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SOT23 NPN硅平面
小信号晶体管
第2期？ 1995年3月
PARTMARKING详细信息 -
FMMTA20 ？ 1C
FMMTA20R ？ 3C
FMMTA70
FMMTA20
E
C
B
互补式 -
绝对最大额定值。
参数
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
连续集电极电流
在T功耗
AMB
=25°C
工作和存储温度范围
符号
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
合计
T
j
:T
英镑
价值
40
4
100
330
-55到+150
SOT23
单位
V
V
mA
mW
°C
电气特性（在T
AMB
= 25°C).
参数
集电极 - 基
击穿电压
发射极 - 基
击穿电压
集电极截止
当前
静态前进
电流传输比
集电极 - 发射极
饱和电压
过渡
频率
输出电容
符号
V
（ BR ） CBO
V
（ BR ） EBO
I
CBO
h
FE
V
CE （ SAT ）
f
T
C
敖包
125
4
40
分钟。
40
4
0.1
400
0.25
V
兆赫
pF
马克斯。
单位
V
V
A
条件。
I
C
= 1mA时，我
E
=0
I
E
= 100mA时我
C
=0
V
CB
= 30V ，我
E
=0
I
C
= 5毫安，V
CE
=10V*
I
C
=10mA,I
B
=1mA
I
C
= 5毫安，V
CE
=10V
f=100MHz
V
CB
= 10V ， F = 140 kHz，但我
E
=0
*脉冲条件下进行测定。脉冲宽度= 300
秒。占空比
≤
2%
辣妹参数数据可应要求提供此设备
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小信号晶体管
第2期？ 1995年3月
PARTMARKING详细信息 -
FMMTA20 ？ 1C
FMMTA20R ？ 3C
FMMTA70
FMMTA20
E
C
B
互补式 -
绝对最大额定值。
参数
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
连续集电极电流
在T功耗
AMB
=25°C
工作和存储温度范围
符号
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
合计
T
j
:T
英镑
价值
40
4
100
330
-55到+150
SOT23
单位
V
V
mA
mW
°C
电气特性（在T
AMB
= 25°C).
参数
集电极 - 基
击穿电压
发射极 - 基
击穿电压
集电极截止
当前
静态前进
电流传输比
集电极 - 发射极
饱和电压
过渡
频率
输出电容
符号
V
（ BR ） CBO
V
（ BR ） EBO
I
CBO
h
FE
V
CE （ SAT ）
f
T
C
敖包
125
4
40
分钟。
40
4
0.1
400
0.25
V
兆赫
pF
马克斯。
单位
V
V
A
条件。
I
C
= 1mA时，我
E
=0
I
E
= 100mA时我
C
=0
V
CB
= 30V ，我
E
=0
I
C
= 5毫安，V
CE
=10V*
I
C
=10mA,I
B
=1mA
I
C
= 5毫安，V
CE
=10V
f=100MHz
V
CB
= 10V ， F = 140 kHz，但我
E
=0
*脉冲条件下进行测定。脉冲宽度= 300
秒。占空比
≤
2%
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    电话：0755-82780082
    联系人：杨小姐
    地址：深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

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