FHX35X/002
FHX35LG/002
低噪声HEMT
描述
该FHX35X / 002芯片和FHX35LG / 002封装器件HEMT
（高电子迁移率晶体管），适合用作前端那些
在高速光波通信系统中的光接收器。
这种结合了HEMT高跨导，低栅极电容和
低漏电流;在实现低噪声的重要因素
前置放大。富士通的严格的质量保证标准及
详细的测试程序保证最高Reliabiltity性能。
特点
高跨导
低漏电流
低栅极电容
金键合系统
久经考验的可靠性
LG PACKAGE
绝对最大额定值（环境温度Ta = 25 ℃）
项
漏源电压
栅源电压
总功耗
储存温度
通道温度
热阻
符号
VDS
VGS
PT
TSTG
总胆固醇
RTH
渠道情况
条件
评级
6
-5
290
-65 175
+175
150
单位
V
V
mW
°C
°C
° C / W
电气特性（环境温度Ta = 25 ℃）
项
漏电流
跨
捏-O FF电压
栅极 - 源极漏电流
栅极 - 源极电容
栅 - 漏电容
符号
IDSS
gm
Vp
IGSO
CGS
CGD
条件
VDS = 2V ， VGS = 0V
VDS = 2V ，IDS = 10毫安
VDS = 2V ， IDS = 1毫安
VGS=-2V
VDS=3V
IDS=10mA
FHX35X/002
FHX35LG/002
分钟。
15
45
-0.2
-
-
-
-
范围
分钟。
40
60
-1.0
10
0.27
0.47
0.035
马克斯。
85
-
-2.0
20
-
-
-
pF
单位
mA
mS
V
nA
pF
VDS = 3V ， IDS = 10毫安
1.1版
1998年5月
1
FHX35X/002
FHX35LG/002
低噪声HEMT
黏合方法用于FET芯片
注意必须已执行，以防止静电积聚了所有设备和每正确接地
专业人员。所有操作都必须在一个干净，无尘和干燥的环境中进行。
1.储存条件：应贮存在清洁，干燥的氮气环境中。
2.芯片附着
2.1模片连接站必须具有精确的温度控制，并在惰性
形成气体应该被使用。
2.2芯片应该被保持在室温下，除了在模片连接。
2.3将包装物或载体上的加热阶段。
2.4放置焊料在那里的芯片将被接合的位置。
2.5轻轻地用小镊子抓住芯片边缘和擦洗模具上的Au-Sn
预成型焊片。管芯附着的条件是： 300 310℃进行30 60秒。该Au-Sn
（ 80-20 ）预制焊料量应为FHX35X / 002约3.2x10-3立方毫米。
3.引线键合
3.1粘接条件
该焊机必须正确接地。引线接合应与进行
用0.7 1.0密耳直径，半硬质， 3-8 ％热压焊接机
伸长金线。
3.2线布局
引线接合应作为显示在下面的例子。
线布局
FHX35X/002
3
FHX35X/002
FHX35LG/002
低噪声HEMT
机箱样式"LG"
金属陶瓷封装
2分钟。
(0.079)
2分钟。
(0.079)
1.78±0.15
(0.07)
1.0
(0.039)
3
0.5
(0.02)
1.78±0.15
(0.07)
1.3最大
(0.051)
镀金引线
1 ：门
2 ：源
3 ：排水
4 ：源
单位：mm （英寸）
欲了解更多信息，请联系：
富士通化合物半导体股份有限公司。
2355 Zanker路。
加利福尼亚州圣何塞， 95131-1138 ， U.S.A.
