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BZT03D...
威世德律风根
硅Z-二极管和瞬态电压抑制器
特点
D
玻璃钝化结
D
密封包装
D
阻断时间在皮秒
应用
中等功率稳压器和
中功率瞬态抑制电路
94 9539
绝对最大额定值
T
j
= 25
_
C
参数
功耗
反向重复峰值功耗
不重复峰值浪涌功耗
结温
存储温度范围
测试条件
L = 10mm时,牛逼
L
=25
°
C
T
AMB
=25
°
C
t
p
=100
m
S,T
j
=25
°
C
TYPE
符号
P
V
P
V
P
ZRM
P
ZSM
T
j
T
英镑
价值
3.25
1.3
10
600
175
–65...+175
单位
W
W
W
W
°
C
°
C
最大热阻
T
j
= 25
_
C
参数
测试条件
交界处的环境L = 10mm时,牛逼
L
=常数
在PC板间距25毫米
符号
R
thJA
R
thJA
价值
46
100
单位
K / W
K / W
电气特性
T
j
= 25
_
C
参数
正向电压
测试条件
I
F
=0.5A
TYPE
符号
V
F
典型值
最大
1.2
单位
V
文档编号85600
第2版, 01 -APR- 99
www.vishay.de
FaxBack + 1-408-970-5600
1 (5)
BZT03D...
威世德律风根
TYPE
BZT03D...
6V2
6V8
7V5
8V2
9V1
10
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15
16
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39
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51
56
62
68
75
82
91
100
110
120
130
150
160
180
200
220
240
270
分钟。
5.6
6.1
6.75
7.4
8.2
9.0
9.9
10.8
11.7
13.5
14.4
16.2
18.0
29.8
21.6
24.3
27
29.7
32.4
35.1
38.7
42.3
45.9
50.4
55.8
61.2
67.5
73.8
81.9
90
99
108
117
135
144
162
180
198
216
243
V
Z
V
典型值。
6.2
6.8
7.5
8.2
9.1
10
11
12
13
15
16
18
20
22
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30
33
36
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56
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68
75
82
91
100
110
120
130
150
160
180
200
220
240
270
r
zj
马克斯。
6.8
7.5
8.25
9.0
10.0
11.0
12.1
13.2
14.3
16.5
17.6
19.8
22.0
24.2
26.4
29.7
33
36.3
39.6
42.9
47.3
51.7
56.1
61.6
68.2
74.8
82.5
90.2
100
110
121
132
143
165
176
198
220
242
264
297
典型值。
1
1
1
1
2
2
4
4
5
5
6
6
6
6
7
7
8
8
21
21
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24
25
25
25
25
30
30
60
60
80
80
110
130
150
180
200
350
400
450
马克斯。
2
2
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4
4
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7
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10
15
15
15
15
15
15
15
15
40
40
45
45
60
60
80
80
100
100
200
200
250
250
300
300
350
400
500
750
850
1000
TK
VZ
at
%/K
分钟。
马克斯。
0
0.07
0
0.07
0
0.07
0.03
0.08
0.03
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0.09
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0.10
0.05
0.10
0.05
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0.10
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0.11
0.06
0.11
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0.11
0.06
0.11
0.06
0.11
0.06
0.11
0.06
0.11
0.06
0.11
0.06
0.11
0.06
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0.07
0.12
0.07
0.12
0.07
0.12
0.08
0.13
0.08
0.13
0.08
0.13
0.08
0.13
0.09
0.13
0.09
0.13
0.09
0.13
0.09
0.13
0.09
0.13
0.09
0.13
0.09
0.13
0.09
0.13
0.09
0.13
0.09
0.13
0.09
0.13
0.09
0.13
I
Z
mA
100
100
100
100
50
50
50
50
50
50
25
25
25
25
25
25
25
25
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
5
5
5
5
5
5
5
5
5
2
2
2
I
R
at
m
A
马克斯。
1500
1000
750
600
20
10
4
3
2
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
V
R
W
4.4
4.8
5.3
5.9
6.5
7.1
7.9
8.6
9.3
10.6
11.6
12.6
14.4
15.8
17.2
19.4
21.5
23.5
25.8
28
31
33.5
36.5
40
44.5
49
54
59
65
71
79
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2 (5)
文档编号85600
第2版, 01 -APR- 99
BZT03D...
威世德律风根
TYPE
BZT03D...
6V2
6V8
7V5
8V2
9V1
10
11
12
13
15
16
18
20
22
24
27
30
33
36
39
43
47
51
56
62
68
75
82
91
100
110
120
130
150
160
180
200
220
240
270
1)
钳位AT
V
(CL)中,R 1 )
I
RSM
V
A
马克斯。
9.5
34.0
10.5
31.0
11.6
26.5
12.6
24.4
13.7
22.7
15.2
20.3
16.2
19.1
17.5
17.7
19.1
15.9
21.8
14.4
23.4
13.1
26.3
11.7
29.2
10.6
31.9
9.7
34.6
8.9
39
7.9
43.5
7.1
47.5
6.5
51.5
6.0
56
5.5
62
4.9
67.5
4.6
73
4.2
81
3.8
89
3.5
97
3.2
107
2.9
117
2.6
130
2.4
143
2.2
157
2.0
172
1.8
187
1.6
213
1.5
229
1.3
256
1.2
284
1.1
314
1.0
364
0.9
388
0.8
对峙的
I
R
V
R 2)
m
A
V
马克斯。
3000
4.8
2000
5.3
1500
5.9
1200
6.5
50
7.1
20
7.9
5
8.6
5
9.3
5
10.6
5
11.6
5
12.6
5
14.4
5
15.8
5
17.2
5
19.4
5
21.5
5
23.5
5
25.8
5
28
5
31
5
33.5
5
36.5
5
40
5
44.5
5
49
5
54
5
59
5
65
5
71
5
79
5
86
5
93
5
106
5
116
5
126
5
144
5
158
5
172
5
194
5
215
10/1000进出口。下降脉冲吨
p
= 1000毫秒降低到50%的
文档编号85600
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威世德律风根
特征
(T
j
= 25
_
C除非另有说明)
50
3
I
F
- 正向电流( A)
3.0
2.5
2.0
T
j
= 25°C
1.5
1.0
0.5
0
7
2
94 9086a
94 9585
25
50
0
0.5
1.0
1.5
2.0
V
F
- 正向电压( V)
图1.环氧玻璃硬组织,板
厚度1.5毫米,R
thJA
100 K / W
x
图3.正向电流与正向电压
10000
4
P
合计
- 总功耗( W)
l=10mm
3
15mm
2
20mm
1
见图1
0
0
94 9584
P
ZSM
- 不重复浪涌电源
耗散(W)的
l
l
T
j
= 25°C
1000
T
L
=常数
100
40
80
120
160
200
94 9586
10
0.01
0.1
1
10
100
T
AMB
- 环境温度(
°C
)
t
p
- 脉冲宽度(毫秒)
图2.总功耗对比
环境温度
图4.非重复浪涌功耗对比
脉冲长度
尺寸(mm)
3.6最大。
烧结玻璃柜
SOD 57
重最大。 0.5克
阴极鉴定
技术图纸
根据DIN
特定网络阳离子
94 9538
0.82最大。
26分钟。
4.2 MAX 。
26分钟。
www.vishay.de
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BZT03D...
