FFB2222A / FMB2222A / MMPQ2222A
分立功率&信号
技术
FFB2222A
E2
B2
C1
FMB2222A
C2
E1
C1
MMPQ2222A
E2
B2
E3
B3
E4
B4
E1
C2
B1
针＃ 1
B1
B2
E2
针＃ 1
B1
E1
SC70-6
马克： .1P
SuperSOT
-6
马克： .1P
SOIC-16
C1
C2
C1
C3
C2
C4
C4
C3
NPN多芯片通用放大器
这个装置是用于使用作为介质的功率放大器和开关需要集电极
电流高达500 mA的电流。从工艺19采购。
绝对最大额定值*
符号
V
首席执行官
V
CBO
V
EBO
I
C
T
J
, T
英镑
集电极 - 基极电压
发射极 - 基极电压
连续集电极电流 -
集电极 - 发射极电压
T
A
= 25 ° C除非另有说明
参数
价值
40
75
6.0
500
-55到+150
单位
V
V
V
mA
°C
工作和存储结温范围
*
这些额定值的限制值高于其中任何半导体器件的适用性可能受到损害。
注意事项：
1)
这些评级是基于150度C的最高结温
2)
这些都是稳定状态的限制。厂方应征询涉及脉冲或低占空比操作的应用程序。
热特性
符号
P
D
R
θJA
T
A
= 25 ° C除非另有说明
特征
器件总功耗
减免上述25℃
热阻，结到环境
有效的4模
每个模具
FFB2222A
300
2.4
415
最大
FMB2222A
700
5.6
180
MMPQ2222A
1,000
8.0
125
240
单位
mW
毫瓦/°C的
° C / W
° C / W
° C / W
1998年仙童半导体公司
FFB2222A / FMB2222A / MMPQ2222A
NPN多芯片通用放大器
（续）
电气特性
符号
参数
T
A
= 25 ° C除非另有说明
测试条件
民
典型值
最大单位
开关特性
V
（ BR ） CEO
V
（ BR ） CBO
V
（ BR ） EBO
I
CEX
I
CBO
I
EBO
I
BL
集电极 - 发射极击穿
电压*
集电极 - 基极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
收藏家Cuto FF电流
收藏家Cuto FF电流
发射Cuto FF电流
基地截止电流
I
C
= 10 mA时，我
B
= 0
I
C
= 10
A,
I
E
= 0
I
E
= 10
A,
I
C
= 0
V
CE
= 60 V, V
EB （O FF ）
= 3.0 V
V
CB
= 60 V，I
E
= 0
V
CB
= 60 V，I
E
= 0, T
A
= 125°C
V
EB
= 3.0 V，I
C
= 0
V
CE
= 60 V, V
EB （O FF ）
= 3.0 V
40
75
6.0
10
0.01
10
10
20
V
V
V
nA
A
A
nA
nA
基本特征
h
FE
直流电流增益
I
C
= 0.1毫安， V
CE
= 10 V
I
C
= 1.0毫安， V
CE
= 10 V
I
C
= 10 mA时， V
CE
= 10 V
I
C
= 10 mA时， V
CE
= 10 V ，T
A
= -55°C
I
C
= 150毫安， V
CE
= 10 V*
I
C
= 150毫安， V
CE
= 1.0 V*
I
C
= 500毫安， V
CE
= 10 V*
I
C
= 150毫安，我
B
= 15毫安
I
C
= 500毫安，我
B
= 50毫安
I
C
= 150毫安，我
B
= 1.0毫安
I
C
= 500毫安，我
B
= 50毫安
35
50
75
35
100
50
40
300
V
CE（
SAT
)
V
BE （
SAT
)
集电极 - 发射极饱和电压*
基射极饱和电压*
0.6
0.3
1.0
1.2
2.0
V
V
V
V
小信号特性
f
T
C
敖包
C
IBO
NF
电流增益 - 带宽积
输出电容
输入电容
噪声系数
I
C
能力= 20 mA ，V
CE
= 20 V,
F = 100 MHz的
V
CB
= 10 V，I
E
= 0中，f = 100千赫
V
EB
= 0.5 V，I
