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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符F型号页 > 首字符F的型号第30页 > FDC642
FDC642P
1999年7月
FDC642P
P沟道2.5V指定的PowerTrench
TM
MOSFET
概述
这种P沟道2.5V指定MOSFET产生
采用飞兆半导体先进的PowerTrench过程
特别是针对已最大限度地减少通态
性，但保持低栅极电荷
出色的开关性能。
这些设备旨在提供卓越的
在一个非常小的足迹功耗
应用中，较大的包是不实际的。
特点
-4 A ， -20 V.
DS （ ON）
= 0.065
@ V
GS
= -4.5 V
R
DS （ ON）
= 0.100
@ V
GS
= -2.5 V
快速开关速度。
低栅极电荷（ 7.2nC典型值） 。
高性能沟道技术极
低R
DS （ ON）
.
SuperSOT
TM
-6包：占地面积小（ 72 ％小
比标准的SO- 8 ） ;低调（ 1mm厚） 。
应用
负荷开关
电池保护
电源管理
D
D
S
1
6
2
5
SuperSOT
TM
-6
D
D
G
3
4
绝对最大额定值
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
P
D
T
J
, T
英镑
漏源电压
栅源电压
漏电流
漏电流
- 连续
- 脉冲
T
A
= 25 ° C除非另有说明
参数
评级
-20
（注1 ）
（注1A ）
（注1A ）
（注1B ）
单位
V
V
A
W
°C
±8
-4
-20
1.6
0.8
-55到+150
功率消耗单操作
工作和存储结温范围
热特性
R
θ
JA
R
θ
JC
热阻，结到环境
热阻，结到外壳
（注1A ）
（注1 ）
78
30
° C / W
° C / W
包装纲要和订货信息
器件标识
.642
设备
FDC642P
带尺寸
7’’
胶带宽度
8mm
QUANTITY
3000台
1999
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORPORATION
FDC642P ，版本B
FDC642P
电气特性
符号
BV
DSS
ΔBV
DSS
T
J
I
DSS
I
GSSF
I
GSSR
T
A
= 25 ° C除非另有说明
参数
漏源击穿电压
击穿电压温度
系数
零栅极电压漏极电流
门体漏电流，正向
门体漏电流，反向
（注2 ）
测试条件
V
GS
= 0 V，I
D
= -250
A
I
D
= -250
A,
参考25 ℃下
V
DS
= -16 V, V
GS
= 0 V
V
GS
= 8 V, V
DS
= 0 V
V
GS
= -8 V, V
DS
= 0 V
民
-20
典型值
最大单位
V
开关特性
-16
-1
100
-100
毫伏/°C的
A
nA
nA
基本特征
V
GS （ TH）
V
GS （ TH）
T
J
R
DS （ ON）
栅极阈值电压
栅极阈值电压
温度COEF网络cient
静态漏源
导通电阻
通态漏电流
正向跨导
V
DS
= V
GS
, I
D
= -250
A
I
D
= -250
A,
参考25 ℃下
V
GS
= -4.5 V，I
D
= -4 A
V
GS
= -4.5 V，I
D
= -4 A ，T
J
=125°C
V
GS
= -2.5 V，I
D
= -3.2 A
V
GS
= -4.5 V, V
DS
= -5 V
V
DS
= -5 V，I
D
= -4 A
-0.4
-0.7
2.5
0.054
0.076
0.077
-1.5
V
毫伏/°C的
0.065
0.105
0.100
I
D（上）
g
FS
-10
9
A
S
动态特性
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
输入电容
输出电容
反向传输电容
（注2 ）
V
DS
= -10 V, V
GS
= 0 V
F = 1.0 MHz的
640
180
90
pF
pF
pF
开关特性
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
g
Q
gs
Q
gd
导通延迟时间
开启上升时间
打开-O FF延迟时间
关断下降时间
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
V
DD
= -10 V，I
D
= -1 A
V
GS
= -4.5 V ，R
根
= 6
11
19
26
35
20
30
42
55
10
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
V
DS
= -10 V，I
D
= -4 A
V
GS
= -4.5 V,
7.2
1.7
1.6
漏源二极管的特性和最大额定值
I
S
V
SD
最大连续漏源二极管的正向电流
漏源二极管的正向电压
V
GS
= 0 V，I
S
= -1.3 A
（注2 ）
-1.3
-0.75
-1.2
A
V
注意事项：
1.