威世德律风根
消耗臭氧层物质的政策声明
它的策略
威世半导体有限公司
to
1.满足所有目前和未来的国家和国际法例的要求。
2.定期和不断改进我们的产品,工艺,销售和经营的业绩
相对于它们对健康和员工的安全和影响公众系统,以及它们的
对环境的影响。
这是特别令人关注,以控制或消除这些物质释放到其已知作为气氛
消耗臭氧层物质(消耗臭氧层物质) 。
蒙特利尔议定书( 1987年)和其伦敦修正案( 1990年)打算严格限制使用消耗臭氧层物质和
在未来十年内禁止其使用。不同的国家和国际行动正加紧进行早期禁令
于这些物质。
威世半导体有限公司
已经能够使用的持续改进其政策,以杜绝使用
消耗臭氧层物质列在下面的文件。
1.附件A, B和蒙特利尔议定书过渡性物质和伦敦分别修正列表
2 。 I类和II于1990年,由环境的清洁空气法案修正案消耗臭氧层物质
保护局(EPA)在美国
3.理事会决定五百四十分之八十八/ EEC分别和六百九十分之九十一/ EEC附件A,B和C (过渡性物质) 。
威世半导体有限公司
可以证明,我们的半导体是不消耗臭氧制造
物质和不含有这种物质。
我们保留作出修改,以改善技术设计,并可以这样做,恕不另行通知的权利。
参数可以在不同的应用而变化。所有的操作参数必须为每个客户的应用进行验证
由客户。如买方使用的Vishay ,德律风根产品的任何意外或未经授权的应用程序时,
买方应赔偿日前,Vishay ,德律风根的所有索赔,费用,损失,费用,所产生的直接或
间接的,人身损害,伤害或死亡等意外或未经授权使用相关的任何索赔。
日前,Vishay半导体有限公司, P.O.B. 3535 , D- 74025德国Heilbronn
电话: 49 ( 0 ) 67 7131 2831 ,传真号码: 49 ( 0 ) 7131 67 2423
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5 (5)
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威世德律风根
硅Z-二极管和瞬态电压抑制器
特点
D
玻璃钝化结
D
密封包装
D
阻断时间在皮秒
应用
中等功率稳压器和
中功率瞬态抑制电路
94 9539
绝对最大额定值
T
j
= 25
_
C
参数
功耗
反向重复峰值功耗
不重复峰值浪涌功耗
结温
存储温度范围
测试条件
L = 10mm时,牛逼
L
=25
°
C
T
AMB
=25
°
C
t
p
=100
m
S,T
j
=25
°
C
TYPE
符号
P
V
P
V
P
ZRM
P
ZSM
T
j
T
英镑
价值
3.25
1.3
10
600
175
–65...+175
单位
W
W
W
W
°
C
°
C
最大热阻
T
j
= 25
_
C
参数
测试条件
交界处的环境L = 10mm时,牛逼
L
=常数
在PC板间距25毫米
符号
R
thJA
R
thJA
价值
46
100
单位
K / W
K / W
电气特性
T
j
= 25
_
C
参数
正向电压
测试条件
I
F
=0.5A
TYPE
符号
V
F
典型值
最大
1.2
单位
V
文档编号85600
第2版, 01 -APR- 99
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1 (5)
BZT03D...
威世德律风根
TYPE
BZT03D...
6V2
6V8
7V5
8V2
9V1
10
11
12
13
15
16
18
20
22
24
27
30
33
36
39
43
47
51
56
62
68
75
82
91
100
110
120
130
150
160
180
200
220
240
270
分钟。
5.6
6.1
6.75
7.4
8.2
9.0
9.9
10.8
11.7
13.5
14.4
16.2
18.0
29.8
21.6
24.3
27
29.7
32.4
35.1
38.7
42.3
45.9
50.4
55.8
61.2
67.5
73.8
81.9
90
99
108
117
135
144
162
180
198
216
243
V
Z
V
典型值。
6.2
6.8
7.5
8.2
9.1
10
11
12
13
15
16
18
20
22
24
27
30
33
36
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43
47
51
56
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68
75
82
91
100
110
120
130
150
160
180
200
220
240
270
r
zj
马克斯。
6.8
7.5
8.25
9.0
10.0
11.0
12.1
13.2
14.3
16.5
17.6
19.8
22.0
24.2
26.4
29.7
33
36.3
39.6
42.9
47.3
51.7
56.1
61.6
68.2
74.8
82.5
90.2
100
110
121
132
143
165
176
198
220
242
264
297
典型值。
1
1
1
1
2
2
4
4
5
5
6
6
6
6
7
7
8
8
21
21
24
24
25
25
25
25
30
30
60
60
80
80
110
130
150
180
200
350
400
450
马克斯。
2
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2
4
4
7
7
10
10
15
15
15
15
15
15
15
15
40
40
45
45
60
60
80
80
100
100
200
200
250
250
300
300
350
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850
1000
TK
VZ
at
%/K
分钟。
马克斯。
0
0.07
0
0.07
0
0.07
0.03
0.08
0.03
0.08
0.05
0.09
0.05
0.10
0.05
0.10
0.05
0.10
0.05
0.10
0.06
0.11
0.06
0.11
0.06
0.11
0.06
0.11
0.06
0.11
0.06
0.11
0.06
0.11
0.06
0.11
0.06
0.11
0.06
0.11
0.07
0.12
0.07
0.12
0.07
0.12
0.07
0.12
0.08
0.13
0.08
0.13
0.08
0.13
0.08
0.13
0.09
0.13
0.09
0.13
0.09
0.13
0.09
0.13
0.09
0.13
0.09
0.13
0.09
0.13
0.09
0.13
0.09
0.13
0.09
0.13
0.09
0.13
0.09
0.13
I
Z
mA
100
100
100
100
50
50
50
50
50
50
25
25
25
25
25
25
25
25
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
5
5
5
5
5
5
5
5
5
2
2
2
I
R
at
m
A
马克斯。
1500
1000
750
600
20
10
4
3
2
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
V
R
W
4.4
4.8
5.3
5.9
6.5
7.1
7.9
8.6
9.3
10.6
11.6
12.6
14.4
15.8
17.2
19.4
21.5
23.5
25.8
28
31
33.5
36.5
40
44.5
49
54
59
65
71
79
86
93
106
116
126
144
158
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第2版, 01 -APR- 99
BZT03D...
威世德律风根
TYPE
BZT03D...
6V2
6V8
7V5
8V2
9V1
10
11
12
13
15
16
18
20
22
24
27
30
33
36
39
43
47
51
56
62
68
75
82
91
100
110
120
130
150
160
180
200
220
240
270
1)
钳位AT
V
(CL)中,R 1 )
I
RSM
V
A
马克斯。
9.5
34.0
10.5
31.0
11.6
26.5
12.6
24.4
13.7
22.7
15.2
20.3
16.2
19.1
17.5
17.7
19.1
15.9
21.8
14.4
23.4
13.1
26.3
11.7
29.2
10.6
31.9
9.7
34.6
8.9
39
7.9
43.5
7.1
47.5
6.5
51.5
6.0
56
5.5
62
4.9
67.5
4.6
73
4.2
81
3.8
89
3.5
97
3.2
107
2.9
117
2.6
130
2.4
143
2.2
157
2.0
172
1.8
187
1.6
213
1.5
229
1.3
256
1.2
284
1.1
314
1.0
364
0.9
388
0.8
对峙的
I
R
V
R 2)
m
A
V
马克斯。
3000
4.8
2000
5.3
1500
5.9
1200
6.5
50
7.1
20
7.9
5
8.6
5
9.3
5
10.6
5
11.6
5
12.6
5
14.4
5
15.8
5
17.2
5
19.4
5
21.5
5
23.5
5
25.8
5
28
5
31
5
33.5
5
36.5
5
40
5
44.5
5
49
5
54
5
59
5
65
5
71
5
79
5
86
5
93
5
106
5
116
5
126
5
144
5
158
5
172
5
194
5
215
10/1000进出口。下降脉冲吨
p
= 1000毫秒降低到50%的
文档编号85600
第2版, 01 -APR- 99
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3 (5)
BZT03D...
威世德律风根
特征
(T
j
= 25
_
C除非另有说明)
50
3
I
F
- 正向电流( A)
3.0
2.5
2.0
T
j
= 25°C
1.5
1.0
0.5
0
7
2
94 9086a
94 9585
25
50
0
0.5
1.0
1.5
2.0
V
F
- 正向电压( V)
图1.环氧玻璃硬组织,板
厚度1.5毫米,R
thJA
100 K / W
x
图3.正向电流与正向电压
10000
4
P
合计
- 总功耗( W)
l=10mm
3
15mm
2
20mm
1
见图1
0
0
94 9584
P
ZSM
- 不重复浪涌电源
耗散(W)的
l
l
T
j
= 25°C
1000
T
L
=常数
100
40
80
120
160
200
94 9586
10
0.01
0.1
1
10
100
T
AMB
- 环境温度(
°C
)
t
p
- 脉冲宽度(毫秒)
图2.总功耗对比
环境温度
图4.非重复浪涌功耗对比
脉冲长度
尺寸(mm)
3.6最大。
烧结玻璃柜
SOD 57
重最大。 0.5克
阴极鉴定
技术图纸
根据DIN
特定网络阳离子
94 9538
0.82最大。
26分钟。
4.2 MAX 。
26分钟。
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BZT03D...
