飞利浦半导体
初步speci fi cation
ZenBlock
TM
;齐纳二极管集成阻塞二极管
电气特性ZENER / TVS
T
j
= 25
°C
除非另有规定ED 。
工作电压
TYPE
数
苏FFI X
(1)
温度
系数
S
Z
（％/ K），在我
TEST
分钟。
0.07
0.07
0.07
0.07
0.07
0.07
0.07
0.07
0.07
0.07
马克斯。
0.12
0.12
0.12
0.12
0.12
0.12
0.12
0.12
0.12
0.12
10
10
10
5
5
5
5
5
5
5
TEST
当前
夹紧
电压
V
（CL ）R
(V)
马克斯。
94.4
103.5
114
126
139
152
167
185
204
224
在我
RSM
(A)
（注
2)
106
0.97
0.88
0.79
0.72
0.66
0.60
0.54
0.49
0.45
BZD142
反向电流
在对峙
电压
IR（ μA ）
在V
R
(V)
马克斯。
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
56
62
68
75
82
91
100
110
120
130
V
Z
（五）在我
Z
（见图4）
分钟。
喃。
68
75
82
91
100
110
120
130
150
160
马克斯。
75
82
90
100
110
121
132
143
165
171
I
TEST
（MA ）
68
75
82
91
100
110
120
130
150
160
笔记
61
68
74
82
90
99
108
117
135
149
1.为完成此后缀添加到基本类型编号，例如类型号BZD142-68 。
2.非重复性峰值反向电流按照
“ IEC 60060-1 ，第8节”
(10/1000
s
脉冲） ;见图5 。
电气特性阻断CODE
T
j
= 25
°C
除非另有规定ED 。
符号
V
（ BR ）R
I
R
C
d
参数
反向雪崩
击穿电压
反向电流
二极管电容
条件
I
R
- 0.1毫安
V
R
= 600 V
V
R
= 600 V ;牛逼
j
= 150
°C
F = 1兆赫; V
R
= 0 V;
见图4
分钟。
700
15
典型值。
5
100
马克斯。
V
A
A
pF
单位
热特性
符号
R
日J- TP
R
日J-一
记
1.装置安装在环氧玻璃印刷电路板， 1.5mm厚; Cu层的厚度
≥40 m,
见图2 。
欲了解更多信息，请参阅
“总则相关手册” 。
参数
从结热阻，以配合点
从结点到环境的热阻
条件
导线长度= 10毫米
注1
价值
60
120
单位
K / W
K / W
2000年12月19
3
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