R
θJA
是总和的结到壳体和壳到环境的热阻，其中所述壳体热参考被定义为焊料安装面
的漏针。
θJC
由设计而
= CA
是通过用户的电路板的设计来确定。
安装在一个1.0时）， 78℃ / W的
2
垫的2盎司铜。
二）上安装的2 oz.copper最小垫时为156℃ / W 。
2.
脉冲测试：脉冲宽度
≤
300
s,
占空比
≤
2.0%
FDC642P ，版本B
FDC642P
典型特征
20
-3.5V
-3.0V
-2.5V
1.6
漏源导通电阻
V
GS
= -4.5V
-I
D
，漏源电流（A ）
V
GS
= -2.5V
1.4
-3.0V
1.2
-3.5V
-4.0V
-4.5V
1
10
-2.0V
5
-1.5V
0
0
1
2
3
4
5
-V
DS
，漏源电压（V ）
R
DS （ ON）
归一化
15
0.8
0
4
8
12
16
20
- I
D
，漏电流（ A）
图1.区域特征。
图2.导通电阻变化
与漏极电流和栅极电压。
1.5
R
DS （ ON）
归一化
漏源导通电阻
R
DS （ ON）
，导通电阻（ OHM ）
0.25
1.4
1.3
1.2
1.1
1
0.9
0.8
0.7
-50
I
D
= - 4A
V
GS
= - 4.5V
I
D
= -2A
0.2
0.15
0.1
T
A
= 125
o
C
0.05
T
A
= 25
o
C
0
-25
0
25
50
75
100
o
125
150
1
2
3
4
5
T
J
，结温（ C）
-V
GS
，门源电压（ V）
图3.导通电阻变化
与温度。
图4.导通电阻变化
同门 - 源电压。
10
25
o
C
125 C
6
o
100
-I
S
，反向漏电流（ A）
V
DS
= -5V
T
A
= -55
o
C
V
GS
= 0V
10
-I
D
，漏电流（ A）
8
1
T = 125
o
C
25
o
C
4
0.1
-55
o
C
2
0.01
0
0.4
0.8
1.2
1.6
2
2.4
-V
GS
，门源电压（ V）
0.001
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
1.4
-V
SD
，体二极管正向电压（ V）
图5.传输特性。
图6.体二极管正向电压
变化与源电流
和温度。
FDC642P ，版本B
FDC642P
典型特征
5
-V
GS
，栅源电压（V ）
I
D
= -4A
4
（续）
1250
V
DS
= -5V
-10V
-15V
电容（pF）
F = 1 MHz的
V
GS
= 0 V
1000
3
750
C
国际空间站
500
2
1
250
C
OSS
C
RSS
0
0
2
4
6
8
10
Q
g
，栅极电荷（ NC）
0
0
5
10
15
20
-V
DS
，漏源极电压（ V）
图7.栅极电荷特性
图8.电容特性
100
5
单脉冲
R
θJA
= 156
o
C / W
-I
D
，漏电流（ A）
10
R
DS （ ON）
极限
1ms
100s
4
T
A
= 25
o
C
功率（W）的
1
V
GS
= -4.5V
单脉冲
o
R
θJA
= 156℃ / W
T
A
= 25 C
0.01
0.1
1
o
10ms
100ms
1s
DC
3
2
0.1
1
0
10
100
0.1
1
10
单脉冲时间（秒）
100
1000
-V
DS
，漏源电压（V ）
图9.最高安全工作区
图10.单脉冲最大
功耗
1
瞬态热阻
R（T ） ，规范有效
0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
0.005
D = 0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
单脉冲
P（ PK）
R
θJA
（吨） = R （t）的R *
θJA
R
θJA
= 156_C / W
t
1
t
2
T
J
- T
A
= P * R
θJA
(t)
占空比D = T
1
/ t
2
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
t
1
，时间（秒）
1
10
100
300
图11.瞬态热响应曲线。
热特性进行使用注1b中描述的条件。
瞬态themal响应将取决于电路板的设计变化。
FDC642P ，版本B
SuperSOT
TM
-6卷带式数据和包装尺寸
SSOT - 6封装
CON组fi guration ：
造型玩具E 1.0
包装说明：
自定义标签
防静电盖带
SSOT - 6的部件运带。载带是
从耗散取得（碳填写）聚碳酸酯
树脂。盖带是一种多层膜（热激活
粘合剂的性质） ，主要由聚酯薄膜，
粘合剂层，密封剂和防静电喷洒剂。