威世德律风根
消耗臭氧层物质的政策声明
它的策略
威世半导体有限公司
to
1.满足所有目前和未来的国家和国际法例的要求。
2.定期和不断改进我们的产品,工艺,销售和经营的业绩
相对于它们对健康和员工的安全和影响公众系统,以及它们的
对环境的影响。
这是特别令人关注,以控制或消除这些物质释放到其已知作为气氛
消耗臭氧层物质(消耗臭氧层物质) 。
蒙特利尔议定书( 1987年)和其伦敦修正案( 1990年)打算严格限制使用消耗臭氧层物质和
在未来十年内禁止其使用。不同的国家和国际行动正加紧进行早期禁令
于这些物质。
威世半导体有限公司
已经能够使用的持续改进其政策,以杜绝使用
消耗臭氧层物质列在下面的文件。
1.附件A, B和蒙特利尔议定书过渡性物质和伦敦分别修正列表
2 。 I类和II于1990年,由环境的清洁空气法案修正案消耗臭氧层物质
保护局(EPA)在美国
3.理事会决定五百四十分之八十八/ EEC分别和六百九十分之九十一/ EEC附件A,B和C (过渡性物质) 。
威世半导体有限公司
可以证明,我们的半导体是不消耗臭氧制造
物质和不含有这种物质。
我们保留作出修改,以改善技术设计,并可以这样做,恕不另行通知的权利。
参数可以在不同的应用而变化。所有的操作参数必须为每个客户的应用进行验证
由客户。如买方使用的Vishay ,德律风根产品的任何意外或未经授权的应用程序时,
买方应赔偿日前,Vishay ,德律风根的所有索赔,费用,损失,费用,所产生的直接或
间接的,人身损害,伤害或死亡等意外或未经授权使用相关的任何索赔。
日前,Vishay半导体有限公司, P.O.B. 3535 , D- 74025德国Heilbronn
电话: 49 ( 0 ) 67 7131 2831 ,传真号码: 49 ( 0 ) 7131 67 2423
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5 (5)
日前,Vishay
BZT03..Series
威世半导体
硅齐纳二极管与浪涌电流规格
特点
玻璃钝化结
密封包装
阻断时间在皮秒
应用
中等功率稳压器和中小功率
瞬态抑制电路
机械数据
案例: SOD57
重量:
370毫克( max.500毫克)
包装代码/选项:
TAP / 5K的Ammopack (52毫米磁带) / 25 K /盒
TR / 5 K. 10"卷轴
949539
绝对最大额定值
T
AMB
= 25℃,除非另有说明
参数
功耗
反向重复峰值功率
耗散
不重复峰值浪涌电流T
p
= 100
s,
T
j
= 25 °C
耗散
结温
存储温度范围
测试条件
升= 10毫米,T
L
= 25 °C
T
AMB
= 25 °C
符号
P
V
P
V
P
ZRM
P
ZSM
T
j
T
英镑
价值
3.25
1.3
10
600
175
- 65 + 175
单位
W
W
W
W
°C
°C
热特性
T
AMB
= 25℃,除非另有说明
参数
交界处的环境
测试条件
升= 10毫米,T
L
=常数
在PC板间距25毫米
符号
R
thJA
R
thJA
价值
46
100
单位
K / W
K / W
电气特性
T
AMB
= 25℃,除非另有说明
参数
正向电压
测试条件
I
F
= 0.5 A
符号
V
F
典型值。
最大
1.2
单位
V
文档编号85599
第4版, 10月, 03
www.vishay.com
1
BZT03..Series
威世半导体
电气特性
BZT03C...
部分号码
齐纳电压范围
动态
阻力
r
zj
和传统知识
VZ
@
I
Z
最大
6.6
7.2
7.9
8.7
9.6
10.6
11.6
12.7
14.1
15.6
17.1
19.1
21.2
23.3
25.6
28.9
32
35
38
41
46
50
54
60
66
72
79
87
96
106
116
127
141
156
171
191
212
233
256
289
典型值
1
1
1
1
2
2
4
4
5
5
6
6
6
6
7
7
8
8
21
21
24
24
25
25
25
25
30
30
60
60
80
80
110
130
150
180
200
350
400
450
最大
2
2
2
2
4
4
7
7
10
10
15
15
15
15
15
15
15
15
40
40
45
45
60
60
80
80
100
100
200
200
250
250
300
300
350
400
500
750
850
1000
100
100
100
100
50
50
50
50
50
50
25
25
25
25
25
25
25
25
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
5
5
5
5
5
5
5
5
5
2
2
2
TEST
Curre
nt
I
ZT
mA
0
0
0
0.03
0.03
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.06
0.06
0.06
0.06
0.06
0.06
0.06
0.06
0.06
0.06
0.07
0.07
0.07
0.07
0.08
0.08
0.08
0.08
0.09
0.09
0.09
0.09
0.09
0.09
0.09
0.09
0.09
0.09
0.09
0.09
温度
对COEF网络cient
齐纳电压
TC
VZ
@ I
ZT
%/K
最大
0.07
0.07
0.07
0.08
0.08
0.09
0.1
0.1
0.1
0.1
0.11
0.11
0.11
0.11
0.11
0.11
0.11
0.11
0.11
0.11
0.12
0.12
0.12
0.12
0.13
0.13
0.13
0.13
0.13
0.13
0.13
0.13
0.13
0.13
0.13
0.13
0.13
0.13
0.13
0.13
反向
泄漏
当前
I
R
@ V
R
A
最大
1500
1000
750
600
20
10
4
3
2
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
4.7
5.1
5.6
6.2
6.8
7.5
8.2
9.1
10
11
12
13
15
16
18
20
22
24
27
30
33
36
39
43
47
51
56
62
68
75
82
91
100
110
120
130
150
160
180
200
V
夹紧
日前,Vishay
对峙
V
Z
@ I
ZT
V
BZT03C6V2
BZT03C6V8
BZT03C7V5
BZT03C8V2
BZT03C9V1
BZT03C10
BZT03C11
BZT03C12
BZT03C13
BZT03C15
BZT03C16
BZT03C18
BZT03C20
BZT03C22
BZT03C24
BZT03C27
BZT03C30
BZT03C33
BZT03C36
BZT03C39
BZT03C43
BZT03C47
BZT03C51
BZT03C56
BZT03C62
BZT03C68
BZT03C75
BZT03C82
BZT03C91
BZT03C100
BZT03C110
BZT03C120
BZT03C130
BZT03C150
BZT03C160
BZT03C180
BZT03C200
BZT03C220
BZT03C240
BZT03C270
1)
2)
V
(CL)R1)
@
I
RMS
V
最大
9.3
10.2
11.3
12.3
13.3
14.8
15.7
17.0
18.9
20.9
22.9
25.6
28.4
31.0
33.8
38.1
42.2
46.2
50.1
54.1
60.7
65.5
70.8
78.6
86.5
94.4
103.5
114
126
139
152
167
185
204
224
249
276
305
336
380
34.0
31.0
26.5
24.4
22.7
20.3
19.1
17.7
15.9
14.4
13.1
11.7
10.6
9.7
8.9
7.9
7.1
6.5
6.0
5.5
4.9
4.6
4.2
3.8
3.5
3.2
2.9
2.6
2.4
2.2
2.0
1.8
1.6
1.5
1.3
1.2
1.1
1.0
0.9
0.8
A
I
R
@ V
R 2)
A
最大
3000
2000
1500
1200
50
20
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5.1
5.6
6.2
6.8
7.5
8.2
9.1
10
11
12
13
15
16
18
20
22
24
27
30
33
36
39
43
47
51
56
62
68
75
82
91
100
110
120
130
150
160
180
200
220
V
典型值
6.2
6.8
7.5
8.2
9.1
10
11
12
13
15
16
18
20
22
24
27
30
33
36
39
43
47
51
56
62
68
75
82
91
100
110
120
130
150
160
180
200
220
240
270
5.8
6.4
7
7.7
8.5
9.4
10.4
11.4
12.4
13.8
15.3
16.8
18.8
20.8
22.8
25.1
28
31
34
37
40
44
48
52
58
64
70
77
85
94
104
114
124
138
153
168
188
208
228
251
10/1000进出口。下降脉冲TP = 1000
s
下降到50%的
对峙电压=推荐suplly电压
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2
文档编号85599
第4版, 10月, 03
日前,Vishay
电气特性
BZT03D...
