FGPF90N30 300V ， 90A PDP IGBT
2006年10月
FGPF90N30
300V ， 90A PDP IGBT
特点
高电流能力
低饱和电压： V
CE （SAT） -
1.5V @我
C
= 60A
高输入阻抗
快速开关
符合RoHS标准
tm
描述
采用统一的IGBT技术，飞兆半导体的PDP的IGBT
提供低传导和开关损耗。 FGPF90N30报价
本发明的PDP的应用中的低condution的最佳解决方案
损失是必须的。
应用
。 PDP系统
TO-220F
1
1.Gate
2.Collector
3.Emitter
绝对最大额定值
符号
V
CES
V
GES
I
-C脉冲（ 1 ）
P
D
T
J
T
英镑
T
L
栅极 - 发射极电压
集电极电流脉冲
最大功率耗散
最大功率耗散
工作结温
存储温度范围
最大的铅温度。焊锡
目的， 1/8“从案例5秒
@ T
C
= 25
o
C
@ T
C
= 25
o
C
@ T
C
= 100
ο
C
描述
集电极 - 发射极电压
FGPF90N30
300
±
30
220
56.8
22.7
-55到+150
-55到+150
300
单位
V
V
A
W
W
o
C
o
C
o
C
热特性
符号
R
θJC
（IGBT）
R
θJA
注意事项：
（ 1 ）重复测试，时脉宽度= 100usec ，占空比= 0.1
* Ic_pluse由TJ最大限制
参数
热阻，结到外壳
热阻，结到环境
典型值。
--
--
马克斯。
2.2
62.5
单位
o
C / W
o
C / W
2006仙童半导体公司
1
www.fairchildsemi.com
FGPF90N30版本A
FGPF90N30 300V ， 90A PDP IGBT
包装标志和订购信息
器件标识
FGPF90N30
设备
FGFP90N30TU
包
TO-220F
T
C
= 25
o
C除非另有说明
包装
TYPE
铁路/地铁
最大数量
每管数量
50ea
每盒
-
电气特性
符号
开关特性
BV
CES
B
VCES
T
J
I
CES
I
GES
参数
测试条件
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
集电极 - 发射极击穿电压
分解温度系数
电压
集电极截止电流
G- ê漏电流
V
GE
= 0V时，我
C
= 250uA
V
GE
= 0V时，我
C
= 250uA
V
CE
= V
CES
, V
GE
= 0V
V
GE
= V
GES
, V
CE
= 0V
300
--
--
--
--
0.6
--
--
--
--
100
± 250
V
V/
o
C
uA
nA
基本特征
V
GE （日）
G- ê阈值电压
I
C
= 250uA ，V
CE
= V
GE
I
C
=30A
,
V
GE
= 15V
I
C
=60A
,
V
GE
= 15V
V
CE （ SAT ）
集电极到发射极饱和电压
I
C
= 90A
,
V
GE
= 15V
T
C
= 25
ο
C
I
C
= 90A
,
V
GE
= 15V
T
C
= 125
ο
C
动态特性
C
IES
C
OES
C
水库
输入电容
输出电容
反向传输电容
V
CE
= 30V
,
V
GE
= 0V
F = 1MHz的
--
--
--
1690
240
80
--
--
--
pF
pF
pF
2.5
--
--
--
--
4.0
1.25
1.5
1.9
2.0
5.0
1.55
--
--
--
V
V
V
V
V
开关特性
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
g
Q
ge
Q
gc
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
总栅极电荷
栅极 - 射极电荷
栅极电荷收集
V
CE
= 200 V，I
C
= 60A
V
GE
= 15V
V
CC
= 200 V，I
C
= 60A
R
G
= 10, V
GE
= 15V
阻性负载，T
C
= 125
ο
C
V
CC
= 200 V，I
C
= 60A
R
G
= 10, V
GE
= 15V
阻性负载，T
C
= 25
o
C
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
22
106
86
130
22
119
91
210
93
45
14
--
--
--
300
--
--
--
--
--
--
--
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
2
FGPF90N30版本A
www.fairchildsemi.com
FGPF90N30 300V ， 90A PDP IGBT
典型性能特性
典型的饱和度VoltageCharacteristics
图1.典型的输出特性
240
T
C
= 25 C
o
图2.典型的输出特性
240
T
C
= 125 C
o
集电极电流，I
C
[A]
集电极电流，I
C
[A]
20V
15V
12V
20V
15V
12V
180
180
120
10V
120
10V
60
V
GE
= 8V
60
V
GE
= 8V
0
0
2
4
6
8
集电极 - 发射极电压，V
CE
[V]
10
0
0
2
4
6
8
集电极 - 发射极电压，V
CE
[V]
10
图3.饱和电压
240
共发射极
V
GE
= 15V
