NPN - Silizium - Fototransistor
硅NPN光电晶体管
BPX 81
Wesentliche Merkmale
Speziell geeignet献给Anwendungen IM Bereich
冯为440nm双波长1070
霍厄Linearitt
Einstellige Zeilenbauform澳大利亚klarem环氧
Gruppiert lieferbar
Anwendungen
电脑Blitzlichtgerte
Miniaturlichtschranken献给Gleich- UND
Wechsellichtbetrieb
Industrieelektronik
“梅森/ Steuern / Regeln ”
典型值
TYPE
BPX 81
BPX 81-2 / 3
BPX 81-3
BPX 81-3 / 4
BPX 81-4
Bestellnummer
订购代码
Q62702-P20
Q62702-P3583
Q62702-P43-S3
Q62702-P3584
Q62702-P43-S4
特点
特别适用于从应用程序
440纳米至1070纳米
- 高线性度
一个数字阵列透明环氧树脂封装
可在组
应用
电脑控制的闪烁
微型光断续器
工业电子产品
控制和驱动电路
2001-02-21
1
BPX 81
Grenzwerte
最大额定值
bezeichnung
参数
Betriebs- UND Lagertemperatur
工作和存储温度范围
Lttemperatur贝Tauchltung
Ltstelle
≥
2毫米VOM Gehuse ， Ltzeit
t
≤
3 s
浸焊温度
≥
2毫米距离
从底部的情况下，焊接时间
t
≤
3 s
Lttemperatur贝Kolbenltung
Ltstelle
≥
2毫米VOM Gehuse ， Ltzeit
t
≤
5 s
烙铁焊接温度
≥
2毫米距离
从底部的情况下，焊接时间
t
≤
5 s
Kollektor - Emitterspannung
集电极 - 发射极电压
Kollektorstrom
集电极电流
Kollektorspitzenstrom ，
φ <
10
s
集电极电流浪涌
Verlustleistung ，
T
A
= 25
°C
总功耗
Wrmewiderstand
热阻
符号
符号
邂逅相遇，
价值
– 40
…
+ 80
230
统一性
单位
°C
°C
T
op
;
T
英镑
T
S
T
S
300
°C
V
CE
I
C
I
CS
P
合计
R
thJA
32
50
200
90
750
V
mA
mA
mW
K / W
2001-02-21
2
BPX 81
Kennwerte
(
T
A
= 25
°C, λ
= 950纳米）
特征
bezeichnung
参数
Wellenlnge德最大。 Fotoempfindlichkeit
波长最大的。灵敏度
Spektraler Bereich德Fotoempfindlichkeit
S
= 10％冯
S
最大
灵敏度的光谱范围
S
作者= 10％
S
最大
Bestrahlungsempfindliche Flche
RADIANT敏感区
Abmessung德Chipflche
芯片区域的尺寸
Abstand Chipoberflche祖Gehuseoberflche
距离前面的芯片到外壳表面
Halbwinkel
半角
Kapazitt
电容
V
CE
= 0 V,
f
= 1 MHz时，
E
= 0
Dunkelstrom
暗电流
V
CE
= 25 V,
E
= 0
符号
符号
λ
s最大
λ
邂逅相遇，
价值
850
440
…
1070
统一性
单位
nm
nm
A
L
×
B
L
×
W
H
0.17
0.6
×
0.6
1.3
…
1.9
±
18
6
mm
2
mm
×
mm
mm
毕业生
度。
pF
C
CE
I
首席执行官
25 (≤ 200)
nA
2001-02-21
3
BPX 81
死Fototransistoren werden NACH ihrer Fotoempfindlichkeit gruppiert UND麻省理工学院arabischen Ziffern
gekennzeichnet 。
光电晶体管根据它们的光谱灵敏度和分辨由分组
阿拉伯的数字。
bezeichnung
参数
Fotostrom ，
λ =
950纳米
光
E
e
= 0.5毫瓦/平方厘米
2
,
V
CE
= 5 V
E
v
= 1000九， Normlicht /标准光源A，
V
CE
= 5 V
Anstiegszeit / Abfallzeit
上升和下降时间
I
C
= 1毫安，
V
CC
= 5 V,
R
L
= 1 k
Kollektor发射极 - Sttigungsspannung
集电极 - 发射极饱和电压
I
C
=
I
PCEmin1)
×
0.3
E
e
= 0.5毫瓦/平方厘米
2
1)
1)
符号
符号
-2
邂逅相遇，
价值
-3
-4
统一性
单位
I
PCE
I
PCE
t
r
,
t
f
0.25
…
0.50
1.4
5.5
0.40
…
0.80
2.2
6
≥
0.63
3.4
8
mA
mA
s
V
CESAT
150
150
150
mV
I
PCEmin
北京时间德minimale Fotostrom德jeweiligen的Gruppe 。
I
PCEmin
是分钟。光电流在指定组的。
2001-02-21
4
BPX 81
NPN - Silizium - Fototransistor
硅NPN光电晶体管
BPX 81
