FDMS3008SDC N沟道双酷
TM
的PowerTrench
SyncFET
TM
电气特性
T
J
= 25 ° C除非另有说明
符号
参数
测试条件
民
典型值
最大
单位
开关特性
BV
DSS
ΔBV
DSS
ΔT
J
I
DSS
I
GSS
漏源击穿电压
击穿电压温度
系数
零栅极电压漏极电流
门源漏电流，正向
I
D
= 1毫安， V
GS
= 0 V
I
D
= 10毫安，引用至25℃
V
DS
= 24 V, V
GS
= 0 V
V
GS
= 20 V, V
DS
= 0 V
30
13
500
100
V
毫伏/°C的
μA
nA
基本特征
V
GS （ TH）
ΔV
GS （ TH）
ΔT
J
r
DS （ ON）
g
FS
门源阈值电压
门源阈值电压
温度COEF网络cient
静态漏极至源极导通电阻
正向跨导
V
GS
= V
DS
, I
D
= 1毫安
I
D
= 10毫安，引用至25℃
V
GS
= 10 V，I
D
= 28 A
V
GS
= 4.5 V，I
D
= 22 A
V
GS
= 10 V，I
D
= 28 A，T
J
= 125°C
V
DS
= 5 V，I
D
= 28 A
1.2
1.9
-5
1.8
2.7
2.4
144
2.6
3.3
3.6
S
mΩ
3.0
V
毫伏/°C的
动态特性
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
R
g
输入电容
输出电容
反向传输电容
栅极电阻
V
DS
= 15 V, V
GS
= 0 V,
F = 1MHz的
3400
1115
80
0.7
4520
1485
120
pF
pF
pF
Ω
开关特性
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
g
Q
g
Q
gs
Q
gd
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
总栅极电荷
总栅极电荷
门源费
栅漏“米勒”充电
V
GS
= 0 V至10 V
V
GS
= 0 V至4.5 V V
DD
= 15 V,
I
D
= 28 A
V
DD
= 15 V，I
D
= 28 A,
V
GS
= 10 V ，R
根
= 6
Ω
15
4.7
33
3
46
21
9.6
4.3
27
10
53
10
64
29
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
nC
漏源二极管的特性
V
SD
t
rr
Q
rr
源极 - 漏极二极管正向电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
V
GS
= 0 V，I
S
= 2 A
V
GS
= 0 V，I
S
= 28 A
（注2 ）
（注2 ）
0.4
0.8
32
39
0.8
1.2
51
62
V
ns
nC
I
F
= 28 A， di / dt的= 300 A / μs的
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FDMS3008SDC N沟道双酷
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的PowerTrench
SyncFET
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热特性
R
θJC
R
θJC
R
θJA
R
θJA
R
θJA
R
θJA
R
θJA
R
θJA
R
θJA
R
θJA
R
θJA
R
θJA
R
θJA
R
θJA
热阻，结到外壳
热阻，结到外壳
热阻，结到环境
热阻，结到环境
热阻，结到环境
热阻，结到环境
热阻，结到环境
热阻，结到环境
热阻，结到环境
热阻，结到环境
热阻，结到环境
热阻，结到环境
热阻，结到环境
热阻，结到环境
（上源）
（底部排水孔）
（注1A ）
（注1B ）
（注1C ）
（注1D ）
（注1E ）
（注1楼）
（注1G）
（注1H ）
（注1I ）
（注1J ）
（注1K ）
（注1升）
3.5
1.6
38
81
27
34
16
19
26
61
16
23
11
13
° C / W
注意事项：
1. R
θJA
与安装在FR-4板使用2盎司纯铜指定垫如下所示的装置来确定。
θJC
由设计而
= CA
确定
深受用户的电路板设计。
一。安装在38 ° C / W
在A 1
2
2盎司纯铜垫
B 。安装在81 ° C / W
2盎司纯铜最低垫
。静止的空气中， 20.9x10.4x12.7mm铝制散热片， 1
2
2盎司纯铜垫
。静止的空气中， 20.9x10.4x12.7mm铝制散热片， 2盎司纯铜最小焊盘
。静止的空气中， 45.2x41.4x11.7mm爱美达THERMALLOY零件编号10 - L41B - 11散热器， 1
2
2盎司纯铜垫
F。静止的空气中， 45.2x41.4x11.7mm爱美达THERMALLOY零件编号10 - L41B - 11散热器，最低点2盎司纯铜的
克。 200FPM气流，无散热器， 1
2
2盎司纯铜垫
小时。 200FPM气流，无散热器， 2盎司纯铜最小焊盘
我。 200FPM气流， 20.9x10.4x12.7mm铝制散热片， 1
2
2盎司纯铜垫
学家200FPM气流， 20.9x10.4x12.7mm铝制散热片， 2盎司纯铜最小焊盘
。 200FPM气流， 45.2x41.4x11.7mm爱美达THERMALLOY零件编号10 - L41B - 11散热器， 1
2
2盎司纯铜垫
升。 200FPM气流， 45.2x41.4x11.7mm爱美达THERMALLOY零件编号10 - L41B - 11散热器， 2盎司纯铜最小焊盘
2.脉冲测试：脉冲宽度< 300
μs,
占空比< 2.0 ％ 。
3. E
AS
112兆焦耳是基于起始物为
J
= 25
°
C，L = 1 mH的，我
AS
= 15 A，V
DD
= 27 V, V
GS
= 10 V 100 ％的测试，在L = 0.1 mH的，我
AS
=
33.4
A.