C
= 0中，f = 100千赫
I
C
= 100
A,
V
CE
= 10 V,
R
S
= 1.0千欧， F = 1.0千赫
300
4.0
20
2.0
兆赫
pF
pF
dB
开关特性
t
d
t
r
t
s
t
f
延迟时间
上升时间
贮存时间
下降时间
V
CC
= 30 V, V
BE （OFF）的
= 0.5 V,
I
C
= 150毫安，我
B1
= 15毫安
V
CC
= 30 V，I
C
= 150毫安，
I
B1
= I
B2
= 15毫安
8
20
180
40
ns
ns
ns
ns
*
脉冲测试：脉冲宽度
≤
300
s,
占空比
≤
2.0%
FFB2222A / FMB2222A / MMPQ2222A
NPN多芯片通用放大器
（续）
典型特征
500
V
CE
= 5V
V
CESAT
- 集电极 - 发射极电压（ V）
h
FE
- 典型的脉冲电流增益
典型的脉冲电流增益
VS集电极电流
400
300
200
25 °C
125 °C
集电极 - 发射极饱和
电压Vs集电极电流
0.4
β
= 10
0.3
125 °C
25 °C
0.2
100
- 40 °C
0.1
- 40 °C
0
0.1
0.3
1
3
10
30
100
I
C
- 集电极电流（毫安）
300
1
10
100
I
C
- 集电极电流（毫安）
500
V
-
BE（上）
基极发射极电压（ V）
V
BESAT
- 基极发射极电压（V）的
基射极饱和
电压Vs集电极电流
1
β
= 10
基射极电压ON VS
集电极电流
1
V
CE
= 5V
0.8
- 40 °C
25 °C
0.8
- 40 °C
25 °C
0.6
0.6
125 °C
125 °C
0.4
0.4
1
I
C
10
100
- 集电极电流（毫安）
500
0.2
0.1
1
10
I
C
- 集电极电流（毫安）
25
集电极截止电流
VS环境温度
I
CBO
- 集电极电流（ NA）
500
发射器转换和输出
电容VS反向偏置电压
20
电容（pF）
16
12
科特
100
10
1
0.1
V
CB
= 40V
F = 1 MHz的
8
4
OB
25
50
75
100
125
T
A
- 环境温度（
°
C)
150
0.1
1
10
反向偏置电压（V）的
100
FFB2222A / FMB2222A / MMPQ2222A
NPN多芯片通用放大器
（续）
典型特征
（续）
开启和关闭时间
VS集电极电流
400
I
B1
= I
B2
=
320
V CC = 25 V
开关时间
VS集电极电流
400
I
B1
= I
B2
=
320
V CC = 25 V
I
c
10
I
c
10
时间（纳秒）
时间（纳秒）
240
160
80
T ON
吨关闭
240
160
80
0
10
tf
td
ts
tr
0
10
100
I
C
- 集电极电流（毫安）
1000
100
I
C
- 集电极电流（毫安）
1000
功耗与
环境温度
1
P
D
- 功耗（ W）
0.75
SOT-6
0.5
0.25
0
0
25
50
75
100
o
温度（℃）
125
150
FFB2222A / FMB2222A / MMPQ2222A
NPN多芯片通用放大器
（续）
测试电路
30 V
200
16 V
1.0 K
0
≤
200ns
500
图1 ：饱和导通开关时间
- 15 V
6.0 V
1k
37
30 V
1.0 K
0
≤
200ns
50
图2 ：饱和关断开关时间
FFB2222A / FMB2222A / MMPQ2222A
FFB2222A
E2
B2
C1
FMB2222A
C2
E1
C1
MMPQ2222A
E2
B2
E3
B3
E4
B4
E1
B1
SC70-6
马克： .1P
针＃ 1
C2
B1
E1
针＃ 1
B1
B2
E2
SOIC-16
MARK ：
MMPQ2222A
针＃ 1
C1
注：该引脚是对称的;引脚1和
4顷互换。在载体内的单位可以
是任一方向的，并且不会影响到
该装置的功能。
SuperSOT
-6
马克： .1P
点表示引脚＃ 1
C2
C1
C3
C2
C4
C4
C3
