500毫安，V
CE
=5V*
I
C
= 1A ，V
CE
=5V*
I
C
= 2A ，V
CE
=5V*
I
C
= 100mA时V
CE
=10V
f=20MHz
V
EB
= 500mV的， F = 1MHz的
VCB = 10V ， F = 1MHz的
I
C
= 500毫安，V
CE
=10V
I
B1
=I
B2
=0.5mA
A
A
A
A
V
V
V
V
跃迁频率
输入电容
输出电容
开关时间
f
t
C
IBO
C
敖包
t
on
t
关闭
*脉冲条件下进行测定。脉冲宽度= 300
秒。占空比2 ％
辣妹参数数据可应要求提供这些设备。
TBA
FZT605
典型特征
1.8
1.6
V
CE （ SAT ）
- （伏）
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0
I
C
/I
B
=100
h
FE
- 增益归为1安培
-55°C
+25°C
+100°C
+175°C
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
-55°C
+25°C
+100°C
V
CE
=5V
0.01
0.1
1
10
0.001
0.01
0.1
1
10
I
C
-
集电极电流（安培）
I
C
-
集电极电流（安培）
V
CE （ SAT ）
V I
C
h
FE
V I
C
2.2
2.0
1.8
1.6
-55°C
+25°C
+100°C
+175°C
2.2
2.0
1.8
-55°C
+25°C
+100°C
V
BE （ SAT ）
- （伏）
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.01
0.1
1
10
I
C
/I
B
=100
V
BE
- （伏）
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.01
0.1
1
10
V
CE
=5V
I
C
-
集电极电流（安培）
I
C
-
集电极电流（安培）
V
BE （ SAT ）
V I
C
V
BE（上）
V I
C
10
10
I
C
-collector电流（A ）
I
C
-collector电流（A ）
1
DC
1s
100ms
10ms
1ms
100s
1
DC
1s
100ms
10ms
1ms
100s
0.1
0.1
0.01
1
10
100
1000
0.01
1
10
100
1000
V
CE
- 集电极发射极电压（V ）
V
CE
- 集电极发射极电压（V ）
FZT604安全工作区
FZT605安全工作区
78
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