FDS4885C
2005年1月
FDS4885C
双N & P沟道PowerTrench
MOSFET
概述
这些双N和P沟道增强型
功率场效应晶体管都采用生产
飞兆半导体的PowerTrench先进
已特别针对减少流程
通态电阻，但保持出色的开关
性能。
这些装置非常适用于低电压和
电池供电应用的低线供电
损耗和快速开关是必需的。
特点
Q1:
N沟道
R
DS （ ON）
= 22MΩ @ V
GS
= 10V
R
DS （ ON）
= 35mΩ @ V
GS
= 7V
Q2:
P沟道
R
DS （ ON）
= 31mΩ @ V
GS
= –10V
R
DS （ ON）
= 42mΩ @ V
GS
= –4.5V
开关速度快
高功率和处理能力的广泛
常用的表面贴装封装
7.5A ， 40V
-6A ， -40V
应用
同步整流器器
背光逆变器阶段
D1
D
D1
D
D
D2
D2
D
5
6
Q2
4
3
Q1
SO-8
销1
SO-8
G1
S1
S
G2
S2
G
7
8
2
1
S
S
绝对最大额定值
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
P
D
漏源电压
栅源电压
T
A
= 25 ° C除非另有说明
参数
Q1
40
（注1A ）
Q2
40
±20
–6
–20
2
1.6
1
0.9
-55到+150
单位
V
V
A
W
- 连续
- 脉冲
功耗双操作
功率消耗单操作
漏电流
±20
7.5
20
（注1A ）
（注1B ）
（注1C ）
T
J
, T
英镑
工作和存储结温范围
°C
° C / W
热特性
R
θJA
R
θJC
热阻，结到环境
热阻，结到外壳
（注1A ）
（注1 ）
78
40
包装标志和订购信息
器件标识
FDS4885C
设备
FDS4885C
带尺寸
13”
胶带宽度
12mm
QUANTITY
2500台
2005
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORPORATION
FDS4885C版本D（ W）
FDS4885C
电气特性
符号
参数
（续）
T
A
= 25 ° C除非另有说明
测试条件
（注2 ）
键入敏
典型值
最大单位
开关特性
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
g
Q
gs
Q
gd
导通延迟时间
开启上升时间
打开-O FF延迟时间
关断下降时间
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
Q1
V
DD
= 20 V，I
D
= 1 A,
V
GS
= 10V ，R
根
= 6
Q2
V
DD
= -20 V，I
D
= –1 A,
V
GS
= ± 10V ，R
根
= 6
Q1
V
DS
= 20 V，I
D
= 7.5 A，V
GS
= 10 V
Q2
V
DS
= -20 V，I
D
= -6 A，V
GS
= –10 V
Q1
Q2
Q1
Q2
Q1
Q2
Q1
Q2
Q1
Q2
Q1
Q2
Q1
Q2
Q1
Q2
Q1
Q2
Q1
Q2
Q1
Q2
26
11
36
14
45
71
33
30
15
29
5
4
4.6
5
42
20
58
25
72
114
53
48
21
41
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
漏源二极管的特性和最大额定值
I
S
V
SD
t
rr
Q
rr
最大连续漏源二极管的正向电流
漏源二极管正向
电压
二极管的反向恢复
时间
二极管的反向恢复
收费
V
GS
= 0 V，I
S
= 1.3 A
V
GS
= 0 V，I
S
= –1.3 A
Q1
I
F
= 7.5 A，D
iF
/d
t
= 100 A / μs的
Q2
I
F
= -6 A，D
iF
/d
t
= 100 A / μs的
（注2 ）
（注2 ）
0.7
–0.7
26
26
18
13
1.3
–1.3
1.2
–1.2
A
V
nS
nC
注意事项：
1.
