CHA2066RBF
10-16GHz自偏置低噪声放大器
GaAs单片微波集成电路的SMD无铅封装
描述
单片微波集成电路（ MMIC）中的
包是一个两阶段的自偏置宽
波段单片低噪声放大器。
该MMIC是一个标准的制造
PM- HEMT工艺： 0.25微米栅长，
通过穿过基板，空气桥孔
和电子束光刻门。
它是在一个新的SMD无引线芯片供给
载体。
主要特点
■
宽带绩效： 10-16GHz
■
增益= 15分贝（典型值）
■
噪声系数2.0分贝（典型值）
■
输出功率（P
-1dB
） 13dBm的（典型值）
■
回波损耗< -6dB
■
SMD无铅封装
■
尺寸： 5.08 X 5.08 X 0.97毫米
3
SMD封装尺寸
"Please注意， PIN 1位于包（正面视图）的左下角从美国半导体单片全贴片式封装。它被表示
通过在包盖的三角形。与PIN 1其他片开始逆时针（前视图）的编号。注意：对在背面的点
包
（即
SIDE
同
金属的
垫）
is
刚
为
制造
施行
和
是否
不
表明
该
位置
of
针
1."
参考文献。 ： DSCHA2066RBF2317 -13 -十一月-02
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联合单片半导体S.A.S.
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CHA2066RBF
概要
10-16GHz低噪声放大器
典型的偏置条件
为+ 25 ° C， 55毫安典型的环境温度
符号
VDD
国际直拨电话
PIN号
6
6
漏偏置电压
漏电流
参数
值
4.0
55
单位
V
mA
所有其他引脚不用于该设备。
绝对最大额定值
(1)
TAMB = + 25°C
符号
Vd
针
顶部
TSTG
参数（ 1 ）
漏偏置电压
最大峰值输入功率过载（ 2 ）
工作温度范围（ 3）
存储温度范围
值
4.5
+15
-40至+85
-55到+125
单位
V
DBM
°C
°C
（ 1 ）本设备上面这些paramaters中的任何一个操作可能会造成永久性的损害。
（2 ）持续< 1秒。
（ 3 ）温度上限值很大程度上取决于主板的设计;评级定为
理想的热耦合
参考文献。 ： DSCHA2066RBF2317 -13 -十一月-02
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10-16GHz低噪声放大器
VD = 4V ，ID = 55毫安
获得&回波损耗
20
16
12
8
4
0
-4
-8
-12
-16
-20
8
9
10
11
12
13
14
线性增益（dB ）
输入回波损耗（dB ）
CHA2066RBF
在PCB上的典型结果（推荐主板布局）
输出回波损耗（dB ）
15
16
17
18
频率（GHz ）
噪声系数（dB ）
6
5
4
3
2
1
0
9
10
11
12
13
频率（GHz ）
14
15
16
17
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CHA2066RBF
10-16GHz低噪声放大器
输出功率@ 1dB压缩（ DBM）
16
14
12
10
8
6
4
2
0
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
频率（GHz ）
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10-16GHz低噪声放大器
脚印
CHA2066RBF
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