在标准选项，这些摇摇晃晃的部分是随
3000个单位7"或177厘米卷筒直径。卷轴是
深蓝色的颜色，是由聚苯乙烯塑料（抗
静电涂层） 。其他选项来10000个单位13"
或330厘米卷筒直径。这与一些其他选项是
在包装信息表中描述。
这些完整卷轴是单独的条码标签和
放置在由一个比萨饼盒（如图1.0所示）
与飞兆半导体的标志可回收瓦楞纸牛皮纸
打印。一个比萨盒包含最多三个卷轴。
而这些比萨饼盒被放置在一个条形码内
标记发货箱，有不同的尺寸
取决于部件运数。
F63TNR
LABEL
压花
载带
631
631
SSOT - 6封装信息
包装选项
包装类型
每卷/管材/袋数量
带尺寸
箱尺寸（mm ）
每箱数量最多
每单位重量（克）
每卷重量（kg ）
注/评论
标准
（没有F升流颂歌）
631
631
631
销1
D87Z
TNR
10,000
13"
343x343x64
30,000
0.0158
0.4700
TNR
3,000
7"迪亚
184x187x47
9,000
0.0158
0.1440
SSOT - 6股方向
343毫米X 342毫米X 64毫米
FO D87Z选项框的中间
F63TNR标签
F63TNR
LABEL
F63TNR标签SA MPL ê
184毫米X 187毫米毫米x 47毫米
比萨盒FO STANDAR 的Opti上
F63TNR
LABEL
LOT ： CBVK741B019
FSID ： FDC633N
数量： 3000
产品规格：
SSOT - 6磁带片头和片尾
CON组fi guration ：
造型玩具E 2.0
D / C1 ： D9842
D / C2 ：
QTY1 ：
QTY2 ：
SPEC REV ：
CPN ：
N / F： F
(F63TNR)3
载带
盖带
比较onent s
Traile 胶带
300毫米英里nimum或
75空POC凯茨
铅儿带
500毫米英里nimum或
125 EMP TY POC凯茨
1998年仙童半导体公司
1999年8月，版本C
FDC642P
1999年7月
FDC642P
P沟道2.5V指定的PowerTrench
TM
MOSFET
概述
这种P沟道2.5V指定MOSFET产生
采用飞兆半导体先进的PowerTrench过程
特别是针对已最大限度地减少通态
性，但保持低栅极电荷
出色的开关性能。
这些设备旨在提供卓越的
在一个非常小的足迹功耗
应用中，较大的包是不实际的。
特点
-4 A ， -20 V.
DS （ ON）
= 0.065
@ V
GS
= -4.5 V
R
DS （ ON）
= 0.100
@ V
GS
= -2.5 V
快速开关速度。
低栅极电荷（ 7.2nC典型值） 。
高性能沟道技术极
低R
DS （ ON）
.
SuperSOT
TM
-6包：占地面积小（ 72 ％小
比标准的SO- 8 ） ;低调（ 1mm厚） 。
应用
负荷开关
电池保护
电源管理
D
D
S
1
6
2
5
SuperSOT
TM
-6
D
D
G
3
4
绝对最大额定值
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
P
D
T
J
, T
英镑
漏源电压
栅源电压
漏电流
漏电流
- 连续
- 脉冲
T
A
= 25 ° C除非另有说明
参数
评级
-20
（注1 ）
（注1A ）
（注1A ）
（注1B ）
单位
V
V
A
W
°C
±8
-4
-20
1.6
0.8
-55到+150
功率消耗单操作
工作和存储结温范围
热特性
R
θ
JA
R
θ
JC
热阻，结到环境
热阻，结到外壳
（注1A ）
（注1 ）
78
30
° C / W
° C / W
包装纲要和订货信息
器件标识
.642
设备
FDC642P
带尺寸
7’’
胶带宽度
8mm
QUANTITY
3000台
1999
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORPORATION
FDC642P ，版本B
FDC642P
电气特性
符号
BV
DSS
ΔBV
DSS
T
J
I
DSS
I
GSSF
I
GSSR
T
A
= 25 ° C除非另有说明
参数
漏源击穿电压
击穿电压温度
系数
零栅极电压漏极电流
门体漏电流，正向
门体漏电流，反向
（注2 ）
测试条件
V
GS
= 0 V，I
D
= -250
A
I
D
= -250
A,
参考25 ℃下
V
DS
= -16 V, V
GS
= 0 V
V
GS
= 8 V, V
DS
= 0 V
V
GS
= -8 V, V
DS
= 0 V
民
-20
典型值
最大单位
V
开关特性
-16
-1
100
-100
毫伏/°C的
A
nA
nA
基本特征
V
