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订购数量: EN8993
ECH8420
三洋半导体
数据表
ECH8420
特点
N沟道MOSFET硅
通用开关设备
应用
导通电阻RDS ( ON) 1 = 5.2米
Ω
(典型值)。
1.8V驱动
无卤合规
特定网络阳离子
绝对最大额定值
在TA = 25℃
参数
漏极至源极电压
栅极 - 源极电压
漏电流( DC )
漏电流(脉冲)
允许功耗
通道温度
储存温度
符号
VDSS
VGSS
ID
IDP
PD
总胆固醇
TSTG
PW≤10μs ,值班cycle≤1 %
当安装在陶瓷基体( 900毫米
×0.8mm)
2
条件
评级
20
±12
14
50
1.6
150
-
-55到+150
单位
V
V
A
A
W
°C
°C
包装尺寸
单位:mm (典型值)
7011A-002
顶视图
0.25
2.9
0.15
8
5
0吨 0.02
2.8
2.3
产品&包装信息
: ECH8
JEITA , JEDEC
:-
最小包装数量: 3000个/卷。
包装类型: TL
记号
ZA
LOT号
TL
0.25
1
0.65
4
0.3
电气连接
1 :源
2 :源
3 :源
4 :门
5 :排水
6 :排水
7 :漏
8 :排水
8
7
6
5
0.07
0.9
博特吨OM查看
三洋: ECH8
1
2
3
4
http://semicon.sanyo.com/en/network
O1911PE TKIM TC- 00002660 No.8993-1 / 4
ECH8420
电气特性
在TA = 25℃
参数
漏极至源极击穿电压
零栅极电压漏极电流
栅极 - 源极漏电流
截止电压
正向转移导纳
静态漏 - 源极导通电阻
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
总栅极电荷
栅极 - 源极充电
栅 - 漏“米勒”充电
二极管的正向电压
符号
V( BR ) DSS
IDSS
IGSS
VGS (关闭)
|
YFS
|
RDS(on)1
RDS(on)2
RDS(on)3
西塞
科斯
CRSS
TD (上)
tr
TD (关闭)
tf
Qg
QGS
QGD
VSD
IS = 14A , VGS = 0V
VDS = 10V ,V GS = 4.5V ,ID = 14A
条件
ID = 1mA时, VGS = 0V
VDS = 20V , VGS = 0V
VGS = ± 8V , VDS = 0V
VDS = 10V ,ID = 1毫安
VDS = 10V ,ID = 7A
ID = 7A , VGS = 4.5V
ID = 4A , VGS = 2.5V
ID = 2A , VGS = 1.8V
VDS = 10V , F = 1MHz的
评级
20
1
±10
0.4
14.5
5.2
8
15
2430
410
330
21
请参阅特定网络版测试电路。
88
210
115
29
4.8
8.7
0.75
1.2
6.8
11.5
22.5
1.3
典型值
最大
单位
V
μA
μA
V
S
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
V
开关时间测试电路
4.5V
0V
VIN
VDD=10V
ID=7A
RL=1.43Ω
D
VOUT
VIN
PW=10μs
D.C.≤1%
G
ECH8420
P.G
50Ω
S
2.5V
12
10.0V
8.0V 6.0V
4
.5V
1.8V
14
ID - VDS
10
8
6
4
2
0
VGS=1.5V
0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
21
20
VDS=10V
19
18
17
16
15
14
13
12
11
10
9
8
7
6
5
4
3
2
1
0
0
0.2
0.4
ID - VGS
漏极电流ID -
漏极电流ID -
°
C
TA
75
°
C
25
0.6
0.8
1.0
1.2
--2
5
1.4
1.6
°
C
1.8
漏极至源极电压VDS - V
IT16625
栅极 - 源极电压VGS - V
IT16531
No.8993-2/4
ECH8420
40
RDS ( ON) - VGS
Ta=25
°
C
静态漏 - 源
通态电阻, RDS ( ON) - 毫欧
ID=2A
4A
7A
25
RDS ( ON) - TA
静态漏 - 源
通态电阻, RDS ( ON) - 毫欧
35
30
25
20
15
10
5
0
0
2
20
15
A
I =2
1.8V ,D
=
V GS
10
5
A
I =4
2.5V ,D
V GS =
A
, I =7
= 4.5V
V GS
4
6
8
10
12
IT16532
0
--50
0
50
100
150
200
IT16533
栅极 - 源极电压VGS - V
100
7
5
3
2
10
7
5
3
2
1.0
7
5
3
2
0.1
0.01
2 3
5 7 0.1
2 3
5 7 1.0
2 3
5 7 10
2 3
|
y
fs
|
- ID
环境温度,钽 -
°
C
100
7
5
3
2
IS - VSD
正向转移导纳,
|
y
fs
|
-- S
VDS=10V
VGS=0V
5
°
C
0
0.1
0.2
0.3
0.1
7
5
3
2
漏极电流ID -
1000
7
SW时间 - ID
5 7 100
IT16534