4.由于有N沟道器件，负栅极电压等级仅用于低占空比脉冲ocurrence 。没有连续得分的暗示。
5. I
SD
≤
28 A， di / dt的
≤
210 A / μs的，V
DD
≤
BV
DSS
，起始物为
J
= 25
o
C.
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双酷
包装的PowerTrench
MOSFET的
双酷
封装技术，提供了底部和顶部侧散热的PQFN封装。不仅是
在PQFN足迹的行业标准，它为设计人员提供业绩弹性。具有增强的双
路径的热性能和改进的寄生效应在其引线接合前身，其使用的散热器的用
双Cool封装技术，提供了更加骄人的成绩。试验结果证明，当散热器
用我们的双Cool封装技术，同步降压转换器提供更高的输出电流和
增加的功率密度。与飞兆半导体的沟道硅技术，双Cool封装技术被证明是一个
领导者在功率密度和热性能。我们的双Cool封装的解决方案是无铅和符合RoHS
兼容，并且是可用的3.3毫米× 3.3毫米和5 ×6mm的PQFN封装。
特点
顶侧的冷却，从更低的热阻
结到TOP
同一块土地的模式至5毫米×6毫米，
3.3毫米X 3.3毫米PQFN - JEDEC标准
允许更高的电流和功耗
用于DC- DC应用的最高功率密度
使用具有或不具有散热片，降低了
在BOM合格的组件数量
多个供应商无交叉许可
需求
程度高的生产与共性
标准PQFN封装
25 V - 150 V系列
顶部
底部
3.3毫米X 3.3毫米
＆放大器;
为5mm× 6毫米
最大功率耗散
双酷包
3.3毫米X 3.3毫米
能够>60 ％，更好的散热性能
空气流动=
200LFM
没有空气流动
应用
点的负载（ POL ）同步降压转换
服务器
电信，路由和交换
只从顶部散热路径
标准PQFN
3.3毫米X 3.3毫米
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
功率损耗（W ）T
J
马克斯。 = 90℃ ，T
a
=50°C
5毫米x 6mm的封装
互联
PQFN线
PQFN夹
双酷包
环境：最小焊盘，散热片， 200LFM强迫通风
Q
JA
（ ° C / W）
27.1
23.8
17.2
从钢丝包（ ％ ）改善
-
13.9
57.5
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单相CCM与散热器和强迫通风200LFM
120.00
结温（ ° C）
100.00
80.00
60.00
40.00
20.00
0.00
1
5
10
15 20
LOAD （ A）
25
30
35
双酷包
3.3毫米X 3.3毫米
PQFN
3.3毫米X 3.3毫米
顶部
底部
双酷包
竞争对手套餐
板
可焊组件
区域
双酷包
3.3毫米X 3.3毫米
的DirectFET
％差
可焊区
新
标准
少33 ％
总
组件面积（最大）
11.56mm
2
19.16mm
2
4.5mm
2
3mm
2
竞争者
5毫米x 6mm的封装
产品编号
FDMS8570SDC
FDMS7650DC
FDMS3006SDC
FDMS3008SDC
FDMS3016DC
FDMS8320LDC
FDMS86500DC
FDMS86300DC
FDMS86101DC
FDMS86200DC
SyncFET
技术
Y
N
Y
Y
N
N
N
N
N
N
BV
DSS
25
30
30
30
30
40
60
80
100
150
V
GS
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
R
DS （ ON）
MAX（ MΩ）
10V
2.8
0.99
1.9
2.6
6
1.1
2.3
3.1
7.5
17
8V
-
-
-
-
-
-
3.3
4
-
-
6V
-
-
-
-
-
-
-
-
12
25
4.5V
3.3
1.55
2.7
3.3
9
1.5
-
-
-
-
Qg
（ NC ）
22
42
26
21
7.6
57
76
72
31
30
QGD
（ NC ）
4.4
9.7
5.3
4.3
2.5
16
15
14
7
5.6
3.3毫米X 3.3毫米套餐
产品编号
FDMC7660DC
FDMC86520DC
SyncFET
技术
N
N
BV
DSS
30
60
V
GS
20
20
R
DS （ ON）
MAX（ MΩ）
10V
-
6.3
8V
-
8.7
6V
-
-
4.5V
-
-
Qg
（ NC ）
-
29
QGD
（ NC ）
-
5.5
商标，服务商标和注册商标均为飞兆半导体的财产
或者其各自所有者。对于飞兆半导体商标及相关的列表
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