GS （ TH）
V
GS （ TH）
T
J
R
DS （ ON）
栅极阈值电压
栅极阈值电压
温度COEF网络cient
静态漏源
导通电阻
通态漏电流
正向跨导
V
DS
= V
GS
, I
D
= -250
A
I
D
= -250
A,
参考25 ℃下
V
GS
= -4.5 V，I
D
= -4 A
V
GS
= -4.5 V，I
D
= -4 A ，T
J
=125°C
V
GS
= -2.5 V，I
D
= -3.2 A
V
GS
= -4.5 V, V
DS
= -5 V
V
DS
= -5 V，I
D
= -4 A
-0.4
-0.7
2.5
0.054
0.076
0.077
-1.5
V
毫伏/°C的
0.065
0.105
0.100
I
D（上）
g
FS
-10
9
A
S
动态特性
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
输入电容
输出电容
反向传输电容
（注2 ）
V
DS
= -10 V, V
GS
= 0 V
F = 1.0 MHz的
640
180
90
pF
pF
pF
开关特性
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
g
Q
gs
Q
gd
导通延迟时间
开启上升时间
打开-O FF延迟时间
关断下降时间
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
V
DD
= -10 V，I
D
= -1 A
V
GS
= -4.5 V ，R
根
= 6
11
19
26
35
20
30
42
55
10
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
V
DS
= -10 V，I
D
= -4 A
V
GS
= -4.5 V,
7.2
1.7
1.6
漏源二极管的特性和最大额定值
I
S
V
SD
最大连续漏源二极管的正向电流
漏源二极管的正向电压
V
GS
= 0 V，I
S
= -1.3 A
（注2 ）
-1.3
-0.75
-1.2
A
V
注意事项：
1.
R
θJA
是总和的结到壳体和壳到环境的热阻，其中所述壳体热参考被定义为焊料安装面
的漏针。
θJC
由设计而
= CA
是通过用户的电路板的设计来确定。
安装在一个1.0时）， 78℃ / W的
2
垫的2盎司铜。
二）上安装的2 oz.copper最小垫时为156℃ / W 。
2.
脉冲测试：脉冲宽度
≤
300
s,
占空比
≤
2.0%
FDC642P ，版本B
FDC642P
典型特征
20
-3.5V
-3.0V
-2.5V
1.6
漏源导通电阻
V
GS
= -4.5V
-I
D
，漏源电流（A ）
V
GS
= -2.5V
1.4
-3.0V
1.2
-3.5V
-4.0V
-4.5V
1
10
-2.0V
5
-1.5V
0
0
1
2
3
4
5
-V
DS
，漏源电压（V ）
R
DS （ ON）
归一化
15
0.8
0
4
8
12
16
20
- I
D
，漏电流（ A）
图1.区域特征。
图2.导通电阻变化
与漏极电流和栅极电压。
1.5
R
DS （ ON）
归一化
漏源导通电阻
R
DS （ ON）
，导通电阻（ OHM ）
0.25
1.4
1.3
1.2
1.1
1
0.9
0.8
0.7
-50
I
D
= - 4A
V
GS
= - 4.5V
I
D
= -2A
0.2
0.15
0.1
T
A
= 125
o
C
0.05
T
A
= 25
o
C
0
-25
0
25
50
75
100
o
125
150
1
2
3
4
5
T
J
，结温（ C）
-V
GS
，门源电压（ V）
图3.导通电阻变化
与温度。
图4.导通电阻变化
同门 - 源电压。
10
25
o
C
125 C
6
o
100
-I
S
，反向漏电流（ A）
V
DS
= -5V
T
A
= -55
o
C
V
GS
= 0V
10
-I
D
，漏电流（ A）
8
1
T = 125
o
C
25
o
C
4
0.1
-55
o
C
2
0.01
0
0.4
0.8
1.2
1.6
2
2.4
-V
GS
，门源电压（ V）
0.001
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
1.4
-V
SD
，体二极管正向电压（ V）
图5.传输特性。
图6.体二极管正向电压
变化与源电流
和温度。
FDC642P ，版本B
FDC642P
典型特征
5
-V
GS
，栅源电压（V ）
I
D
= -4A
4
（续）
1250
V
DS
= -5V
-10V
-15V
电容（pF）
F = 1 MHz的
