CYM1836
128K ×32静态RAM模块
特点
高密度的4兆位的SRAM模块
32位标准封装支持从16K密度
×32 ，通过1M ×32
高速CMOS SRAM的
- 访问15纳秒的时间
低有功功率
- 2.6W （最大） ，在20毫微秒
SMD技术
TTL兼容的输入和输出
低调
- 最大。在0.57的高度。
小的PCB占位面积
- 0.78平方英寸。
提供SIMM ， ZIP格式。 SIMM适合垂直
或倾斜插座。
从四个128K ×8的SRAM在SOJ封装构造
安装在一环氧层压板用引脚。四片SE-
脉冲编码（ CS
1
， CS
2
， CS
3
， CS
4
）用于独立地使
的四个字节。读取或写入可以在individ-执行
UAL字节或多个字节，通过适当的组合
使用选择的。
写入每个字节是有成就的时候适当的
片选（ CS）和写使能（ WE）的投入都
低。上的输入/输出管脚（ I / O）数据被写入到
在地址引脚指定的存储单元（A
0
通过
A
16
).
阅读该设备通过采用片选完成
（ CS ）低，而写使能（ WE）仍然很高。下
这些条件下，存储单元的内容
指定的地址引脚上会出现数据IN-
把/输出引脚（ I / O） 。
的数据输入/输出管脚停留在高阻抗状态
当写使能为低或相应的片选
高。
两个引脚（ PD
0
和PD
1
）被用来识别模块MEM-
储器密度应用中的替换版本
JEDEC标准的模块是可以互换的。
功能说明
该CYM1836是一款高性能的4兆的静态RAM
模块由32位组织为128K字。这个模块是
逻辑框图
PD
0
→打开
PD
1
→打开
A
0
A
16
OE
WE
128K ×8
SRAM
CS
1
128K ×8
SRAM
CS
2
128K ×8
SRAM
CS
3
128K ×8
SRAM
CS
4
4
4
17
引脚配置
ZIP / SIMM
顶视图
PD
0
I / O
0
I / O
1
I / O
2
I / O
3
V
CC
A
7
A
8
A
9
I / O
4
I / O
5
I / O
6
I / O
7
WE
A
14
CS
1
CS
3
A
16
GND
I / O
16
I / O
17
I / O
18
I / O
19
A
10
A
11
A
12
A
13
I / O
20
I / O
21
I / O
22
I / O
23
GND
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
22
24
26
28
30
32
34
36
38
40
42
44
46
48
50
52
54
56
58
60
62
64
1
3
5
7
9
11
13
15
17
19
21
23
25
27
29
31
33
35
37
39
41
43
45
47
49
51
53
55
57
59
61
63
GND
PD
1
I / O
8
I / O
9
I / O
10
I / O
11
A
0
A
1
A
2
I / O
12
I / O
13
I / O
14
I / O
15
GND
A
15
CS
2
CS
4
NC
OE
I / O
24
I / O
25
I / O
26
I / O
27
A
3
A
4
A
5
V
CC
A
6
I / O
28
I / O
29
I / O
30
I / O
31
1836–2
4
I / O
0
I / O
7
4
I / O
8
I / O
15
I / O
16
I / O
23
I / O
24
I / O
31
1836–1
赛普拉斯半导体公司
3901北一街
圣荷西
CA 95134
408-943-2600
1999年2月15日
CYM1836
选购指南
1836–15
最大访问时间（纳秒）
最大工作电流（mA ）
最大待机电流（mA ）
阴影区域中包含的初步信息。
1836–20
20
480
100
1836–25
25
480
100
1836–30
30
480
100
1836–35
35
480
100
1836–45
45
480
100
15
760
180
最大额定值
（以上其中有用寿命可能受到损害。对于用户指南 -
线，没有测试。 ）
存储温度................................. -55 ° C至+ 125°C
环境温度与
电源应用............................................... - 10 ° C至+ 85°C
电源电压对地电位............... -0.5V至+ 7.0V
直流电压应用到输出的
在高Z状态.............................................. 。 -0.5V至+ 7.0V
直流输入电压-0.5V ............................................至+ 7.0V
