【FDU6676AS2005年9月FDU6676AS概述N沟道的PowerTrenchSyncFET3】,IC型号FDU6676ASNL,FDU6676ASNL PDF资料,FDU6676ASNL经销商,ic,电子元器件-51电子网

FDU6676AS

2005年9月

FDU6676AS

概述

N沟道的PowerTrench

SyncFET

30V ， 90A ， 5.8mΩ

特点

R

DS （ ON）

= 5.8mΩ最大， VGS = 10V

R

DS （ ON）

= 7.3mΩ最大， VGS = 4.5V

高性能沟道技术极

低R

DS （ ON）

低栅电荷

高功率和电流处理能力

包括SyncFET肖特基二极管

该FDU6676AS被设计来取代单一的

MOSFET和肖特基二极管的同步DC / DC

电源供应器。这个30V的MOSFET被设计成

最大限度地提高功率转换效率，提供了一个低

R

DS （ ON）

和低栅极电荷。该FDU6676AS包括

MOSFET的专利组合，单片

结合使用肖特基二极管飞兆半导体

单片SyncFET技术。

应用

DC / DC转换器

D

I- PAK

(TO-251AA)

摹 S

G

S

绝对最大额定值

符号

V

DSS

V

GSS

I

D

P

D

T

A

=25

o

C除非另有说明

参数

漏源电压

栅源电压

漏电流

-Continuous

（注1A ）

评级

30

±20

90

100

（注1 ）

（注1A ）

（注1B ）

单位

V

A

W

*脉冲

功率消耗单操作

70

3.1

1.3

-55到+150

T

J

, T

英镑

工作和存储结温

范围

°C

热特性

R

θJC

R

θJA

R

θJA

热阻结到外壳

热阻结到环境

（注1 ）

（注1A ）

（注1B ）

1.8

45

96

° C / W

包装标志和订购信息

器件标识

FDU6676AS

设备

FDU6676AS

FDU6676AS_NL

（注4 ）

FDU6676AS_F071

（注5 ）

包

Ⅰ- PAK （TO- 251 ）

带尺寸

管

胶带宽度

不适用

QUANTITY

75

FDU6676AS版本A （ W））

2005

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORPORATION

FDU6676AS

电气特性

符号

W

DSS

I

AR

T

A

= 25 ° C除非另有说明

参数

漏源雪崩能源

漏源雪崩电流

漏源击穿

电压

击穿电压温度

系数

零栅极电压漏极电流

门体漏

（注2 ）

测试条件

单脉冲，V

DD

= 15V ，我

D

= 16A

最小典型最大

108

250

16

单位

mJ

A

漏源雪崩额定值

（注2 ）

开关特性

BV

DSS

ΔBV

DSS

T

J

I

DSS

I

GSS

V

GS （ TH）

V

GS （ TH）

T

J

R

DS （ ON）

V

GS

= 0 V,

I

D

= 250

A

30

29

500

13

±100

1

1.5

–4

4.8

5.8

7.7

67

3

V

毫伏/°C的

A

mA

nA

I

D

= 250

μA ，引用

至25℃

V

DS

= 24 V, V

GS

= 0 V

V

DS

= 24 V, V

GS

= 0 V ，T

J

=125°C