电话： （ 408 ） 232-9500
传真： （ 408 ） 428-9111
www.fcsi.fujitsu.com
富士通微电子欧洲公司，有限公司
量子器件事业部
网络之家
Norreys驱动器
梅登黑德，伯克希尔SL6 4FJ
电话： +44 （ 0 ） 1628 504800
传真： +44 （ 0 ） 1628 504888
0.1
(0.004)
2分钟。
(0.079)
4
2
2分钟。
(0.079)
1
小心
富士通化合物半导体的产品包含
砷化镓
砷化镓（GaAs ）
这会危害人体和环境。
为安全起见，请遵循以下步骤：
不要将这些产品放入口中。
不要改变这个产品的形式转化为气体，粉末或液体
通过燃烧，粉碎，或化学处理，因为这些副产物
是危险的，如果吸入，食入，或吞食人体。
遵守政府的法律和丢弃这个时候公司规定
产品。该产品必须按照方法被丢弃
适用危险废物的程序规定。
富士通公司保留更改产品规格，恕不另行通知。
信息不转达根据富士通公司或他人的权利的任何许可。
1998富士通化合物半导体股份有限公司。
美国印刷FCSI0598M200
4
FHX35X/002
FHX35LG/002
低噪声HEMT
描述
该FHX35X / 002芯片和FHX35LG / 002封装器件HEMT
（高电子迁移率晶体管），适合用作前端那些
在高速光波通信系统中的光接收器。
这种结合了HEMT高跨导，低栅极电容和
低漏电流;在实现低噪声的重要因素
前置放大。富士通的严格的质量保证标准及
详细的测试程序保证最高Reliabiltity性能。
特点
高跨导
低漏电流
低栅极电容
金键合系统
久经考验的可靠性
LG PACKAGE
绝对最大额定值（环境温度Ta = 25 ℃）
项
漏源电压
栅源电压
总功耗
储存温度
通道温度
热阻
符号
VDS
VGS
PT
TSTG
总胆固醇
RTH
渠道情况
条件
评级
6
-5
290
-65 175
+175
150
单位
V
V
mW
°C
°C
° C / W
电气特性（环境温度Ta = 25 ℃）
项
漏电流
跨
捏-O FF电压
栅极 - 源极漏电流
栅极 - 源极电容
栅 - 漏电容
符号
IDSS
gm
Vp
IGSO
CGS
CGD
条件
VDS = 2V ， VGS = 0V
VDS = 2V ，IDS = 10毫安
VDS = 2V ， IDS = 1毫安
VGS=-2V
VDS=3V
IDS=10mA
FHX35X/002
FHX35LG/002
分钟。
15
45
-0.2
-
-
-
-
范围
分钟。
40
60
-1.0
10
0.27
0.47
0.035
马克斯。
85
-
-2.0
20
-
-
-
pF
单位
mA
mS
V
nA
pF
VDS = 3V ， IDS = 10毫安
1.1版
1998年5月
1
FHX35X/002
FHX35LG/002
低噪声HEMT
黏合方法用于FET芯片
注意必须已执行，以防止静电积聚了所有设备和每正确接地
专业人员。所有操作都必须在一个干净，无尘和干燥的环境中进行。
1.储存条件：应贮存在清洁，干燥的氮气环境中。
2.芯片附着
2.1模片连接站必须具有精确的温度控制，并在惰性
形成气体应该被使用。
2.2芯片应该被保持在室温下，除了在模片连接。
2.3将包装物或载体上的加热阶段。
2.4放置焊料在那里的芯片将被接合的位置。
2.5轻轻地用小镊子抓住芯片边缘和擦洗模具上的Au-Sn
预成型焊片。管芯附着的条件是： 300 310℃进行30 60秒。该Au-Sn
（ 80-20 ）预制焊料量应为FHX35X / 002约3.2x10-3立方毫米。
3.引线键合
3.1粘接条件
该焊机必须正确接地。引线接合应与进行
用0.7 1.0密耳直径，半硬质， 3-8 ％热压焊接机
伸长金线。
3.2线布局
引线接合应作为显示在下面的例子。
线布局
FHX35X/002
3
FHX35X/002
FHX35LG/002
低噪声HEMT
机箱样式"LG"
金属陶瓷封装
2分钟。
(0.079)
2分钟。
(0.079)
1.78±0.15
(0.07)
1.0
(0.039)
3
0.5
(0.02)
1.78±0.15
(0.07)
1.3最大
(0.051)
镀金引线
1 ：门
2 ：源
3 ：排水
4 ：源
单位：mm （英寸）
欲了解更多信息，请联系：
富士通化合物半导体股份有限公司。
2355 Zanker路。
加利福尼亚州圣何塞， 95131-1138 ， U.S.A.
电话： （ 408 ） 232-9500
传真： （ 408 ） 428-9111
www.fcsi.fujitsu.com
富士通微电子欧洲公司，有限公司
量子器件事业部
网络之家
Norreys驱动器
梅登黑德，伯克希尔SL6 4FJ
电话： +44 （ 0 ） 1628 504800
传真： +44 （ 0 ） 1628 504888
0.1
(0.004)
2分钟。
(0.079)
4
2
2分钟。
(0.079)
1
小心
富士通化合物半导体的产品包含
砷化镓
砷化镓（GaAs ）
这会危害人体和环境。
为安全起见，请遵循以下步骤：
不要将这些产品放入口中。
不要改变这个产品的形式转化为气体，粉末或液体
通过燃烧，粉碎，或化学处理，因为这些副产物
是危险的，如果吸入，食入，或吞食人体。
遵守政府的法律和丢弃这个时候公司规定
产品。该产品必须按照方法被丢弃
适用危险废物的程序规定。
富士通公司保留更改产品规格，恕不另行通知。
信息不转达根据富士通公司或他人的权利的任何许可。
1998富士通化合物半导体股份有限公司。
美国印刷FCSI0598M200
4