V
GS
= 0 V
1000
3
750
C
国际空间站
500
2
1
250
C
OSS
C
RSS
0
0
2
4
6
8
10
Q
g
，栅极电荷（ NC）
0
0
5
10
15
20
-V
DS
，漏源极电压（ V）
图7.栅极电荷特性
图8.电容特性
100
5
单脉冲
R
θJA
= 156
o
C / W
-I
D
，漏电流（ A）
10
R
DS （ ON）
极限
1ms
100s
4
T
A
= 25
o
C
功率（W）的
1
V
GS
= -4.5V
单脉冲
o
R
θJA
= 156℃ / W
T
A
= 25 C
0.01
0.1
1
o
10ms
100ms
1s
DC
3
2
0.1
1
0
10
100
0.1
1
10
单脉冲时间（秒）
100
1000
-V
DS
，漏源电压（V ）
图9.最高安全工作区
图10.单脉冲最大
功耗
1
瞬态热阻
R（T ） ，规范有效
0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
0.005
D = 0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
单脉冲
P（ PK）
R
θJA
（吨） = R （t）的R *
θJA
R
θJA
= 156_C / W
t
1
t
2
T
J
- T
A
= P * R
θJA
(t)
占空比D = T
1
/ t
2
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
t
1
，时间（秒）
1
10
100
300
图11.瞬态热响应曲线。
热特性进行使用注1b中描述的条件。
瞬态themal响应将取决于电路板的设计变化。
FDC642P ，版本B
SuperSOT
TM
-6卷带式数据和包装尺寸
SSOT - 6封装
CON组fi guration ：
造型玩具E 1.0
包装说明：
自定义标签
防静电盖带
SSOT - 6的部件运带。载带是
从耗散取得（碳填写）聚碳酸酯
树脂。盖带是一种多层膜（热激活
粘合剂的性质） ，主要由聚酯薄膜，
粘合剂层，密封剂和防静电喷洒剂。
在标准选项，这些摇摇晃晃的部分是随
3000个单位7"或177厘米卷筒直径。卷轴是
深蓝色的颜色，是由聚苯乙烯塑料（抗
静电涂层） 。其他选项来10000个单位13"
或330厘米卷筒直径。这与一些其他选项是
在包装信息表中描述。
这些完整卷轴是单独的条码标签和
放置在由一个比萨饼盒（如图1.0所示）
与飞兆半导体的标志可回收瓦楞纸牛皮纸
打印。一个比萨盒包含最多三个卷轴。
而这些比萨饼盒被放置在一个条形码内
标记发货箱，有不同的尺寸
取决于部件运数。
F63TNR
LABEL
压花
载带
631
631
SSOT - 6封装信息
包装选项
包装类型
每卷/管材/袋数量
带尺寸
箱尺寸（mm ）
每箱数量最多
每单位重量（克）
每卷重量（kg ）
注/评论
标准
（没有F升流颂歌）
631
631
631
销1
D87Z
TNR
10,000
13"
343x343x64
30,000
0.0158
0.4700
TNR
3,000
7"迪亚
184x187x47
9,000
0.0158
0.1440
SSOT - 6股方向
343毫米X 342毫米X 64毫米
FO D87Z选项框的中间
F63TNR标签
F63TNR
LABEL
F63TNR标签SA MPL ê
184毫米X 187毫米毫米x 47毫米
比萨盒FO STANDAR 的Opti上
F63TNR
LABEL
LOT ： CBVK741B019
FSID ： FDC633N
数量： 3000
产品规格：
SSOT - 6磁带片头和片尾
CON组fi guration ：
造型玩具E 2.0
D / C1 ： D9842
D / C2 ：
QTY1 ：
QTY2 ：
SPEC REV ：
CPN ：
N / F： F
(F63TNR)3
载带
盖带
比较onent s
Traile 胶带
300毫米英里nimum或
75空POC凯茨
铅儿带
500毫米英里nimum或
125 EMP TY POC凯茨
1998年仙童半导体公司
1999年8月，版本C
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FL7930BM
FDDL200
FX4A1-20S-1.27SV
FM-24C-901L
FSJ163R3
FAR-C4CN-06144-L10-R
FDU6676ASNL
FC100A9
供货商
型号
厂家
批号
数量
封装
单价/备注
操作
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