R
θJA
是总和的结到壳体和壳到环境的热阻，其中所述壳体热参考被定义为所述焊料安装面
漏极引脚。
θJC
由设计而
= CA
是通过用户的电路板的设计来确定。
A） 78℃ / W时，
安装在一
在0.5
2
的2盎司垫
铜
B） 125 ° / W时，
2
安装在一个0.02
2盎司纯铜垫
三） 135° / W安装在一个时
最小焊盘。
在信纸尺寸的纸张1 ： 1规模
2.脉冲测试：脉冲宽度< 300μS ，占空比< 2.0 ％
FDS4885C版本D（ W）
FDS4885C
2005年1月
FDS4885C
双N & P沟道PowerTrench
MOSFET
概述
这些双N和P沟道增强型
功率场效应晶体管都采用生产
飞兆半导体的PowerTrench先进
已特别针对减少流程
通态电阻，但保持出色的开关
性能。
这些装置非常适用于低电压和
电池供电应用的低线供电
损耗和快速开关是必需的。
特点
Q1:
N沟道
R
DS （ ON）
= 22MΩ @ V
GS
= 10V
R
DS （ ON）
= 35mΩ @ V
GS
= 7V
Q2:
P沟道
R
DS （ ON）
= 31mΩ @ V
GS
= –10V
R
DS （ ON）
= 42mΩ @ V
GS
= –4.5V
开关速度快
高功率和处理能力的广泛
常用的表面贴装封装
7.5A ， 40V
-6A ， -40V
应用
同步整流器器
背光逆变器阶段
D1
D
D1
D
D
D2
D2
D
5
6
Q2
4
3
Q1
SO-8
销1
SO-8
G1
S1
S
G2
S2
G
7
8
2
1
S
S
绝对最大额定值
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
P
D
漏源电压
栅源电压
T
A
= 25 ° C除非另有说明
参数
Q1
40
（注1A ）
Q2
40
±20
–6
–20
2
1.6
1
0.9
-55到+150
单位
V
V
A
W
- 连续
- 脉冲
功耗双操作
功率消耗单操作
漏电流
±20
7.5
20
（注1A ）
（注1B ）
（注1C ）
T
J
, T
英镑
工作和存储结温范围
°C
° C / W
热特性
R
θJA
R
θJC
热阻，结到环境
热阻，结到外壳
（注1A ）
（注1 ）
78
40
包装标志和订购信息
器件标识
FDS4885C
设备
FDS4885C
带尺寸
13”
胶带宽度
12mm
QUANTITY
2500台
2005
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORPORATION
FDS4885C版本D（ W）
FDS4885C
电气特性
符号
参数
（续）
T
A
= 25 ° C除非另有说明
测试条件
（注2 ）
键入敏
典型值
最大单位
开关特性
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
g
Q
gs
Q
gd
导通延迟时间
开启上升时间
打开-O FF延迟时间
关断下降时间
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
Q1
V
DD
= 20 V，I
D
= 1 A,
V
GS
= 10V ，R
根
= 6
Q2
V
DD
= -20 V，I
D
= –1 A,
V
GS
= ± 10V ，R
根
= 6
Q1
V
DS
= 20 V，I
D
= 7.5 A，V
GS
= 10 V
Q2
V
DS
= -20 V，I
D
= -6 A，V
GS
= –10 V
Q1
Q2
Q1
Q2
Q1
Q2
Q1
Q2
Q1
Q2
Q1
Q2
Q1
Q2
Q1
Q2
Q1
Q2
Q1
Q2
Q1
Q2
26
11
36
14
45
71
33
30
15
29
5
4
4.6
5
42
20
58
25
72
114
53
48
21
41
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
漏源二极管的特性和最大额定值
I
S
V
SD
t
rr
Q
rr
最大连续漏源二极管的正向电流
漏源二极管正向
电压
二极管的反向恢复
时间
二极管的反向恢复
收费
V
GS
= 0 V，I
S
= 1.3 A
V
GS
= 0 V，I
S
= –1.3 A
Q1
I
F
= 7.5 A，D
iF
/d
t
= 100 A / μs的
Q2
I
F
= -6 A，D
iF
/d
t
= 100 A / μs的
（注2 ）
（注2 ）
0.7
–0.7
26
26
18
13
1.3
–1.3
1.2
–1.2
A
V
nS
nC
注意事项：
1.
R
θJA
是总和的结到壳体和壳到环境的热阻，其中所述壳体热参考被定义为所述焊料安装面
漏极引脚。
θJC
由设计而
= CA
是通过用户的电路板的设计来确定。
A） 78℃ / W时，
安装在一
在0.5
2
的2盎司垫
铜
B） 125 ° / W时，
2
安装在一个0.02
2盎司纯铜垫
三） 135° / W安装在一个时
最小焊盘。
在信纸尺寸的纸张1 ： 1规模
2.脉冲测试：脉冲宽度< 300μS ，占空比< 2.0 ％
FDS4885C版本D（ W）
QQ：2880707522 复制