NPN多芯片通用放大器
这个装置是用于使用作为介质的功率放大器和开关需要集电极
电流高达500 mA的电流。从工艺19采购。
绝对最大额定值*
符号
V
首席执行官
V
CBO
V
EBO
I
C
T
J
, T
英镑
集电极 - 基极电压
发射极 - 基极电压
连续集电极电流 -
集电极 - 发射极电压
T
A
= 25 ° C除非另有说明
参数
价值
40
75
5.0
500
-55到+150
单位
V
V
V
mA
°C
4
工作和存储结温范围
*
这些额定值的限制值高于其中任何半导体器件的适用性可能受到损害。
注意事项：
1)
这些评级是基于150度C的最高结温
2)
这些都是稳定状态的限制。厂方应征询涉及脉冲或低占空比操作的应用程序。
热特性
符号
P
D
R
θJA
T
A
= 25 ° C除非另有说明
特征
器件总功耗
减免上述25℃
热阻，结到环境
有效的4模
每个模具
FFB2222A
300
2.4
415
最大
FMB2222A
700
5.6
180
MMPQ2222A
1,000
8.0
125
240
单位
mW
毫瓦/°C的
° C / W
° C / W
° C / W
1998年仙童半导体公司
FFB2222A / FMB2222A / MMPQ2222A
NPN多芯片通用放大器
（续）
电气特性
符号
参数
T
A
= 25 ° C除非另有说明
测试条件
民
典型值
最大单位
开关特性
V
（ BR ） CEO
V
（ BR ） CBO
V
（ BR ） EBO
I
CBO
I
EBO
集电极 - 发射极击穿
电压*
集电极 - 基极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
收藏家Cuto FF电流
发射Cuto FF电流
I
C
= 10 mA时，我
B
= 0
I
C
= 10
A,
I
E
= 0
I
E
= 10
A,
I
C
= 0
V
CB
= 60 V，I
E
= 0
V
EB
= 3.0 V，I
C
= 0
40
75
5.0
10
10
V
V
V
nA
nA
基本特征
h
FE
直流电流增益
I
C
= 0.1毫安， V
CE
= 10 V
I
C
= 1.0毫安， V
CE
= 10 V
I
C
= 10 mA时， V
CE
= 10 V
I
C
= 150毫安， V
CE
= 10 V*
I
C
= 150毫安， V
CE
= 1.0 V*
I
C
= 500毫安， V
CE
= 10 V*
I
C
= 150毫安，我
B
= 15毫安
I
C
= 500毫安，我
B
= 50毫安
I
C
= 150毫安，我
B
= 15毫安
I
C
= 500毫安，我
B
= 50毫安
35
50
75
100
50
40
300
V
CE（
SAT
)
V
BE （
SAT
)
集电极 - 发射极饱和电压*
基射极饱和电压*
0.3
1.0
1.2
2.0
V
V
V
V
小信号特性
f
T
C
敖包
C
IBO
NF
电流增益 - 带宽积
输出电容
输入电容
噪声系数
I
C
能力= 20 mA ，V
CE
= 20 V,
F = 100 MHz的
V
CB
= 10 V，I
E
= 0中，f = 100千赫
V
EB
= 0.5 V，I
C
= 0中，f = 100千赫
I
C
= 100
A,
V
CE
= 10 V,
R
S
= 1.0千欧， F = 1.0千赫
300
4.0
20
2.0
兆赫
pF
pF
dB
开关特性
t
d
t
r
t
s
t
f
延迟时间
上升时间
贮存时间
下降时间
V
CC
= 30 V, V
BE （OFF）的
= 0.5 V,
I
C
= 150毫安，我
B1
= 15毫安
V
CC
= 30 V，I
C
= 150毫安，
I
B1
= I
B2
= 15毫安
8
20
180
40
ns
ns
ns
ns
*
脉冲测试：脉冲宽度
≤
300
s,
占空比
≤
2.0%
SPICE模型
NPN （ IS = 14.34f XTI = 3 =例如1.11 VAF = 74.03 BF = 255.9 NE = 1.307伊势= 14.34f IKF = 0.2847 XTB = 1.5 BR = 6.092 NC = 2的Isc = 0
