EM621FU16BU系列
低功耗， 128Kx16 SRAM
文档标题
128K X16位低功耗和低电压全CMOS静态RAM
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最初的草案
0.1版本
草案日期
2007年10月31日
2007年11月16日
备注
新兴的内存&逻辑解决方案公司
4F韩国建筑金融合作社B / D， 301-1妍东，济州市，济州岛，韩国Rep.of
电话： + 82-64-740-1712传真： + 82-64-740-1749 1750 /主页： www.emlsi.com
邮编： 690-719
通过EMLSI提供附加的数据表保留随时更改规格和产品的权利。 EMLSI会回答你的
有关设备的问题。如果您有任何疑问，请联系EMLSI办公室。
1
EM621FU16BU系列
低功耗， 128Kx16 SRAM
128K X16位低功耗和低电压CMOS静态RAM
特点
- 工艺技术： 0.15毫米全CMOS
- 组织： 128K X16
- 电源电压
= > EM621FU16BU系列： 2.7V 3.3V
- 低数据保持电压： 1.5V （ MIN ）
- 三态输出与TTL兼容
- 产品包装设计的45 /55 / 70ns的
-
封装类型： 44 TSOP2
产品系列
功耗
产品
家庭
EM621FU16BU-45LF
EM621FU16BU-55LF
EM621FU16BU-70LF
操作
温度
工业级（-40 85
o
C)
工业级（-40 85
o
C)
工业级（-40 85
o
C)
VCC范围
速度
待机
(I
SB1
， TYP 。 ）
1
A
1
A
1
A
操作
(I
CC1
的.max ）
3mA
3mA
3mA
PKG型
概述
该EM621FU16BU系列是由EMLSI的制作
先进的全CMOS工艺技术。家庭
支持工业级温度范围及芯片级封装
年龄为系统设计的用户灵活性。家属还
支持低数据保持电压为电池后备
操作以低数据保持电流。
该EM621FU16BU系列提供KGD ， JEDEC
标准的44针400万TSOP2包。
2.7V~3.3V
2.7V~3.3V
2.7V~3.3V
45ns
55ns
70ns
44-TSOP2
44-TSOP2
44-TSOP2
引脚说明
A4
A3
A2
A1
A0
CS
I / O 0
I / O 1
I / O 2
I / O 3
VCC
VSS
I / O 4
I / O 5
I / O 6
I / O 7
WE
A16
A15
A14
A13
A12
功能框图
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
A5
A6
A7
OE
UB
LB
I / O 15
I / O 14
I / O 13
I / O 12
VSS
VCC
I / O 11
I / O 10
I / O 9
I / O 8
NC
A8
A9
A10
A11
NC
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
预充电电路
EM621FU16BU-45LF
A
0
A
1
A
2
A
3
A
4
A
5
A
6
A
7
A
8
A
9
V
CC
V
SS
行选择
存储阵列
1024 x 2048
I / O0 - I / O7
I / O8 I / O15
数据
CONT
数据
CONT
I / O电路
列选择
A
10
A
11
A
12
A
13
A
14
A
15
A
16
名字
CS
OE
WE
A0~A16
I/O0~I/O15
功能
片选输入
输出使能输入
写使能输入
地址输入
数据输入/输出
名字
VCC
VSS
UB
LB
NC
功能
电源
地
高字节（ I / O
8~15
)
低字节（ I / O
0~7
)
无连接
WE
OE
UB
LB
CS
控制逻辑
2
EM621FU16BU系列
低功耗， 128Kx16 SRAM
绝对最大额定值*
参数
任何引脚相对于VSS的电压
在VCC电源相对于Vss电压
功耗
工作温度
符号
V
IN
, V
OUT
V
CC
P
D
T
A
最低
-0.2 4.0V
-0.2 4.0V
1.0
-40到85
单位
V
V
W
o
C
*
应力大于上述“绝对最大额定值”，可能对器件造成永久性损坏。功能能操作
ATION应限制在推荐的工作条件。暴露在绝对最大额定值条件下长时间
会影响其可靠性。
功能说明
CS
H
X
L
L
L
L
L
L
L
L
OE
X
X
H
H
L
L
L
X
X
X
WE
X
X
H
H
H
H
H
L
L
L
LB
X
H
L
X
L
H
L
L
H
L
UB
X
H
X
L
H
L
L
H
L
L
I / O
0-7
高-Z
高-Z
高-Z
高-Z
数据输出
高-Z
数据输出
DATA IN
高-Z
DATA IN
I / O
8-15
高-Z
高-Z
高-Z
高-Z
高-Z
数据输出
数据输出
高-Z
DATA IN
DATA IN
模式
取消
取消
输出禁用
输出禁用
低字节读
高字节读
字读
低字节写入
高字节写
字写
动力
支持
支持
活跃
活跃
活跃
活跃
活跃
活跃
活跃
活跃
注：X表示不关心。 （必须是低或高的状态）
3
EM621FU16BU系列
低功耗， 128Kx16 SRAM
建议的直流工作条件
1)
参数
电源电压
地
输入高电压
输入低电压
1.
2.
3.
4.
