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CHA2066RBF
10-16GHz自偏置低噪声放大器
GaAs单片微波集成电路的SMD无铅封装
描述
单片微波集成电路( MMIC)中的
包是一个两阶段的自偏置宽
波段单片低噪声放大器。
该MMIC是一个标准的制造
PM- HEMT工艺: 0.25微米栅长,
通过穿过基板,空气桥孔
和电子束光刻门。
它是在一个新的SMD无引线芯片供给
载体。
主要特点
宽带绩效: 10-16GHz
增益= 15分贝(典型值)
噪声系数2.0分贝(典型值)
输出功率(P
-1dB
) 13dBm的(典型值)
回波损耗< -6dB
SMD无铅封装
尺寸: 5.08 X 5.08 X 0.97毫米
3
SMD封装尺寸
"Please注意, PIN 1位于包(正面视图)的左下角从美国半导体单片全贴片式封装。它被表示
通过在包盖的三角形。与PIN 1其他片开始逆时针(前视图)的编号。注意:对在背面的点
(即
SIDE
金属的
垫)
is
制造
施行
是否
表明
位置
of
1."
参考文献。 : DSCHA2066RBF2317 -13 -十一月-02
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特定网络阳离子如有更改,恕不另行通知。
联合单片半导体S.A.S.
路线Départementale 128 - BP46 - 91401奥赛Cedex法国
电话: : +33 ( 0 ) 1 69 33 03 08 - 传真: +33 ( 0 ) 1 69 33 03 09
CHA2066RBF
概要
10-16GHz低噪声放大器
典型的偏置条件
为+ 25 ° C, 55毫安典型的环境温度
符号
VDD
国际直拨电话
PIN号
6
6
漏偏置电压
漏电流
参数
4.0
55
单位
V
mA
所有其他引脚不用于该设备。
绝对最大额定值
(1)
TAMB = + 25°C
符号
Vd
顶部
TSTG
参数( 1 )
漏偏置电压
最大峰值输入功率过载( 2 )
工作温度范围( 3)
存储温度范围
4.5
+15
-40至+85
-55到+125
单位
V
DBM
°C
°C
( 1 )本设备上面这些paramaters中的任何一个操作可能会造成永久性的损害。
(2 )持续< 1秒。
( 3 )温度上限值很大程度上取决于主板的设计;评级定为
理想的热耦合
参考文献。 : DSCHA2066RBF2317 -13 -十一月-02
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10-16GHz低噪声放大器
VD = 4V ,ID = 55毫安
获得&回波损耗
20
16
12
8
4
0
-4
-8
-12
-16
-20
8
9
10
11
12
13
14
线性增益(dB )
输入回波损耗(dB )
CHA2066RBF
在PCB上的典型结果(推荐主板布局)
输出回波损耗(dB )
15
16
17
18
频率(GHz )
噪声系数(dB )
6
5
4
3
2
1
0
9
10
11
12
13
频率(GHz )
14
15
16
17
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CHA2066RBF
10-16GHz低噪声放大器
输出功率@ 1dB压缩( DBM)
16
14
12
10
8
6
4
2
0
8
9
10
11
12
13
14
15
16
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18
频率(GHz )
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10-16GHz低噪声放大器
脚印
CHA2066RBF
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