0.01
7
5
3
2
0.001
TA
7
0.4
25
°
C
--25
°
C
0.5
0.6
0.7
Ta
-2
=-
C
5
°
源出电流,是 - 个
C
25
°
1.0
7
5
3
2
1.0
7
5
3
2
°
C
75
0.8
0.9
1.0
10000
西塞,科斯,的Crss - VDS
二极管的正向电压, VSD - V
IT16535
切换时间, SW时间 - NS
5
3
2
VDD=15V
VGS=10V
西塞,科斯,的Crss - pF的
TD (关闭)
7
5
3
2
f=1MHz
西塞
100
7
5
3
2
10
0.1
tf
1000
7
5
3
2
100
tr
科斯
CRSS
TD (上)
2
3
5 7 1.0
2
3
5 7 10
2
3
漏极电流ID -
4.5
4.0
3.5
VGS - 的Qg
5 7 100
IT16536
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
漏极至源极电压VDS - V
100
7
5
3
2
ASO
IT16537
栅极 - 源极电压VGS - V
VDS=10V
ID=14A
漏极电流ID -
IDP = 50A ( PW
10
μs)
ID=14A
DC
op
ERA
t
1m
3.0
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0
0
5
10
15
20
25
30
IT16538
10
7
5
3
2
1.0
7
5
3
2
0.1
7
5
3
2
10
s
10
0m
s
离子
(T
a=
2
ms
操作在此
区域由的RDS(on )的限制。
5
°
C
)
0.01
0.01
Ta=25°C
单脉冲
当安装在陶瓷基体( 900毫米
2
×0.8mm)
2 3
5 7 0.1
2 3
5 7 1.0
2 3
5 7 10
2 3
总栅极电荷QG - 数控
漏极至源极电压VDS - V
5 7 100
IT16539
No.8993-3/4
ECH8420
1.8
PD - TA
当安装在陶瓷基板
(900mm
2
×0.8mm)
允许功耗, PD - 含
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0
0
20
40
60
80
100
120
140
160
环境温度,钽 -
°C
IT16540
注意使用情况:由于ECH8420是MOSFET产品,请避免在附近使用本设备
高电荷的物体。
任何及所有三洋半导体有限公司。本文描述或载有,关于产品
"standard application" ,意为用作一般电子设备。该产品本文档中提及
不得意欲用于任何"special application" (医疗设备,其目的是维持生命,
航空航天仪器,核控制设备,燃烧设备,交通运输设备,交通信号
系统,安全设备等)应要求可靠性非常高的水平,可以直接威胁
人的生命的情况下产品或失效或故障的设备可能会危害人体,也不得
其给予任何保证。如果您打算使用我们的产品,为新引进或其他应用程序
从汽车设备的使用现状,通信设备,办公设备的不同,
工业设备等,请向我们咨询有关使用条件(温度,运行时间等)
先于预期的用途。如果在预定使用之前没有咨询或查询,客户应
全权负责使用。
产品规格的任何及所有三洋半导体有限公司。本文描述或包含的产品规定
性能,特点和所描述的产品在独立的国家职能,并
不是性能,特点,以及所描述的产品功能的保证作为安装在该
客户的产品或设备。要验证的症状和状态,不能在一个被评估
独立的设备,客户必须不断的评估和测试设备安装在客户的
产品或设备。
三洋半导体有限公司。承担设备故障而导致的使用不承担任何责任
超出的价值产品,即使是瞬间,额定数值(例如最大额定值,工作
在任何产品的规格和所有三洋半导体所列条件范围或其他参数)
有限公司。本文描述或包含的产品。
三洋半导体有限公司。努力为客户提供高品质高可靠性的产品,然而,任何和所有
半导体产品故障或误动作有一定的概率。这是可能的,这些概率的故障
或故障可能引起事故或事件,危及人的生命,麻烦,可以给
上升到烟或着火或事故可能造成损害的其他财产。在设计设备,
采取安全措施,这样就不会发生此类事故或事件。这些措施包括但
不限于保护电路和安全设计,冗余设计误差防止电路,以及
结构设计。
倘任何或所有三洋半导体有限公司。描述或包含的产品均为
在任何当地出口管制法律和法规控制,这些产品可能需要
从有关根据上述法律,当局出口许可证。
本出版物的任何部分进行复制或以任何形式或通过任何手段,电子或
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授予有关知识产权或三洋半导体有限公司的任何其他权利。或
第三者。三洋半导体有限公司。不得与有关第三的任何索赔或诉讼承担责任
党的它,是由于使用的技术信息和产品的知识产权
上面提到的。
本产品目录提供的信息截至10月, 2011年说明和信息,在此受
更改,恕不另行通知。
PS No.8993-4 / 4
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操作
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    电话:0755-82780082
    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋316室

