EN29F512
EN29F512
512千位( 64K ×8位), 5V闪存
特点
读/写/擦除操作5.0V
操作
快速读取访问时间
- 为45nS , 55ns , 70ns的,并且为90ns
-
-
-
-
部门架构:
16K字节每4部门统一
支持整片擦除
单个扇区擦除支持
部门保护:
部门,以防止硬件锁
在编程或擦除操作
个别行业
高性能的编程/擦除速度
字节编程时间:为7μs典型
扇区擦除时间: 300ms的典型
芯片擦除时间: 1.5秒典型
JEDEC标准的编程和擦除
COMMANDS
JEDEC标准
数据
轮询和切换
位功能
单扇区和芯片擦除
部门撤消模式
嵌入式擦除和编程算法
擦除挂起/恢复模式:
读取和编程过程中的另一个部门
擦除挂起模式
0.23微米三层金属双聚
三阱CMOS闪存技术
VCC低于写入禁止< 3.2V
100K耐力周期
封装选项
- 32引脚PDIP
- 32引脚PLCC
- 32引脚采用8mm x 20毫米TSOP (类型1 )
- 32引脚采用8mm x 14毫米TSOP (类型1 )
商用和工业温度
范围
-
-
-
低待机电流
- CMOS 1μA待机电流典型
- 1毫安TTL待机电流
低功耗工作电流
- 12mA(典型)读操作工作电流
- 30毫安编程/擦除电流
概述
该EN29F512是512 Kbit的,电可擦除,读/写非挥发性快闪记忆体。有组织的
成64K字节,每字节8位,存储器512K布置在四个均匀的扇区
16K字节的每个。任何字节通常可以在为7μs进行编程。该EN29F512特点5.0V
电压读出和写入操作时,与存取时间快,为45nS ,以消除需要等待
国家在高性能微处理器系统。
该EN29F512有独立的输出使能(
OE
) ,芯片使能(
CE
) ,以及写使能(
宽E
)
控制,这消除了总线争用问题。此装置被设计成允许或者单
扇区或整片擦除操作,其中每个扇区可分别防止
编程/擦除操作或暂时未受保护的擦除或编程。该设备可以维持
最低的100K编程/擦除的每一个扇区周期。
该数据表可以通过后续的版本中修改
1
或修改,由于改变的技术规格。
2003宙硅解决方案公司, www.essi.com.tw
A版,发行日期:二〇〇三年十月二十零日
EN29F512
表1.引脚说明
引脚名称
A0-A16
DQ0-DQ7
功能
地址
数据输入/输出
芯片使能
OUTPUT ENABLE
写使能
电源电压
(5V
±
10% )
地
VSS
A0 - A15
EN29F512
16
8
DQ0 - DQ7
图1.逻辑图
VCC
CE
OE
WE
VCC
VSS
CE
OE
WE
表2扇区架构
扇形
3
2
1
0
地址
0C000h - 地址0FFFFh
08000H - 0BFFFh
04000h - 07FFFh
00000H - 03FFFh
大小(字节)
16
16
16
16
A15
1
1
0
0
A14
1
0
1
0
该数据表可以通过后续的版本中修改
或修改,由于改变的技术规格。
2
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EN29F512
框图
VCC
VSS
块保护开关
DQ0-DQ7
擦除电压发生器
状态
控制
编程电压
发电机
芯片使能
OUTPUT ENABLE
逻辑
机顶盒
输入/输出缓冲器
WE
命令
注册
CE
OE
数据锁存器
y解码器
地址锁存
机顶盒
Y型GATING
VCC探测器
定时器
X解码器
细胞矩阵
A0-A15
该数据表可以通过后续的版本中修改
或修改,由于改变的技术规格。
3
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EN29F512
图2: PDIP
图3. PLCC
图4. TSOP
该数据表可以通过后续的版本中修改
或修改,由于改变的技术规格。
4
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表3.操作模式
512K FLASH USER MODE表
用户模式
待机
读
输出禁用
读
制造ID
读取设备ID
VERIFY行业
保护
扇形
保护
VERIFY行业
解除保护
扇形
解除保护
写
CE
H
L
L
L
L
L
L
L
L
L
WE
X
H
H
H
H
H
脉冲
L
H
脉冲
L
L
OE
X
L
H
L
L
L
VID