IKR = 0 RC = 1 CJC = 7.306p建超= 0.3416 VJC = 0.75 FC = 0.5 CJE = 22.01p MJE = 0.377 VJE = 0.75 TR表示46.91n铁蛋白= 411.1p ITF = 0.6
VTF = 1.7 XTF = 3的Rb = 10 ）
FFB2222A / FMB2222A / MMPQ2222A
NPN多芯片通用放大器
（续）
典型特征
500
V
CE
= 5V
V
CESAT
- 集电极 - 发射极电压（ V）
h
FE
- 典型的脉冲电流增益
典型的脉冲电流增益
VS集电极电流
集电极 - 发射极饱和
电压Vs集电极电流
0.4
β
= 10
0.3
400
300
200
25 °C
125 °C
0.2
25 °C
125 °C
100
- 40 °C
0.1
- 40 °C
0
0.1
0.3
1
3
10
30
100
I
C
- 集电极电流（毫安）
300
1
10
100
I
C
- 集电极电流（毫安）
500
V
BE（上）
- 基极发射极电压（ V）
V
BESAT
- 基极发射极电压（V）的
基射极饱和
电压Vs集电极电流
1
β
= 10
- 40 °C
基射极电压ON VS
集电极电流
1
V
CE
= 5V
0.8
- 40 °C
25 °C
0.8
25 °C
125 °C
0.6
125 °C
0.6
0.4
4
25
0.4
1
I
C
10
100
- 集电极电流（毫安）
500
0.2
0.1
1
10
I
C
- 集电极电流（毫安）
集电极截止电流
VS环境温度
I
CBO
- 集电极电流（ NA）
500
100
10
1
0.1
V
CB
发射器转换和输出
电容VS反向偏置电压
20
电容（pF）
16
12
科特
= 40V
F = 1 MHz的
8
OB
4
25
50
75
100
125
T
A
- 环境温度（
°
C)
150
0.1
1
10
反向偏置电压（V）的
100
FFB2222A / FMB2222A / MMPQ2222A
NPN多芯片通用放大器
（续）
典型特征
（续）
开启和关闭时间
VS集电极电流
400
I
B1
= I
B2
=
I
c
10
开关时间
VS集电极电流
400
I
B1
= I
B2
=
320
V CC = 25 V
I
c
10
320
V CC = 25 V
时间（纳秒）
240
160
吨关闭
时间（纳秒）
240
160
80
0
10
tf
td
ts
tr
80
T ON
0
10
100
I
C
- 集电极电流（毫安）
1000
100
I
C
- 集电极电流（毫安）
1000
功耗与
环境温度
P
D
- POWE DIS SIPATION （ W）
1
SOIC-16
0.75
SOT-6
0.5
SC70 -6
0.25
0
0
25
50
75
100
特MPE叉涂抹（
°
C)
125
150
FFB2222A / FMB2222A / MMPQ2222A
NPN多芯片通用放大器
（续）
典型的共发射极特性
（ F = 1.0KHz ）
CHAR 。相对TO值按我
C
= 10毫安
CHAR 。相对将值AT＆T
A
= 25
o
C
共发射极特性
8
V
CE
= 10 V
T
A
= 25
o
C
共发射极特性
2.4
2
1.6
1.2
0.8
0.4
0
V
CE
= 10 V
I
C
= 10毫安
h
re
h
ie
h
fe
h
oe
6
h
oe
4
h
re
2
h
fe
h
ie
0
0
10
20
30
40
50
I
C
- 集电极电流（毫安）
60
0
20
40
60
80
T
A
- 环境温度（
o
C)
100
CHAR 。相对将值在V
CE
= 10V
共发射极特性
1.3
1.25
1.2
1.15
1.1
1.05
1
0.95
0.9
0.85
0.8
0.75
0
5
h
oe
10
15
20
25
30
V
CE
- 集电极电压（ V）
35
h
re
h
ie
I
C
= 10毫安
T
A
= 25
o
C
h
fe
4
QQ：2880707522 复制