工作范围
范围
广告
环境
温度
0 ° C至+ 70°C
V
CC
5V
±
10%
电气特性
在整个工作范围
1836–15
参数
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
I
IX
I
OZ
I
CC
I
SB1
I
SB2
描述
输出高电压
输出低电压
输入高电压
输入低电压
输入负载电流
输出漏电流
V
CC
工作电源电流
CS自动掉电
当前
[1]
CS自动掉电
当前
[1]
GND < V
I
＆ LT ; V
CC
GND < V
O
＆ LT ; V
CC
，输出禁用
V
CC
=最大，我
OUT
= 0 mA时， CS < V
IL
V
CC
=最大值， CS > V
IH
,
分钟。占空比= 100 ％
V
CC
=最大值， CS > V
CC
– 0.2V,
V
IN
＆ GT ; V
CC
- 0.2V或V
IN
＆ LT ; 0.2V
测试条件
V
CC
=最小值，我
OH
= -4.0毫安
V
CC
=最小值，我
OL
= 8.0毫安
2.2
–0.5
–20
–20
分钟。
2.4
0.4
V
CC
0.8
+20
+20
760
180
60
2.2
–0.5
–20
–20
马克斯。
1836–20, 25,
30, 35, 45
分钟。
2.4
0.4
V
CC
0.8
+20
+20
480
100
28
马克斯。
单位
V
V
V
V
A
A
mA
mA
mA
阴影区域中包含的初步信息。
电容
[2]
参数
C
IN
C
OUT
描述
输入电容
[3]
输出电容
测试条件
T
A
= 25 ° C，F = 1MHz时，
V
CC
= 5.0V
马克斯。
40/20
15
单位
pF
pF
注意事项：
1.上拉电阻到V
CC
在CS输入必须保持在V取消设备
CC
电，否则我
SB
将超过给定值。
2.测试以抽样方式。
3. 20 pF的对CS ， 40 pF的所有其他人。
2
CYM1836
开关特性
在整个工作范围
[4]
1836–15
参数
读周期
t
RC
t
AA
t
OHA
t
ACS
t
美国能源部
t
LZOE
t
HZOE
t
LZCS
t
HZCS
读周期时间
地址到数据
有效
从输出保持
地址变更
CS低到数据
有效
OE低到DATA
有效
OE低到
低Z
OE高来高
Z
CS为低电平
低Z
[5]
CS高来高
Z
[5, 6]
写周期时间
CS为低电平写
结束
地址建立
撰写完
地址保持
从写端
地址建立
写启动
WE脉冲宽度
数据建立到
写入结束
从数据保持
写入结束
我们前高后低
Z
WE低到高
Z
[6]
15
12
12
0
0
12
7
0
3
0
6
3
7
0
7
3
10
3
15
7
0
8
3
10
15
15
3
20
8
0
10
3
13
20
20
3
25
8
0
11
3
15
25
25
3
30
10
0
12
3
18
30
30
3
35
12
0
15
35
35
3
45
15
45
45
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
描述
分钟。
马克斯。
1836–20
分钟。
马克斯。
1836–25
分钟。
马克斯。
1836–30
分钟。
马克斯。
1836–35
分钟。
马克斯。
1836– 45
分钟。
马克斯。
单位
写周期
[7]
t
WC
t
SCS
t
AW
t
HA
t
SA
t
PWE
t
SD
t
HD
t
LZWE
t
HZWE
20
15
15
0
0
15
10
0
3
0
8
25
15
15
0
0
15
10
0
3
0
10
30
18
18
0
0
18
13
0
3
0
15
35
20
20
0
0
20
15
0
3
0
15
45
25
25
0
0
25
20
0
3
0
18
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
阴影区域中包含的初步信息。
注意事项：
4.测试条件假设为5纳秒或更小的信号的过渡时间，定时1.5V的参考电平，为0的输入脉冲电平到3.0V ，并在指定的输出负载
I
OL
/I
OH
和30 pF负载电容。
5.在任何给定的温度和电压条件下，叔
HZCS
小于吨
LZCS
对于任何给定的设备。这些参数由设计保证，而不是100 ％测试。
6. t
HZCS
和T
HZWE
用C指定
L
= 5 pF的在交流测试负载和波形（b）部分。过渡测
±500
毫伏从稳态电压。
7.存储器的内部写入时间由CS低和WE低的重叠限定。这两个信号必须为低电平启动写，要么信号
通过去HIGH结束写入。的数据输入的设置和保持时间应参考该终止写信号的上升沿。
4
QQ：2880707522 复制