L
VID
H
A9
X
A9
X
VID
VID
VID
VID
VID
VID
A9
A8
X
A8
X
L / H
X
X
X
X
X
A8
A6
X
A6
X
L
L
L
L
H
H
A6
A1
X
A1
X
L
L
H
X
H
H
A1
A0
X
A0
X
L
H
L
X
L
L
A0
AX /年
X
AX /年
AX /年
X
X
X
X
X
X
AX /年
DQ(0-7)
高阻
DQ ( 0-7 )
高阻
制造
ID
器件ID
CODE
X
CODE
X
DIN (0-7)
注意事项:
1 ) L = V
IL
,H = V
IH
, V
ID
= 11.0V
±
0.5V
2 ) X =无关,无论是V
IH
或V
IL
3 ) AX / Y:组Ax =地址(X ) ,AY =地址( Y)
表4.辨识的装置
512K闪存制造商/设备ID表
A8
读
制造商ID
读
器件ID
H
X
(1)
A6
L
L
A1
L
L
A0
L
H
(2)
DQ(7-0)
(十六进制)
制造商ID
1C
器件ID
21
注意事项:
1 )如果制造ID读取与A8 = L时,芯片将输出配置代码7Fh的。进一步
制造ID必须被读取以8 = H。
2 ) X =无关
该数据表可以通过后续的版本中修改
或修改,由于改变的技术规格。
5
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512千位( 64K ×8位), 5V闪存
特点
读/写/擦除操作5.0V
操作
快速读取访问时间
- 为45nS , 55ns , 70ns的,并且为90ns
-
-
-
-
部门架构:
16K字节每4部门统一
支持整片擦除
单个扇区擦除支持
部门保护:
部门,以防止硬件锁
在编程或擦除操作
个别行业
高性能的编程/擦除速度
字节编程时间:为7μs典型
扇区擦除时间: 300ms的典型
芯片擦除时间: 1.5秒典型
JEDEC标准的编程和擦除
COMMANDS
JEDEC标准
数据
轮询和切换
位功能
单扇区和芯片擦除
部门撤消模式
嵌入式擦除和编程算法
擦除挂起/恢复模式:
读取和编程过程中的另一个部门
擦除挂起模式
0.23微米三层金属双聚
三阱CMOS闪存技术
VCC低于写入禁止< 3.2V
100K耐力周期
封装选项
- 32引脚PDIP
- 32引脚PLCC
- 32引脚采用8mm x 20毫米TSOP (类型1 )
- 32引脚采用8mm x 14毫米TSOP (类型1 )
商用和工业温度
范围
-
-
-
低待机电流
- CMOS 1μA待机电流典型
- 1毫安TTL待机电流
低功耗工作电流
- 12mA(典型)读操作工作电流
- 30毫安编程/擦除电流
概述
该EN29F512是512 Kbit的,电可擦除,读/写非挥发性快闪记忆体。有组织的
成64K字节,每字节8位,存储器512K布置在四个均匀的扇区
16K字节的每个。任何字节通常可以在为7μs进行编程。该EN29F512特点5.0V
电压读出和写入操作时,与存取时间快,为45nS ,以消除需要等待
国家在高性能微处理器系统。
该EN29F512有独立的输出使能(
OE
) ,芯片使能(
CE
) ,以及写使能(
宽E
)
控制,这消除了总线争用问题。此装置被设计成允许或者单
扇区或整片擦除操作,其中每个扇区可分别防止
编程/擦除操作或暂时未受保护的擦除或编程。该设备可以维持
最低的100K编程/擦除的每一个扇区周期。
该数据表可以通过后续的版本中修改
1
或修改,由于改变的技术规格。
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EN29F512
表1.引脚说明
引脚名称
A0-A16
DQ0-DQ7
功能
地址
数据输入/输出
芯片使能
OUTPUT ENABLE
写使能
电源电压
(5V
±
10% )
地
VSS
A0 - A15
EN29F512
16
8
DQ0 - DQ7
图1.逻辑图
VCC
CE
OE
WE
VCC
VSS
CE
OE
WE
表2扇区架构
扇形
3
2
1
0
地址
0C000h - 地址0FFFFh
08000H - 0BFFFh
04000h - 07FFFh
00000H - 03FFFh
大小(字节)
16
16
16
16
A15
1
1
0
0
A14
1
0
1
0
该数据表可以通过后续的版本中修改