部分号码
齐纳电压范围
动态
阻力
r
zj
和传统知识
VZ
@
I
Z
最大
6.8
7.5
8.25
9
10
11
12.1
13.2
14.3
16.5
17.6
19.8
22
24.2
26.4
29.7
33
36.3
39.6
42.9
47.3
51.7
56.1
61.6
68.2
74.8
82.5
90.2
100
110
121
132
143
165
176
198
220
242
264
297
典型值
1
1
1
1
2
2
4
4
5
5
6
6
6
6
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8
8
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24
24
25
25
25
25
30
30
60
60
80
80
110
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150
180
200
350
400
450
最大
2
2
2
2
4
4
7
7
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10
15
15
15
15
15
15
15
15
40
40
45
45
60
60
80
80
100
100
200
200
250
250
300
300
350
400
500
750
850
1000
100
100
100
100
50
50
50
50
50
50
25
25
25
25
25
25
25
25
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
5
5
5
5
5
5
5
5
5
2
2
2
TEST
Curre
nt
I
ZT
mA
0
0
0
0.03
0.03
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.06
0.06
0.06
0.06
0.06
0.06
0.06
0.06
0.06
0.06
0.07
0.07
0.07
0.07
0.08
0.08
0.08
0.08
0.09
0.09
0.09
0.09
0.09
0.09
0.09
0.09
0.09
0.09
0.09
0.09
温度
对COEF网络cient
齐纳电压
TC
VZ
@ I
ZT
%/K
最大
0.07
0.07
0.07
0.08
0.08
0.09
0.1
0.1
0.1
0.1
0.11
0.11
0.11
0.11
0.11
0.11
0.11
0.11
0.11
0.11
0.12
0.12
0.12
0.12
0.13
0.13
0.13
0.13
0.13
0.13
0.13
0.13
0.13
0.13
0.13
0.13
0.13
0.13
0.13
0.13
反向
泄漏
当前
I
R
@ V
R
A
最大
1500
1000
750
600
20
10
4
3
2
1
1
1
1
1
1
1
1
1
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1
1
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1
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1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
V
BZT03..Series
威世半导体
夹紧
对峙
V
Z
@ I
ZT
V
BZT03D6V2
BZT03D6V8
BZT03D7V5
BZT03D8V2
BZT03D9V1
BZT03D10
BZT03D11
BZT03D12
BZT03D13
BZT03D15
BZT03D16
BZT03D18
BZT03D20
BZT03D22
BZT03D24
BZT03D27
BZT03D30
BZT03D33
BZT03D36
BZT03D39
BZT03D43
BZT03D47
BZT03D51
BZT03D56
BZT03D62
BZT03D68
BZT03D75
BZT03D82
BZT03D91
BZT03D100
BZT03D110
BZT03D120
BZT03D130
BZT03D150
BZT03D160
BZT03D180
BZT03D200
BZT03D220
BZT03D240
BZT03D270
1)
2)
V
(CL)R1)
@
I
RMS
V
最大
9.5
10.5
11.6
12.6
13.7
15.2
16.2
17.5
19.1
21.8
23.4
26.3
29.2
31.9
34.6
39
43.5
47.5
51.5
56
62
67.5
73
81
89
97
107
117
130
143
157
172
187
213
229
256
284
314
364
388
A
34.0
31.0
26.5
24.4
22.7
20.3
19.1
17.7
15.9
14.4
13.1
11.7
10.6
9.7
8.9
7.9
7.1
6.5
6.0
5.5
4.9
4.6
4.2
3.8
3.5
3.2
2.9
2.6
2.4
2.2
2.0
1.8
1.6
1.5
1.3
1.2
1.1
1.0
0.9
0.8
I
R
@ V
R 2)
A
最大
3000
2000
1500
1200
50
20
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
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5
4.8
5.3
5.9
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7.1
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19.4
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28
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33.5
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40
44.5
49
54
59
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79
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93
106
116
126
144
158
172
194
215
V
典型值
6.2
6.8
7.5
8.2
9.1
10
11
12
13
15
16
18
20
22
24
27
30
33
36
39
43
47
51
56
62
68
75
82
91
100
110
120
130
150
160
180
200
220
240
270
5.6
6.1
6.75
7.4
8.2
9
9.9
10.8
11.7
13.5
14.4
16.2
18
29.8
21.6
24.3
27
29.7
32.4
35.1
38.7
42.3
45.9
50.4
55.8
61.2
67.5
73.8
81.9
90
99
108
117
135
144
162
180
198
216
243
4.4
4.8
5.3
5.9
6.5
7.1
7.9
8.6
9.3
10.6
11.6
12.6
14.4
15.8
17.2
19.4
21.5
23.5
25.8
28
31
33.5
36.5
40
44.5
49
54
59
65
71
79
86
93
106
116
126
144
158
172
194
10/1000进出口。下降脉冲TP = 1000
s
下降到50%的
对峙电压=推荐suplly电压
文档编号85599
第4版, 10月, 03
www.vishay.com
3
BZT03..Series
威世半导体
典型特征
(T
AMB
= 25
°C
除非另有规定编)
50
3
I
F
正向电流( A)
日前,Vishay
3.0
2.5
2.0
T
j
=25°C
1.5
1.0
0.5
0
25
50
7
2
94 9086a
94 9585
0
0.5
1.0
1.5
2.0
V
F
- 正向电压( V)
图1.环氧玻璃硬组织,板厚度为1.5毫米,
R
thJA
≤100
K / W
P
ZSM
- 不重复浪涌电源
耗散(W)的
图3.正向电流与正向电压
P
合计
- 总功耗( W)
4
l=10mm
3
15mm
l
l
10000
T
j
=25°C
1000
2
20mm
1
见图1
0
0
40
80
T
L
=常数
100
120
160
200
94 9586
10
0.01
0.1
1
10
100
94 9584
T
AMB
- 环境牛逼
emperature ( ° C)
t
p
- 脉冲宽度(毫秒)
图2.总功率耗散与环境温度
图4.非重复浪涌功耗与脉冲
包装尺寸(mm)
3.6最大。
烧结玻璃柜
SOD 57
重最大。 0.5克
阴极鉴定
technicaldrawings
根据DIN
特定网络阳离子
94 9538
0.82最大。
26分钟。
4.2 MAX 。
26分钟。
www.vishay.com
4
文档编号85599
第4版, 10月, 03
日前,Vishay
消耗臭氧层物质的政策声明
它的策略
威世半导体有限公司
to
BZT03..Series
威世半导体
1.满足所有目前和未来的国家和国际法例的要求。
2.定期和不断改进我们的产品,工艺,销售的业绩和
operatingsystems相对于它们的健康和员工的安全和公众的影响,如
以及它们对环境的影响。
这是特别关注,以控制或消除这些物质排放到它们的气息
被称为消耗臭氧层物质(消耗臭氧层物质) 。
蒙特利尔议定书( 1987年)和其伦敦修正案( 1990)打算严格限制使用消耗臭氧层物质
并严禁在未来十年内的使用。不同的国家和国际行动正加紧为
对这些物质的早期禁令。
威世半导体有限公司
已经能够利用不断改进的政策,以消除
使用消耗臭氧层物质的列在下面的文件。
1.附件A, B和蒙特利尔议定书过渡性物质和伦敦修正列表
分别
2. I类并于1990年通过了环境的清洁空气法案修正案II消耗臭氧层物质
保护局(EPA)在美国
3.理事会决定五百四十分之八十八/ EEC分别和六百九十分之九十一/ EEC附件A,B和C (过渡性物质) 。
威世半导体有限公司
可以证明,我们的半导体是不消耗臭氧制造
物质和不含有这种物质。
我们保留作出修改,以改善技术设计的权利
并且可以这样做,恕不另行通知。
参数可以在不同的应用而变化。所有的操作参数必须为每个验证
客户应用程序由客户。如买方使用威世半导体产品的任何
意外或未经授权的应用程序,买方应赔偿威世半导体对所有
索赔,费用,损失,费用,直接或间接地产生出来的,个人的任何索赔
损害,伤害或死亡等意外或未经授权的使用有关。
日前,Vishay半导体有限公司, P.O.B. 3535 , D- 74025德国Heilbronn
电话: 49 ( 0 ) 67 7131 2831 ,传真号码: 49 ( 0 ) 67 7131 2423
文档编号85599
第4版, 10月, 03
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5
BZT03-Series
威世半导体
齐纳二极管与浪涌电流规格
特点
玻璃钝化结
密封包装
e2
阻断时间在皮秒
铅(Pb ) -free组件
按照RoHS 2002/95 / EC成分
和WEEE 2002/96 / EC
949539
应用
中等功率稳压器和中小功率
瞬态抑制电路
机械数据
案例:
SOD- 57烧结玻璃柜
重量:
约。 369毫克
包装代码/选项:
TAP / 5K的Ammopack (52毫米磁带) / 25 K /盒
TR / 5 K. 10"卷轴
绝对最大额定值
T
AMB
= 25℃,除非另有说明
参数
功耗
反向重复峰值功率
耗散
不重复峰值浪涌电流T
p
= 100
s,
T
j
= 25 °C
耗散
结温
存储温度范围
测试条件
升= 10毫米,T
L
= 25 °C
T
AMB
= 25 °C
符号
P
V
P
V
P
ZRM
P
ZSM
T
j
T
英镑
价值
3.25
1.3
10
600
175
- 65 + 175
单位
W
W
W
W
°C
°C
热特性
T
AMB
= 25℃,除非另有说明
参数
交界处的环境
测试条件
升= 10毫米,T
L
=常数
在PC板间距25毫米
符号
R
thJA
R
thJA
价值
46
100
单位
K / W
K / W
电气特性
T
AMB
= 25℃,除非另有说明
参数
正向电压
测试条件
I
F
= 0.5 A
符号
V
F
典型值。
最大
1.2
单位
V
文档编号85599
修订版1.4 , 13月, 05
www.vishay.com
1
BZT03-Series
威世半导体
电气特性
BZT03C...