图4.传输特性
240
V
CE
= 20V
集电极 - 发射极电流，I
CE
[
V
]
集电极电流，I
C
[A]
180
T
C
= 25 C
T
C
= 125 C
o
o
180
120
120
60
60
125 C
o
25 C
o
0
0
2
4
集电极 - 发射极电压，V
CE
[V]
5
0
0
4
8
12
16
栅极 - 发射极电压， [ V]
20
图5.饱和电压与案例
温度变电流等级
2.0
集电极 - 发射极电压，V
CE
[V]
图6.饱和电压vs.V
GE
20
集电极 - 发射极电压，V
CE
[V]
共发射极
T = 25℃
C
o
90A
1.8
16
1.6
60A
12
1.4
I
C
= 30A
共发射极
V
GE
= 15V
8
90A
1.2
4
60A
I
C
=30A
1.0
25
50
75
100
o
集电极 - ECase温度，T
C
[
C
]
125
0
0
4
8
12
16
栅极 - 发射极电压V
GE
[V]
20
3
FGPF90N30版本A
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FGPF90N30 300V ， 90A PDP IGBT
典型性能特性
图7.饱和电压与V
GE
20
共发射极
T
C
= 125 C
o
（续）
图8.电容特性
4000
共发射极
V
GE
= 0V ， F = 1MHz的
T
C
= 25 C
o
集电极 - 发射极电压，V
CE
[
V
]
16
电容[ pF的]
3000
12
2000
C
IES
8
90A
60A
I
C
= 30A
4
1000
C
水库
C
OSS
0
0
4
8
12
16
栅极 - 发射极电压V
GE
[V]
20
0
0
5
10
15
20
25
集电极 - 发射极电压，V
CE
[V]
30
图9.栅极电荷特性
15
14
栅极 - 发射极电压V
GE
[V]
共发射极
R
L
= 3.3
T
C
=
25
o
C
图10. SOA特征
300
100
集电极电流IC [ A]
1ms
50us
100us
12
10
V
cc
= 100V
10
直流操作
8
6
4
2
0
0
20
200V
1
单非重复性
o
PULSE TC = 25℃
曲线必须降低
线性增长
温度
0.1
40
60
栅极电荷，Q
g
[ NC ]
80
100
0.01
0.1
1
10
100
集电极 - 发射极电压，V
CE
[V]
1000
图11.导通特性上VS
栅极电阻
500
图12.关断特性对比
栅极电阻
1000
开关时间[ NS ]
开关时间[ NS ]
t
r
100
t
f
100
t
D（关闭）
共发射极
V
CC
= 200V, V
GE
= 15V
IC = 60A
T
C
= 25 C
o
o
t
D（上）
共发射极
V
CC
= 200V, V
GE
= 15V
I
C
= 60A
T
C
= 25 C
T
C
= 125 C
o
o
10
0
20
40
60
80
栅极电阻，R
G
[
]
100
10
0
20
40
T
C
= 125 C
60
80
100
栅极电阻，R
G
[
]
4
FGPF90N30版本A
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FGPF90N30 300V ， 90A PDP IGBT
典型性能特性
图13.导通特性上的VS.
集电极电流
1000
（续）
图14.关断特性
与集电极电流
500
t
r
开关时间[ NS ]
100
t
D（上）
开关时间[ NS ]
t
D（关闭）
100
t
f
10
共发射极
V
GE
= 15V ，R
G
= 10
T
C
= 25 C
T
C
= 125 C
o
o
共发射极
V
GE
= 15V ，R
G
= 10
T
C
= 25 C
T
C
= 125 C
o
o
1
10
20
30
40
50
60
70
80
90
10
10
20
30
40
50
60
70
80
90
集电极电流，I
C
[A]
集电极电流，I
C
[A]
图15.开关损耗VS栅极电阻
1500
图16.开关损耗VS
集电极电流
2000
1000
开关损耗[ UJ ]
开关损耗[ UJ ]
E
关闭
1000
E
关闭
E
on
100
共发射极
V
GE
= 15V ，R
G
= 10
T
C
= 25 C
T
C
= 125 C
o
o
E
on
共发射极
V
CC
= 600V, V
GE
= 15V
I
C
= 40A
T
C
= 25 C
T
C
= 125 C
o
o
100
0
10
20
30 40 50 60 70 80
栅极电阻，R
G
[
]
90 100
10
10
20
30
40
50
60
70
80
90
集电极电流，I
C
[A]
IGBT图17.瞬态热阻抗
10
热响应[ Zthjc ]
1
0 .5
0 .2
0 .1
0 .0 5
0 .0 2
0 .0 1
S IN克乐P ü LS ê
PDM
t1
t2
占空比D = T1 / T2
山顶TJ = PDM
×
Zthjc + T
C
0 .1
0 .0 1
1 E -3
1 E -5
1 E -4
1 E -3
0 .0 1
0 .1
1
10
ectangu拉; R P ü LS E D uration [秒]
5
FGPF90N30版本A
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