FX20ASJ-06
高速开关使用
P沟道功率MOS FET
REJ03G1440-0200
（上一篇： MEJ02G0274-0101 ）
Rev.2.00
2006年8月7日
特点
驱动电压： 4 V
V
DSS
: – 60 V
r
DS （ ON） （ MAX ）
: 97 m
I
D
: – 20 A
集成的快速恢复二极管（ TYP 。 ） ： 50纳秒
概要
瑞萨封装代码： PRSS0004ZA -A
（包名称： MP -3A ）
3
4
1
12
3
1.
2.
3.
4.
门
漏
来源
漏
2, 4
应用
电机控制，灯控制，电磁阀控制的DC-DC转换器等。
最大额定值
（ TC = 25 ° C）
参数
漏源电压
栅源电压
漏电流
漏电流（脉冲）
雪崩漏电流（脉冲）
源出电流
源电流（脉冲）
最大功率耗散
通道温度
储存温度
块
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
I
DM
I
DA
I
S
I
SM
P
D
总胆固醇
TSTG
—
评级
–60
±20
–20
–80
–20
–20
–80
35
- 55 + 150
- 55 + 150
0.32
单位
V
V
A
A
A
A
A
W
°C
°C
g
条件
V
GS
= 0 V
V
DS
= 0 V
L = 100
H
典型的价值
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2006年8月7日
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FX20ASJ-06
通态电阻VS.
通道温度（典型）
10
1
7
5
4
3
2
漏源通态电阻R
DS （ ON）
(25°C)
门源阈值电压V
GS （ TH）
(V)
漏源通态电阻R
DS （ ON）
（T ° C）
阈值电压 -
通道温度（典型）
–4.0
V
GS
= –10V
I
D
= –10A
脉冲测试
V
DS
= –10V
I
D
= -1mA
–3.2
–2.4
10
0
7
5
4
3
2
–1.6
–0.8
10
–1
–50
0
50
100
150
0
–50
0
50
100
150
沟道温度Tch （ ° C）
沟道温度Tch （ ° C）
漏源击穿电压V
（ BR ） DSS
(25°C)
瞬态热阻抗第Z （ CH-C ） （ ° C / W）
漏源击穿电压V
（ BR ） DSS
（T ° C）
击穿电压VS.
通道温度（典型）
1.4
瞬态热阻抗特性
10
1
7
5 D = 1.0
3 0.5
2
0.2
7
5
3
2
0.1
0.05
0.02
0.01
单脉冲
P
DM
tw
T
D
=
tw
T
V
GS
= 0V
I
D
= -1mA
1.2
10
0
1.0
0.8
10
–1
7
5
3
2
0.6
0.4
–50
0
50
100
150
10
–2 –4
10
2 3 5 7
10
–3
2 3 5 7
10
–2
2 3 5 7
10
–1
2 3 5 7
10
0
2 3 5 7
10
1
2 3 5 7
10
2
沟道温度Tch （ ° C）
脉冲宽度tw （多个）
开关时间测量电路
VIN
输入电压监视器
D.U.T.
R
根
R
L
VOUT
MONITOR
开关波形
10%
90%
90%
90%
R
GS
V
DD
VOUT
TD （上）
10%
tr
TD （关闭）
10%
tf
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