V

GS

=

±20

V, V

DS

= 0 V

I

D

= 250

A

V

DS

= V

GS

,

I

D

= 250

μA ，引用

至25℃

V

GS

= 10 V,

I

D

= 16 A

V

GS

= 4.5 V，I

D

= 10 A

V

GS

= 10 V，I

D

= 16 A，T

J

=125°C

V

DS

= 10 V,

I

D

= 16 A

基本特征

栅极阈值电压

温度COEF网络cient

静态漏源

导通电阻

正向跨导

V

毫伏/°C的

m

5.8

7.3

9.6

g

FS

C

国际空间站

C

OSS

C

RSS

R

G

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

Q

g

Q

g

Q

gs

Q

gd

S

动态特性

输入电容

输出电容

反向传输电容

栅极电阻

（注2 ）

V

DS

= 15 V,

F = 1.0 MHz的

V

GS

= 0 V,

2470

710

260

1.8

pF

22

80

40

32

38

54

42

64

35

ns

nC

V

GS

= 100 mV时， F = 1.0 MHz的

开关特性

导通延迟时间

开启上升时间

关断延迟时间

关断下降时间

导通延迟时间

开启上升时间

关断延迟时间

关断下降时间

12

V

DD

= 15 V,

V

GS

= 10 V,

I

D

= 1 A,

R

根

= 6

12

50

25

20

V

DD

= 15 V,

V

GS

= 4.5 V,

I

D

= 1 A,

R

根

= 6

24

34

26

46

V

DS

= 15V,

I

D

= 16 A

25

6

7

总栅极电荷，V

GS

= 10V

总栅极电荷，V

GS

= 5V

栅极 - 源电荷

栅极 - 漏极电荷

FDU6676AS版本A （ W）

FDU6676AS

电气特性

符号

I

S

V

SD

t

rr

Q

rr

T

A

= 25 ° C除非另有说明

参数

测试条件

最小典型最大

2.3

0.4

28

19

1.2

单位

A

V

ns

nC

漏源二极管的特性和最大额定值

最大连续漏源二极管的正向电流

漏源二极管正向

（注2 ）

V

GS

= 0 V，I

S

= 2.3 A

电压

dI

F

/ DT = 100 A / μs的

I

F

= 16 A,

二极管的反向恢复时间

二极管的反向恢复电荷

注意事项：

1.

R

θJA

是总和的结到壳体和壳到环境的热阻，其中所述壳体热参考被定义为所述焊料安装面

漏极引脚。

θJC

由设计而

= CA

是通过用户的电路板的设计来确定。

一）R

θJA

= 45 ℃/安装在当W

1in

2

2盎司纯铜垫

B ）R

θJA

= 96 ° C / W安装时

上的最小垫。

在信纸尺寸的纸张1 ： 1规模

2.

脉冲测试：脉冲宽度< 300μS ，占空比< 2.0 ％

3.

最大电流的计算公式为：

P

D

R

DS （ ON）

其中，P

D

最大功耗在T

C

= 25℃和R

DS （ ON）

是在T

J（下最大）

和V

GS

= 10V 。封装电流限制为21A

4.

FDU6676AS_NL是无铅产品。该FDU6676AS_NL标志将出现在卷标上。

5.