部分号码
齐纳电压范围
动态
阻力
r
zj
和传统知识
VZ
@
I
Z
最大
6.6
7.2
7.9
8.7
9.6
10.6
11.6
12.7
14.1
15.6
17.1
19.1
21.2
23.3
25.6
28.9
32
35
38
41
46
50
54
60
66
72
79
87
96
106
116
127
141
156
171
191
212
233
256
289
320
典型值
1
1
1
1
2
2
4
4
5
5
6
6
6
6
7
7
8
8
21
21
24
24
25
25
25
25
30
30
60
60
80
80
110
130
150
180
200
350
400
450
450
最大
2
2
2
2
4
4
7
7
10
10
15
15
15
15
15
15
15
15
40
40
45
45
60
60
80
80
100
100
200
200
250
250
300
300
350
400
500
750
850
1000
1000
100
100
100
100
50
50
50
50
50
50
25
25
25
25
25
25
25
25
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
5
5
5
5
5
5
5
5
5
2
2
2
2
TEST
Curre
nt
I
ZT
mA
0
0
0
0.03
0.03
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.06
0.06
0.06
0.06
0.06
0.06
0.06
0.06
0.06
0.06
0.07
0.07
0.07
0.07
0.08
0.08
0.08
0.08
0.09
0.09
0.09
0.09
0.09
0.09
0.09
0.09
0.09
0.09
0.09
0.09
0.09
温度
对COEF网络cient
齐纳电压
TC
VZ
@ I
ZT
%/K
最大
0.07
0.07
0.07
0.08
0.08
0.09
0.1
0.1
0.1
0.1
0.11
0.11
0.11
0.11
0.11
0.11
0.11
0.11
0.11
0.11
0.12
0.12
0.12
0.12
0.13
0.13
0.13
0.13
0.13
0.13
0.13
0.13
0.13
0.13
0.13
0.13
0.13
0.13
0.13
0.13
0.13
反向
泄漏
当前
I
R
@ V
R
A
最大
1500
1000
750
600
20
10
4
3
2
1
1
1
1
1
1
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1
1
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1
1
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1
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1
1
1
1
1
1
1
1
1
4.7
5.1
5.6
6.2
6.8
7.5
8.2
9.1
10
11
12
13
15
16
18
20
22
24
27
30
33
36
39
43
47
51
56
62
68
75
82
91
100
110
120
130
150
160
180
200
220
V
夹紧
对峙
V
Z
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1)
2)
V
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@
I
RMS
V
最大
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22.9
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s
下降到50%的
对峙电压=推荐suplly电压
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BZT03-Series
威世半导体
电气特性
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部分号码
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r
zj
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@
I
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220
242
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297
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10
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5
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2
2
2
TEST
Curre
nt
I
ZT
mA
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0.03
0.03
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0.05
0.05
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0.06
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0.07
0.07
0.07
0.07
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0.08
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0.08
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0.09
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0.09
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0.09
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温度
对COEF网络cient
齐纳电压
TC
VZ
@ I
ZT
%/K
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0.07
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0.1
0.1
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0.13
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反向
泄漏
当前
I
R
@ V
R
A
最大
1500
1000
750
600
20
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1
4.4
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116
126
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158
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194
V
夹紧
对峙
V
Z
@ I
ZT
V
BZT03D6V2
BZT03D6V8
BZT03D7V5
BZT03D8V2
BZT03D9V1
BZT03D10
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BZT03D200
BZT03D220
BZT03D240
BZT03D270
1)
2)
V
(CL)R1)
@
I
RMS
V
最大
9.5
10.5
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12.6
13.7
15.2
16.2
17.5
19.1
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67.5
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117
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187
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24.4
22.7
20.3
19.1
17.7
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0.8
A
I
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@ V
R 2)
A
最大
3000
2000
1500
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50
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15.8
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19.4
21.5
23.5
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33.5
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86
93
106
116
126
144
158
172
194
215
V
典型值
6.2
6.8
7.5
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9.1
10
11
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110
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270
5.6
6.1
6.75
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13.5
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16.2
18
29.8
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29.7
32.4
35.1
38.7
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50.4
55.8
61.2
67.5
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90
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108
117
135
144
162
180
198
216
243
10/1000进出口。下降脉冲TP = 1000
s
下降到50%的
对峙电压=推荐suplly电压
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3
BZT03-Series
威世半导体
典型特性(环境温度Tamb = 25
°C
除非另有规定编)
50
3
I
F
正向电流( A)
3.0
2.5
2.0
T
j
=25°C
1.5
1.0
0.5
0
25
50
7
2
94 9086a
94 9585
0
0.5
1.0
1.5
2.0
V
F
- 正向电压( V)
图1.环氧玻璃硬组织,板厚度为1.5毫米,
R
thJA
≤100
K / W
P
ZSM
- 不重复浪涌电源
耗散(W)的
图3.正向电流与正向电压
P
合计
- 总功耗( W)
4
l=10mm
3
15mm
2
20mm
1
见图1
0
0
40
80
l
l
10000
T
j
=25°C
1000
T
L
=常数
100
120
160
200
94 9586
10
0.01
0.1
1
10
100
94 9584
T
AMB
- 环境牛逼
emperature ( ° C)
t
p
- 脉冲宽度(毫秒)
图2.总功率耗散与环境温度
图4.非重复浪涌功耗与脉冲
单位:mm包装尺寸(英寸)
烧结玻璃柜
SOD-57
3.6 ( 0.140 )最大。
阴极鉴定
ISO方法E
94 9538
0.82( 0.032 )最大。
26 ( 1.014 )分钟。
4.0 ( 0.156 )最大。
26 ( 1.014 )分钟。
www.vishay.com
4
文档编号85599
修订版1.4 , 13月, 05
BZT03-Series
威世半导体
消耗臭氧层物质的政策声明
这是威世半导体有限公司向政策
1.满足所有目前和未来的国家和国际法例的要求。
2.定期和不断改进我们的产品,工艺,销售和经营的业绩
相对于它们对健康和我们的员工和公众,对安全的影响的系统,以及
他们对环境的影响。
这是特别关注,以控制或消除这些物质排放到它们的气息
被称为消耗臭氧层物质(消耗臭氧层物质) 。
蒙特利尔议定书( 1987年)和其伦敦修正案( 1990)打算严格限制使用消耗臭氧层物质
并严禁在未来十年内的使用。不同的国家和国际行动正加紧为
对这些物质的早期禁令。
日前,Vishay半导体有限公司已经能够利用不断改进其政策,以消除使用
消耗臭氧层物质列在下面的文件。
1.附件A, B和蒙特利尔议定书过渡性物质和伦敦修正列表
分别
2. I类并于1990年通过了环境的清洁空气法案修正案II消耗臭氧层物质
保护局(EPA)在美国
3.理事会决定五百四十分之八十八/ EEC分别和六百九十分之九十一/ EEC附件A,B和C (过渡性物质) 。
日前,Vishay半导体有限公司可以证明我们的半导体是不消耗臭氧制造
物质和不含有这种物质。
我们保留作出修改,以改善技术设计的权利
并且可以这样做,恕不另行通知。
参数可以在不同的应用而变化。所有的操作参数必须为每个验证
客户应用程序由客户。如买方使用威世半导体产品的任何
意外或未经授权的应用程序,买方应赔偿威世半导体对所有
索赔,费用,损失,费用,直接或间接地产生出来的,个人的任何索赔
损害,伤害或死亡等意外或未经授权的使用有关。
日前,Vishay半导体有限公司, P.O.B. 3535 , D- 74025德国Heilbronn
文档编号85599
修订版1.4 , 13月, 05
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BZT03-Series
威世半导体
齐纳二极管与浪涌电流规格
特点
玻璃钝化结
密封包装
阻断时间在皮秒
符合RoHS指令2002/95 / EC
并根据WEEE指令2002/96 / EC
符合IEC 61249-2-21无卤素
德网络nition
949539
应用
中等功率电压调节器和介质
功率瞬态抑制电路
机械数据
案例:
SOD-57
重量:
约。 369毫克
包装代码/选项:
TAP / 5K的Ammopack (52毫米磁带) / 25 K /盒
TR / 5 K. 10"卷轴
绝对最大额定值
T
AMB
= 25℃,除非另有说明
参数
功耗
反向重复峰值功率
耗散
不重复峰值浪涌电源
耗散
结温
存储温度范围
t
p
= 100
μs,
T
j
= 25 °C
测试条件
升= 10毫米,T
L
= 25 °C
T
AMB
= 25 °C
符号
P
V
P
V
P
ZRM
P
ZSM
T
j
T
英镑
价值
3.25
1.3
10
600
175
- 65 + 175
单位
W
W
W
W
°C
°C
热特性
T
AMB
= 25℃,除非另有说明
参数
交界处的环境
测试条件
升= 10毫米,T
L
=常数
在PC板间距25毫米
符号
R
thJA
R
thJA
价值
46
100
单位
K / W
K / W
电气特性
T
AMB
= 25℃,除非另有说明
参数
正向电压
测试条件
I
F
= 0.5 A
符号
V
F
分钟。
典型值。
马克斯。
1.2
单位
V
文档编号85599
修订版1.5 , 26 - 8 - 10
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BZT03-Series
威世半导体
电气特性
BZT03C...