或修改,由于改变的技术规格。
2
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EN29F512
框图
VCC
VSS
块保护开关
DQ0-DQ7
擦除电压发生器
状态
控制
编程电压
发电机
芯片使能
OUTPUT ENABLE
逻辑
机顶盒
输入/输出缓冲器
WE
命令
注册
CE
OE
数据锁存器
y解码器
地址锁存
机顶盒
Y型GATING
VCC探测器
定时器
X解码器
细胞矩阵
A0-A15
该数据表可以通过后续的版本中修改
或修改,由于改变的技术规格。
3
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EN29F512
图2: PDIP
图3. PLCC
图4. TSOP
该数据表可以通过后续的版本中修改
或修改,由于改变的技术规格。
4
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EN29F512
表3.操作模式
512K FLASH USER MODE表
用户模式
待机
读
输出禁用
读
制造ID
读取设备ID
VERIFY行业
保护
扇形
保护
VERIFY行业
解除保护
扇形
解除保护
写
CE
H
L
L
L
L
L
L
L
L
L
WE
X
H
H
H
H
H
脉冲
L
H
脉冲
L
L
OE
X
L
H
L
L
L
VID
L
VID
H
A9
X
A9
X
VID
VID
VID
VID
VID
VID
A9
A8
X
A8
X
L / H
X
X
X
X
X
A8
A6
X
A6
X
L
L
L
L
H
H
A6
A1
X
A1
X
L
L
H
X
H
H
A1
A0
X
A0
X
L
H
L
X
L
L
A0
AX /年
X
AX /年
AX /年
X
X
X
X
X
X
AX /年
DQ(0-7)
高阻
DQ ( 0-7 )
高阻
制造
ID
器件ID
CODE
X
CODE
X
DIN (0-7)
注意事项:
1 ) L = V
IL
,H = V
IH
, V
ID
= 11.0V
±
0.5V
2 ) X =无关,无论是V
IH
或V
IL
3 ) AX / Y:组Ax =地址(X ) ,AY =地址( Y)
表4.辨识的装置
512K闪存制造商/设备ID表
A8
读
制造商ID
读
器件ID
H
X
(1)
A6
L
L
A1
L
L
A0
L
H
(2)
DQ(7-0)
(十六进制)
制造商ID
1C
器件ID
21
注意事项:
1 )如果制造ID读取与A8 = L时,芯片将输出配置代码7Fh的。进一步
制造ID必须被读取以8 = H。
2 ) X =无关
该数据表可以通过后续的版本中修改
或修改,由于改变的技术规格。
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EN29F512
512千位( 64K ×8位), 5V闪存
特点
读/写/擦除操作5.0V
操作
快速读取访问时间
- 为45nS , 55ns , 70ns的,并且为90ns
-
-
-
-
部门架构:
16K字节每4部门统一
支持整片擦除
单个扇区擦除支持
部门保护:
部门,以防止硬件锁
在编程或擦除操作
个别行业
高性能的编程/擦除速度
字节编程时间:为7μs典型
扇区擦除时间: 300ms的典型
芯片擦除时间: 1.5秒典型
JEDEC标准的编程和擦除
COMMANDS
JEDEC标准
数据
轮询和切换
位功能
单扇区和芯片擦除
部门撤消模式
嵌入式擦除和编程算法
擦除挂起/恢复模式:
读取和编程过程中的另一个部门
擦除挂起模式
0.23微米三层金属双聚
三阱CMOS闪存技术
VCC低于写入禁止< 3.2V
100K耐力周期
封装选项
- 32引脚PDIP
- 32引脚PLCC
- 32引脚采用8mm x 20毫米TSOP (类型1 )
- 32引脚采用8mm x 14毫米TSOP (类型1 )
商用和工业温度
范围
-
-
-
低待机电流
- CMOS 1μA待机电流典型
- 1毫安TTL待机电流
低功耗工作电流
- 12mA(典型)读操作工作电流
- 30毫安编程/擦除电流
概述
该EN29F512是512 Kbit的,电可擦除,读/写非挥发性快闪记忆体。有组织的
成64K字节,每字节8位,存储器512K布置在四个均匀的扇区