Maβe在毫米，德恩非职权安德斯angegeben /尺寸（mm） ，除非另有规定。
Wesentliche Merkmale
q
Speziell geeignet献给Anwendungen IM
Bereich冯440nm的双波长1070
q
霍厄Linearitt
q
Einstellige Zeilenbauform澳大利亚klarem环氧
q
Gruppiert lieferbar
Anwendungen
q
电脑Blitzlichtgerte
q
Miniaturlichtschranken献给Gleich- UND
Wechsellichtbetrieb
q
Industrieelektronik
q
“梅森/ Steuern / Regeln ”
特点
q
特别适合于从应用程序
440纳米至1070纳米
q
高线性度
q
的透明单位阵列封装
环氧树脂
q
可在组
应用
q
电脑控制的闪烁
q
微型光断续器
q
工业电子产品
q
控制和驱动电路
典型值
TYPE
BPX 81
BPX 81-2
BPX 81-3
Bestellnummer
订购代码
Q62702-P20
Q62702-P43-S2
Q62702-P43-S3
半导体集团
234
10.95
feo06021
BPX 81
Grenzwerte
最大额定值
bezeichnung
描述
Betriebs- UND Lagertemperatur
工作和存储温度范围
Lttemperatur贝Tauchltung
Ltstelle
≥
2毫米VOM Gehuse ，
Ltzeit
t
≤
3 s
浸焊温度
≥
2毫米距离
从底部的情况下，焊接时间
t
≤
3 s
Lttemperatur贝Kolbenltung
Ltstelle
≥
2毫米VOM Gehuse ，
Ltzeit
t
≤
5 s
烙铁焊接温度
≥
2毫米距离
从底部的情况下，焊接时间
t
≤
5 s
Kollektor - Emitterspannung
集电极 - 发射极电压
Kollektorstrom
集电极电流
Kollektorspitzenstrom ，
φ <
10
s
集电极电流浪涌
Verlustleistung ，
T
A
= 25
°C
总功耗
Wrmewiderstand
热阻
符号
符号
邂逅相遇，
价值
– 40 ... + 80
230
统一性
单位
°C
°C
T
op
;
T
英镑
T
S
T
S
300
°C
V
CE
I
C
I
CS
P
合计
R
thJA
32
50
200
90
750
V
mA
mA
mW
K / W
Kennwerte
(
T
A
= 25
°C, λ
= 950纳米）
特征
bezeichnung
描述
Wellenlnge德最大。 Fotoempfindlichkeit
波长最大的。灵敏度
Spektraler Bereich德Fotoempfindlichkeit
S
= 10％冯
S
最大
灵敏度的光谱范围
S
= 10 ％
S
最大
Bestrahlungsempfindliche Flche
RADIANT敏感区
符号
符号
λ
s最大
λ
邂逅相遇，
价值
850
440 ... 1070
统一性
单位
nm
nm
A
0.17
mm
2
半导体集团
235
BPX 81
Kennwerte
(
T
A
= 25
°C, λ
= 950纳米）
特征
（续）
bezeichnung
描述
Abmessung德Chipflche
芯片区域的尺寸
Abstand Chipoberflche祖Gehuseober-
flche
距离前面的芯片到外壳表面
Halbwinkel
半角
Kapazitt
电容
V
CE
= 0 V,
f
= 1 MHz时，
E
= 0
Dunkelstrom
暗电流
V
CE
= 25 V,
E
= 0
符号
符号
邂逅相遇，
价值
0.6
×
0.6
1.3 ... 1.9
统一性
单位
mm
×
mm
mm
L
×
B
L
×
W
H
±
18
6
毕业生
度。
pF
C
CE
I
首席执行官
25 (≤ 200)
nA
死Fototransistoren werden NACH ihrer Fotoempfindlichkeit gruppiert UND麻省理工学院arabischen
Ziffern gekennzeichnet 。
光电晶体管根据它们的光谱灵敏度和分辨的分组
由阿拉伯的数字。
bezeichnung
描述
符号
符号
-2
Fotostrom ，
λ =
950纳米
光
E
e
= 0.5毫瓦/平方厘米
2
,
V
CE
= 5 V
I
PCE
E
v
= 1000九， Normlicht /标准光源A，
I
PCE
V
CE
= 5 V
Anstiegszeit / Abfallzeit
上升和下降时间
I
C
= 1毫安，
V
CC
= 5 V,
R
L
= 1 k
Kollektor发射极 - Sttigungsspannung
集电极 - 发射极饱和电压
I
C
=
I
PCEmin
1)
×
0.3
E
e
= 0.5毫瓦/平方厘米
2
1)
1)
邂逅相遇，
价值
-3
-4
统一性
单位
0.25 ... 0.50
1.4
5.5
0.40 ... 0.80
2.2
6
≥
0.63毫安
3.4
mA
8
s
t
r
,
t
f
V
CESAT
150
150
150
mV
I
PCEmin
北京时间德minimale Fotostrom德jeweiligen的Gruppe
I
PCEmin
是分钟。指定的组的光电流
半导体集团
236
QQ：2881677436 复制