齐纳电压范围
产品型号
动态
阻力
r
zj
和传统知识
VZ
at
I
Z
Ω
马克斯。
6.6
7.2
7.9
8.7
9.6
10.6
11.6
12.7
14.1
15.6
17.1
19.1
21.2
23.3
25.6
28.9
32
35
38
41
46
50
54
60
66
72
79
87
96
106
116
127
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= 1000 μs的上下70%的
对峙电压=推荐suplly电压
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BZT03-Series
威世半导体
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= 1000 μs的上下70%的
对峙电压=推荐suplly电压
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3
BZT03-Series
威世半导体
典型特征
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图1.环氧玻璃硬组织,板厚度为1.5毫米,
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图3.正向电流与正向电压
P
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l
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T
AMB
- 环境牛逼
emperature ( ° C)
t
p
- 脉冲宽度(毫秒)
图2.总功率耗散与环境温度
图4.非重复浪涌功耗对比
脉冲长度
包装尺寸
以毫米(英寸):
SOD-57
0.82( 0.032 )最大。
26 ( 1.024 )分钟。
4 ( 0.157 )最大。
26 ( 1.024 )分钟。
3.6 ( 0.142 )最大。
20543
www.vishay.com
4
您所在区域内的技术问题,请联系以下之一:文档编号85599
DiodesAmericas@vishay.com , DiodesAsia@vishay.com , DiodesEurope@vishay.com
修订版1.5 , 26 - 8 - 10
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日前,Vishay
放弃
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目的,非侵权及适销性。
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包括但不限于本文所述的保修。
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Vishay的任何行为。产品名称及标记本文提到的可能是其各自所有者的商标。
文档编号: 91000
修订: 11 -MAR- 11
www.vishay.com
1
日前,Vishay
BZT03..Series
威世半导体
硅齐纳二极管与浪涌电流规格
特点
玻璃钝化结
密封包装
阻断时间在皮秒
应用
中等功率稳压器和中小功率
瞬态抑制电路
机械数据
案例: SOD57
重量:
370毫克( max.500毫克)
包装代码/选项:
TAP / 5K的Ammopack (52毫米磁带) / 25 K /盒
TR / 5 K. 10"卷轴
949539
绝对最大额定值
T
AMB
= 25℃,除非另有说明
参数
功耗
反向重复峰值功率
耗散
不重复峰值浪涌电流T
p
= 100
s,
T
j
= 25 °C
耗散
结温
存储温度范围
测试条件
升= 10毫米,T
L
= 25 °C
T
AMB
= 25 °C
符号
P
V
P
V
P
ZRM
P
ZSM
T
j
T
英镑
价值
3.25
1.3
10
600
175
- 65 + 175
单位
W
W
W
W
°C
°C
热特性
T
AMB
= 25℃,除非另有说明
参数
交界处的环境
测试条件
升= 10毫米,T
L
=常数
在PC板间距25毫米
符号
R
thJA
R
thJA
价值
46
100
单位
K / W
K / W
电气特性
T
AMB
= 25℃,除非另有说明
参数
正向电压
测试条件
I
F
= 0.5 A
符号
V
F
典型值。
最大
1.2
单位
V
文档编号85599
第4版, 10月, 03
www.vishay.com
1
BZT03..Series
威世半导体
电气特性
BZT03C...
部分号码
齐纳电压范围
动态
阻力
r
zj
和传统知识
VZ
@
I
Z
最大
6.6
7.2
7.9
8.7
9.6
10.6
11.6
12.7
14.1
15.6
17.1
19.1
21.2
23.3
25.6
28.9
32
35
38
41
46
50
54
60
66
72
79
87
96
106
116
127
141
156
171
191
212
233
256
289
典型值
1
1
1
1
2
2
4
4
5
5
6
6
6
6
7
7
8
8
21
21
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24
25
25
25
25
30
30
60
60
80
80
110
130
150
180
200
350
400
450
最大
2
2
2
2
4
4
7
7
10
10
15
15
15
15
15
15
15
15
40
40
45
45
60
60
80
80
100
100
200
200
250
250
300
300
350
400
500
750
850
1000
100
100
100
100
50
50
50
50
50
50
25
25
25
25
25
25
25
25
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
5
5
5
5
5
5
5
5
5
2
2
2
TEST
Curre
nt
I
ZT
mA
0
0
0
0.03
0.03
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
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0.06
0.06
0.06
0.06
0.06
0.06
0.06
0.06
0.07
0.07
0.07
0.07
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0.08
0.08
0.08
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0.09
0.09
0.09
0.09
0.09
0.09
0.09
0.09
0.09
0.09
0.09
温度
对COEF网络cient
齐纳电压
TC
VZ
@ I
ZT
%/K
最大
0.07
0.07
0.07
0.08
0.08
0.09
0.1
0.1
0.1
0.1
0.11
0.11
0.11
0.11
0.11
0.11
0.11
0.11
0.11
0.11
0.12
0.12
0.12
0.12
0.13
0.13
0.13
0.13
0.13
0.13
0.13
0.13
0.13
0.13
0.13
0.13
0.13
0.13
0.13
0.13
反向
泄漏
当前
I
R
@ V
R
A
最大
1500
1000
750
600
20
10
4
3
2
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
4.7
5.1
5.6
6.2
6.8
7.5
8.2
9.1
10
11
12
13
15
16
18
20
22
24
27
30
33
36
39
43
47
51
56
62
68
75
82
91
100
110
120
130
150
160
180
200
V
夹紧
日前,Vishay
对峙
V
Z
@ I
ZT
V
BZT03C6V2
BZT03C6V8
BZT03C7V5
BZT03C8V2
BZT03C9V1
BZT03C10
BZT03C11
BZT03C12
BZT03C13
BZT03C15
BZT03C16
BZT03C18
BZT03C20
BZT03C22
BZT03C24
BZT03C27
BZT03C30
BZT03C33
BZT03C36
BZT03C39
BZT03C43
BZT03C47
BZT03C51
BZT03C56
BZT03C62
BZT03C68
BZT03C75
BZT03C82
BZT03C91
BZT03C100
BZT03C110
BZT03C120
BZT03C130
BZT03C150
BZT03C160
BZT03C180
BZT03C200
BZT03C220
BZT03C240
BZT03C270
1)
2)
V
(CL)R1)
@
I
RMS
V
最大
9.3
10.2
11.3
12.3
13.3
14.8
15.7
17.0
18.9
20.9
22.9
25.6
28.4
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33.8
38.1
42.2
46.2
50.1
54.1
60.7
65.5
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78.6
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103.5
114
126
139
152
167
185
204
224
249
276
305
336
380
34.0
31.0
26.5
24.4
22.7
20.3
19.1
17.7
15.9
14.4
13.1
11.7
10.6
9.7
8.9
7.9
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6.5
6.0
5.5
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4.6
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3.2
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2.6
2.4
2.2
2.0
1.8
1.6
1.5
1.3
1.2
1.1
1.0
0.9
0.8
A
I
R
@ V
R 2)
A
最大
3000
2000
1500
1200
50
20
5
5
5
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5
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5
5
5.1
5.6
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100
110
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160
180
200
220
V
典型值
6.2
6.8
7.5
8.2
9.1
10
11
12
13
15
16
18
20
22
24
27
30
33
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39
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91
100
110
120
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150
160
180
200
220
240
270
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7
7.7
8.5
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20.8
22.8
25.1
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94
104
114
124
138
153
168
188
208
228
251
10/1000进出口。下降脉冲TP = 1000
s
下降到50%的
对峙电压=推荐suplly电压
www.vishay.com
2
文档编号85599
第4版, 10月, 03
日前,Vishay
电气特性
BZT03D...