符号
V
CC
V
SS
V
IH
V
IL
民
2.7
0
2.0
-0.2
3)
典型值
3.0
0
-
-
最大
3.3
0
V
CC
+ 0.2
2)
0.6
单位
V
V
V
V
TA = -40 85
o
C，另有规定
过冲： V
CC
如果脉冲+ 2.0V宽<为20ns
冲：如果脉冲-2.0 V宽度为20ns <
过冲和下冲进行采样，而不是100 ％测试
.
电容
1)
（ F = 1MHz的，T
A
=25
o
C)
项
输入电容
输入/输出继电器容量
1.电容进行采样，而不是100 ％测试。
符号
C
IN
C
IO
测试条件
V
IN
=0V
V
IO
=0V
民
-
-
最大
8
10
单位
pF
pF
DC和工作特性
参数
输入漏电流
输出漏电流
工作电源
符号
I
LI
I
LO
I
CC
I
CC1
平均工作电流
I
CC2
V
IN
=V
SS
到V
CC
CS = V
IH
或OE = V
IH
或WE = V
IL
或LB = UB = V
IH
V
IO
=V
SS
到V
CC
I
IO
= 0毫安， CS = V
IL
, V
IN
=V
IH
或V
IL
周期时间= 1μs的时间， 100 ％的关税，我
IO
=0mA,
CS<0.2V ， LB<0.2V或/和UB<0.2V ，
V
IN
<0.2V或V
IN
＆ GT ; V
CC
-0.2V
周期时间=最小，我
IO
= 0毫安， 100 ％的关税，
CS = V
IL
， LB = V
IL
或/和UB = V
白细胞介素，
V
IN
=V
IL
或V
IH
I
OL
= 2.1毫安
I
OH
= -1.0mA
CS = V
IH
，其它输入= V
IH
或V
IL
CS>V
CC
-0.2V （ CS控制）
其他输入= 0 V
CC
（典型值条件：V
CC
=3.0V @ 25
o
C)
（最大条件：V
CC
=3.3V @ 85
o
C)
测试条件
民
-1
-1
-
-
45ns
55ns
70ns
-
-
-
-
2.4
-
典型值
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
最大
1
1
3
3
35
30
25
0.4
-
0.3
单位
uA
uA
mA
mA
mA
输出低电压
输出高电压
待机电流（ TTL ）
V
OL
V
OH
I
SB
V
V
mA
待机电流（ CMOS ）
I
SB1
LF
-
1
1)
10
uA
笔记
1.典型值是在Vcc = 3.0V ，T测
A
=
25
o
C和不是100 ％测试。
4
EM621FU16BU系列
低功耗， 128Kx16 SRAM
V
TM3)
R
12)
交流工作条件
测试条件（测试
加载和测试输入/输出参考）
输入脉冲电平： 0.4V至2.2V
输入上升和下降时间： 5ns的
输入和输出参考电压： 1.5V
输出负载（见右图） ： CL
1)
= 100pF电容+ 1 TTL （为70ns ）
CL
1)
= 30pF的+ 1 TTL （为45nS / 55ns ）
1.包括范围和夹具电容
R
2
= 3150欧姆
2. R
1
= 3070欧姆
,
3. V
TM
=2.8V
4， CL = 5pF的+ 1 TTL （测量与T
LZ
, t
HZ
, t
OLZ
, t
OHZ
, t
WHZ
)
CL
1)
R
22)
读周期
(V
cc
= 2.7V至3.3V ， GND = 0V ，T
A
= -40
o
C至+ 85
o
C)
参数
读周期时间
地址访问时间
芯片选择输出
输出使能到输出有效
UB ， LB访问时间
芯片选择低阻抗输出
UB ， LB启用以低阻抗输出
输出使能为低阻抗输出
芯片禁用到高阻输出
UB ， LB禁用高Z输出
输出禁止到高阻输出
从地址变更输出保持
符号
t
RC
t
AA
t
CO
t
OE
t
BA
t
LZ
t
BLZ
t
OLZ
t
HZ
t
BHZ
t
OHZ
t
OH
45ns
民
45
-
-
-
最大
-
45
45
25
45
10
5
5
0
0
0
10
-
-
-
20
15
15
-
10
10
5
0
0
0
10
民
55
-
-
-
55ns
最大
-
55
55
25
55
-
-
-
20
20
20
-
10
10
5
0
0
0
10
民
70
-
-
-
70ns
最大
-
70
70
35
70
-
-
-
25
25
25
-
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
写周期
(V
cc
= 2.7V至3.3V ， GND = 0V ，T
A
= -40
o
C至+ 85
o
C)
参数
写周期时间
片选写的结束
地址建立时间
地址有效到写结束
UB ， LB有效到结束写入的
把脉冲宽度
写恢复时间
写信到输出高阻
数据写入时间重叠
从时间写数据保持
结束写入到输出低Z
符号
t
WC
t
CW
t
AS
t
AW
t
BW
t
WP
t
WR
t
WHZ
t
DW
t
DH
t
OW
45ns
民
45
45
0
45
45
35
0
0
25
0
5
-
-
最大
-
-
-
-
-
-
-
15
55
45
0
45
45
40
0
0
25
0
5
55ns
民
最大
-
-
-
-
-
-
-
20
民
70
60
0
60
60
50
0
0
30
-
-
0
5
70ns
最大
-
-
-
-
-
-
-
20
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
-
-
ns
ns
5