FDU6676AS_F071是无铅产品。该FDU6676AS_F071标志将出现在卷标上。

FDU6676AS版本A （ W）

FDU6676AS

典型特征

100

V

GS

= 10V

6.0V

3.5V

4.0V

4.5V

2

V

GS

= 3.0V

R

DS （ ON）

归一化

漏源导通电阻

1.8

1.6

1.4

1.2

1

0.8

3.5V

4.0V

4.5V

6.0V

10V

I

D

，漏电流（ A）

80

60

3.0V

40

20

2.5V

0

0.5

1

1.5

2

V

DS

，漏源电压（V ）

2.5

0

20

40

60

I

D

，漏电流（ A）

80

100

图1.区域特征

图2.导通电阻变化与

漏电流和栅极电压

0.0175

R

DS （ ON）

，导通电阻（ OHM ）

1.6

R

DS （ ON）

归一化

漏源导通电阻

I

D

= 16A

V

GS

= 10V

I

D

= 8A

0.015

0.0125

0.01

0.0075

T

A

= 25 C

0.005

0.0025

o

1.4

1.2

T

A

= 125 C

o

1

0.8

0.6

-50

-25

0

25

50

75

100

o

T

J

，结温（ C）

125

150

2

4

6

8

V

GS

，门源电压（ V）

10

图3.导通电阻变化与

温度

100

图4.导通电阻变化与

栅极 - 源极电压

100

I

S

，反向漏电流（ A）

V

DS

= 5V

V

GS

= 0V

80

I

D

，漏电流（ A）

10

1

0.1

0.01

60

T

A

= 125 C

25

o

C

-55 C

o

40

T

A

=125 C

-55

o

C

o

20

25 C

o

0.001

0

1

1.5

2

2.5

3

3.5

V

GS

，门源电压（ V）

4

0.0001

0

0.2

0.4

0.6

0.8

V

SD

，体二极管正向电压（ V）

1

图5.传输特性

图6.体二极管正向电压的变化

与源电流和温度

FDU6676AS版本A （ W）

FDU6676AS

典型特征

10

3500

I

D

= 16A

V

GS

，栅源电压（V ）

3000

电容（pF）

V

DS

= 10V

20V

8

F = 1MHz的

V

GS

= 0 V

2500

C

国际空间站

6

15V

4

2000

1500

C

OSS

1000

500

C

RSS

2

0

10

20

30

Q

g

，栅极电荷（ NC）

40

50

0

5

10

15

20

25

V

DS

，漏源极电压（ V）

30

图7.栅极电荷特性

1000

P（ PK），峰值瞬态功率（ W）

100

图8.电容特性

100

I

D

，漏电流（ A）

R

DS （ ON）

极限

100s

1m

10ms

100ms

1s

10s

DC

80

单脉冲

R

θ

JA

= 96 ° C / W

T

A

= 25°C

10

60

1

V

GS

= 10V

单脉冲

R

θ

JA

= 96

o

C / W

T

A

= 25 C

o

40

0.1

20

0.01

0.1

1

10

V

DS

，漏源电压（V ）

100

0

0.01

0.1

1

10

t

1

，时间（秒）

100

1000

图9.最高安全工作区

图10.单脉冲最大

功耗

R（T ），规范有效

瞬态热阻

1

D = 0.5

0.2

0.1

0.05

0.02

0.01

R

θJA

（吨） = R （t）的R *

θJA

R

θJA

= 96 ° C / W

P（ PK）

t

1

t

2

单脉冲

0.01

T

J

- T

A

= P * R

θJA

(t)

占空比D = T

1

/ t

2

0.001

0.01

0.1

1

t

1

，时间（秒）

10

100

1000

图11.瞬态热响应曲线

热特性进行使用注1b中描述的条件。

瞬态热响应将取决于电路板的设计变化。

FDU6676AS版本A （ W）

FDU6676AS

2005年9月

FDU6676AS

概述

N沟道的PowerTrench

SyncFET

30V ， 90A ， 5.8mΩ

特点

R

DS （ ON）

= 5.8mΩ最大， VGS = 10V

R

DS （ ON）

= 7.3mΩ最大， VGS = 4.5V

高性能沟道技术极

低R

DS （ ON）

低栅电荷

高功率和电流处理能力

包括SyncFET肖特基二极管

该FDU6676AS被设计来取代单一的

MOSFET和肖特基二极管的同步DC / DC

电源供应器。这个30V的MOSFET被设计成

最大限度地提高功率转换效率，提供了一个低

R

DS （ ON）

和低栅极电荷。该FDU6676AS包括

MOSFET的专利组合，单片

结合使用肖特基二极管飞兆半导体

单片SyncFET技术。

应用

DC / DC转换器

D

I- PAK

(TO-251AA)