部分号码
齐纳电压范围
动态
阻力
r
zj
和传统知识
VZ
@
I
Z
最大
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10
11
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14.3
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17.6
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22
24.2
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39.6
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68.2
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100
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264
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典型值
1
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4
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25
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30
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80
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250
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2
2
2
TEST
Curre
nt
I
ZT
mA
0
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0
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0.03
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0.08
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0.09
0.09
0.09
0.09
0.09
0.09
0.09
0.09
0.09
0.09
0.09
温度
对COEF网络cient
齐纳电压
TC
VZ
@ I
ZT
%/K
最大
0.07
0.07
0.07
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0.08
0.09
0.1
0.1
0.1
0.1
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0.11
0.11
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0.11
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0.11
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0.13
0.13
0.13
0.13
0.13
0.13
0.13
0.13
0.13
0.13
0.13
0.13
0.13
0.13
0.13
反向
泄漏
当前
I
R
@ V
R
A
最大
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1
1
1
1
1
V
BZT03..Series
威世半导体
夹紧
对峙
V
Z
@ I
ZT
V
BZT03D6V2
BZT03D6V8
BZT03D7V5
BZT03D8V2
BZT03D9V1
BZT03D10
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BZT03D130
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BZT03D180
BZT03D200
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BZT03D240
BZT03D270
1)
2)
V
(CL)R1)
@
I
RMS
V
最大
9.5
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19.1
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29.2
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34.6
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47.5
51.5
56
62
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73
81
89
97
107
117
130
143
157
172
187
213
229
256
284
314
364
388
A
34.0
31.0
26.5
24.4
22.7
20.3
19.1
17.7
15.9
14.4
13.1
11.7
10.6
9.7
8.9
7.9
7.1
6.5
6.0
5.5
4.9
4.6
4.2
3.8
3.5
3.2
2.9
2.6
2.4
2.2
2.0
1.8
1.6
1.5
1.3
1.2
1.1
1.0
0.9
0.8
I
R
@ V
R 2)
A
最大
3000
2000
1500
1200
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5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
4.8
5.3
5.9
6.5
7.1
7.9
8.6
9.3
10.6
11.6
12.6
14.4
15.8
17.2
19.4
21.5
23.5
25.8
28
31
33.5
36.5
40
44.5
49
54
59
65
71
79
86
93
106
116
126
144
158
172
194
215
V
典型值
6.2
6.8
7.5
8.2
9.1
10
11
12
13
15
16
18
20
22
24
27
30
33
36
39
43
47
51
56
62
68
75
82
91
100
110
120
130
150
160
180
200
220
240
270
5.6
6.1
6.75
7.4
8.2
9
9.9
10.8
11.7
13.5
14.4
16.2
18
29.8
21.6
24.3
27
29.7
32.4
35.1
38.7
42.3
45.9
50.4
55.8
61.2
67.5
73.8
81.9
90
99
108
117
135
144
162
180
198
216
243
4.4
4.8
5.3
5.9
6.5
7.1
7.9
8.6
9.3
10.6
11.6
12.6
14.4
15.8
17.2
19.4
21.5
23.5
25.8
28
31
33.5
36.5
40
44.5
49
54
59
65
71
79
86
93
106
116
126
144
158
172
194
10/1000进出口。下降脉冲TP = 1000
s
下降到50%的
对峙电压=推荐suplly电压
文档编号85599
第4版, 10月, 03
www.vishay.com
3
BZT03..Series
威世半导体
典型特征
(T
AMB
= 25
°C
除非另有规定编)
50
3
I
F
正向电流( A)
日前,Vishay
3.0
2.5
2.0
T
j
=25°C
1.5
1.0
0.5
0
25
50
7
2
94 9086a
94 9585
0
0.5
1.0
1.5
2.0
V
F
- 正向电压( V)
图1.环氧玻璃硬组织,板厚度为1.5毫米,
R
thJA
≤100
K / W
P
ZSM
- 不重复浪涌电源
耗散(W)的
图3.正向电流与正向电压
P
合计
- 总功耗( W)
4
l=10mm
3
15mm
l
l
10000
T
j
=25°C
1000
2
20mm
1
见图1
0
0
40
80
T
L
=常数
100
120
160
200
94 9586
10
0.01
0.1
1
10
100
94 9584
T
AMB
- 环境牛逼
emperature ( ° C)
t
p
- 脉冲宽度(毫秒)
图2.总功率耗散与环境温度
图4.非重复浪涌功耗与脉冲
包装尺寸(mm)
3.6最大。
烧结玻璃柜
SOD 57
重最大。 0.5克
阴极鉴定
technicaldrawings
根据DIN
特定网络阳离子
94 9538
0.82最大。
26分钟。
4.2 MAX 。
26分钟。
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4
文档编号85599
第4版, 10月, 03
日前,Vishay
消耗臭氧层物质的政策声明
它的策略
威世半导体有限公司
to
BZT03..Series
威世半导体
1.满足所有目前和未来的国家和国际法例的要求。
2.定期和不断改进我们的产品,工艺,销售的业绩和
operatingsystems相对于它们的健康和员工的安全和公众的影响,如
以及它们对环境的影响。
这是特别关注,以控制或消除这些物质排放到它们的气息
被称为消耗臭氧层物质(消耗臭氧层物质) 。
蒙特利尔议定书( 1987年)和其伦敦修正案( 1990)打算严格限制使用消耗臭氧层物质
并严禁在未来十年内的使用。不同的国家和国际行动正加紧为
对这些物质的早期禁令。
威世半导体有限公司
已经能够利用不断改进的政策,以消除
使用消耗臭氧层物质的列在下面的文件。
1.附件A, B和蒙特利尔议定书过渡性物质和伦敦修正列表
分别
2. I类并于1990年通过了环境的清洁空气法案修正案II消耗臭氧层物质
保护局(EPA)在美国
3.理事会决定五百四十分之八十八/ EEC分别和六百九十分之九十一/ EEC附件A,B和C (过渡性物质) 。
威世半导体有限公司
可以证明,我们的半导体是不消耗臭氧制造
物质和不含有这种物质。
我们保留作出修改,以改善技术设计的权利
并且可以这样做,恕不另行通知。
参数可以在不同的应用而变化。所有的操作参数必须为每个验证
客户应用程序由客户。如买方使用威世半导体产品的任何
意外或未经授权的应用程序,买方应赔偿威世半导体对所有
索赔,费用,损失,费用,直接或间接地产生出来的,个人的任何索赔
损害,伤害或死亡等意外或未经授权的使用有关。
日前,Vishay半导体有限公司, P.O.B. 3535 , D- 74025德国Heilbronn
电话: 49 ( 0 ) 67 7131 2831 ,传真号码: 49 ( 0 ) 67 7131 2423
文档编号85599
第4版, 10月, 03
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5
BZT03系列
齐纳二极管
V
Z
:
6.2 -- 270 V
功耗:
3.25
W
DO - 15
特点
密封包装
阻断时间在皮秒
机械数据
案例: JEDEC DO- 15
终端:轴向引线每MIL-焊
STD- 202方法208
极性:色环表示cathods结束
重量: 0.014盎司, 0.39克
安装位置:任意
单位:毫米
最大额定值和热特性
参数
在T总功率耗散
tp
=25℃ 
在T功耗
A
=45℃
正向电压@I
F
=0.5A
最大热阻
结到环境(注1 )
反向峰值功耗
TP = 100μs的方波
结温
存储温度范围
注: 1.On PC板间距25毫米
(T
A
= 25℃除非另有说明)
符号
P
合计
P
合计
V
F
R
θJA
P
ZSM
T
J
T
英镑
价值
3.25
1.3
1.2
100
600
150
-55到+150
单位
W
W
V
℃/W
W
http://www.luguang.cn
邮箱: lge@luguang.cn
BZT03系列
齐纳二极管
电气特性
齐纳电压
(2)
范围
TYPE
V
Z
@I
ZT
V
分钟。
BZT03C6V2
BZT03C6V8
BZT03C7V5
BZT03C8V2
BZT03C9V1
BZT03C10
BZT03C11
BZT03C12
BZT03C13
BZT03C15
BZT03C16
BZT03C18
BZT03C20
BZT03C22
BZT03C24
BZT03C27
BZT03C30
BZT03C33
BZT03C36
BZT03C39
BZT03C43
BZT03C47
BZT03C51
BZT03C56
BZT03C62
BZT03C68
BZT03C75
BZT03C82
BZT03C91
BZT03C100
BZT03C110
BZT03C120