    ECH8420
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

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    电话:755-83241160(高端器件渠道商)/83950019/83950895/83950890
    联系人:Sante Zhang/Mollie
    地址:總部地址:UNIT D18 3/FWONG KING INDUSTRIAL BUILDINGNO.2-4 TAI YAU STREETKL
    深圳地址:深圳市龍崗區坂田街道永香路創匯

    ECH8420
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

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    电话:0755-23063133/23042311
    联系人:谭小姐
    地址:广东省深圳市福田区华强北赛格广场58层5808室

    ECH8420
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

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电话:0755-85298085
联系人:袁先生
地址:深圳市福田区华强北路深纺大厦B座806(市场范围可1片起送货)
ECH8420
汽车ON
21+22+
15000
SOT-28 FL / ECH-8
原装正品,欢迎询价
QQ: 点击这里给我发消息 点击这里给我发消息

电话:0755-82524712 0755-82525400
联系人:朱小姐
地址:深圳市福田区华强北街道华航社区海外装饰大厦B座539
ECH8420
汽ON
21+
12600
SOT-28 FL / ECH-8
原装正品
QQ: 点击这里给我发消息

电话:0755-84507690
联系人:马先生
地址:广东省深圳市龙岗区坂田街道南坑社区雅宝路1号星河World-A座2203A室
ECH8420
KEYENCE/基恩士
14+
12888
SOT-28 FL / ECH-8
QQ: 点击这里给我发消息 点击这里给我发消息

电话:0755-23306107
联系人:业务员
地址:广东省深圳市福田区华强北赛格科技园4栋
ECH8420
汽车ON
21+
12800
SOT-28 FL / ECH-8
原装正品,欢迎你来询价
QQ: 点击这里给我发消息

电话:0755-82533534
联系人:欧阳
地址:深圳市福田区华强北街道上步路上步工业区201栋316室
ECH8420
ON/安森美
21+
2698
SOT-28 FL / ECH-8
新到现货、一手货源、当天发货、价格低于市场
QQ:
电话:0755-82574045
联系人:张女士
地址:广东省深圳市福田区华强北赛格广场66楼6608B
ECH8420
汽车ON
21+22+
19200
SOT-28 FL / ECH-8
原装正品,欢迎你来询价
QQ: 点击这里给我发消息

电话:021-51097965
联系人:杨全兴
地址:松江区石湖荡镇松蒸公路2183号22幢-19
ECH8420
安森美
20+
900000
全新原装
1¥/片,深圳,上海现货
QQ: 点击这里给我发消息 点击这里给我发消息

电话:010-62962871、62104931、 62106431、62104891、62104791
联系人:何小姐
地址:海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
ECH8420
ON/安森美
新年份
18600
SOT-28FL/ECH-8
全新原装正品/质量有保证
QQ: 点击这里给我发消息 点击这里给我发消息

电话:010-62962871、62104931、 62106431、62104891、62104791
联系人:刘经理
地址:北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008
ECH8420
ON/安森美
最新环保批次
28500
ECH-8
全新原装正品/质量有保证
QQ: 点击这里给我发消息 点击这里给我发消息
电话:0755-82546683
联系人:李
地址:广东省深圳市福田区华强北上步工业区501栋1109
ECH8420
ON
22+
10000
SOT-28 FL / ECH-8
原装正品 代理渠道
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