摹 S

G

S

绝对最大额定值

符号

V

DSS

V

GSS

I

D

P

D

T

A

=25

o

C除非另有说明

参数

漏源电压

栅源电压

漏电流

-Continuous

（注1A ）

评级

30

±20

90

100

（注1 ）

（注1A ）

（注1B ）

单位

V

A

W

*脉冲

功率消耗单操作

70

3.1

1.3

-55到+150

T

J

, T

英镑

工作和存储结温

范围

°C

热特性

R

θJC

R

θJA

R

θJA

热阻结到外壳

热阻结到环境

（注1 ）

（注1A ）

（注1B ）

1.8

45

96

° C / W

包装标志和订购信息

器件标识

FDU6676AS

设备

FDU6676AS

FDU6676AS_NL

（注4 ）

FDU6676AS_F071

（注5 ）

包

Ⅰ- PAK （TO- 251 ）

带尺寸

管

胶带宽度

不适用

QUANTITY

75

FDU6676AS版本A （ W））

2005

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORPORATION

FDU6676AS

电气特性

符号

W

DSS

I

AR

T

A

= 25 ° C除非另有说明

参数

漏源雪崩能源

漏源雪崩电流

漏源击穿

电压

击穿电压温度

系数

零栅极电压漏极电流

门体漏

（注2 ）

测试条件

单脉冲，V

DD

= 15V ，我

D

= 16A

最小典型最大

108

250

16

单位

mJ

A

漏源雪崩额定值

（注2 ）

开关特性

BV

DSS

ΔBV

DSS

T

J

I

DSS

I

GSS

V

GS （ TH）

V

GS （ TH）

T

J

R

DS （ ON）

V

GS

= 0 V,

I

D

= 250

A

30

29

500

13

±100

1

1.5

–4

4.8

5.8

7.7

67

3

V

毫伏/°C的

A

mA

nA

I

D

= 250

μA ，引用

至25℃

V

DS

= 24 V, V

GS

= 0 V

V

DS

= 24 V, V

GS

= 0 V ，T

J

=125°C

V

GS

=

±20

V, V

DS

= 0 V

I

D

= 250

A

V

DS

= V

GS

,

I

D

= 250

μA ，引用

至25℃

V

GS

= 10 V,

I

D

= 16 A

V

GS

= 4.5 V，I

D

= 10 A

V

GS

= 10 V，I

D

= 16 A，T

J

=125°C

V

DS

= 10 V,

I

D

= 16 A

基本特征

栅极阈值电压

温度COEF网络cient

静态漏源

导通电阻

正向跨导

V

毫伏/°C的

m

5.8

7.3

9.6

g

FS

C

国际空间站

C

OSS

C

RSS

R

G

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

Q

g

Q

g

Q

gs

Q

gd

S

动态特性

输入电容

输出电容

反向传输电容

栅极电阻

（注2 ）

V

DS

= 15 V,

F = 1.0 MHz的

V

GS

= 0 V,

2470

710

260

1.8

pF

22

80

40

32

38

54

42

64

35

ns

nC

V

GS

= 100 mV时， F = 1.0 MHz的

开关特性

导通延迟时间

开启上升时间

关断延迟时间

关断下降时间

导通延迟时间

开启上升时间

关断延迟时间

关断下降时间

12

V

DD

= 15 V,

V

GS

= 10 V,

I

D

= 1 A,

R

根

= 6

12

50

25

20

V

DD

= 15 V,

V

GS

= 4.5 V,

I

D

= 1 A,

R

根

= 6

24

34

26

46

V

DS

= 15V,

I

D

= 16 A

25

6

7

总栅极电荷，V

GS

= 10V

总栅极电荷，V

GS

= 5V

栅极 - 源电荷

栅极 - 漏极电荷

FDU6676AS版本A （ W）

FDU6676AS

电气特性

符号

I

S

V

SD

t

rr

Q

rr

T

A

= 25 ° C除非另有说明

参数

测试条件

最小典型最大

2.3

0.4

28

19

1.2

单位

A

V

ns

nC

漏源二极管的特性和最大额定值

最大连续漏源二极管的正向电流

漏源二极管正向

（注2 ）

V

GS

= 0 V，I

S

= 2.3 A

电压

dI

F

/ DT = 100 A / μs的

I

F

= 16 A,

二极管的反向恢复时间

二极管的反向恢复电荷

注意事项：

1.

R

θJA

是总和的结到壳体和壳到环境的热阻，其中所述壳体热参考被定义为所述焊料安装面

漏极引脚。

θJC

由设计而

= CA

是通过用户的电路板的设计来确定。

一）R

θJA

= 45 ℃/安装在当W

1in

2

2盎司纯铜垫

B ）R

θJA

= 96 ° C / W安装时

上的最小垫。

在信纸尺寸的纸张1 ： 1规模

2.

脉冲测试：脉冲宽度< 300μS ，占空比< 2.0 ％

3.

最大电流的计算公式为：

P

D

R

DS （ ON）

其中，P

D

最大功耗在T

C

= 25℃和R

DS （ ON）

是在T

J（下最大）

和V

GS

= 10V 。封装电流限制为21A

4.