BZT03C130
BZT03C150
BZT03C160
BZT03C180
BZT03C200
BZT03C220
BZT03C240
BZT03C270
(1)
(2)
动态
阻力
r
zj
@I
ZT
,
f=1kH
Z
TEST
当前
I
ZT
mA
温度
系数
齐纳电压
α
VZ
@I
ZT
%/K
分钟。
马克斯。
0.07
0.07
0.07
0.08
0.08
0.09
0.10
0.10
0.10
0.10
0.11
0.11
0.11
0.11
0.11
0.11
0.11
0.11
0.11
0.11
0.12
0.12
0.12
0.12
0.13
0.13
0.13
0.13
0.13
0.13
0.13
0.13
0.13
0.13
0.13
0.13
0.13
0.13
0.13
0.13
0
0
0
0.03
0.03
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.06
0.06
0.06
0.06
0.06
0.06
0.06
0.06
0.06
0.06
0.07
0.07
0.07
0.07
0.08
0.08
0.08
0.08
0.09
0.09
0.09
0.09
0.09
0.09
0.09
0.09
0.09
0.09
0.09
0.09
反向
泄漏
当前
I
R
@V
R
A
马克斯。
1500
1000
750
600
20
10
4.0
3.0
2.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
4.7
5.1
5.6
6.2
6.8
7.5
8.2
9.1
10
11
12
13
15
16
18
20
22
24
27
30
33
36
39
43
47
51
56
62
68
75
82
91
100
110
120
130
150
160
180
200
夹紧
V
(CL )R
@ I
RMS
1)
对峙
2)
I
R
@V
R
A
A
马克斯。
3000
2000
1500
1200
50
20
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
V
V
马克斯。
9.3
10.2
11.3
12.3
13.3
14.8
15.7
17.0
18.9
20.9
22.9
25.6
28.4
31.0
33.8
38.1
42.2
46.2
50.1
54.1
60.7
65.5
70.8
78.6
86.5
94.4
103.5
114
126
139
152
167
185
204
224
249
276
305
336
380
V
5.1
5.6
6.2
6.8
7.5
8.2
9.1
10
11
12
13
15
16
18
20
22
24
27
30
33
36
39
43
47
51
56
62
68
75
82
91
100
110
120
130
150
160
180
200
220
典型值。
6.2
6.8
7.5
8.2
9.1
10
11
12
13
15
16
18
20
22
24
27
30
33
36
39
43
47
51
56
62
68
75
82
91
100
110
120
130
150
160
180
200
220
240
270
马克斯。
6.6
7.2
7.9
8.7
9.6
10.6
11.6
12.7
14.1
15.6
17.1
19.1
21.2
23.3
25.6
28.9
32
35
38
41
46
50
54
60
66
72
79
87
96
106
116
127
141
156
171
191
212
233
256
289
典型值。
1.0
1.0
1.0
1.0
2.0
2.0
4.0
4.0
5.0
5.0
6.0
6.0
6.0
6.0
7.0
7.0
8.0
8.0
21
21
24
24
25
25
25
25
30
30
60
60
80
80
110
130
150
180
200
350
400
450
马克斯。
2.0
2.0
2.0
2.0
4.0
4.0
7.0
7.0
10
10
15
15
15
15
15
15
15
15
40
40
45
45
60
60
80
80
100
100
200
200
250
250
300
300
350
400
500
750
850
1000
100
100
100
100
50
50
50
50
50
50
25
25
25
25
25
25
25
25
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
2.0
2.0
2.0
5.8
6.4
7.0
7.7
8.5
9.4
10.4
11.4
12.4
13.8
15.3
16.8
18.8
20.8
22.8
25.1
28
31
34
37
40
44
48
52
58
64
70
77
85
94
104
114
124
138
153
168
188
208
228
251
34
31
26.5
24.4
22.7
20.3
19.1
17.7
15.9
14.4
13.1
11.7
10.6
9.7
8.9
7.9
7.1
6.5
6.0
5.5
4.9
4.6
4.2
3.8
3.5
3.2
2.9
2.6
2.4
2.2
2.0
1.8
1.6
1.5
1.3
1.2
1.1
1.0
0.9
0.8
10/1000 exp.falling脉冲TP = 1000μs下降到50 %
对峙电压=推荐suplly电压。
http://www.luguang.cn
邮箱: lge@luguang.cn
BZT03系列
齐纳二极管
电气特性
齐纳电压
(2)
范围
TYPE
V
Z
@I
ZT
V
BZT03D6V2
BZT03D6V8
BZT03D7V5
BZT03D8V2
BZT03D9V1
BZT03D10
BZT03D11
BZT03D12
BZT03D13
BZT03D15
BZT03D16
BZT03D18
BZT03D20
BZT03D22
BZT03D24
BZT03D27
BZT03D30
BZT03D33
BZT03D36
BZT03D39
BZT03D43
BZT03D47
BZT03D51
BZT03D56
BZT03D62
BZT03D68
BZT03D75
BZT03D82
BZT03D91
BZT03D100
BZT03D110
BZT03D120
BZT03D130
BZT03D150
BZT03D160
BZT03D180
BZT03D200
BZT03D220
BZT03D240
BZT03D270
(1)
(2)
动态
阻力
r
zj
@I
ZT
,
f=1kH
Z
TEST
当前
I
ZT
mA
温度
系数
齐纳电压
α
VZ
@I
ZT
%/K
最大
0.07
0.07
0.07
0.08
0.08
0.09
0.10
0.10
0.10
0.10
0.11
0.11
0.11
0.11
0.11
0.11
0.11
0.11
0.11
0.11
0.12
0.12
0.12
0.12
0.13
0.13
0.13
0.13
0.13
0.13
0.13
0.13
0.13
0.13
0.13
0.13
0.13
0.13
0.13
0.13
0
0
0
0.03
0.03
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.06
0.06
0.06
0.06
0.06
0.06
0.06
0.06
0.06
0.06
0.07
0.07
0.07
0.07
0.08
0.08
0.08
0.08
0.09
0.09
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0.09
0.09
0.09
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0.09
0.09
0.09
0.09
0.09
反向
泄漏
当前
I
R
@V
R
A
最大
1500
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1.0
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1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
4.4
4.8
5.3
5.9
6.5
7.1
7.9
8.6
9.3
10.6
11.6
12.6
14.4
15.8
17.2
19.4
21.5
23.5
25.8
28
31
33.5
36.5
40
44.5
49
54
59
65
71
79
86
93
106
116
126
144
158
172
194
夹紧
V
(CL )R
@ I
RMS
1)
对峙
2)
I
R
@V
R
A
A
最大
3000
2000
1500
1200
50
20
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
V
V
最大
9.5
10.5
11.6
12.6
13.7
15.2
16.2
17.5
19.1
21.8
23.4
26.3
29.2
31.9
34.6
39
43.5
47.5
51.5
56
62
67.5
73
81
89
97
107
117
130
143
157
172
187
213
229
256
284
314
364
388
V
4.8
5.3
5.9
6.5
7.1
7.9
8.6
9.3
10.6
11.6
12.6
14.4
15.8
17.2
19.4
21.5
23.5
25.8
28
31
33.5
36.5
40
44.5
49
54
59
65
71
79
86
93
106
116
126
144
158
172
194
215
典型值。
6.2
6.8
7.5
8.2
9.1
10
11
12
13
15
16
18
20
22
24
27
30
33
36
39
43
47
51
56
62
68
75
82
91
100
110
120
130
150
160
180
200
220
240
270
最大
6.8
7.5
8.25
9
10
11
12.1
13.2
14.3
16.5
17.6
19.8
22.0
24.2
26.4
29.7
33.0
36.3
39.6
42.9
47.3
51.7
56.1
61.6
68.2
74.8
82.5
90.2
100
110
121
132
143
165
176
198
220
242
264
297
典型值
1.0
1.0
1.0
1.0
2.0
2.0
4.0
4.0
5.0
5.0
6.0
6.0
6.0
6.0
7.0
7.0
8.0
8.0
21
21
24
24
25
25
25
25
30
30
60
60
80
80
110
130
150
180
200
350
400
450
最大
2.0
2.0
2.0
2.0
4.0
4.0
7.0
7.0
10
10
15
15
15
15
15
15
15
15
40
40
45
45
60
60
80
80
100
100
200
200
250
250
300
300
350
400
500
750
850
1000
100
100
100
100
50
50
50
50
50
50
25
25
25
25
25
25
25
25
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
2.0
2.0
2.0
5.6
6.1
6.75
7.4
8.2
9
9.9
10.8
11.7
13.5
14.4
16.2
18.0
29.8
21.6
24.3
27.0
29.7
32.4
35.1
38.7
42.3
45.9
50.4
55.8
61.2
67.5
73.8
81.9
90
99
108
117
135
144
162
180
198
216
243
34
31
26.5
24.4
22.7
20.3
19.1
17.7
15.9
14.4
13.1
11.7
10.6
9.7
8.9
7.9
7.1
6.5
6.0
5.5
4.9
4.6
4.2
3.8
3.5
3.2
2.9
2.6
2.4
2.2
2.0
1.8
1.6
1.5
1.3
1.2
1.1
1.0
0.9
0.8
10/1000 exp.falling脉冲TP = 1000μs下降到50 %
对峙电压=推荐suplly电压。
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BZT03系列
齐纳二极管
评级和Charactieristic曲线
图1 - 击穿特性
100
I
F
10
T
J
=25
脉冲宽度= 300US
4
2
1.0
0.4
0.2
0.1
0.06
0.04
0.02
0.01
0.6 0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
V
F
图2 - 容许功耗与环境温度
W
3.5
3.25
Ttp=25℃
2.8
P
合计
2.0
1.5
1.4
T
A
=45℃
0.7
0
0
100
T
AMB ,
T
tp
200℃
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