16K字节的每个。任何字节通常可以在为7μs进行编程。该EN29F512特点5.0V
电压读出和写入操作时,与存取时间快,为45nS ,以消除需要等待
国家在高性能微处理器系统。
该EN29F512有独立的输出使能(
OE
) ,芯片使能(
CE
) ,以及写使能(
宽E
)
控制,这消除了总线争用问题。此装置被设计成允许或者单
扇区或整片擦除操作,其中每个扇区可分别防止
编程/擦除操作或暂时未受保护的擦除或编程。该设备可以维持
最低的100K编程/擦除的每一个扇区周期。
该数据表可以通过后续的版本中修改
1
或修改,由于改变的技术规格。
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表1.引脚说明
引脚名称
A0-A16
DQ0-DQ7
功能
地址
数据输入/输出
芯片使能
OUTPUT ENABLE
写使能
电源电压
(5V
±
10% )
地
VSS
A0 - A15
EN29F512
16
8
DQ0 - DQ7
图1.逻辑图
VCC
CE
OE
WE
VCC
VSS
CE
OE
WE
表2扇区架构
扇形
3
2
1
0
地址
0C000h - 地址0FFFFh
08000H - 0BFFFh
04000h - 07FFFh
00000H - 03FFFh
大小(字节)
16
16
16
16
A15
1
1
0
0
A14
1
0
1
0
该数据表可以通过后续的版本中修改
或修改,由于改变的技术规格。
2
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框图
VCC
VSS
块保护开关
DQ0-DQ7
擦除电压发生器
状态
控制
编程电压
发电机
芯片使能
OUTPUT ENABLE
逻辑
机顶盒
输入/输出缓冲器
WE
命令
注册
CE
OE
数据锁存器
y解码器
地址锁存
机顶盒
Y型GATING
VCC探测器
定时器
X解码器
细胞矩阵
A0-A15
该数据表可以通过后续的版本中修改
或修改,由于改变的技术规格。
3
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A版,发行日期:二〇〇三年十月二十零日
EN29F512
图2: PDIP
图3. PLCC
图4. TSOP
该数据表可以通过后续的版本中修改
或修改,由于改变的技术规格。
4
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EN29F512
表3.操作模式
512K FLASH USER MODE表
用户模式
待机
读
输出禁用
读
制造ID
读取设备ID
VERIFY行业
保护
扇形
保护
VERIFY行业
解除保护
扇形
解除保护
写
CE
H
L
L
L
L
L
L
L
L
L
WE
X
H
H
H
H
H
脉冲
L
H
脉冲
L
L
OE
X
L
H
L
L
L
VID
L
VID
H
A9
X
A9
X
VID
VID
VID
VID
VID
VID
A9
A8
X
A8
X
L / H
X
X
X
X
X
A8
A6
X
A6
X
L
L
L
L
H
H
A6
A1
X
A1
X
L
L
H
X
H
H
A1
A0
X
A0
X
L
H
L
X
L
L
A0
AX /年
X
AX /年
AX /年
X
X
X
X
X
X
AX /年
DQ(0-7)
高阻
DQ ( 0-7 )
高阻
制造
ID
器件ID
CODE
X
CODE
X
DIN (0-7)
注意事项:
1 ) L = V
IL
,H = V
IH
, V
ID
= 11.0V
±
0.5V
2 ) X =无关,无论是V
IH
或V
IL
3 ) AX / Y:组Ax =地址(X ) ,AY =地址( Y)
表4.辨识的装置
512K闪存制造商/设备ID表
A8
读
制造商ID
读
器件ID
H
X
(1)
A6
L
L
A1
L
L
A0
L
H
(2)
DQ(7-0)
(十六进制)
制造商ID
1C
器件ID
21
注意事项:
1 )如果制造ID读取与A8 = L时,芯片将输出配置代码7Fh的。进一步
制造ID必须被读取以8 = H。
2 ) X =无关
该数据表可以通过后续的版本中修改
或修改,由于改变的技术规格。
5
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A版,发行日期:二〇〇三年十月二十零日