FDU6676AS_NL是无铅产品。该FDU6676AS_NL标志将出现在卷标上。

5.

FDU6676AS_F071是无铅产品。该FDU6676AS_F071标志将出现在卷标上。

FDU6676AS版本A （ W）

FDU6676AS

典型特征

100

V

GS

= 10V

6.0V

3.5V

4.0V

4.5V

2

V

GS

= 3.0V

R

DS （ ON）

归一化

漏源导通电阻

1.8

1.6

1.4

1.2

1

0.8

3.5V

4.0V

4.5V

6.0V

10V

I

D

，漏电流（ A）

80

60

3.0V

40

20

2.5V

0

0.5

1

1.5

2

V

DS

，漏源电压（V ）

2.5

0

20

40

60

I

D

，漏电流（ A）

80

100

图1.区域特征

图2.导通电阻变化与

漏电流和栅极电压

0.0175

R

DS （ ON）

，导通电阻（ OHM ）

1.6

R

DS （ ON）

归一化

漏源导通电阻

I

D

= 16A

V

GS

= 10V

I

D

= 8A

0.015

0.0125

0.01

0.0075

T

A

= 25 C

0.005

0.0025

o

1.4

1.2

T

A

= 125 C

o

1

0.8

0.6

-50

-25

0

25

50

75

100

o

T

J

，结温（ C）

125

150

2

4

6

8

V

GS

，门源电压（ V）

10

图3.导通电阻变化与

温度

100

图4.导通电阻变化与

栅极 - 源极电压

100

I

S

，反向漏电流（ A）

V

DS

= 5V

V

GS

= 0V

80

I

D

，漏电流（ A）

10

1

0.1

0.01

60

T

A

= 125 C

25

o

C

-55 C

o

40

T

A

=125 C

-55

o

C

o

20

25 C

o

0.001

0

1

1.5

2

2.5

3

3.5

V

GS

，门源电压（ V）

4

0.0001

0

0.2

0.4

0.6

0.8

V

SD

，体二极管正向电压（ V）

1

图5.传输特性

图6.体二极管正向电压的变化

与源电流和温度

FDU6676AS版本A （ W）

FDU6676AS

典型特征

10

3500

I

D

= 16A

V

GS

，栅源电压（V ）

3000

电容（pF）

V

DS

= 10V

20V

8

F = 1MHz的

V

GS

= 0 V

2500

C

国际空间站

6

15V

4

2000

1500

C

OSS

1000

500

C

RSS

2

0

10

20

30

Q

g

，栅极电荷（ NC）

40

50

0

5

10

15

20

25

V

DS

，漏源极电压（ V）

30

图7.栅极电荷特性

1000

P（ PK），峰值瞬态功率（ W）

100

图8.电容特性

100

I

D

，漏电流（ A）

R

DS （ ON）

极限

100s

1m

10ms

100ms

1s

10s

DC

80

单脉冲

R

θ

JA

= 96 ° C / W

T

A

= 25°C

10

60

1

V

GS

= 10V

单脉冲

R

θ

JA

= 96

o

C / W

T

A

= 25 C

o

40

0.1

20

0.01

0.1

1

10

V

DS

，漏源电压（V ）

100

0

0.01

0.1

1

10

t

1

，时间（秒）

100

1000

图9.最高安全工作区

图10.单脉冲最大

功耗

R（T ），规范有效

瞬态热阻

1

D = 0.5

0.2

0.1

0.05

0.02

0.01

R

θJA

（吨） = R （t）的R *

θJA

R

θJA

= 96 ° C / W

P（ PK）

t

1

t

2

单脉冲

0.01

T

J

- T

A

= P * R

θJA

(t)

占空比D = T

1

/ t

2

0.001

0.01

0.1

1

t

1

，时间（秒）

10

100

1000

图11.瞬态热响应曲线

热特性进行使用注1b中描述的条件。

瞬态热响应将取决于电路板的设计变化。

FDU6676AS版本A （ W）